JPH08254626A

JPH08254626A - 光回路の製造方法

Info

Publication number: JPH08254626A
Application number: JP5916095A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Tamura; 修一田村; Akira Mugino; 明麦野; Takeo Shimizu; 健男清水
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1995-03-17
Filing date: 1995-03-17
Publication date: 1996-10-01

Abstract

(57)【要約】【目的】任意の個所にモードフィールド変換部を有す
る光回路を簡単に製造する方法を提供する。【構成】この光回路の製造方法は、誘電体材料を用い
て基板上にクラッド部と前記クラッド部に埋設された所
定パターンの導波路コア部とを形成する光回路の製造方
法において、導波路コア部３の所望個所の上方または／
および下方に、導電性材料または低高周波損失特性を有
する材料から成る薄膜領域６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを形
成し、ついで、全体に高周波電力を印加して薄膜領域６
ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを誘導加熱せしめることにより、
導波路コア部３の前記所望個所を選択的に加熱してモー
ドフィールド変換部にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光導波路素子内における
光回路の製造方法に関し、更に詳しくは、任意の個所に
低損失でモードフィールドを変換することができるモー
ドフィールド変換部を有する光回路を簡単に製造する方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光導波路素子は光通信システムを構成す
るときに用いる基本要素であり、例えば、ガラスから成
る素子、誘電体材料から成る素子、有機高分子材料から
成る素子、半導電体材料から成る素子などが知られてい
る。これらの素子は、それぞれ構成材料が異なっていて
も、いずれも、基板の上にクラッド部が形成され、その
クラッド部の中に所定の平面パターンで所定のコアサイ
ズの導波路コア部が埋設されていて、この導波路コア部
が光信号を伝搬する光回路として機能する構造になって
いる。

【０００３】近年、これら光導波路素子の高機能化が進
められるとともに、光部品の集積化・小型化の研究が進
められている。光部品の集積化・小型化を実現するため
には、スポットサイズが小さくなり、また曲げに対して
柔軟性に富むという点で、導波路コア部とクラッド部と
の間における比屈折率差（Δ）が大きい光回路を有する
光導波路素子を用いることが好適である。

【０００４】しかしながら、上記したような光導波路素
子は、導波路コア部のスポットサイズが小さいため、こ
こに、光信号の伝送路である光ファイバを接続した場
合、伝搬光のモードフィールドの整合性が非常に悪くな
って大きな接続損失が発生してしまう。この接続損失を
小さくするためには、導波路コア部から成る光回路と光
ファイバとの接続時におけるモードフィールドの整合性
を高めることが不可欠であり、具体的には、上記光回路
に、低損失で、モードフィールドの変換が可能であるモ
ードフィールド変換部を形成することが必要になる。

【０００５】他にも、導波路中に多層膜フィルタ等の光
素子を挿入する場合にも、モードフィールドの拡大によ
って挿入損失の低減が可能である。前記した各種の光導
波路素子のうち、ガラスから成る素子は、光ファイバと
の接続時におけるモードフィールドの整合性が優れてい
て低損失であり、非常に有用な素子である。

【０００６】この素子において、導波路コア部から成る
光回路にモードフィールド変換部を形成する方法として
は、次のような方法が知られている。すなわち、第１の
方法は、基板上にクラッド部と導波路コア部を形成する
過程や形成したのちに、導波路コア部を光信号の伝搬方
向に対してテーパ形状にする方法である。

【０００７】この第１の方法においては、１種類の導波
路コア部を用いて行う場合と、２種類の導波路コア部を
用いて行う場合とがある。前者の場合には、コアサイズ
を大きくすることによって導波路コア部への伝搬光の閉
じこめを弱めてスポットサイズを大きくすることができ
る。また、後者の場合には、２種類ともテーパ形状にし
て両者を重ね合わせたり、または、１種類のみをテーパ
形状として他方の導波路コア部に伝搬光を結合させるこ
ともある。いずれの場合も、比屈折率差（Δ）が異なる
材料を用いて行うことができるので、材料の選択幅は広
くなる。

【０００８】第２の方法は、クラッド部と導波路コア部
の形成時に、コアサイズと比屈折率差（Δ）を変化させ
る方法である。また、第３の方法は、クラッド部と導波
路コア部の形成後に、モードフィールド変換部にすべき
導波路コア部の特定個所を選択的に部分加熱して、含有
されているドーパントを熱拡散させることにより、コア
サイズと比屈折率差（Δ）を変化させる方法である。

【０００９】この方法は、光ファイバに従来から適用さ
れているＴＥＣ法（Thermally-diffused Expanded Core
method ）をガラスから成る光導波路素子に適用したも
のであり、部分加熱した導波路コア部のドーパントを熱
拡散させてその部分の比屈折率差（Δ）の低下とコアサ
イズを大きくすることによりスポットサイズを拡大する
方法である。

【００１０】この第３の方法における部分加熱法として
は、例えば、対象とする特定個所に熱線ビームを照射
する、導波路コア部の端面を加熱源に接触させる、
小型の加熱ヒータと遮熱スリットと冷却機構を有するホ
ルダを備えている電気炉で加熱する、素子の所定個所
に薄膜ヒータを形成して加熱する、などの方法が行われ
ている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、モード
フィールド変換部を光回路に形成する上記した第１〜第
３の方法には、それぞれ、次のような問題がある。ま
ず、第１の方法の場合、１種類の導波路コア部を用いて
行うと、コアサイズが小さくなり、更にコアサイズの変
化に対するスポットサイズの変化の割合が大きいので、
スポットサイズを適正な大きさに制御することが非常に
困難である。また、２種類の導波路コア部を用いて行う
と、導波路コア部の形成も含めて、製造に関する要素技
術は複雑・多岐となり、その製造はかなり困難である。

【００１２】また、第２の方法の場合、充分な性能を発
揮するクラッド部や導波路コア部を形成するに際して
は、そのための操作は厳しく制御された状態で進めるこ
とが不可欠である。そのため、現在までのところ、充分
に満足のいく性能の光回路は、この方法で形成されてい
ない状況にある。第３の方法は、既に形成された導波路
コア部を部分加熱して目的とする光回路にする方法であ
るため、第１の方法や第２の方法に比べて、複雑な要素
技術を必要としないという点で好適である。

【００１３】しかしながら、この方法の場合も前記した
部分加熱法に関して次のような問題がある。まず、の
ビーム照射法の場合、レーザビームや電子ビームなどの
ビームをモードフィールド変換部にすべき特定個所に集
中照射する。したがって、この特定個所が複数個所存在
する場合には、各特定個所にそれぞれビーム照射するこ
とが必要になる。すなわち、この部分加熱法において
は、１度の加熱処理で一括してモードフィールド変換部
を形成することができないという問題があり、また、ビ
ーム照射点と対象の特定個所との位置制御を高精度で行
わなければならないという問題がある。

【００１４】また、の端面加熱法の場合には、導波路
コア部の端面近傍しかモードフィールド変換部にするこ
とができず、形成できるモードフィールド変換部の個所
は位置制約を受ける。の電気炉加熱の場合、部分加熱
する特定個所の数だけ、用いるホルダには小型ヒータを
配設することが必要であり、また、特定個所の位置によ
っては、小型ヒータのみならず遮熱スリットや冷却機構
などを適切な状態に組合せなければならなくなる。した
がって、この部分加熱法は、複数の特定個所に適用する
に際し、用いるホルダは複雑な機構となり、簡単に任意
の個所を部分加熱することが困難であるという問題があ
る。

【００１５】の薄膜ヒータを用いる部分加熱法の場合
は、特定個所が複雑であってもそれらの位置に薄膜ヒー
タを形成することにより、１度の加熱操作で必要とする
モードフィールド変換部を形成することができるという
利点を有している。しかし、その場合でも、各薄膜ヒー
タへの電力供給設備が必要であり、また、特定個所の数
が多くなればなるほど、そこに位置する薄膜ヒータにど
のようにして電力供給したらよいかという問題が発生し
てくる。

【００１６】本発明は、ＴＥＣ法を応用して光回路を部
分加熱することによりモードフィールド変換部を形成す
る従来の場合における上記した問題を解決し、導波路コ
ア部の任意の個所を多量かつ簡単にモードフィールド変
換部に転化することができる光回路の製造方法の提供を
目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段・作用】上記した目的を達
成するために、本発明においては、誘電体材料を用いて
基板上にクラッド部と前記クラッド部に埋設された所定
パターンの導波路コア部とを形成する光回路の製造方法
において、前記導波路コア部の所望の個所の上方または
／および下方に、導電性材料または低高周波損失特性を
有する材料から成る薄膜領域を形成し、ついで、全体に
高周波電力を印加して前記薄膜領域を誘導加熱せしめる
ことにより、導波路コア部の前記所望個所を選択的に加
熱してモードフィールド変換部にすることを特徴とする
光回路の製造方法が提供される。

【００１８】

【作用】請求項１の製造方法において、全体に高周波電
力を印加すると、薄膜領域は導電性材料または低高周波
損失特性を有する材料で構成されているのでそこでは誘
導電流や渦電流が誘導されてジュール熱が発生すること
により、誘電加熱され、印加電力や薄膜の種類などで規
定される所定の温度に発熱する。

【００１９】一方、クラッド部と導波路コア部はいずれ
も誘電体材料で構成されているので、高周波電力を印加
しても誘導加熱されることはない。しかし、薄膜領域の
下方または／および上方に位置する導波路コア部の部分
およびその近傍のクラッド部のみが、発熱している前記
薄膜領域によって所定の温度に加熱されることになる。

【００２０】そのため、導波路コア部の当該部分ではド
ーパントの熱拡散が生起してその部分のコアサイズと比
屈折率差（Δ）が変化する。その場合、導波路コア部の
加熱部分とその周囲に位置するクラッド部との境界域で
はある温度勾配が形成されるので、その温度勾配に対応
した状態で熱拡散するドーパントの濃度勾配が発生し、
そのことにより、屈折率やコアサイズが変化したテーパ
形状のモードフィールド変換部が形成される。

【００２１】このような働きをする薄膜領域は、基板の
上にクラッド部と所定パターンの導波路コア部を形成す
る過程または形成したのちに、通常のホトリソグラフィ
ーなどで行われているパターニング技術を適用すること
により部分加熱すべき個所以外の個所をマスキングし、
そのマスクの上から例えば電子ビーム蒸着法などを適用
して薄膜材料を蒸着して形成することができる。このと
き、用いるマスクのパターンは、導波路コア部に対する
部分加熱のパターン、すなわち、形成すべきモードフィ
ールド変換部の数や個数に対応して適宜に変えればよ
い。

【００２２】請求項２の製造方法は、高周波電力の印加
時に、基板は裏面からヒータ加熱されていて導波路コア
部もある温度まで加熱されている状態にあるので、薄膜
領域を所定温度まで誘導加熱させるに要する高周波電力
の印加量を節減することができる。請求項３の製造方法
は、高周波電力の印加時に基板は導電性の台板の上に載
置されているので、台板自身も誘導加熱して発熱してク
ラッド部と導波路コア部全体が加熱されることになり、
薄膜領域の発熱だけで部分加熱を行う場合よりも投入す
る高周波電力を節減することができる。

【００２３】請求項４の製造方法では、更に基板を導電
性の材料で構成しているので、高周波電力の印加時に
は、この基板それ自体も発熱して導波路コア部を加熱す
ることにより、投入する高周波電力を一層節減すること
ができるようになる。

【００２４】

【発明の実施例】

実施例１常法の火炎堆積法とホトリソグラフィーとエッチング技
術を用いて、図１の平面図、図１におけるＹ方向への側
面図である図２、図１におけるＸ方向への側面図である
図３に示すような光導波路素子Ａを製造した。

【００２５】すなわち、この光導波路素子Ａは、石英基
板１の上にはまず石英ガラスから成る下部クラッド２ａ
と上部クラッド２ｂが形成されてクラッド部２を構成
し、このクラッド部２の中には、図１で示したような平
面パターンを有し、Ｇｅをドーパントとする石英ガラス
から成る導波路コア部３が埋設された構造になってい
る。

【００２６】この光導波路素子Ａにおいて、図１の○印
で囲んだ領域の導波路コア部３をモードフィールド変換
部にする場合を考える。まず、図４で示したように、領
域４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに対応する個所が透孔５ａ，
５ｂ，５ｃ，５ｄになっているマスク５を用意する。そ
して、このマスク５を光導波路素子Ａのクラッド部２の
上面２ｃの上に配置する。ついで、マスク５の上から例
えばＰｔを用いた電子ビーム蒸着法を適用する。

【００２７】Ｐｔは、透孔５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄから
露出しているクラッド部上面２ｃの部分に蒸着するの
で、マスク５を取りはずすと、図５〜図７で示したよう
に、モードフィールド変換部を形成すべき導波路コア部
の上方、すなわちクラッド部２の上面２ｃには、Ｐｔか
ら成る４個の薄膜領域６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが形成さ
れている光導波路素子Ａ₁を得ることができる。

【００２８】ついで、この光導波路素子Ａ₁を例えば石
英ガラスから成る台板８に載置し、図８で示したよう
に、高周波コイル７ａ，７ｂ、高周源電源７ｃを備える
装置にセットし、所定の高周波電力を印加する。その結
果、薄膜領域６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄのみが誘導加熱さ
れて発熱し、これら薄膜領域の直下に位置する導波路コ
ア部３の部分が上方からのみ加熱される。そして、その
部分ではＧｅドーパントの熱拡散が進行してコアサイズ
と比屈折率差（Δ）が変化するので、そこがモードフィ
ールド変換部に転化し、目的とする光回路が形成され
る。

【００２９】なお、実施例ではクラッド部と導波路コア
部をいずれも石英ガラスで形成しているが、これらは多
成分ガラスで形成されていてもよい。また、薄膜領域を
構成する材料としてＰｔを示したが、この材料は導電性
であれば何であってもよく、一般に金属材料が好適であ
る。その場合、ドーパントの熱拡散が高温系で進むか、
または低温系で進むかで使いわければよく、例えば低温
系であるときは、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｒなどを使用してもよ
い。加えて、Ｃであってもよい。また、薄膜領域の形成
は電子ビーム蒸着法に限定されるものではなく、例えば
抵抗発熱による蒸着法や、湿式または乾式のエッチング
法を適用してもよい。

【００３０】なお、実施例では、薄膜領域をクラッド部
２の上面２ｃに直接形成する場合を説明したが、上部ク
ラッド２ｂが厚い場合には導波路コア部３への加熱効率
が悪くなるので、そのような場合には、導波路コア部へ
の伝搬光のフィールドに悪影響を与えないような上部ク
ラッド２ｂの位置に薄膜領域を埋込んだ状態で形成して
もよい。

【００３１】更にこの実施例では、基板や台板として
は、誘電体材料であれば何であってもよく、例えばセラ
ミックス製のものを用いることもできる。実施例２図９は、本発明方法を適用することができる他の光導波
路素子Ａ₂を示す側面図である。この光導波路素子Ａ₂
の場合、基板１、クラッド部２、導波路コア部３、薄膜
領域６ａ，６ｂ（いずれも図示しない），６ｃ，６ｄの
構成材料は実施例１で示した光導波路素子Ａ₁と同じで
ある。しかし、薄膜領域はクラッド部の上面２ｃではな
く、直接、基板１の上、すなわち、基板１と下部クラッ
ド２ａの境界面に形成されている点で、実施例１の光導
波路素子Ａ₁と異なっている。

【００３２】この光導波路素子Ａ₂に対し、図８で示し
たようにして台板８に載置した状態で高周波電力を印加
すると、薄膜領域６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄのみが誘導加
熱されるので、これら薄膜領域６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ
の直上に位置する導波路コア部の部分は下方からのみ加
熱され、その結果、その部分のドーパントの熱拡散が起
こってモードフィールド変換部に転化する。

【００３３】この光導波路素子Ａ₂の製造に当たって
は、基板１の上の所定個所に実施例１の場合とおなじよ
うに常用のパターニング技術を適用して薄膜領域を形成
し、その後、下部クラッド２ａ、導波路コア部３、上部
クラッド２ｂを順次形成すればよい。なお、下部クラッ
ド２ａの厚みが厚い場合は、薄膜領域による加熱効率が
悪くなるので、そのようなときは実施例１の場合と同じ
ように、導波路コア部３における伝搬光のフィールドに
悪影響を与えないような位置に薄膜領域を下部クラッド
２ａ内に埋設した状態で形成してもよい。

【００３４】実施例３図１０は、本発明方法を適用することができる他の光導
波路素子Ａ₃を示す側面図である。この光導波路素子Ａ
₃の場合、基板１、クラッド部２、導波路コア部３、薄
膜領域の構成材料はいずれも実施例１で示した光導波路
素子Ａ₁の場合と同じである。

【００３５】しかし、薄膜領域６ｃ，６ｄは、基板１と
下部クラッド２ａの境界面に形成されると同時に、上部
クラッド２ｂの上面２ｃにも形成されているという点で
実施例１の光導波路素子Ａ₁と異なっている。すなわ
ち、この光導波路素子Ａ₃の場合は、導波路コア部３の
上方と下方に薄膜領域が形成されている。この光導波路
素子Ａ₃に対し、図８で示したように、石英ガラスの台
板８に載置した状態で高周波電力を印加すると、上下に
位置する薄膜領域の間に位置する導波路コア部３の部分
は、誘導加熱された薄膜領域６ｃ，６ｃ；６ｄ，６ｄに
よって上方と下方とから同時に加熱される。その結果、
導波路コア部３の部分は、ドーパントの熱拡散が起こり
モードフィール変換部に転化する。

【００３６】この実施例の場合は、導波路コア部３の所
定部分は上下方向から加熱されるので、ドーパントの熱
拡散は上下方向で対象に進行する。したがって、形成さ
れたモードフィールド変換部は、上下に対象なモードフ
ィールド形状になる。実施例４図１１は、本発明方法を適用することができる別の光導
波路素子Ａ₄をしめす側面図である。この光導波路素子
Ａ₄の場合、基板１、クラッド部２、導波路コア部３、
薄膜領域の構成材料はいずれも実施例１で示した光導波
路素子Ａ₁の場合と同じである。

【００３７】しかし、この光導波路素子Ａ₄は、クラッ
ド部２が下部クラッド２ａと中間クラッド２ｄと上部ク
ラッド２ｂの３層構造になっており、また、導波路コア
部３は、下部クラッド２ａと中間クラッド２ｄの中に埋
設された第１のコア３ａ、中間クラッド２ｄと上部クラ
ッド２ｂの中に埋設された第２のコア３ｂをもって構成
されている。

【００３８】そして、基板と下部クラッド２ａの境界面
の所定個所には薄膜領域６ｃ₁，６ｃ₂が形成され、ま
た上部クラッド２ｂの上面２ｃの所定個所には薄膜領域
６ｄ ₁，６ｄ₂が形成されている。この光導波路素子Ａ
₄に対し、図８で示したように、石英ガラスの台板８に
載置した状態で高周波電力を印加すると、全ての薄膜領
域６ｃ₁，６ｃ₂，６ｄ₁，６ｄ₂は誘導加熱される。

【００３９】このとき、薄膜領域６ｃ₁，６ｃ₂の直上
に位置する第１のコア３ａの部分は加熱されてドーパン
トの熱拡散が起こり、その部分はモードフィールド変換
部に転化するが、この薄膜領域６ｃ₁の上方に位置する
第２のコア３ｂの部分は、中間クラッド２ｄで生起する
熱傾斜によりドーパントの熱拡散が起こる温度にまで加
熱されることはないので、その部分はモードフィールド
変換部に転化しない。

【００４０】同様の理由により、薄膜領域６ｄ₁，６ｄ
₂の直下に位置する第２のコア３ｂの部分はモードフィ
ールド変換部に転化するが、更にその下方に位置する第
１のコア３ａの部分はモードフィールド変換部に転化し
ない。なお、図示した薄膜領域６ｄ₁，６ｄ₂におい
て、これら薄膜領域が上方方向と面内方向において合致
する位置関係をもって形成されている場合、第１のコア
３ａの部分と第２のコア３ｂの部分は上方と下方のいず
れからも加熱されることになる。

【００４１】実施例５図１２は、実施例４で用いた光導波路素子Ａ₄の変形例
である光導波路素子Ａ ₅を示す側面図である。この光導
波路素子Ａ₅は、中間クラッド２ｄの中に薄膜領域６ｅ
が形成されている。

【００４２】したがって、この光導波路素子Ａ₅に高周
波電力を印加すると、薄膜領域６ｅの誘導加熱により、
この薄膜領域６ｅの直下と直上に位置する第１のコア３
ａ、第２のコア３ｂのそれぞれの部分が同時に加熱され
て、そこがモードフィールド変換部に転化する。実施例６図１３は、実施例１で使用した光導波路素子Ａ₁に対し
て高周波電力を印加するときに、当該光導波路素子Ａ₁
を例えば抵抗加熱の電熱ヒータのようなヒータ９に載置
した状態を示す概略図である。

【００４３】この実施例においては、ヒータ９を作動す
ることにより、導波路コア部３のドーパントの熱拡散が
起こらない程度の温度にまで光導波路素子Ａ₁を加熱し
て高周波電力を印加すればよい。光導波路素子Ａ₅はヒ
ータ９によって加熱されて所望温度にまで温度上昇した
状態にあるので、ドーパントを熱拡散するために必要と
する温度にまで導波路コア部３を温度上昇させるために
投入する高周波電力を節減することができる。

【００４４】なお、この実施例は図示した光導波路素子
Ａ₁に限らず、光導波路素子Ａ₂，Ａ₃，Ａ₄，Ａ₅な
どに対しても適用することができる。実施例７図１４は、実施例１で使用した光導波路素子Ａ₁に対し
て高周波電力を印加するときに、当該光導波路素子Ａ₁
を例えばカーボンのような導電性材料から成る台板１０
に載置した状態を示す概略図である。

【００４５】この実施例においては、高周波電力が印加
されると、薄膜領域６ａ，６ｂ，６ｄが誘導加熱される
と同時に、台板１０も誘導加熱されて発熱することにな
るので、実施例６の場合と同じように投入する高周波電
力を節減することができる。実施例８図１５は、実施例１において、光導波路素子Ａ₁の石英
ガラスの基板１に代えてＳｉから成る基板１’を用いた
光導波路素子Ａ₁'に高周波電力を印加する状態を示す概
略図である。

【００４６】この場合、Ｓｉ基板１’は高周波損失特性
を有しているので誘導加熱されて発熱する。したがっ
て、導波路コア部３は、発熱するＳｉ基板１’からも加
熱されるので、実施例６、７と同じように投入する高周
波電力を節減することができる。なお、この実施例のよ
うに、基板としてＳｉ基板を用いることは、前記した光
導波路素子Ａ₂，Ａ₃，Ａ₄，Ａ₅の場合にも採用する
ことができる。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
の方法によれば、高周波電力の印加によって薄膜領域の
みが誘導加熱されるので、光回路を構成する導波路コア
部のうち、この薄膜領域の直下または直上に位置する部
分のみが選択的に部分加熱され、そのことによって、そ
の部分のドーパントの熱拡散が進んでコアサイズと比屈
折率差（Δ）が変化するので、そこにモードフィールド
変換部が形成される。

【００４８】すなわち、薄膜領域は通常のパターニング
技術によって所望する個所に任意のパターンで形成する
ことができるので、本発明方法によれば、簡単に任意パ
ターンのモードフィールド変換部を有する光回路を製造
することができる。請求項２の方法によれば、導波路コ
ア部は裏面からヒータ加熱されることにより予め所望温
度にまで加熱されているので、ドーパントを熱拡散させ
るために薄膜領域へ投入する高周波電力を節減すること
ができる。

【００４９】請求項３の方法によれば、基板が導電性材
料の台板に載置された状態で高周波電力が印加されるの
で、この台板も誘導加熱されることになり、導波路コア
部を部分加熱するに要する高周波電力は節減される。請
求項４の方法によれば、基板も導電性材料で構成されて
いるので、高周波電力印加時に基板それ自体も誘導加熱
されることになり、投入する高周波電力を一層節減する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光導波路素子Ａの平面図である。

【図２】図１の光導波路素子ＡのＹ方向の側面図であ
る。

【図３】図１の導波路素子ＡのＸ方向への側面図であ
る。

【図４】マスクを示す平面図である。

【図５】薄膜領域を形成した光導波路素子Ａ₁を示す平
面図である。

【図６】図５の光導波路素子Ａ₁のＹ方向の側面図であ
る。

【図７】図５の光導波路素子Ａ₁のＸ方向の側面図であ
る。

【図８】光導波路素子Ａ₁に高周波電力を印加する状態
を示す概略図である。

【図９】別の薄膜領域を形成した光導波路素子Ａ₂を示
す側面図である。

【図１０】更に別の薄膜領域を形成した光導波路素子Ａ
₃を示す側面図である。

【図１１】別の薄膜領域を形成した光導波路素子Ａ₄を
示す側面図である。

【図１２】更に他の薄膜領域を形成した光導波路素子Ａ
₅を示す側面図である。

【図１３】光導波路素子Ａ₁をヒータに載置して高周波
電力を印加する状態を示す概略図である。

【図１４】光導波路素子をカーボン製の台板に載置して
高周波電力を印加する状態を示す概略図である。

【図１５】基板がＳｉから成る光導波路素子Ａ₁'に高周
波電力を印加する状態を示す概略図である。

【符号の説明】

１基板１’Ｓｉ基板２クラッド２ａ下部クラッド２ｂ上部クラッド２ｃクラッド２ａの上面２ｄ中間クラッド３導波路コア部３ａ第１のコア３ｂ第２のコア４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄモードフィールド変換部にす
べき領域５マスク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ透孔６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｃ₁，６ｃ₂，６ｄ₁，６
ｄ₂，６ｅ薄膜領域７ａ，７ｂ高周波コイル７ｃ高周波電源８台板（石英ガラス）９ヒータ１０台板（カーボン）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体材料を用いて基板上にクラッド部
と前記クラッド部に埋設された所定パターンの導波路コ
ア部とを形成する光回路の製造方法において、前記導波
路コア部の所望の個所の上方または／および下方に、導
電性材料または低高周波損失特性を有する材料から成る
薄膜領域を形成し、ついで、全体に高周波電力を印加し
て前記薄膜領域を誘導加熱せしめることにより、導波路
コア部の前記所望個所を選択的に加熱してモードフィー
ルド変換部にすることを特徴とする光回路の製造方法。
【請求項２】前記高周波電力の印加時に、前記基板の
裏面からヒータ加熱する請求項１の光回路の製造方法。
【請求項３】前記高周波電力の印加時に、前記基板が
導電性材料から成る台板の上に載置される請求項１の光
回路の製造方法。
【請求項４】前記基板が導電性材料から成る請求項１
〜３のいずれかの光回路の製造方法。
【請求項５】モードフィールド変換部のスポットサイズ
をテーパ状に拡大させる請求項１の光回路の製造方法。