JPH08248198A - 酸化シリコンメンブレンの作製方法 - Google Patents
酸化シリコンメンブレンの作製方法Info
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- JPH08248198A JPH08248198A JP7052976A JP5297695A JPH08248198A JP H08248198 A JPH08248198 A JP H08248198A JP 7052976 A JP7052976 A JP 7052976A JP 5297695 A JP5297695 A JP 5297695A JP H08248198 A JPH08248198 A JP H08248198A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳｉＯ2膜にエッチングによる悪影響を与え
ることなく安定してＳｉＯ2メンブレンを作製する方法
を提供する。 【構成】 シリコン基板１の上面に導電性のエッチング
ストッパー膜２を形成する工程と、エッチングストッパ
ー膜２の上面に酸化シリコン膜３を形成する工程と、シ
リコン基板１の下面にマスク４を形成し、マスク４に所
定形状のパターン４ａを形成する工程と、シリコン基板
１に下面からウエットエッチングによりパターン４ａに
即した形状の孔１ａをエッチングストッパー膜２まで形
成する工程と、エッチングストッパー膜２のうち孔１ａ
と面する領域を電気分解により除去する工程とを有する
ことを特徴とするＳｉＯ2メンブレンの作製方法。
ることなく安定してＳｉＯ2メンブレンを作製する方法
を提供する。 【構成】 シリコン基板１の上面に導電性のエッチング
ストッパー膜２を形成する工程と、エッチングストッパ
ー膜２の上面に酸化シリコン膜３を形成する工程と、シ
リコン基板１の下面にマスク４を形成し、マスク４に所
定形状のパターン４ａを形成する工程と、シリコン基板
１に下面からウエットエッチングによりパターン４ａに
即した形状の孔１ａをエッチングストッパー膜２まで形
成する工程と、エッチングストッパー膜２のうち孔１ａ
と面する領域を電気分解により除去する工程とを有する
ことを特徴とするＳｉＯ2メンブレンの作製方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線を透過する酸化シ
リコン（ＳｉＯ2）メンブレンの作製方法に関する。
リコン（ＳｉＯ2）メンブレンの作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉを枠とするＳｉＮメンブレンやＳｉ
Ｏ2メンブレンは、Ｘ線透過率が高くまた自立膜ができ
ることから、透過型Ｘ線マスクやＸ線顕微鏡試料セルと
して使用されている。
Ｏ2メンブレンは、Ｘ線透過率が高くまた自立膜ができ
ることから、透過型Ｘ線マスクやＸ線顕微鏡試料セルと
して使用されている。
【０００３】このようなメンブレンのうちＳｉＮメンブ
レンの製造工程を図３に示す。この製造方法はＫＯＨ水
溶液に対するＳｉの異方エッチング性（（１００）面と
（１１１）面のエッチングレートの差）と、ＫＯＨ水溶
液に対するＳｉとＳｉＮのエッチングレートの差を利用
したものである。例えば、４０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液の場
合、８０゜Ｃ、１時間の条件下でＳｉ（（１００）面）
は６０μｍ程度エッチングされるのに対し、ＳｉＮは同
じ条件で数十オングストローム程度しかエッチングされ
ない。図３（ａ）はシリコン基板１１の上面および下面
にＳｉＮ膜１２、１３を形成した状態を示す。つづい
て、下面に形成されたＳｉＮ膜１３をパターニングした
後（図３（ｂ））、ＫＯＨ水溶液によりシリコン基板１
１をエッチングする。このとき、エッチングレートの差
によりメンブレン部１２ａはほとんどエッチングされず
にそのまま残り、ＳｉＮメンブレンが完成する（図３
（ｃ））。
レンの製造工程を図３に示す。この製造方法はＫＯＨ水
溶液に対するＳｉの異方エッチング性（（１００）面と
（１１１）面のエッチングレートの差）と、ＫＯＨ水溶
液に対するＳｉとＳｉＮのエッチングレートの差を利用
したものである。例えば、４０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液の場
合、８０゜Ｃ、１時間の条件下でＳｉ（（１００）面）
は６０μｍ程度エッチングされるのに対し、ＳｉＮは同
じ条件で数十オングストローム程度しかエッチングされ
ない。図３（ａ）はシリコン基板１１の上面および下面
にＳｉＮ膜１２、１３を形成した状態を示す。つづい
て、下面に形成されたＳｉＮ膜１３をパターニングした
後（図３（ｂ））、ＫＯＨ水溶液によりシリコン基板１
１をエッチングする。このとき、エッチングレートの差
によりメンブレン部１２ａはほとんどエッチングされず
にそのまま残り、ＳｉＮメンブレンが完成する（図３
（ｃ））。
【０００４】一方、ＳｉＯ2はＳｉとのエッチングレー
トの差が上述のＳｉＮに比べて非常に小さく、たとえ
ば、４０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液の場合、８０゜ｃ、１時間
の条件下で、ＳｉＯ2は０．３μｍ程度もエッチングさ
れてしまう。このためＳｉＯ2メンブレンの作製はＳｉ
Ｎメンブレンと同様の製造方法を採用することはできな
い。図４は従来のＳｉＯ2メンブレンの製造工程を示す
断面図である。図４（ａ）のようにシリコン基板１１の
上面にＳｉＮ膜１４およびＳｉＯ2膜１６を形成し、下
面にＳｉＮ膜１５を形成した後、下面のＳｉＮ膜１５を
エッチングによりパターニングする（図４（ｂ））。さ
らに、ＳｉＮ膜１５をマスクとしてシリコン基板１１を
ＫＯＨ水溶液によりエッチングする（図４（ｃ））。こ
のとき、ＳｉＮ膜１４がエッチングストッパーとして働
くのでＳｉＯ2膜１６はエッチングされず残り、メンブ
レン部１６ａとなる。最後に、メンブレン部１６ａの下
面に残ったＳｉＮ膜１４ａをフッ素系ガスを用いてドラ
イエッチングにより除去し、ＳｉＯ2メンブレンが完成
する（図４（ｄ））。
トの差が上述のＳｉＮに比べて非常に小さく、たとえ
ば、４０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液の場合、８０゜ｃ、１時間
の条件下で、ＳｉＯ2は０．３μｍ程度もエッチングさ
れてしまう。このためＳｉＯ2メンブレンの作製はＳｉ
Ｎメンブレンと同様の製造方法を採用することはできな
い。図４は従来のＳｉＯ2メンブレンの製造工程を示す
断面図である。図４（ａ）のようにシリコン基板１１の
上面にＳｉＮ膜１４およびＳｉＯ2膜１６を形成し、下
面にＳｉＮ膜１５を形成した後、下面のＳｉＮ膜１５を
エッチングによりパターニングする（図４（ｂ））。さ
らに、ＳｉＮ膜１５をマスクとしてシリコン基板１１を
ＫＯＨ水溶液によりエッチングする（図４（ｃ））。こ
のとき、ＳｉＮ膜１４がエッチングストッパーとして働
くのでＳｉＯ2膜１６はエッチングされず残り、メンブ
レン部１６ａとなる。最後に、メンブレン部１６ａの下
面に残ったＳｉＮ膜１４ａをフッ素系ガスを用いてドラ
イエッチングにより除去し、ＳｉＯ2メンブレンが完成
する（図４（ｄ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＳｉＯ
2メンブレンの製作方法ではフッ素系ガスに対するＳｉ
ＮとＳｉＯ2のエッチングレートの差がほとんどないた
め、ＳｉＮ膜１４の膜厚およびエッチングレート管理を
かなり厳密に行わないとＳｉＯ2膜１６がＳｉＮ膜１４
のエッチング時に同時にエッチングされ、ＳｉＯ2膜１
６のメンブレン部１６ａに悪影響を及ぼすという問題が
ある。
2メンブレンの製作方法ではフッ素系ガスに対するＳｉ
ＮとＳｉＯ2のエッチングレートの差がほとんどないた
め、ＳｉＮ膜１４の膜厚およびエッチングレート管理を
かなり厳密に行わないとＳｉＯ2膜１６がＳｉＮ膜１４
のエッチング時に同時にエッチングされ、ＳｉＯ2膜１
６のメンブレン部１６ａに悪影響を及ぼすという問題が
ある。
【０００６】本発明の目的は、ＳｉＯ2膜にエッチング
による悪影響を与えるおそれがなく安定してＳｉＯ2メ
ンブレンを作製する方法を提供することにある。
による悪影響を与えるおそれがなく安定してＳｉＯ2メ
ンブレンを作製する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】一実施例を示す図１に対
応づけて説明すると、本発明による酸化シリコンメンブ
レンの作製方法は、シリコン基板１の上面にエッチング
ストッパー膜２を形成する工程と、エッチングストッパ
ー膜２の上面に酸化シリコン膜３を形成する工程と、シ
リコン基板１の下面にマスク４を形成し、マスク４に所
定のパターン４ａを形成する工程と、シリコン基板１に
下面からウエットエッチングによりパターン４ａに即し
た形状の孔１ａをエッチングストッパー膜２まで形成す
る工程と、エッチングストッパー膜２のうち前記孔１ａ
と面する領域を電気分解により除去する工程とを有する
ことにより上述の目的が達成される。請求項２に記載の
酸化シリコンメンブレンの作製方法は、請求項１におい
て、少なくともエッチング工程の前に酸化シリコン膜３
の上面に耐エッチング膜５を形成する工程をさらに備え
るものである。請求項３に記載の酸化シリコンメンブレ
ンの作製方法は、請求項２において、耐エッチング膜５
を導電性材料で作製したものである。
応づけて説明すると、本発明による酸化シリコンメンブ
レンの作製方法は、シリコン基板１の上面にエッチング
ストッパー膜２を形成する工程と、エッチングストッパ
ー膜２の上面に酸化シリコン膜３を形成する工程と、シ
リコン基板１の下面にマスク４を形成し、マスク４に所
定のパターン４ａを形成する工程と、シリコン基板１に
下面からウエットエッチングによりパターン４ａに即し
た形状の孔１ａをエッチングストッパー膜２まで形成す
る工程と、エッチングストッパー膜２のうち前記孔１ａ
と面する領域を電気分解により除去する工程とを有する
ことにより上述の目的が達成される。請求項２に記載の
酸化シリコンメンブレンの作製方法は、請求項１におい
て、少なくともエッチング工程の前に酸化シリコン膜３
の上面に耐エッチング膜５を形成する工程をさらに備え
るものである。請求項３に記載の酸化シリコンメンブレ
ンの作製方法は、請求項２において、耐エッチング膜５
を導電性材料で作製したものである。
【０００８】
【作用】シリコン基板１の下面に形成されたマスク４の
パターン４ａからシリコン基板１のエッチングが進行
し、エッチングストッパー膜２が露出するとエッチング
が終了する。次いで、電気分解によりエッチングストッ
パー膜２が除去される。このとき、導電性がなく、か
つ、電気分解液に対する耐性がある酸化シリコン膜３は
電気分解の影響を受けない（請求項１）。酸化シリコン
膜３の上面に形成された耐エッチング膜５は、シリコン
基板１のウエットエッチングの際にエッチング液が酸化
シリコン膜３に接触するのを防止する（請求項２）。耐
エッチング膜５は導電材料から成るので、ウエットエッ
チング工程後に電気分解により除去され、このとき酸化
シリコン膜３は電気分解の影響を受けない（請求項
３）。
パターン４ａからシリコン基板１のエッチングが進行
し、エッチングストッパー膜２が露出するとエッチング
が終了する。次いで、電気分解によりエッチングストッ
パー膜２が除去される。このとき、導電性がなく、か
つ、電気分解液に対する耐性がある酸化シリコン膜３は
電気分解の影響を受けない（請求項１）。酸化シリコン
膜３の上面に形成された耐エッチング膜５は、シリコン
基板１のウエットエッチングの際にエッチング液が酸化
シリコン膜３に接触するのを防止する（請求項２）。耐
エッチング膜５は導電材料から成るので、ウエットエッ
チング工程後に電気分解により除去され、このとき酸化
シリコン膜３は電気分解の影響を受けない（請求項
３）。
【０００９】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
【００１０】
−第１の実施例− 図１は本発明による酸化シリコン（ＳｉＯ2）メンブレ
ン作製方法の第１の実施例の工程を示す断面図である。
厚さ３８０μｍのシリコン基板１の上面にスパッタリン
グ装置を用いて２００オングストローム厚のＡｕ膜２を
成膜し、つぎにＡｕ膜２の上面に同様にして０．２μｍ
厚のＳｉＯ2膜３を成膜する。さらに、シリコン基板１
の下面に０．１μｍ厚のＳｉＮ膜４を同様の方法で成膜
する。図１（ａ）はこの状態を示す断面図である。
ン作製方法の第１の実施例の工程を示す断面図である。
厚さ３８０μｍのシリコン基板１の上面にスパッタリン
グ装置を用いて２００オングストローム厚のＡｕ膜２を
成膜し、つぎにＡｕ膜２の上面に同様にして０．２μｍ
厚のＳｉＯ2膜３を成膜する。さらに、シリコン基板１
の下面に０．１μｍ厚のＳｉＮ膜４を同様の方法で成膜
する。図１（ａ）はこの状態を示す断面図である。
【００１１】図１（ｂ）は、さらにシリコン基板１の下
面のＳｉＮ膜４をパターニングした状態を示している。
すなわち、ＳｉＮ膜４の下面にメンブレンの形状に対応
したレジストパターンをフォトリソグラフィーにより形
成した後、ＣＦ4＋Ｏ2ガスでＳｉＮをエッチングするこ
とにより所望のパターン４ａを得ることができる。
面のＳｉＮ膜４をパターニングした状態を示している。
すなわち、ＳｉＮ膜４の下面にメンブレンの形状に対応
したレジストパターンをフォトリソグラフィーにより形
成した後、ＣＦ4＋Ｏ2ガスでＳｉＮをエッチングするこ
とにより所望のパターン４ａを得ることができる。
【００１２】次に、パターニングされたＳｉＮ膜４をマ
スクとしてＫＯＨ水溶液によりウエットエッチングす
る。このとき、ＳｉＯ2膜３のメンブレン部３ａにＫＯ
Ｈ水溶液が接触するとこの部分がエッチングされてしま
うので、ＫＯＨ水溶液を遮断する必要がある。例えば、
板状のカバーとＳｉＯ2膜３の上面との間にＯリングを
挟み込むようにしてカバーを取付けることによりメンブ
レン部３ａを保護することができる。ウエットエッチン
グの際に、Ａｕ膜２はＫＯＨ水溶液に溶解せずＡｕ膜２
がエッチングストッパーとなるのでＳｉＯ2膜３が下面
からエッチングされることはない。図１（ｃ）はシリコ
ン基板１に所定の孔１ａが形成されウエットエッチング
が終了した状態を示している。
スクとしてＫＯＨ水溶液によりウエットエッチングす
る。このとき、ＳｉＯ2膜３のメンブレン部３ａにＫＯ
Ｈ水溶液が接触するとこの部分がエッチングされてしま
うので、ＫＯＨ水溶液を遮断する必要がある。例えば、
板状のカバーとＳｉＯ2膜３の上面との間にＯリングを
挟み込むようにしてカバーを取付けることによりメンブ
レン部３ａを保護することができる。ウエットエッチン
グの際に、Ａｕ膜２はＫＯＨ水溶液に溶解せずＡｕ膜２
がエッチングストッパーとなるのでＳｉＯ2膜３が下面
からエッチングされることはない。図１（ｃ）はシリコ
ン基板１に所定の孔１ａが形成されウエットエッチング
が終了した状態を示している。
【００１３】次に、電気分解により、メンブレン部３ａ
のＡｕ膜２を除去する。シリコン基板１をシアン化金カ
リウム・シアン化カリウム水溶液中に浸し、陰極をメン
ブレン部３ａの下方に配置するとともにＡｕ膜２を陽極
として電流を流してＡｕ膜２を除去できる。図１（ｄ）
はこのようにして完成したＳｉＯ2メンブレンを示して
いる。電気分解によってＳｉＯ2膜３は影響を受けずメ
ンブレン部３ａの膜質は劣化しない。
のＡｕ膜２を除去する。シリコン基板１をシアン化金カ
リウム・シアン化カリウム水溶液中に浸し、陰極をメン
ブレン部３ａの下方に配置するとともにＡｕ膜２を陽極
として電流を流してＡｕ膜２を除去できる。図１（ｄ）
はこのようにして完成したＳｉＯ2メンブレンを示して
いる。電気分解によってＳｉＯ2膜３は影響を受けずメ
ンブレン部３ａの膜質は劣化しない。
【００１４】−第２の実施例− 図２は本発明によるＳｉＯ2メンブレン作製方法の第２
の実施例の工程を示す断面図である。厚さ３８０μｍの
シリコン基板１の上面にスパッタリング装置を用いて２
００オングストローム厚のＡｕ膜２を、Ａｕ膜２の上面
に０．２μｍ厚のＳｉＯ2膜３を成膜する。さらに、Ｓ
ｉＯ2膜３の上面に同様にして２００オングストローム
厚のＡｕ膜５を成膜する。次に、シリコン基板の下面に
０．１μｍ厚のＳｉＮ膜４を同様の方法で成膜する。図
２（ａ）はこの状態を示す断面図である。
の実施例の工程を示す断面図である。厚さ３８０μｍの
シリコン基板１の上面にスパッタリング装置を用いて２
００オングストローム厚のＡｕ膜２を、Ａｕ膜２の上面
に０．２μｍ厚のＳｉＯ2膜３を成膜する。さらに、Ｓ
ｉＯ2膜３の上面に同様にして２００オングストローム
厚のＡｕ膜５を成膜する。次に、シリコン基板の下面に
０．１μｍ厚のＳｉＮ膜４を同様の方法で成膜する。図
２（ａ）はこの状態を示す断面図である。
【００１５】図２（ｂ）は、さらにシリコン基板１の下
面のＳｉＮ膜４をパターニングした状態を示している。
すなわち、ＳｉＮ膜４の下面にメンブレンの形状に対応
したレジストパターンをフォトリソグラフィーにより形
成した後、ＣＦ4＋Ｏ2ガスでＳｉＮ膜４をエッチングす
ることにより所望のパターン４ａを得ることができる。
面のＳｉＮ膜４をパターニングした状態を示している。
すなわち、ＳｉＮ膜４の下面にメンブレンの形状に対応
したレジストパターンをフォトリソグラフィーにより形
成した後、ＣＦ4＋Ｏ2ガスでＳｉＮ膜４をエッチングす
ることにより所望のパターン４ａを得ることができる。
【００１６】次に、パターニングされたＳｉＮ膜４をマ
スクとしてＫＯＨ水溶液によりウエットエッチングす
る。このとき、ＳｉＯ2膜３の上面にはＡｕ膜５が形成
されていてＫＯＨ水溶液がＳｉＯ2膜３と接触しないの
で、第１の実施例のようにＳｉＯ2膜３の上面のメンブ
レン部３ａをカバー等により保護する必要はない。ま
た、第１の実施例と同様に、Ａｕ膜２はＫＯＨ水溶液に
溶解せずＡｕ膜２がエッチングストッパーとなるのでＳ
ｉＯ2膜３が下面からエッチングされることはない。図
２（ｃ）はシリコン基板１に所定の孔１ａが形成されウ
エットエッチングが終了した状態を示している。
スクとしてＫＯＨ水溶液によりウエットエッチングす
る。このとき、ＳｉＯ2膜３の上面にはＡｕ膜５が形成
されていてＫＯＨ水溶液がＳｉＯ2膜３と接触しないの
で、第１の実施例のようにＳｉＯ2膜３の上面のメンブ
レン部３ａをカバー等により保護する必要はない。ま
た、第１の実施例と同様に、Ａｕ膜２はＫＯＨ水溶液に
溶解せずＡｕ膜２がエッチングストッパーとなるのでＳ
ｉＯ2膜３が下面からエッチングされることはない。図
２（ｃ）はシリコン基板１に所定の孔１ａが形成されウ
エットエッチングが終了した状態を示している。
【００１７】次に、電気分解により、メンブレン部３ａ
に接触しているＡｕ膜２およびシリコン基板１の上面の
Ａｕ膜５を除去する。シリコン基板１をシアン化金カリ
ウム・シアン化カリウム水溶液中に浸し、陰極をシリコ
ン基板１の上下に配置するとともにＡｕ膜２およびＡｕ
膜５を陽極として電流を流すことでＡｕ膜２、５を除去
する。図２（ｄ）はこのようにして完成したＳｉＯ2メ
ンブレンを示している。電気分解によってＳｉＯ2膜３
は影響を受けずメンブレン部３ａの膜質は劣化しない。
に接触しているＡｕ膜２およびシリコン基板１の上面の
Ａｕ膜５を除去する。シリコン基板１をシアン化金カリ
ウム・シアン化カリウム水溶液中に浸し、陰極をシリコ
ン基板１の上下に配置するとともにＡｕ膜２およびＡｕ
膜５を陽極として電流を流すことでＡｕ膜２、５を除去
する。図２（ｄ）はこのようにして完成したＳｉＯ2メ
ンブレンを示している。電気分解によってＳｉＯ2膜３
は影響を受けずメンブレン部３ａの膜質は劣化しない。
【００１８】上述のように作製されたＳｉＯ2メンブレ
ンは、例えば、Ｘ線顕微鏡用の試料カプセルとして使用
することができる。この場合、２つのメンブレンを互い
の酸化シリコン膜３が隣接するようにスペーサを介して
組合せ、両者の間隙に試料を挟み込むことにより試料の
観察ができる。
ンは、例えば、Ｘ線顕微鏡用の試料カプセルとして使用
することができる。この場合、２つのメンブレンを互い
の酸化シリコン膜３が隣接するようにスペーサを介して
組合せ、両者の間隙に試料を挟み込むことにより試料の
観察ができる。
【００１９】本発明において、エッチング・ガスおよび
エッチング溶液は実施例で示したものに限定されない。
また、実施例においてはエッチングストッパー膜として
Ａｕ膜を用いた場合について説明したが、Ａｕに限定さ
れず、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ等種々の材料が使用でき、その
材料に応じて電気分解水溶液の種類は適宜、選択され
る。
エッチング溶液は実施例で示したものに限定されない。
また、実施例においてはエッチングストッパー膜として
Ａｕ膜を用いた場合について説明したが、Ａｕに限定さ
れず、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ等種々の材料が使用でき、その
材料に応じて電気分解水溶液の種類は適宜、選択され
る。
【００２０】実施例と請求項との対応関係において、Ａ
ｕ膜２がエッチングストッパー膜を、ＳｉＮ膜４がマス
クを、Ａｕ膜５が耐エッチング膜をそれぞれ構成する。
ｕ膜２がエッチングストッパー膜を、ＳｉＮ膜４がマス
クを、Ａｕ膜５が耐エッチング膜をそれぞれ構成する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
酸化シリコン膜の下面に導電性のエッチングストッパー
膜を予め形成した状態でシリコン基板をウエットエッチ
ングし、露出したエッチングストッパー膜を電気分解に
より除去するようにしたので、電気分解の工程で酸化シ
リコン膜は除去されず、したがって、エッチングストッ
パー膜の除去工程でエッチングレートの管理などが不要
となり工程が簡素化される。また、高品質のＳｉＯ2メ
ンブレンを作製できる。また、酸化シリコン膜の上面に
あらかじめ耐エッチング膜を形成した場合には、シリコ
ン基板のウエットエッチング時にエッチング液が酸化シ
リコン膜に接触するのが防止されるので、メンブレン部
を保護する手段を別途講じる必要がなくなり工程が簡素
化される（請求項２）。さらに耐エッチング膜が導電性
の材料で作製されている場合には、ウエットエッチング
の後に電気分解により耐エッチング膜を除去することが
できる。したがって、耐エッチング膜の除去時に酸化シ
リコン膜に影響を与えないので、高品質のＳｉＯ2メン
ブレンが容易に作製される（請求項３）。
酸化シリコン膜の下面に導電性のエッチングストッパー
膜を予め形成した状態でシリコン基板をウエットエッチ
ングし、露出したエッチングストッパー膜を電気分解に
より除去するようにしたので、電気分解の工程で酸化シ
リコン膜は除去されず、したがって、エッチングストッ
パー膜の除去工程でエッチングレートの管理などが不要
となり工程が簡素化される。また、高品質のＳｉＯ2メ
ンブレンを作製できる。また、酸化シリコン膜の上面に
あらかじめ耐エッチング膜を形成した場合には、シリコ
ン基板のウエットエッチング時にエッチング液が酸化シ
リコン膜に接触するのが防止されるので、メンブレン部
を保護する手段を別途講じる必要がなくなり工程が簡素
化される（請求項２）。さらに耐エッチング膜が導電性
の材料で作製されている場合には、ウエットエッチング
の後に電気分解により耐エッチング膜を除去することが
できる。したがって、耐エッチング膜の除去時に酸化シ
リコン膜に影響を与えないので、高品質のＳｉＯ2メン
ブレンが容易に作製される（請求項３）。
【図１】本発明のＳｉＯ2メンブレンの作製方法の第１
の実施例を示す断面図である。
の実施例を示す断面図である。
【図２】本発明のＳｉＯ2メンブレンの作製方法の第２
の実施例を示す断面図である。
の実施例を示す断面図である。
【図３】従来のＳｉＮメンブレンの作製方法を示す断面
図である。
図である。
【図４】従来のＳｉＯ2メンブレンの作製方法を示す断
面図である。
面図である。
１ シリコン基板 １ａ 孔 ２ エッチングストッパー膜 ３ 酸化シリコン膜 ４ マスク ４ａ パターン ５ 耐エッチング膜
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板の上面に導電性のエッチン
グストッパー膜を形成する工程と、 前記エッチングストッパー膜の上面に酸化シリコン膜を
形成する工程と、 前記シリコン基板の下面にマスクを形成し、そのマスク
に所定形状のパターンを形成する工程と、 前記シリコン基板に下面から前記ウエットエッチングに
より前記パターンに即した形状の孔を前記エッチングス
トッパー膜まで形成する工程と、 前記エッチングストッパー膜のうち前記孔と面する領域
を電気分解により除去する工程とを有することを特徴と
する酸化シリコンメンブレンの作製方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の酸化シリコンメンブレ
ンの作製方法において、少なくともエッチング工程の前
に前記酸化シリコン膜の上面に耐エッチング膜を形成す
る工程をさらに有することを特徴とする酸化シリコンメ
ンブレンの作製方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の酸化シリコンメンブレ
ンの作製方法において、前記耐エッチング膜を導電性材
料で作製したことを特徴とする酸化シリコンメンブレン
の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7052976A JPH08248198A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 酸化シリコンメンブレンの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7052976A JPH08248198A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 酸化シリコンメンブレンの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248198A true JPH08248198A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12929936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7052976A Pending JPH08248198A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 酸化シリコンメンブレンの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08248198A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11160500A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Japan Science & Technology Corp | Ｘ線顕微鏡 |
| KR100498140B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-07-01 | 한국전자통신연구원 | 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 실리콘 멤브레인 제작 방법 |
| JP2007087997A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Nissin Electric Co Ltd | 半導体微結晶粒子の形成方法 |
| US7270763B2 (en) | 2003-02-10 | 2007-09-18 | Yamaha Corporation | Anisotropic wet etching of silicon |
| JP2008261650A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Ntt Advanced Technology Corp | 軟ｘ線フィルタ及びその製造方法 |
| US10253362B2 (en) | 2013-11-08 | 2019-04-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | DNA transport control device and method for producing same, as well as DNA sequencing device |
-
1995
- 1995-03-13 JP JP7052976A patent/JPH08248198A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11160500A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Japan Science & Technology Corp | Ｘ線顕微鏡 |
| KR100498140B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-07-01 | 한국전자통신연구원 | 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 실리콘 멤브레인 제작 방법 |
| US7270763B2 (en) | 2003-02-10 | 2007-09-18 | Yamaha Corporation | Anisotropic wet etching of silicon |
| US7867408B2 (en) | 2003-02-10 | 2011-01-11 | Yamaha Corporation | Anisotropic wet etching of silicon |
| JP2007087997A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Nissin Electric Co Ltd | 半導体微結晶粒子の形成方法 |
| JP2008261650A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Ntt Advanced Technology Corp | 軟ｘ線フィルタ及びその製造方法 |
| US10253362B2 (en) | 2013-11-08 | 2019-04-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | DNA transport control device and method for producing same, as well as DNA sequencing device |
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