JPH08239656A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 発光性に優れるとともに、素子化しても結晶
化することのない熱安定性の良好な化合物を含有する薄
膜性に優れ、かつ高輝度化，長寿命化が図られた有機エ
レクトロルミネッセンス素子を提供すること。 【構成】 一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中の各記号は明細書に定義したとおりである。〕で
表されるブタジエン構造を有する化合物を含有してなる
有機エレクトロルミネッセンス素子である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス（以下、ＥＬと略記する）素子に関し、さらに詳
しくは、発光性に優れるとともに、素子化しても結晶化
することのない熱安定性の良好な、特定のブタジエン構
造を有する化合物を含有する薄膜性に優れ、かつ光輝度
化及び長寿命化が図られた有機ＥＬ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】電界発光を利用したＥＬ素子は、自己発
光のため視認性が高く、また完全固体素子であるため耐
衝撃性に優れるという特徴を有しており、薄型ディスプ
レイ素子，液晶ディスプレイのバックライト，平面光源
などに用いられている。現在実用化されているＥＬ素子
は、分散型ＥＬ素子である。この分散型ＥＬ素子は、数
１０Ｖ，１０ｋＨｚ以上の交流電圧を必要とするため駆
動回路が複雑である上、製造コストが高く、かつ輝度や
耐久性が不充分であるなどの欠点を有している。

【０００３】一方、有機薄膜ＥＬ素子は、駆動電圧が１
０Ｖ程度まで低下させることができ、高輝度に発光する
ため近年盛んに研究が行われ、多くの有機薄膜ＥＬ素子
が開発されており、例えば、「Appl. Phys. Lett. 」第
１５１巻，第９１３〜９１５ページ（１９８７年）、特
開昭５９−１９４３９３号公報、米国特許第４，５３
９，５０７号明細書、特開昭６３−２９５６９５号公
報、米国特許第４，７２０，４３２号明細書、特開昭６
３−２６４６９２号公報などが報告又は提案されてい
る。これらにおいては、陽極，正孔注入輸送層，発光層
及び陰極からなる電界発光素子が開示されており、具体
的には、正孔注入輸送材料として芳香族第三級アミン
が、また発光材料としてアルミニウムキレート錯体が代
表的な例として挙げられている。

【０００４】また、本発明に最も近接した技術として、
特開平５−１０５６３８号公報記載のジスチリル化合物
を用いた例があるが、この場合、素子の輝度及び耐久性
が不充分である。さらに、正孔輸送性の発光材料も知ら
れており、このようなものの代表例としてトリフェニル
アミン骨格を有するスチリルアミン化合物を挙げること
ができる。しかしながら、このスチリルアミン化合物は
正孔輸送性に優れているものの、結晶化しやすく、薄膜
性に優れる有機ＥＬ素子が得られにくいという欠点を有
している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況下で、電界発光性に優れるとともに、素子化しても
結晶化することのない熱安定の良好な化合物を含有する
薄膜性に優れ、かつ高輝度化及び長寿命化が図られた有
機ＥＬ素子を提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有する有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究
を重ねた結果、特定のブタジエン構造を有する化合物
を、有機ＥＬ素子における発光層や正孔注入輸送層など
の有機機能層に含有させることにより、その目的を達成
しうることを見出した。本発明は、かかる知見に基づい
て完成したものである。すなわち、本発明は、一般式

【０００７】

【化３】

【０００８】〔式中、Ａｒは置換基を有する若しくは有
しない炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数２〜１８
の芳香族複素環式基、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ は、それぞれ独立に水
素原子，置換基を有する若しくは有しない炭素数６〜２
０のアリール基，炭素数２〜１８の芳香族複素環式基又
は炭素数１〜６のアルキル基を示し、またＡｒとＲ¹ と
がたがいに結合して飽和若しくは不飽和の５員環又は６
員環を形成していてもよい。Ｑは一般式（II）

【０００９】

【化４】

【００１０】で表される置換基を有していてもよいアリ
ーレン基，あるいは置換基を有する若しくは有しないナ
フチレン基，アントラセニレン基，ピレニレン基，ビナ
フチレン基又は２価の炭素数２〜１８の芳香族複素環式
基、あるいは置換基を有する若しくは有しない炭素数６
〜２０のアリール基３個をもつ２価又は３価のトリアリ
ールアミノ基を示し、ｎは１又は２を示す。なお、ここ
でいう置換基とはハロゲン原子，炭素数６〜２０のアリ
ール基，炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のア
ルコキシ基，炭素数７〜２０のアラルキル基，炭素数６
〜１８のアリールオキシ基，置換若しくは無置換のアミ
ノ基又は水酸基を示す。〕で表されるブタジエン構造を
有する化合物を含有することを特徴とする有機ＥＬ素子
を提供するものである。

【００１１】本発明の有機ＥＬ素子においては、一般式
（Ｉ）

【００１２】

【化５】

【００１３】で表されるブタジエン構造を有する化合物
が用いられる。上記一般式（Ｉ）において、Ａｒは置換
基を有する若しくは有しない炭素数６〜２０のアリール
基又は炭素数２〜１８の芳香族複素環式基を示すが、こ
れらの中で置換基を有する若しくは有しない炭素数６〜
２０のアリール基が好ましい。また、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ は、そ
れぞれ水素原子，置換基を有する若しくは有しない炭素
数６〜２０のアリール基，炭素数２〜１８の芳香族複素
環式基又は炭素数１〜６のアルキル基を示し、それらは
たがいに同一でも異なっていてもよいが、Ｒ¹ は置換基
を有する若しくは有しない炭素数６〜２０のアリール基
又は炭素数２〜１８の芳香族複素環式基が好ましく、特
に置換基を有する若しくは有しない炭素数６〜２０のア
リール基が好適である。また、ＡｒとＲ¹ はたがいに結
合して飽和若しくは不飽和の５員環又は６員環を形成し
ていてもよい。Ｑは、一般式（II)

【００１４】

【化６】

【００１５】で表される置換基を有していてもよいアリ
ーレン基、あるいは置換基を有する若しくは有しないナ
フチレン基，アントラセニレン基，ピレニレン基，ビナ
フチレン基又は２価の炭素数２〜１８の芳香族複素環式
基、あるいは置換基を有する若しくは有しない炭素数６
〜２０のアリール基３個をもつ２価又は３価のトリアリ
ールアミノ基を示し、ｎは１又は２を示す。ｎは１が好
ましく、そしてＱとしては、上記一般式（II）で表され
る置換基を有していてもよいアリーレン基、あるいは置
換基を有する若しくは有しないナフチレン基，アントラ
セニレン基，ピレニレン基又はビナフチレン基が好まし
いが、特に上記一般式（II) で表される置換基を有して
いてもよいアリーレン基、すなわちｐ−位に結合手を有
するフェニレン基，ビフェニレン基，ターフェニレン基
又はクォーターフェニレン基が好適である。

【００１６】ここで、炭素数６〜２０のアリール基とし
ては、例えばフェニル基，ナフチル基，アントラセニル
基，ビナフチル基，ピレニル基などが、炭素数２〜１８
の芳香族複素環式基としては、例えばピリジル基，キノ
リル基，カルバゾリル基，オキサジアゾリル基，チアジ
アゾリル基，トリアゾリル基，チエニル基などが、炭素
数１〜６のアルキル基としては、例えばメチル基，エチ
ル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル
基，イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔ−ブチル基，
ネオペンチル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘキシル基など
が挙げられる。また、ここでいう置換基とは、ハロゲン
原子，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数１〜６のア
ルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜２
０のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリールオキシ
基，置換若しくは無置換のアミノ基又は水酸基を示す。
上記ハロゲン原子としては、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉが挙げ
られ、炭素数６〜２０のアリール基としては、例えばフ
ェニル基，ナフチル基，アントラセニル基，ビナフチル
基，ピレニル基などが挙げられる。炭素数１〜６のアル
キル基としては、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロ
ピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル
基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔ−ブチル基，ペンチル基，ネ
オペンチル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘキシル基など
が、炭素数１〜６のアルコキシ基としては、例えばメト
キシ基，エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，イソプロポキ
シ基，ｎ−ブチルオキシ基，イソブチルオキシ基，ｓｅ
ｃ−ブチルオキシ基，ｔ−ブチルオキシ基，ペンチルオ
キシ基，ネオペンチルオキシ基，ｎ−ヘキシルオキシ
基，イソヘキシルオキシ基などが、炭素数７〜２０のア
ラルキル基としては、例えばベンジル基，トルイルメチ
ル基，フェニルエチル基などが、炭素数６〜１８のアリ
ールオキシ基としては、例えばフェノキシ基，ナフトキ
シ基などが、置換アミノ基としては、例えばメチルアミ
ノ基，ジメチルアミノ基，ジフェニルアミノ基などが挙
げられる。これらの置換基は１個導入されていてもよ
く、２個以上導入されていてもよい。また、上記一般式
（Ｉ）で表される化合物においては、Ｑに結合する複数
のＡｒ−Ｃ（Ｒ¹ ）＝Ｃ（Ｒ² ）−Ｃ（Ｒ³ ）＝Ｃ（Ｒ
⁴ ）−基は、たがいに同一であっても異なっていてもよ
い。この一般式（Ｉ）で表される化合物の製造方法につ
いては特に制限はなく、種々の公知の方法によって製造
することができるが、次の二つの方法で製造するのが有
利である。

【００１７】＜方法１＞ 一般式（III)

【００１８】

【化７】

【００１９】〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基を示し、Ｑ及びＲ⁴ は前記と同じであ
る。〕で表されるホスホン酸エステルと、一般式（IV)

【００２０】

【化８】

【００２１】〔式中、Ａｒ，Ｒ¹ ，Ｒ² 及びＲ³ は前記
と同じである。〕で表されるカルボニル化合物とを、塩
基の存在下に縮合させる（Wittig反応又はWittig-Horno
r 反応）ことにより、製造することができる。

【００２２】＜方法２＞ 一般式（Ｖ）

【００２３】

【化９】

【００２４】〔式中、Ｑ及びＲ⁴ は前記と同じであ
る。〕で表されるカルボニル化合物と、一般式（VI)

【００２５】

【化１０】

【００２６】〔式中、Ｒ，Ａｒ，Ｒ¹ ，Ｒ² 又はＲ³ は
前記と同じである。〕で表されるホスホン酸エステルと
を、塩基の存在下に縮合させる（Wittig反応又は Witti
g-Hornor反応）ことにより、製造することができる。こ
れらの製造方法においては、通常反応溶媒が用いられ
る。この反応溶媒としては、炭化水素類，アルコール
類，エーテル類が好ましく、具体的にはメタノール；エ
タノール；イソプロパノール；ブタノール；２−メトキ
シエタノール；１，２−ジメトキシエタン；ビス（２−
メトキシエチル）エーテル；ジオキサン；テトラヒドロ
フラン；トルエン；キシレン；ジメチルスホキシド；
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド；Ｎ−メチルピロリド
ン；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどが挙
げられる。特にテトラヒドロフラン及びジメチルスルホ
キシドが好適である。また、縮合剤としては、例えば水
酸化ナトリウム，水酸化カリウム，ナトリウムアミド，
水酸化ナトリウム，ｎ−ブチルリチウム，ナトリウムメ
チラート，カリウムｔ−ブトキシドなどが好ましく用い
られ、特にｎ−ブチルリチウム及びカリウムｔ−ブトキ
シドが好適である。反応温度は、使用する原料の種類な
どにより異なり、一概に定めることはできないが、通常
０〜１００℃の範囲、好ましくは０℃〜室温の範囲で選
ばれる。

【００２７】上記一般式（Ｉ）で表されるブタジエン構
造を有する化合物の具体例としては、以下に示す化合物
（１）〜（２２）などを挙げることができるが、もちろ
んこれらに限定されるものではない。

【００２８】

【化１１】

【００２９】

【化１２】

【００３０】

【化１３】

【００３１】

【化１４】

【００３２】

【化１５】

【００３３】

【化１６】

【００３４】上記一般式（Ｉ）で表されるブタジエン構
造を有する化合物（以下、ブタジエン化合物と称す。）
は、有機ＥＬ素子における発光材料，正孔注入輸送材
料，電子注入輸送材料，電荷注入補助剤などとして有効
である。このブタジエン化合物を発光層とする場合は、
例えば蒸着法，スピンコート法，キャスト法などの公知
の方法によって、一般式（Ｉ）のブタジエン化合物を薄
膜化することにより形成することができるが、特に分子
堆積膜とすることが好ましい。ここで、分子堆積膜と
は、該化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜
や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化され形
成された膜のことであり、例えば蒸着膜などを示すが、
通常この分子堆積膜はＬＢ法により形成された薄膜（分
子累積膜）とは区別することができる。また、該発光層
は、特開昭５９−１９４３９３号公報などに開示されて
いるように、樹脂などの結着剤と該化合物とを、溶剤に
溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などに
より薄膜化し、形成することができる。このようにして
形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、適
宜状況に応じて選ぶことができるが、通常５ｎｍないし
５μｍの範囲で選定される。

【００３５】このＥＬ素子における発光層は、（１）電
界印加時に、陽極又は正孔注入輸送層により正孔を注入
することができ、かつ陰極又は電子注入層より電子を注
入することができる注入機能、（２）注入した電荷（電
子と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、（３）電
子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発
光につなげる発光機能などを有している。なお、正孔の
注入されやすさと、電子の注入されやすさに違いがあっ
てもよいし、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大
小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動するこ
とが好ましい。この発光層に用いる前記一般式（Ｉ）で
表される化合物は、一般にイオン化エネルギーが6.０ｅ
Ｖ程度より小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物
を選べば、比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力
は2.８ｅＶ程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰
極化合物を選べば、比較的電子を注入しやすい上、電
子，正孔の輸送能力も優れている。さらに固体状態の蛍
光性が強いため、該化合物やその会合体又は結晶などの
電子と正孔の再結合時に形成された励起状態を光に変換
する能力が大きい。

【００３６】このブタジエン化合物を用いたＥＬ素子の
構成は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極
（陽極と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、
これに必要に応じて、正孔注入輸送層や電子注入層を介
在させればよい。介在方法としては、ポリマーへの混ぜ
込みや同時蒸着がある。具体的には、（１）陽極／発光
層／陰極，（２）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰
極，（３）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入層
／陰極，（４）陽極／発光層／電子注入層／陰極などの
構成を挙げることができる。該正孔注入輸送層や電子注
入層は、必ずしも必要ではないが、これらの層があると
発光性能が一段と向上する。また、前記構成の素子にお
いては、いずれも基板に支持されていることが好まし
く、該基板については特に制限はなく、従来ＥＬ素子に
慣用されているもの、例えば、ガラス，透明プラスチッ
ク，石英などからなるものを用いることができる。

【００３７】このＥＬ素子における陽極としては、仕事
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属，ＣｕＩ，インジウムチンオキシド（以下
ＩＴＯと略記する），ＳｎＯ₂ ，ＺｎＯなどの誘電性透
明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電極物質を蒸
着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ
ることにより作製することができる。この電極より発光
を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくするこ
とが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百Ω
／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通
常１０ｎｍないし１μｍ，好ましくは１０〜２００ｎｍ
の範囲で選ばれる。

【００３８】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム−銀合金，Ａｌ／ＡｌＯ₂ ，インジウムなどが挙げ
られる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタ
リングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ
ないし１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。

【００３９】本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記（２）又
は（３）の構成のＥＬ素子における正孔注入輸送層は、
正孔伝達化合物からなる層であって、陽極より注入され
た正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入輸
送層を陽極と発光層との間に介在させることにより、よ
り低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。その
上、発光層に陰極又は電子注入層より注入された電子
は、発光層と正孔注入輸送層の界面に存在する電子の障
壁により、この発光層内の界面付近に蓄積されＥＬ素子
の発光効率を向上させ、発光性能の優れたＥＬ素子とす
る。

【００４０】前記正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達
化合物は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば１０⁴ 〜１０⁶ Ｖ
／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^-6ｃｍ² ／（Ｖ
・秒）の正孔移動度をもつものが好適である。このよう
な正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有
するものであれば特に制限はなく、本発明のブタジエン
化合物，及び従来、光導電材料において、正孔の電荷輸
送材として慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入輸
送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択
して用いることができる。

【００４１】従来、公知の該電荷輸送材としては、例え
ばトリアゾール誘導体（米国特許第３,1１２,1９７号明
細書などに記載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米
国特許第３,1８９,4４７号明細書などに記載のもの）、
イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報な
どに記載のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国
特許第３,6１５,4０2 号明細書，同３,8２０,9８9 号明
細書，同３,5４２,5４4 号明細書，特公昭４５−５５５
号公報，同５１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３
２２４号公報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４
１４８号公報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−
１５６９５３号公報，同５６−３６６５６号公報などに
記載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体
（米国特許第３,1８０,7２9 号明細書，同４,2７８,7４
6 号明細書，特開昭５５−８８０６４号公報，同５５−
８８０６５号公報，同４９−１０５５３７号公報，同５
５−５１０８６号公報，同５６−８００５１号公報，同
５６−８８１４１号公報，同５７−４５５４５号公報，
同５４−１１２６３７号公報，同５５−７４５４６号公
報などに記載のもの）、フェニレンジアミン誘導体（米
国特許第３,6１５,4０4 号明細書，特公昭５１−１０１
０５号公報，同４６−３７１２号公報，同４７−２５３
３６号公報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５４−
１１０５３６号公報，同５４−１１９９２５号公報など
に記載のもの）、アリールアミン誘導体（米国特許第
３,5６７,4５0 号明細書，同３,1８０,7０3 号明細書，
同３,2４０,5９7 号明細書，同３,6５８,5２0 号明細
書，同４,2３２,1０3 号明細書，同４,1７５,9６1 号明
細書，同４,0１２,3７６号明細書，特公昭４９−３５７
０２号公報，同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−
１４４２５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同
５６−２２４３７号公報，西独特許第１,1１０,5１8号
明細書などに記載のもの）、アミノ置換カルコン誘導体
（米国特許第３,5２６,5０1 号明細書などに記載のも
の）、オキサゾール誘導体（米国特許第３,2５７,2０3
号明細書などに記載のもの）、スチリルアントラセン誘
導体（特開昭５６−４６２３４号公報などに記載のも
の）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７
号公報などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（米国特
許第３,7１７,4６2 号明細書，特開昭５４−５９１４３
号公報，同５５−５２０６３号公報，同５５−５２０６
４号公報，同５５−４６７６０号公報，同５５−８５４
９５号公報，同５７−１１３５０号公報，同５７−１４
８７４９号公報などに記載されているもの）、スチルベ
ル誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−
２２８４５１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６
１−７２２５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同
６２−３６６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，
同６２−３０２５５号公報，同６０−９３４４５号公
報，同６０−９４４６２号公報，同６０−１７４７４９
号公報，同６０−１７５０５２号公報などに記載のも
の）などを挙げることができる。

【００４２】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４,1２７,4１２号明細書，特開昭５３−
２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４
−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同
５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公
報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５５５
８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５
６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。

【００４３】該ポルフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィリン；５，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（II）；５，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化
合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフ
ェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン；Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−
ジアミン；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフ
ェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラ−ｐ−トリル−（１，１’−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビ
ス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニ
ルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）
フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ
（４−メトキシフェニル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフ
ェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル；４，
４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ
−トリルアミン）−４’−〔４（ジ−ｐ−トリルアミ
ン）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルア
ミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキ
シ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。

【００４４】上記ＥＬ素子における該正孔注入輸送層
は、これらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる
一層で構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種
の化合物からなる正孔注入輸送層を積層したものであっ
てもよい。一方、前記（３）の構成のＥＬ素子における
電子注入層（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物から
なるものであって、陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を有している。このような電子伝達化合物
について特に制限はなく、本発明のブタジエン化合物、
及び従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用
いることができる。従来公知の該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、

【００４５】

【化１７】

【００４６】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、

【００４７】

【化１８】

【００４８】などのチオピランジオキシド誘導体、

【００４９】

【化１９】

【００５０】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント( Polymer Preprints)，ジャパン」第
３７巻，第３号，第６８１ページ（１９８８年）などに
記載のもの〕、あるいは

【００５１】

【化２０】

【００５２】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス（J.Apply.Phys．）」第２７巻，
第２６９頁（１９８８年）などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５９号
公報，同５８−５５４５０号公報，同６１−２２５１５
１号公報，同６１−２３３７５０号公報，同６３−１０
４０６１号公報などに記載のもの）、フレオレニリデン
メタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報，同６１
−１４３７６４号公報，同６１−１４８１５９号公報な
どに記載のもの）、アントロン誘導体（特開昭６１−２
２５１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報などに
記載のもの）また、次の一般式(VII) 又は(VIII)

【００５３】

【化２１】

【００５４】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ³ 及びＡｒ⁵ は、そ
れぞれ独立に置換又は無置換のアリール基を示し、Ａｒ
⁴ は置換又は無置換のアリーレン基を示す。〕で表され
る電子伝達化合物が挙げられる。ここで、アリール基と
してはフェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，アント
ラニル基，ペリレニル基，ピレニル基などが挙げられ、
アリーレン基としてはフェニレン基，ナフチレン基，ビ
フェニレン基，オキシビフェニレン基，アントラセニレ
ン基，ペリレニレン基，ピレニレン基などが挙げられ
る。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル
基，炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基などが
挙げられる。この一般式(VII)又は(VIII)で表される化
合物は、薄膜形成性のものが好ましい。一般式(VII) 又
は(VIII)で表される化合物の具体例としては、

【００５５】

【化２２】

【００５６】

【化２３】

【００５７】

【化２４】

【００５８】など、「Appl. Phys. Lett. 」第５５巻、
第１４８９ページ（１９８９年）に開示されているオキ
サジアゾール誘導体などを挙げることができる。なお、
正孔注入輸送層及び電子注入層は電荷の注入性，輸送
性，障壁性のいずれかを有する層であり、上記した有機
材料の他にＳｉ系，ＳｉＣ系，ＣｄＳ系などの結晶性な
いし非結晶性材料などの無機材料を用いることもでき
る。有機材料を用いた正孔注入輸送層及び電子注入層
は、発光層と同様にして形成することができ、無機材料
を用いた正孔注入輸送層及び電子注入層は真空蒸着法や
スパッタリングなどにより形成できるが、有機及び無機
のいずれの材料を用いた場合でも発光層のときと同様の
理由から真空蒸着法により形成することが好ましい。

【００５９】次に、本発明のＥＬ素子を作製する好適な
方法の例を、各構成の素子それぞれについて説明する。
前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ素子の作製法に
ついて説明すると、まず適当な基板上に、所望の電極物
質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好
ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、
蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陽極
を作製したのち、この上に発光材料である一般式（Ｉ）
で表されるプタジエン化合物の薄膜を形成させ、発光層
を設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例えば
スピンコート法，キャスト法，蒸着法などがあるが、均
質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい
などの点から、蒸着法が好ましい。該発光材料の薄膜化
に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用
する発光層に用いる有機化合物の種類，分子堆積膜の目
的とする結晶構造，会合構造などにより異なるが、一般
にボート加熱温度５０〜４００℃，真空度１０^-5〜１０
^-3Ｐａ，蒸着速度0.０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ，基板温度
−５０〜＋３００℃，膜厚５ｎｍないし５μｍの範囲で
適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層の形成後、そ
の上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好まし
くは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例え
ば蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰
極を設けることにより、所望のＥＬ素子が得られる。な
お、このＥＬ素子の作製においては、作製順序を逆にし
て、陰極，発光層，陽極の順に作製することも可能であ
る。

【００６０】また、一対の電極間に正孔注入輸送材料，
発光材料，電子注入材料を混合させた形で電極間に挟持
させ発光層とした、陽極／発光層／陰極からなる素子の
場合の作製方法としては、例えば適当な基板の上に、陽
極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入輸送材料，発
光材料，電子注入材料，ポリビニルカルバゾールなどの
結着剤などからなる溶液を塗布するか、又はこの溶液か
ら浸漬塗工法により薄膜を形成させ発光層とし、その上
に陰極用物質からなる薄膜を形成させるものがある。こ
こで、作製した発光層上に、さらに発光層の材料となる
素子材料を真空蒸着し、その上に陰極用物質からなる薄
膜を形成させてもよい。あるいは、正孔注入輸送材料，
電子注入材料及び発光材料を同時蒸着させ発光層とし、
その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させてもよい。

【００６１】次に、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰
極からなるＥＬ素子の作製法について説明すると、ま
ず、陽極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成した
のち、その上に、正孔伝達化合物からなる薄膜をスピン
コート法などにより形成し、正孔注入輸送層を設ける。
この際の条件は、前記発光材料の薄膜形成の条件に準じ
ればよい。次に、この正孔注入輸送層の上に、順次発光
層及び陰極を、前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして
設けることにより、所望のＥＬ素子が得られる。なお、
このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極，発光層，正孔注入輸送層，陽極の順に作製するこ
とも可能である。さらに、陽極／正孔注入輸送層／発光
層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法につい
て説明すると、まず、前記のＥＬ素子の作製の場合と同
様にして、陽極，正孔注入輸送層，発光層を順次設けた
のち、この発光層の上に、電子伝達化合物からなる薄膜
をスピンコート法などにより形成して、電子注入層を設
け、次いでこの上に、陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のＥＬ素子が得ら
れる。なお、このＥＬ素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陽極，電子注入層，発光層，正孔注入輸送
層，陽極の順に作製してもよい。

【００６２】このようにして得られた本発明の有機ＥＬ
素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋，陰極
を−の極性として電圧１〜３０Ｖ程度を印加すると、発
光が透明又は半透明の電極側より観測できる。また、逆
の極性で電圧を印加しても電流は流れず発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
＋，陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。

【００６３】

【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定さ
れるものではない。

【００６４】製造例１ ブタジエン化合物（２）の製造 （１）ホスホン酸エステルの製造 次に示す反応式に従ってホスホン酸エステルを製造し
た。

【００６５】

【化２５】

【００６６】４，４’−ビス（ブロモメチル）−１，
１’−ビフェニル１9.０ｇ（５5.０ミリモル）と亜リン
酸トリエチル１1.０ｇ（６6.０ミリモル）とを１２５℃
で反応させたのち、ｎ−ヘキサン１００ミリリットルで
洗浄し、ホスホン酸エステルの白色沈殿9.５ｇ（収率８
０％）を得た。このものの融点は９７℃であり、またプ
ロトン核磁気共鳴スペクトル〔¹ Ｈ−ＮＭＲ，基準：テ
トラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒：ＣＤＣｌ₃ 〕を求
めたところ、次の結果が得られた。 δ＝7.６〜7.０ｐｐｍ（８Ｈ，ｍ），4.０ｐｐｍ（８
Ｈ，ｑ），3.１ｐｐｍ〔４Ｈ，ｄ（Ｊ＝２0.０Ｈｚ，リ
ンと水素との結合定数）〕，1.３ｐｐｍ（１２Ｈ，ｔ）

【００６７】（２）ブタジエン化合物（２）の製造 次に示す反応式に従って、ブタジエン化合物〔２〕を製
造した。

【００６８】

【化２６】

【００６９】上記（１）で得られたホスホン酸エステル
1.３６ｇ（3.０ミリモル），３，３−ジフェニルアクロ
レイン1.３７ｇ（6.６ミリモル）及びカリウムｔ−ブト
キシド７８６ｍｇをジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
３０ミリリットルに懸濁し、室温（２０〜２５℃）にて
反応させた。得られた反応物を一晩放置したのち、メタ
ノール４０ミリリットルと水１０ミリリットルとの混合
液を添加し、次いで生じた沈殿をろ取し、シリカゲルカ
ラムにて精製することにより、黄色粉末1.４３ｇ（収率
８５％）が得られた。このものの融点は２６７℃であっ
た。さらに、この黄色粉末を２７０℃で昇華精製し、こ
れをトルエンから再結晶したものをサンプルとして用い
た。この化合物は、下記の分析結果よりブタジエン化合
物（２）と同定された。 プロトン核磁気共鳴スペクトル〔 ¹Ｈ−ＮＭＲ，基
準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒，ＣＤＣ
ｌ₃ 〕 δ＝8.５〜7.０ｐｐｍ（３４Ｈ，ｍ） 元素分析 質量分析 ｍ／ｚ＝５６２

【００７０】製造例２〜７ ブタジエン化合物（３），（９），（１０），（１
４），（１１）及び（１２）の製造 第１表に示す種類のアルデヒドとホスホン酸エステルを
用い、製造例１−（２）と同様にしてブタジエン化合物
を製造した。

【００７１】

【表１】

【００７２】

【表２】

【００７３】製造例８ ブタジエン化合物（８）の製造 次に示す反応式に従って、ブタジエン化合物（８）を製
造した。

【００７４】

【化２７】

【００７５】３，３−ビス（ｐ−ジメチルアミノフェニ
ル）アクロレイン２９４ｍｇ（1.０ミリモル）及び製造
例１−（１）で得られたホスホン酸エステル４５３ｍｇ
（1.０ミリモル）をジメチルスルホキシド１０ミリリッ
トルに溶かし、これにカリウムｔ−ブトキシド２００ｍ
ｇを加えて一晩攪拌した。反応終了液にメタノール１０
ミリリットル及び水５ミリリットルを加え、生じた沈殿
をろ取したのち、シリカゲルで精製した。収量は４４１
ｍｇ（収率６０％）であった。このものは、下記の分析
結果よりブタジエン化合物（８）と同定された。 プロトン核磁気共鳴スペクトル〔 ¹Ｈ−ＮＭＲ，基
準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒，ＣＤＣ
ｌ₃ 〕 δ＝8.５〜7.０ｐｐｍ（３０Ｈ，ｍ），2.４ｐｐｍ（２
４Ｈ，ｍ） 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ 実測値（％） ８4.９５ 7.５６ 7.６６ 計算値（％） ８4.９７ 7.４０ 7.６２ （Ｃ₅₂Ｈ₅₄Ｎ₄ として） 質量分析 ｍ／ｚ＝７３５

【００７６】製造例９ ブタジエン化合物（２１）の製
造 （１）ビス（ブロモアセチル）ヒドラシドの製造 次に示す反応式に従って、ビス（ブロモアセチル）ヒド
ラジドを製造した。

【００７７】

【化２８】

【００７８】α−ブロモ酢酸メチル3.０４ｇ（２0.０ミ
リモル）をヒドラジン１水和物２０ミリリットルに加
え、８時間加熱還流したのち、室温まで冷却し、生じた
沈殿をろ取した。この沈殿をピリジン１０ミリリットル
に溶かし、塩化α−ブロモアセチル3.１５ｇ（２0.０ミ
リモル）を加えた。この反応混合物を３時間加熱還流し
たのち、氷水中に注ぎ、生じた沈殿をろ取し、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミドから再結晶し、ビス（ブロモアセ
チル）ヒドラシド3.８ｇ（収率７０％）を得た。 （２）ホスホン酸エステルの製造 次に示す反応式に従って、ホスホン酸エステルを製造し
た。

【００７９】

【化２９】

【００８０】上記（１）で得られたビス（ブロモアセチ
ル）ヒドラジド3.８ｇ（１４ミリモル）をオキシ塩化リ
ン１０ミリリットルに加え、１２時間加熱還流したの
ち、反応混合物を氷水中に加え、生じた沈殿をろ取し
た。次いで、これをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドから
再結晶し、ビス（ブロモメチル）オキサジアゾール1.０
７ｇ（4.２ミリモル，収率３０％）を得た。次に、これ
に亜リン酸トリエチル1.０ミリリットルを加え、６時間
加熱還流したのち、室温まで冷却後、冷ヘキサン中に反
応混合物を注ぎ、ホスホン酸エステルを白色固体として
ろ取した。収量は1.５５ｇ（収率１００％）であった。 （３）ブタジエン化合物（２１）の製造 次に示す反応式に従って、ブタジエン化合物（２１）を
製造した。

【００８１】

【化３０】

【００８２】上記（２）で得られたホスホン酸エステル
３７0.２ｍｇ（1.０ミリモル）と３，３−ジフェニルア
クロレイン５１6.４ｍｇ（2.０ミリモル）をジメチルス
ルホキシド１０ミリリットルに溶かし、これにカリウム
ｔ−ブトキシド３５０ｍｇを加えて室温で一晩攪拌し
た。次いで、反応終了液にメタノール１０ミリリットル
及び水５ミリリットルを加え、生じた沈澱をろ取し、さ
らにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドから再結晶して白色
結晶２９０ｍｇ（収率６０％）を得た。このものは、以
下に示す分析結果より、ブタジエン化合物（２１）と同
定された。 プロトン核磁気共鳴スペクトル〔 ¹Ｈ−ＮＭＲ，基
準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ），溶媒，ＣＤＣ
ｌ₃ 〕 δ＝8.５〜7.０ｐｐｍ（２６Ｈ，ｍ） 元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ 実測値（％） ８4.５５ 5.２２ 5.９２ 計算値（％） ８5.３３ 5.４８ 5.８５ （Ｃ₃₄Ｈ₂₆Ｎ₂ Ｏとして） 質量分析 ｍ／ｚ＝４７８

【００８３】実施例１（発光材料としての検討） ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上に蒸着法
により厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜（陽極に相当）を設け
たものを透明支持基板とした。この透明支持基板をイソ
プロピルアルコールで５分間超音波洗浄し、さらに純水
中で５分間超音波洗浄したのち、ＵＶイオン洗浄器（サ
ムコインターナショナル社製）にて基板温度１５０℃で
２０分間洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで
乾燥して市販の蒸着装置〔日本真空技術（株）製〕の基
板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートに
銅フタロシアニン錯体（以下、ＣｕＰｃと略記する）２
００ｍｇを入れた。次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａま
で減圧したのち、ＣｕＰｃの入った加熱ボートに通電し
て４５０℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で
ＣｕＰｃを蒸着して正孔注入層にあたる膜厚６０ｎｍの
ＣｕＰｃ層を設けた。

【００８４】次に、上記の抵抗加熱ボートを取り出し、
別の三つの抵抗加熱ボートを装着し、この三つの抵抗加
熱ボートには、それぞれＮ，Ｎ’−ビス（４−メチルフ
ェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−〔１，
１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（以下、ＮＰ
Ｄと略記する），製造例１で得られたブタンジエン化合
物（２）（以下、ＤＰＢＢｉと略記する）及び４，４”
−ビス〔２−｛４−（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）フ
ェニル｝ビニル−１，１’：４’，１”〕ビフェニル
（以下、ＤＰＡＶＢｉと略記する）を入れた。まず、Ｎ
ＰＤの入った抵抗加熱ボートに通電し加熱してＮＰＤを
蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒にて蒸着し、膜厚２０ｎｍ
のＮＰＤ層を設けた。次いでＤＰＢＢｉ，ＤＰＡＶＢｉ
の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、ＤＰＢＢ
ｉ，ＤＰＡＶＢｉをそれぞれ蒸着速度４ｎｍ／秒，0.１
ｎｍ／秒で同時に蒸着し、電荷注入補助剤としてＤＰＡ
ＶＢｉを含む膜厚４０ｎｍのＤＰＢＢｉ−ＤＰＡＶＢｉ
層を発光層として設けた。

【００８５】次に、これら三層の有機物層を積層した透
明支持基板を真空槽から取り出し、発光層の上にステン
レススチール製のマスクを配置して再び基板ホルダーに
固定した。次いで、モリブテン製の抵抗加熱ボートにト
リス（８−キノリノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑ
と略す。）２００ｍｇを入れて真空槽に装着した。さら
に、マグネシウムリボン１ｇを入れたモリブデン製の抵
抗加熱ボートと銀ワイヤー５００ｍｇを入れたタングス
テン製バスケットとを真空槽に装着した。その後、真空
槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。減圧後、Ａｌｑを入
れたボートを２７０℃まで加熱し、蒸着速度0.１〜0.３
ｎｍ／秒で発光層上にＡｌｑを蒸着して膜厚２０ｎｍの
Ａｌｑ層（電子注入層に相当）を設けた。続けて、銀ワ
イヤー入りのバスケットに通電して蒸着速度0.１ｎｍ／
秒で銀を蒸着させると同時にマグネシウムリボン入りの
ボートに通電して蒸着速度1.４〜2.０ｎｍ／秒でマグネ
シウムを蒸着した。この二元同時蒸着により、Ａｌｑ層
上に膜厚１６０ｎｍのマグネシウム−銀層（陰極に相
当）が形成された。この素子のＩＴＯ電極を陽極とし、
マグネシウム−銀電極を陰極として、直流8.７Ｖを印加
したところ、１3.０ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れ青色の発
光を得た。この際発光輝度は８５０ｃｄ／ｍ² であっ
た。

【００８６】実施例２〜７（発光材料としての検討） 実施例１において、発光材料としてブタジエン化合物
（２）の代わりに、製造例２〜７で得られた第２表に示
すブタジエン化合物を用いた以外は、実施例１と同様に
して実施した。結果を第２表に示す。また、得られた素
子を大気中に放置した結果、いずれも１ヶ月間経過後も
結晶化は観測されなかった。

【００８７】

【表３】

【００８８】実施例８（正孔注入輸送材料としての検
討） 実施例１と同様の洗浄処理を行った透明支持基板を、乾
燥窒素ガスで乾燥して、市販の蒸着装置〔日本真空技術
（株）製〕の基板ホルダーに固定し、モリブデン製の抵
抗加熱ボートにＡｌｑ２００ｍｇを入れ、また別のモリ
ブデン製ボートに、正孔注入輸送材料として、製造例８
で得られたブタジエン化合物（８）２００ｍｇを入れて
真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後、化合物
（８）の入った加熱ボートに通電して３５０℃まで加熱
し、蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で化合物（８）を蒸着
して、膜厚６０ｎｍの正孔注入輸送層を設けた。

【００８９】次いで、これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入輸送層上に、もう一つのボートよりＡｌｑ
を発光層として５０ｎｍ積層蒸着した。この際のボート
温度は２５０℃、蒸着速度は0.２〜0.４ｎｍ／秒、基板
温度は室温であった。このようにして積層蒸着したもの
を真空槽より取り出し、ステンレススチール製のマスク
を配置し、再び基板ホルダーに固定した。次に、モリブ
デン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入
れ、また別のタングステン製バスケットに銀ワイヤー５
００ｍｇを入れて真空槽に装着した。その後真空槽を１
×１０^-4Ｐａまで減圧したのち、銀ワイヤー入りのバス
ケットに通電して蒸着速度0.１ｎｍ／秒で銀を蒸着させ
ると同時に、マグネシウム入りのボートに通電して蒸着
速度1.４〜2.０ｎｍ／秒でマグネシウムを蒸着した。こ
の二元同時蒸着によりＡｌｑ層上に膜厚１６０ｎｍのマ
グネシウム−銀層（陰極に相当）が形成された。この素
子のＩＴＯ電極を陽極とし、マグネシウム−銀電極を陰
極として、直流8.７Ｖを印加したところ、１2.５ｍＡ／
ｃｍ² の電流が流れ、緑色の発光を得た。この際発光輝
度は４５０ｃｄ／ｍ² であった。

【００９０】実施例９ （電子注入輸送材料としての検
討） 実施例１と同様の洗浄処理を行った透明支持基板を乾燥
窒素ガスで乾燥して市販の蒸着装置〔日本真空技術
（株）製〕の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと略記する）２００
ｍｇを入れ、また別のモリブテン製ボートに４，４’−
ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（以
下、ＤＰＶＢｉと略記する）２００ｍｇを入れ、真空槽
を４×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤの入っ
たボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、蒸着速度0.１
〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して膜厚６０ｎ
ｍの正孔注入層を製膜した。この際基板上の温度は室温
であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層上にＤＰＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層した。
次に、この積層蒸着したものを真空槽より取り出し、ス
テンレススチール製のマスクを配置して再び基板ホルダ
ーに固定した。次いで、モリブデン製抵抗加熱ボートに
電子注入輸送材料である製造例９で得られたブタジエン
化合物（２１）２００ｍｇを入れ、さらに他のモリブデ
ン製抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、
またタングステン製バスケットに銀ワイヤー５００ｍｇ
を入れ真空槽に装着した。その後、真空槽を１×１０^-4
Ｐａまで減圧したのち、化合物（２１）の入った抵抗加
熱ボートに通電して３００〜３１０℃まで加熱して、化
合物（２１）を蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で蒸着し、
電子注入輸送層を発光層上に２０ｎｍ積層した。

【００９１】次いで、銀ワイヤー入りのバスケットに通
電して蒸着速度0.１ｎｍ／秒で銀を蒸着させると同時
に、マグネシウム入りのボートに通電して蒸着速度1.４
〜2.０ｎｍ／秒でマグネシウムを蒸着した。この二元同
時蒸着により、電子注入輸送層上に膜厚１６０ｎｍのマ
グネシウム−銀層（陰極に相当）が形成された。この素
子のＩＴＯ電極を陽極とし、マグネシウム−銀電極を陰
極として、直流8.７Ｖを印加したところ、１9.０ｍＡ／
ｃｍ² の電流が流れ、青色の発光を得た。この際発光輝
度は９７０ｃｄ／ｍ² であった。

【００９２】比較例１ 実施例１において、発光材料として、ブタジエン化合物
（２）の代わりに、式

【００９３】

【化３１】

【００９４】で示される化合物を用いた以外は、実施例
１と同様にしてＥＬ素子を作製した。この素子のＩＴＯ
電極を陽極とし、マグネシウム−銀電極を陰極とし、直
流8.７Ｖを印加したところ、9.５ｍＡ／ｃｍ² の電流が
流れ、青色の発光を得た。この際、発光輝度は３１６ｃ
ｄ／ｍ² であった。また、発光効率は1.２ルーメン／ｗ
であり、実施例１の発光効率2.４ルーメン／ｗに比べて
低かった。

【００９５】

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子は、電界発光性に
優れるとともに、素子化しても結晶化することのない熱
安定性の良好なブタジエン構造を有する化合物を含有す
るものであって、薄膜性に優れる、輝度が高い、寿命が
長いなどの特徴を有している。したがって、本発明の有
機ＥＬ素子は、例えば情報産業機器のディスプレイなど
として好適に用いられる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ａｒは置換基を有する若しくは有しない炭素数
   ６〜２０のアリール基又は炭素数２〜１８の芳香族複素
   環式基、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ は、それぞれ独立に水素原子，置換
   基を有する若しくは有しない炭素数６〜２０のアリール
   基，炭素数２〜１８の芳香族複素環式基又は炭素数１〜
   ６のアルキル基を示し、またＡｒとＲ¹ とがたがいに結
   合して飽和若しくは不飽和の５員環又は６員環を形成し
   ていてもよい。Ｑは一般式（II) 【化２】 で表される置換基を有していてもよいアリーレン基、あ
   るいは置換基を有する若しくは有しないナフチレン基，
   アントラセニレン基，ピレニレン基，ビナフチレン基又
   は２価の炭素数２〜１８の芳香族複素環式基、あるいは
   置換基を有する若しくは有しない炭素数６〜２０のアリ
   ール基３個をもつ２価又は３価のトリアリールアミノ基
   を示し、ｎは１又は２を示す。なお、ここでいう置換基
   とはハロゲン原子，炭素数６〜２０のアリール基，炭素
   数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，
   炭素数７〜２０のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリ
   ールオキシ基，置換若しくは無置換のアミノ基又は水酸
   基を示す。〕で表されるブタジエン構造を有する化合物
   を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
   ンス素子。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）において、ｎが１であり、
   かつＲ¹ が置換基を有する若しくは有しない炭素数６〜
   ２０のアリール基又は炭素数２〜１８の芳香族複素環式
   基、及びＱが一般式（II) で表される置換基を有してい
   てもよいアリーレン基，あるいは置換基を有する若しく
   は有しないナフチレン基，アントラセニレン基，ピレニ
   レン基又はビナフチレン基である請求項１記載の有機エ
   レクトロルミネッセンス素子。
3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）で表されるブタジエン構造
   を有する化合物を、一対の電極の間に挟持する有機機能
   層のいずれかに含有させてなる請求項１又は２記載の有
   機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 【請求項４】 有機機能層が発光層，正孔注入輸送層及
   び／又は電子注入輸送層からなるものである請求項３記
   載の有機エレクトロルミネッセンス素子。