JPH08237266A - 光バッファメモリ - Google Patents
光バッファメモリInfo
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- JPH08237266A JPH08237266A JP4020595A JP4020595A JPH08237266A JP H08237266 A JPH08237266 A JP H08237266A JP 4020595 A JP4020595 A JP 4020595A JP 4020595 A JP4020595 A JP 4020595A JP H08237266 A JPH08237266 A JP H08237266A
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- optical
- coupler
- buffer memory
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- Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光ＡＴＭ交換方式または光ＳＴＭ交換方式に用
いられる光バッファメモリにおいて、ファイバ遅延線長
を短縮して出来るだけ小型なシステムを実現する。 【構成】フィルタで波長選択した光セルまたはタイムス
ロットを１／２光セルタイムスロット分づつ異なる遅延
量だけ遅延させるｍ−１本のファイバ遅延線を介して反
射板で反射させて順次１個づつ入力して出力するか、フ
ィルタ及び分岐比が異なる２×１カプラとで固有の透過
波長だけ通過させた各光出力に１光セルタイムスロット
分づつ遅延させる長さを有するファイバ遅延線介して遅
延させ、１×２カプラで合成する。
いられる光バッファメモリにおいて、ファイバ遅延線長
を短縮して出来るだけ小型なシステムを実現する。 【構成】フィルタで波長選択した光セルまたはタイムス
ロットを１／２光セルタイムスロット分づつ異なる遅延
量だけ遅延させるｍ−１本のファイバ遅延線を介して反
射板で反射させて順次１個づつ入力して出力するか、フ
ィルタ及び分岐比が異なる２×１カプラとで固有の透過
波長だけ通過させた各光出力に１光セルタイムスロット
分づつ遅延させる長さを有するファイバ遅延線介して遅
延させ、１×２カプラで合成する。
Description
【産業上の利用分野】本発明は光バッファメモリに関
し、特に光ＡＴＭ交換方式または光ＳＴＭ交換方式（光
時分割交換方式）に用いる光バッファメモリに関するも
のである。
し、特に光ＡＴＭ交換方式または光ＳＴＭ交換方式（光
時分割交換方式）に用いる光バッファメモリに関するも
のである。
【０００１】マルチメディア通信を担う次世代の通信網
として広帯域ＩＳＤＮが構築されている。
として広帯域ＩＳＤＮが構築されている。
【０００２】この広帯域ＩＳＤＮにおいては現在の通信
網の数千倍の情報が扱われるため、その膨大な情報量に
も対応することができる大容量・小型化が可能な光ＡＴ
Ｍ交換方式または光ＳＴＭ交換方式などの光交換方式が
期待されている。
網の数千倍の情報が扱われるため、その膨大な情報量に
も対応することができる大容量・小型化が可能な光ＡＴ
Ｍ交換方式または光ＳＴＭ交換方式などの光交換方式が
期待されている。
【０００３】このような光交換方式は、複数の光セルま
たはタイムスロットに対し、所定の宛先に対応してルー
トを切り替えて出力機能を有するものであり、このため
複数の光セルまたはタイムスロットが同一のルートに出
力される場合は衝突が生じるので、このような事態を回
避するための光バッファ機能が必要となる。
たはタイムスロットに対し、所定の宛先に対応してルー
トを切り替えて出力機能を有するものであり、このため
複数の光セルまたはタイムスロットが同一のルートに出
力される場合は衝突が生じるので、このような事態を回
避するための光バッファ機能が必要となる。
【０００４】
【従来の技術】図８は従来の例えば光ＡＴＭ交換方式に
おいて、上記のような光バッファ機能を有する光バッフ
ァメモリの構成例（１）を示したもので、図において、
ｋ個の入力は既にルートが設定された光セルであり、ほ
ぼ同時に光スイッチ２００に入力されるとともに、ｋ個
の入力は同じｋ個の光／電気変換回路２１０〜２１ｋの
対応する回路にそれぞれ入力される。
おいて、上記のような光バッファ機能を有する光バッフ
ァメモリの構成例（１）を示したもので、図において、
ｋ個の入力は既にルートが設定された光セルであり、ほ
ぼ同時に光スイッチ２００に入力されるとともに、ｋ個
の入力は同じｋ個の光／電気変換回路２１０〜２１ｋの
対応する回路にそれぞれ入力される。
【０００５】そして、光／電気変換回路２１０〜２１ｋ
は、各リンクから分岐した光セルの一部を対応する電気
信号に変換し、コントロール回路２２０に入力する。コ
ントロール回路２２０は電気信号に変換された光セルの
情報を分析して、ｋ個の入力の送出順位を判定して、こ
の判定された順位に基づき光スイッチ２００の切替制御
を行う。
は、各リンクから分岐した光セルの一部を対応する電気
信号に変換し、コントロール回路２２０に入力する。コ
ントロール回路２２０は電気信号に変換された光セルの
情報を分析して、ｋ個の入力の送出順位を判定して、こ
の判定された順位に基づき光スイッチ２００の切替制御
を行う。
【０００６】光スイッチ２００はコントロール回路２２
０の制御を受けることにより、その出力が、それぞれ、
０，Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・・・（ｋ−１）Ｔの遅延量（Ｔ
は単位遅延量）を有するｋ本の光ファイバ６に接続され
ている。従って、ｋ個の入力はコントロール回路２２０
の制御によりｋ本の光ファイバ６のいずれかに切替出力
されるようになっている。
０の制御を受けることにより、その出力が、それぞれ、
０，Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・・・（ｋ−１）Ｔの遅延量（Ｔ
は単位遅延量）を有するｋ本の光ファイバ６に接続され
ている。従って、ｋ個の入力はコントロール回路２２０
の制御によりｋ本の光ファイバ６のいずれかに切替出力
されるようになっている。
【０００７】また、ｋ本の光ファイバ６の内のｋ−１本
の光ファイバに、それぞれ、１Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・・・
（ｋ−１）Ｔの遅延量を有するように構成するために、
遅延線２０１〜２０（ｋ−１）を設けている。
の光ファイバに、それぞれ、１Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・・・
（ｋ−１）Ｔの遅延量を有するように構成するために、
遅延線２０１〜２０（ｋ−１）を設けている。
【０００８】また、２３０は光カプラであり、２入力／
１出力を有する２×１の光カプラをツリー状にして構成
している。従って、光スイッチ２００から同時にｋ本の
光ファイバに光セルが出力される場合であっても、衝突
することなく光カプラ２３０から出力が得られる。
１出力を有する２×１の光カプラをツリー状にして構成
している。従って、光スイッチ２００から同時にｋ本の
光ファイバに光セルが出力される場合であっても、衝突
することなく光カプラ２３０から出力が得られる。
【０００９】このような従来の光バッファメモリは、コ
ントロール回路２２０により電気的に光スイッチ２００
を制御し、各光セルのバッファリング時間に対応した光
ファイバ６に振り分け、ファイバ遅延線２０１〜２０
（ｋ−１）により光セルの競合制御を行うように構成し
ているため、光／電気変換回路が必要であるとともに、
伝送速度が上がるに従ってコントロール２２０における
処理が困難になって来るという問題があった。
ントロール回路２２０により電気的に光スイッチ２００
を制御し、各光セルのバッファリング時間に対応した光
ファイバ６に振り分け、ファイバ遅延線２０１〜２０
（ｋ−１）により光セルの競合制御を行うように構成し
ているため、光／電気変換回路が必要であるとともに、
伝送速度が上がるに従ってコントロール２２０における
処理が困難になって来るという問題があった。
【００１０】このような問題を解決するため、特願平６
−１５８４１５号において、図９に示すような構成例
（２）が提案されている。
−１５８４１５号において、図９に示すような構成例
（２）が提案されている。
【００１１】すなわち、この従来構成例（２）において
は、ｋ個の入力がカプラ１０に並列に与えられ、このカ
プラ１０は入力がｋ個で出力がｍ個として一般化された
ｋ×ｍカプラであり、内部で一旦波長多重されて同一の
光出力信号としてフィルタ５１〜５ｍに与えられる。
は、ｋ個の入力がカプラ１０に並列に与えられ、このカ
プラ１０は入力がｋ個で出力がｍ個として一般化された
ｋ×ｍカプラであり、内部で一旦波長多重されて同一の
光出力信号としてフィルタ５１〜５ｍに与えられる。
【００１２】フィルタ５１〜５ｍはそれぞれ透過波長が
異なっており、したがってこれらのフィルタ５１〜５ｍ
からは異なるｍ個の波長の光セルが光ファイバ６に出力
されることになる。
異なっており、したがってこれらのフィルタ５１〜５ｍ
からは異なるｍ個の波長の光セルが光ファイバ６に出力
されることになる。
【００１３】光ファイバ６は、その内のｍ−１本に対し
てファイバ遅延線６１〜６（ｍ−１）が設けられてお
り、各ファイバ遅延線６１〜６（ｍ−１）は入力してき
た光セルに対してそれぞれ遅延量１Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・
・・（ｍ−１）Ｔを与えるので、衝突することなく順次
ｍ×１カプラ７０に入力される。
てファイバ遅延線６１〜６（ｍ−１）が設けられてお
り、各ファイバ遅延線６１〜６（ｍ−１）は入力してき
た光セルに対してそれぞれ遅延量１Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・
・・（ｍ−１）Ｔを与えるので、衝突することなく順次
ｍ×１カプラ７０に入力される。
【００１４】したがって、ｍ×１カプラ７０からは、時
系列に順次ｋ個の光セルが出力される。
系列に順次ｋ個の光セルが出力される。
【００１５】これにより、光バッファメモリ部分では受
動素子であるフィルタおよび遅延線のみが用いられ、以
て電気的制御の必要なしに競合制御が行われることとな
る。
動素子であるフィルタおよび遅延線のみが用いられ、以
て電気的制御の必要なしに競合制御が行われることとな
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来構成例（２）においては、ファイバ遅延線に
よる遅延時間は遅延線長に比例するので、光セルの廃棄
率を下げようとすると遅延時間が長くなりファイバ遅延
線長が増大してしまう。
ような従来構成例（２）においては、ファイバ遅延線に
よる遅延時間は遅延線長に比例するので、光セルの廃棄
率を下げようとすると遅延時間が長くなりファイバ遅延
線長が増大してしまう。
【００１７】そのため、光セルの廃棄率の低下に伴い従
来構成例ではハードウェア量が急激に増大してしまうの
で小型なシステムの実現が難しいという問題点があっ
た。
来構成例ではハードウェア量が急激に増大してしまうの
で小型なシステムの実現が難しいという問題点があっ
た。
【００１８】したがって本発明は、光ＡＴＭ交換方式ま
たは光ＳＴＭ交換方式に用いられる光バッファメモリに
おいて、ファイバ遅延線長を短縮して出来るだけ小型な
システムを実現することを目的とする。
たは光ＳＴＭ交換方式に用いられる光バッファメモリに
おいて、ファイバ遅延線長を短縮して出来るだけ小型な
システムを実現することを目的とする。
【００１９】
（１）上記の目的を達成するため、本発明に係る光バッ
ファメモリは、光ＡＴＭ交換方式に用いられる場合、図
１に概念的に示すように、互いに波長が異なるｋ個の並
列した光セルを１つに波長多重する１個のｋ×１カプラ
１と、該ｋ×１カプラ１の光出力のみを透過させる１個
のアイソレータ２と、該アイソレータ２の光出力を入力
する１個の２×２カプラ３と、該２×２カプラ３の光出
力をｍ個に均等に分岐させる１個の１×ｍカプラ４と、
該１×ｍカプラ４から分岐したｍ個の光出力をそれぞれ
互いに異なる固有の透過波長だけ通過させるｍ個のフィ
ルタ５１〜５ｍと、各フィルタ５１〜５ｍの光出力をそ
れぞれ１／２光セルタイムスロット分づつ異なる遅延量
だけ遅延させるｍ−１本のファイバ遅延線６１〜６（ｍ
−１）を含む光ファイバ６と、各光ファイバ６の光出力
を該光ファイバ６に反射させる反射板７とを備え、該２
×２カプラ３が、該反射板７から反射して該１×ｍカプ
ラ４から出力された光セルを順次１個づつ入力して出力
することを特徴としたものである。
ファメモリは、光ＡＴＭ交換方式に用いられる場合、図
１に概念的に示すように、互いに波長が異なるｋ個の並
列した光セルを１つに波長多重する１個のｋ×１カプラ
１と、該ｋ×１カプラ１の光出力のみを透過させる１個
のアイソレータ２と、該アイソレータ２の光出力を入力
する１個の２×２カプラ３と、該２×２カプラ３の光出
力をｍ個に均等に分岐させる１個の１×ｍカプラ４と、
該１×ｍカプラ４から分岐したｍ個の光出力をそれぞれ
互いに異なる固有の透過波長だけ通過させるｍ個のフィ
ルタ５１〜５ｍと、各フィルタ５１〜５ｍの光出力をそ
れぞれ１／２光セルタイムスロット分づつ異なる遅延量
だけ遅延させるｍ−１本のファイバ遅延線６１〜６（ｍ
−１）を含む光ファイバ６と、各光ファイバ６の光出力
を該光ファイバ６に反射させる反射板７とを備え、該２
×２カプラ３が、該反射板７から反射して該１×ｍカプ
ラ４から出力された光セルを順次１個づつ入力して出力
することを特徴としたものである。
【００２０】（２）また本発明に光バッファメモリは、
光ＡＴＭ交換方式に用いられる場合、図２に概念的に示
すように、互いに波長が異なるｋ個の並列した光セルを
１つに波長多重する１個のｋ×１カプラ１と、該ｋ×１
カプラ１の出力側に縦続接続されそれぞれ分岐比が異な
るｍ−１個の１×２カプラ１１〜１ｍと、該１×２カプ
ラ１１〜１ｍの他方の光出力をそれぞれ互いに異なる固
有の透過波長だけ通過させるｍ−１個のフィルタ２１〜
２ｍと、各フィルタ２１〜２ｍの光出力を入力する互い
に分岐比が異なるｍ−１個の２×１カプラ４１〜４（ｍ
−１）と、前段の各２×１カプラの出力側に挿入され１
光セルタイムスロット分づつ遅延させる長さを有するｍ
−１本のファイバ遅延線３１〜３（ｍ−１）とを備え、
最後の該２×１カプラから光セルを順次１個づつ出力す
るとともにｍが２以上の整数であり、各１×２カプラ１
１〜１ｍの分岐比が、出力される光セルのレベルを均一
にし、損失を低減するように設定されていることを特徴
としたものである。
光ＡＴＭ交換方式に用いられる場合、図２に概念的に示
すように、互いに波長が異なるｋ個の並列した光セルを
１つに波長多重する１個のｋ×１カプラ１と、該ｋ×１
カプラ１の出力側に縦続接続されそれぞれ分岐比が異な
るｍ−１個の１×２カプラ１１〜１ｍと、該１×２カプ
ラ１１〜１ｍの他方の光出力をそれぞれ互いに異なる固
有の透過波長だけ通過させるｍ−１個のフィルタ２１〜
２ｍと、各フィルタ２１〜２ｍの光出力を入力する互い
に分岐比が異なるｍ−１個の２×１カプラ４１〜４（ｍ
−１）と、前段の各２×１カプラの出力側に挿入され１
光セルタイムスロット分づつ遅延させる長さを有するｍ
−１本のファイバ遅延線３１〜３（ｍ−１）とを備え、
最後の該２×１カプラから光セルを順次１個づつ出力す
るとともにｍが２以上の整数であり、各１×２カプラ１
１〜１ｍの分岐比が、出力される光セルのレベルを均一
にし、損失を低減するように設定されていることを特徴
としたものである。
【００２１】（３）上記（２）の光バッファメモリにお
いては、図３に概念的に示すように、１個の光増幅器８
１を中間の２個の該１×２カプラの間に挿入し、別の１
個の光増幅器８２を同じ中間の該ファイバ遅延線と該２
×１カプラの間に挿入することが好ましい。
いては、図３に概念的に示すように、１個の光増幅器８
１を中間の２個の該１×２カプラの間に挿入し、別の１
個の光増幅器８２を同じ中間の該ファイバ遅延線と該２
×１カプラの間に挿入することが好ましい。
【００２２】（４）さらに上記（２）の光バッファメモ
リにおいては、図４に概念的に示すように、さらに、最
初のフィルタ２１の出力側に２×１カプラ４０を設け、
最後のフィルタ２ｍの入力側に１×２カプラ１（ｍ＋
１）を設けるとともに該最後の１×２カプラ１（ｍ＋
１）の出力側に１個の光増幅器８１１を接続し、最後の
該２×１カプラ３（ｍ−１）の出力側に別の１個の光増
幅器８２１を接続することによって基本単位モジュール
を構成し、該基本単位モジュールを所定段数ｒだけ縦続
接続させることもできる。
リにおいては、図４に概念的に示すように、さらに、最
初のフィルタ２１の出力側に２×１カプラ４０を設け、
最後のフィルタ２ｍの入力側に１×２カプラ１（ｍ＋
１）を設けるとともに該最後の１×２カプラ１（ｍ＋
１）の出力側に１個の光増幅器８１１を接続し、最後の
該２×１カプラ３（ｍ−１）の出力側に別の１個の光増
幅器８２１を接続することによって基本単位モジュール
を構成し、該基本単位モジュールを所定段数ｒだけ縦続
接続させることもできる。
【００２３】（５）さらに上記の各光バッファメモリに
おいては、光ＡＴＭ交換方式に用いる代わりに光ＳＴＭ
交換方式に用いる場合、該光セルの代わりにタイムスロ
ットを用いればよい。
おいては、光ＡＴＭ交換方式に用いる代わりに光ＳＴＭ
交換方式に用いる場合、該光セルの代わりにタイムスロ
ットを用いればよい。
【００２４】
（１）図１に示す本発明に係る波長多重型光バッファメ
モリではｋ×１カプラ１でｋ入力の光セルを一つにまと
め、アイソレータ２を経由して２×２カプラ３に送られ
る。
モリではｋ×１カプラ１でｋ入力の光セルを一つにまと
め、アイソレータ２を経由して２×２カプラ３に送られ
る。
【００２５】その後、光セルは１×ｍカプラ４で均等に
分岐されてフィルタ５１〜５ｍに送られる。各フィルタ
５１〜５ｍは透過波長が全て異なる波長に設定してあ
り、対応した波長の光セルのみ通過して光ファイバ６に
送られる。
分岐されてフィルタ５１〜５ｍに送られる。各フィルタ
５１〜５ｍは透過波長が全て異なる波長に設定してあ
り、対応した波長の光セルのみ通過して光ファイバ６に
送られる。
【００２６】光ファイバ６におけるファイバ遅延線６１
〜６（ｍ−１）は、それぞれ１／２セルタイムスロット
分づつ遅延線長を変えてあり、フィルタ５１を除くフィ
ルタ５２〜５ｍを透過した光セルは、それらのファイバ
遅延線６１〜６（ｍ−１）で遅延された後、反射板７に
送られる。
〜６（ｍ−１）は、それぞれ１／２セルタイムスロット
分づつ遅延線長を変えてあり、フィルタ５１を除くフィ
ルタ５２〜５ｍを透過した光セルは、それらのファイバ
遅延線６１〜６（ｍ−１）で遅延された後、反射板７に
送られる。
【００２７】そして、光セルは反射板７によって全反射
され、光ファイバ６、フィルタ５１〜５ｍというように
通過して来た元の経路を戻る。そして１×ｍカプラ４で
それぞれの光セルが１つの出口に集められ、２×２カプ
ラ３の１つのポートから順次、１セルづつ出力される。
され、光ファイバ６、フィルタ５１〜５ｍというように
通過して来た元の経路を戻る。そして１×ｍカプラ４で
それぞれの光セルが１つの出口に集められ、２×２カプ
ラ３の１つのポートから順次、１セルづつ出力される。
【００２８】（２）図２に示す本発明に係る波長多重型
光バッファメモリでは、ｋ×１カプラ１でｋ入力の光セ
ルを１つにまとめて各１×２カプラ１１〜１ｍに送出す
る。それぞれの１×２カプラ１１〜１ｍで光セルは分岐
されるが各１×２カプラ１１〜１ｍは出力される光セル
のレベルが均等かつ、損失が少なくなるように互いに分
岐比が異なっている。
光バッファメモリでは、ｋ×１カプラ１でｋ入力の光セ
ルを１つにまとめて各１×２カプラ１１〜１ｍに送出す
る。それぞれの１×２カプラ１１〜１ｍで光セルは分岐
されるが各１×２カプラ１１〜１ｍは出力される光セル
のレベルが均等かつ、損失が少なくなるように互いに分
岐比が異なっている。
【００２９】すなわち、図示のように、カプラ１１では
１：（ｍ−１）に分岐し、この分岐したカプラ１１から
の一方の光セルを更に１：（ｍ−２）に分岐し、これを
最後のカプラ１ｍまで順次経由することによりカプラ１
ｍの２つの光セルの出力レベルは１：１となり、すべて
のフィルタ２１〜２ｍに入力する光セルのレベルが均一
となる。
１：（ｍ−１）に分岐し、この分岐したカプラ１１から
の一方の光セルを更に１：（ｍ−２）に分岐し、これを
最後のカプラ１ｍまで順次経由することによりカプラ１
ｍの２つの光セルの出力レベルは１：１となり、すべて
のフィルタ２１〜２ｍに入力する光セルのレベルが均一
となる。
【００３０】各フィルタ２１〜２ｍは透過波長が全て異
なる波長に設定してあり、対応した波長の光セルのみ透
過されて２×１カプラ４１〜４（ｍ−１）に送られる
が、フィルタ２１及び最後の２×１カプラ４（ｍ−１）
を除く２×１カプラ４１〜４（ｍ−２）を透過した光セ
ルは順次ファイバ遅延線３１〜３（ｍ−１）で１光セル
タイムスロットづつ遅延を受けて最後の２×１カプラ４
（ｍ−１）から出力される。
なる波長に設定してあり、対応した波長の光セルのみ透
過されて２×１カプラ４１〜４（ｍ−１）に送られる
が、フィルタ２１及び最後の２×１カプラ４（ｍ−１）
を除く２×１カプラ４１〜４（ｍ−２）を透過した光セ
ルは順次ファイバ遅延線３１〜３（ｍ−１）で１光セル
タイムスロットづつ遅延を受けて最後の２×１カプラ４
（ｍ−１）から出力される。
【００３１】なお、２×１カプラ４１〜４（ｍ−１）の
分岐比は必ずしも１×２カプラ１１〜１ｍの分岐比と対
応させる必要はない。
分岐比は必ずしも１×２カプラ１１〜１ｍの分岐比と対
応させる必要はない。
【００３２】（３）図３に示す光バッファメモリでは、
図２と同様にバッファリングを行うが、ｍ−１個の１×
２カプラ１１〜１ｍの接続の中間の１×２カプラ１ｎと
１（ｎ＋１）に１個の光増幅器８１を挿入し、中間のフ
ァイバ遅延線３ｎと中間の１×２カプラ４（ｎ＋１）と
の間に別の１個の光増幅器８２を挿入し損失を補償して
バッファリングを行っている。
図２と同様にバッファリングを行うが、ｍ−１個の１×
２カプラ１１〜１ｍの接続の中間の１×２カプラ１ｎと
１（ｎ＋１）に１個の光増幅器８１を挿入し、中間のフ
ァイバ遅延線３ｎと中間の１×２カプラ４（ｎ＋１）と
の間に別の１個の光増幅器８２を挿入し損失を補償して
バッファリングを行っている。
【００３３】（４）図４に示す光バッファメモリでは、
図２と同様にバッファリングを行うが、この図２の光バ
ッファメモリにおいて、最初のフィルタ２１の出力側に
２×１カプラ４０を設け、最後のフィルタ２ｍの入力側
に１×２カプラ１（ｍ＋１）を設ける。そして、最後の
１×２カプラ１（ｍ＋１）の後に１個の光増幅器８１１
を接続し、最後の２×１カプラ３（ｍ−１）の後に１個
の光増幅器８２１を接続した基本単位モジュールをｒ段
接続することにより、損失を補償してバッファリングを
行う。
図２と同様にバッファリングを行うが、この図２の光バ
ッファメモリにおいて、最初のフィルタ２１の出力側に
２×１カプラ４０を設け、最後のフィルタ２ｍの入力側
に１×２カプラ１（ｍ＋１）を設ける。そして、最後の
１×２カプラ１（ｍ＋１）の後に１個の光増幅器８１１
を接続し、最後の２×１カプラ３（ｍ−１）の後に１個
の光増幅器８２１を接続した基本単位モジュールをｒ段
接続することにより、損失を補償してバッファリングを
行う。
【００３４】（５）上記の各光バッファメモリは光ＡＴ
Ｍ交換方式に用いることが前提となっており、このため
に光セルを用いているが、光ＳＴＭ交換に用いる場合に
も本発明は同様に適用することができ、この場合には、
該光セルの代わりにタイムスロットを用いればよい。
Ｍ交換方式に用いることが前提となっており、このため
に光セルを用いているが、光ＳＴＭ交換に用いる場合に
も本発明は同様に適用することができ、この場合には、
該光セルの代わりにタイムスロットを用いればよい。
【００３５】
【実施例】図５は、図２に示した本発明に係る波長多重
型光バッファメモリを光ＡＴＭ交換機に適用した応用例
を示しており、この応用例では、周期型のフィルタを用
い、３入力／３出力の光ＡＴＭ交換で且つ光セルのバッ
ファリング時間は０〜３セルタイムスロットまでのバッ
ファメモリの場合を示している。
型光バッファメモリを光ＡＴＭ交換機に適用した応用例
を示しており、この応用例では、周期型のフィルタを用
い、３入力／３出力の光ＡＴＭ交換で且つ光セルのバッ
ファリング時間は０〜３セルタイムスロットまでのバッ
ファメモリの場合を示している。
【００３６】今、３つのリンクの内、入力＃１および＃
２に光セルが同時に到着したときインプット・インター
フェース・モジュール（ＩＩＭ）９０が光セルのヘッダ
部の情報を分析し、それぞれの光セルの波長をλ５，λ
６に変換し、且つ同じ出線に出力して波長多重型光バッ
ファメモリＢＭに送出する。
２に光セルが同時に到着したときインプット・インター
フェース・モジュール（ＩＩＭ）９０が光セルのヘッダ
部の情報を分析し、それぞれの光セルの波長をλ５，λ
６に変換し、且つ同じ出線に出力して波長多重型光バッ
ファメモリＢＭに送出する。
【００３７】光セルは３×１カプラ１とアイソレータ２
と２×２カプラ３とを経由して１×４カプラ４で４つの
出力に分岐されてフィルタ５１〜５４に送られる。
と２×２カプラ３とを経由して１×４カプラ４で４つの
出力に分岐されてフィルタ５１〜５４に送られる。
【００３８】フィルタ５１〜５４では、フィルタ５１が
波長λ１，λ５，λ９のみを透過するように波長選択さ
れており、フィルタ５２は波長λ２，λ６，λ１０のみ
を透過するように波長選択されており、フィルタ５３は
波長λ３，λ７，λ１１のみを透過するように波長選択
されており、フィルタ５４が波長λ４，λ８，λ１２の
みを透過するように波長選択されている。
波長λ１，λ５，λ９のみを透過するように波長選択さ
れており、フィルタ５２は波長λ２，λ６，λ１０のみ
を透過するように波長選択されており、フィルタ５３は
波長λ３，λ７，λ１１のみを透過するように波長選択
されており、フィルタ５４が波長λ４，λ８，λ１２の
みを透過するように波長選択されている。
【００３９】これらのフィルタ５１〜５４を透過した光
セルはファイバ遅延線６１〜６３を含む光ファイバ６を
経由して反射板７に送られ，この反射板７によって反射
されファイバ遅延線６１〜６３を往復する。
セルはファイバ遅延線６１〜６３を含む光ファイバ６を
経由して反射板７に送られ，この反射板７によって反射
されファイバ遅延線６１〜６３を往復する。
【００４０】これにより、それぞれの光セルは１セルタ
イムスロットの遅延時間差が生じてフィルタ５１〜５４
に戻され、カプラ４及び３から１×３カプラ９１に送ら
れる。
イムスロットの遅延時間差が生じてフィルタ５１〜５４
に戻され、カプラ４及び３から１×３カプラ９１に送ら
れる。
【００４１】１×３カプラ９１では入力した光セルを３
つに均等に分岐させ、これを更にバンドパス・フィルタ
（ＢＰＦ）９２１〜９２３に送る。
つに均等に分岐させ、これを更にバンドパス・フィルタ
（ＢＰＦ）９２１〜９２３に送る。
【００４２】これらのバンドパス・フィルタ（ＢＰＦ）
９２１〜９２３は、それぞれ、波長λ１〜λ４、λ５〜
λ８、λ９〜λ１２を選択出力するように設定されてい
るので、出線＃２から光セルが衝突することなく波長λ
５の光セル、波長λ６の光セルの順で出力される。
９２１〜９２３は、それぞれ、波長λ１〜λ４、λ５〜
λ８、λ９〜λ１２を選択出力するように設定されてい
るので、出線＃２から光セルが衝突することなく波長λ
５の光セル、波長λ６の光セルの順で出力される。
【００４３】図６は、図２に示した本発明に係る波長多
重型光バッファメモリを光ＡＴＭ交換機に適用した応用
例を示しており、この応用例では、３入力／３出力の光
ＡＴＭ交換機で、且つセルのバッファリング時間は０〜
３セルタイムスロットまでのバッファメモリの場合を示
している。
重型光バッファメモリを光ＡＴＭ交換機に適用した応用
例を示しており、この応用例では、３入力／３出力の光
ＡＴＭ交換機で、且つセルのバッファリング時間は０〜
３セルタイムスロットまでのバッファメモリの場合を示
している。
【００４４】まず、入力＃１および＃２に光セルが同時
に到着し出線＃２に出力するとき、ＩＩＭ９０で入力＃
１の光セルの波長をλ２、入力＃２の光セルをλ１に波
長変換し、光自己ルーティングモジュール（ＰＳＲＭ）
１００に送られる。
に到着し出線＃２に出力するとき、ＩＩＭ９０で入力＃
１の光セルの波長をλ２、入力＃２の光セルをλ１に波
長変換し、光自己ルーティングモジュール（ＰＳＲＭ）
１００に送られる。
【００４５】ＰＳＲＭ１００は３個のセルセレクタ１０
３と３個のバッファメモリＢＭ１〜ＢＭ３を備えてお
り、ＩＩＭ９０から出力される光セル及びタグは、対応
するセルセレクタ１０１〜１０３に入力する。セルセク
タ１０１〜１０３では、タグの宛先情報に基づき光セル
の出力ルート切替え、対応するバッファメモリＢＭ１〜
ＢＭ３に入力される。この例では、タグにより例えばバ
ッファメモリＢＭ２にセルが送られる。
３と３個のバッファメモリＢＭ１〜ＢＭ３を備えてお
り、ＩＩＭ９０から出力される光セル及びタグは、対応
するセルセレクタ１０１〜１０３に入力する。セルセク
タ１０１〜１０３では、タグの宛先情報に基づき光セル
の出力ルート切替え、対応するバッファメモリＢＭ１〜
ＢＭ３に入力される。この例では、タグにより例えばバ
ッファメモリＢＭ２にセルが送られる。
【００４６】ここで、バッファメモリＢＭ１〜ＢＭ３の
各々には、セルセレクタ１０１〜１０３から出力される
光セルが入力される。
各々には、セルセレクタ１０１〜１０３から出力される
光セルが入力される。
【００４７】バッファメモリＢＭ２はその外のバッファ
メモリＢ１，ＢＭ３と同様にそれぞれ３×１カプラ１と
１×２カプラ１１〜１３とフィルタ２１〜２４とファイ
バ遅延線３１〜３３と２×１カプラ４１〜４３とで構成
されており、選択波長がλ１及びλ２に設定されている
フィルタ２４とフィルタ２３をそれぞれの光セルが透過
してファイバ遅延線３３を経由した波長λ２の光セルと
波長λ１の光セルは１セルタイムスロットの遅延時間差
が生じる。その結果、出線＃２には光セルの衝突なしに
波長λ１の光セルと波長λ２の光セルの順で出力され
る。
メモリＢ１，ＢＭ３と同様にそれぞれ３×１カプラ１と
１×２カプラ１１〜１３とフィルタ２１〜２４とファイ
バ遅延線３１〜３３と２×１カプラ４１〜４３とで構成
されており、選択波長がλ１及びλ２に設定されている
フィルタ２４とフィルタ２３をそれぞれの光セルが透過
してファイバ遅延線３３を経由した波長λ２の光セルと
波長λ１の光セルは１セルタイムスロットの遅延時間差
が生じる。その結果、出線＃２には光セルの衝突なしに
波長λ１の光セルと波長λ２の光セルの順で出力され
る。
【００４８】図７は、ＩＩＭ９０の構成例を示してお
り、それぞれ波長λi 〜λk を有する複数のリンクから
の光セルＣ1 〜Ｃk が入力される。各光セルには、対応
するヘッダ部Ｃ11〜Ｃk1を有する。
り、それぞれ波長λi 〜λk を有する複数のリンクから
の光セルＣ1 〜Ｃk が入力される。各光セルには、対応
するヘッダ部Ｃ11〜Ｃk1を有する。
【００４９】このＩＩＭ９０内には、複数（ｋ個）の１
×２カプラ１１１〜１１ｋが備えられている。１×２カ
プラ１１１〜１１ｋは、一の光入力に対し、二つの光出
力を分岐して出力する。１×２カプラ１１１〜１１ｋの
それぞれの一の出力は、ｋ個の波長変換回路１３０の
内、対応する回路に入力する。
×２カプラ１１１〜１１ｋが備えられている。１×２カ
プラ１１１〜１１ｋは、一の光入力に対し、二つの光出
力を分岐して出力する。１×２カプラ１１１〜１１ｋの
それぞれの一の出力は、ｋ個の波長変換回路１３０の
内、対応する回路に入力する。
【００５０】さらに、１×２カプラ１１１〜１１ｋのそ
れぞれの他の出力は、制御回路１２０に入力される。制
御回路１２０は、分岐された光セルのヘッドＣ11、Ｃk1
の内容を分析し、出線への行き先を示す制御信号を生成
し、これを対応する光セルが入力される波長変換回路１
３０に入力する。
れぞれの他の出力は、制御回路１２０に入力される。制
御回路１２０は、分岐された光セルのヘッドＣ11、Ｃk1
の内容を分析し、出線への行き先を示す制御信号を生成
し、これを対応する光セルが入力される波長変換回路１
３０に入力する。
【００５１】ｋ個の波長変換回路１３０のそれぞれは、
波長変換素子１３１と可変波長ＬＤ１３２を有してい
る。波長変換素子１３１は、各入線から同時に複数の光
セルが到着した場合のセル競合制御を行うため、この例
では、入力光セルＣ１の波長λ１をバッファリング時間
に対応した波長λm-1 の光セルＣ21に変換する。また入
力光セルＣk の波長λk をバッファリング時間に対応し
た波長λm-2 の光セルＣ2kに変換する。
波長変換素子１３１と可変波長ＬＤ１３２を有してい
る。波長変換素子１３１は、各入線から同時に複数の光
セルが到着した場合のセル競合制御を行うため、この例
では、入力光セルＣ１の波長λ１をバッファリング時間
に対応した波長λm-1 の光セルＣ21に変換する。また入
力光セルＣk の波長λk をバッファリング時間に対応し
た波長λm-2 の光セルＣ2kに変換する。
【００５２】さらに、可変波長ＬＤ１３２は、制御部１
２０からの制御信号に対応して各々異なる波長のタグ光
を出力する。このタグ光は、対応するセル光の出線を特
定する情報を含んでいる。
２０からの制御信号に対応して各々異なる波長のタグ光
を出力する。このタグ光は、対応するセル光の出線を特
定する情報を含んでいる。
【００５３】また、この例では、入力セルＣ１に対応し
て波長変換素子１３１により波長変換され出力された光
セルＣ２１が出力される。これに対応して可変波長ＬＤ
１３２により、波長λk-1 の光タグｔ１が出力される。
て波長変換素子１３１により波長変換され出力された光
セルＣ２１が出力される。これに対応して可変波長ＬＤ
１３２により、波長λk-1 の光タグｔ１が出力される。
【００５４】同様に、入力セルＣk に対応して波長変換
素子１３１により波長変換され出力された光セルＣ2kが
出力される。これに対応して可変波長ＬＤ１３２によ
り、波長λk-2 の光タグｔ２が出力される。
素子１３１により波長変換され出力された光セルＣ2kが
出力される。これに対応して可変波長ＬＤ１３２によ
り、波長λk-2 の光タグｔ２が出力される。
【００５５】なお、上記の実施例において、フィルタに
は誘電体膜や半導体等のフィルタがあり、グレーティン
グ型、ファブリペロー型、エタロン型、バンドパス型等
がある。カプラにはファイバ融着型、導波路型等があ
る。
は誘電体膜や半導体等のフィルタがあり、グレーティン
グ型、ファブリペロー型、エタロン型、バンドパス型等
がある。カプラにはファイバ融着型、導波路型等があ
る。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光バ
ッファメモリにおいては、フィルタで波長選択した光セ
ルまたはタイムスロットを１／２光セルタイムスロット
分づつ異なる遅延量だけ遅延させるｍ−１本のファイバ
遅延線を介して反射板で反射させて順次１個づつ入力し
て出力するか、フィルタ及び分岐比が異なる２×１カプ
ラとで固有の透過波長だけ通過させた各光出力に１光セ
ルタイムスロット分づつ遅延させる長さを有するファイ
バ遅延線介して遅延させ、１×２カプラで合成するよう
に構成したので、受動素子のみを用いることによって高
い安定性と超高速化が可能となるとともに、更にファイ
バ遅延線長を短くすることが可能であり、それによって
ハード量が従来型より削減でき小型化が可能である。
ッファメモリにおいては、フィルタで波長選択した光セ
ルまたはタイムスロットを１／２光セルタイムスロット
分づつ異なる遅延量だけ遅延させるｍ−１本のファイバ
遅延線を介して反射板で反射させて順次１個づつ入力し
て出力するか、フィルタ及び分岐比が異なる２×１カプ
ラとで固有の透過波長だけ通過させた各光出力に１光セ
ルタイムスロット分づつ遅延させる長さを有するファイ
バ遅延線介して遅延させ、１×２カプラで合成するよう
に構成したので、受動素子のみを用いることによって高
い安定性と超高速化が可能となるとともに、更にファイ
バ遅延線長を短くすることが可能であり、それによって
ハード量が従来型より削減でき小型化が可能である。
【００５７】さらに、それぞれのカプラの分岐比を変え
ることにより損失を低減することができる。以上のよう
な特徴により光交換システムの小型化・経済化・大容量
化に期待ができる。
ることにより損失を低減することができる。以上のよう
な特徴により光交換システムの小型化・経済化・大容量
化に期待ができる。
【図１】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（１）の構成を示したブロック図である。
（１）の構成を示したブロック図である。
【図２】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（２）の構成を示したブロック図である。
（２）の構成を示したブロック図である。
【図３】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（３）の構成を示したブロック図である。
（３）の構成を示したブロック図である。
【図４】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（４）の構成を示したブロック図である。
（４）の構成を示したブロック図である。
【図５】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（１）を光ＡＴＭ交換機に適用した応用例を示したブロ
ック図である。
（１）を光ＡＴＭ交換機に適用した応用例を示したブロ
ック図である。
【図６】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（２）を光ＡＴＭ交換機に適用した応用例を示したブロ
ック図である。
（２）を光ＡＴＭ交換機に適用した応用例を示したブロ
ック図である。
【図７】図５及び図６の応用例に示した入力インタフェ
ース・モジュル（ＩＩＭ）の構成例を示したブロック図
である。
ース・モジュル（ＩＩＭ）の構成例を示したブロック図
である。
【図８】従来構成例（１）を示したブロック図である。
【図９】従来構成例（２）を示したブロック図である。
１ ｋ×１カプラ ２ アイソレータ ３ ２×２カプラ ４ １×ｍカプラ ５１〜５ｍ，２１〜２ｍ フィルタ ６ 光ファイバ ６１〜６（ｍ−１），３１〜（ｍ−１） ファイバ遅延
線 ７ 反射板 １１〜１ｍ １×２カプラ ４１〜４ｍ ２×１カプラ ８１，８２，８１１，８２１ 光増幅器 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
線 ７ 反射板 １１〜１ｍ １×２カプラ ４１〜４ｍ ２×１カプラ ８１，８２，８１１，８２１ 光増幅器 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｑ 3/52
Claims (5)
- 【請求項１】光ＡＴＭ交換方式に用いられる光バッファ
メモリにおいて、 互いに波長が異なるｋ個の並列した光セルを１つに波長
多重する１個のｋ×１カプラと、該ｋ×１カプラの光出
力のみを透過させる１個のアイソレータと、該アイソレ
ータの光出力を入力する１個の２×２カプラと、該２×
２カプラの光出力をｍ個に均等に分岐させる１個の１×
ｍカプラと、該１×ｍカプラから分岐したｍ個の光出力
をそれぞれ互いに異なる固有の透過波長だけ通過させる
ｍ個のフィルタと、各フィルタの光出力をそれぞれ１／
２光セルタイムスロット分づつ異なる遅延量だけ遅延さ
せるｍ−１本のファイバ遅延線を含む光ファイバと、各
光ファイバの光出力を該光ファイバに反射させる反射板
とを備え、該２×２カプラが、該反射板から反射して該
１×ｍカプラから出力された光セルを順次１個づつ入力
して出力することを特徴とした光バッファメモリ。 - 【請求項２】光ＡＴＭ交換方式に用いられる光バッファ
メモリにおいて、 互いに波長が異なるｋ個の並列した光セルを１つに波長
多重する１個のｋ×１カプラと、該ｋ×１カプラの出力
側に縦続接続されそれぞれ分岐比が異なるｍ−１個の１
×２カプラと、該１×２カプラの他方の光出力をそれぞ
れ互いに異なる固有の透過波長だけ通過させるｍ−１個
のフィルタと、各フィルタの光出力を入力する互いに分
岐比が異なるｍ−１個の２×１カプラと、前段の各２×
１カプラの出力側に挿入され１光セルタイムスロット分
づつ遅延させる長さを有するｍ−１本のファイバ遅延線
とを備え、最後の該２×１カプラから光セルを順次１個
づつ出力するとともにｍが２以上の整数であり、各１×
２カプラの分岐比が、出力される光セルのレベルを均一
にし、損失を低減するように設定されていることを特徴
とした光バッファメモリ。 - 【請求項３】請求項２に記載の光バッファメモリにおい
て、１個の光増幅器を中間の２個の該１×２カプラの間
に挿入し、別の１個の光増幅器を同じ中間の該ファイバ
遅延線と該２×１カプラの間に挿入したことを特徴とす
る光バッファメモリ。 - 【請求項４】請求項２に記載の光バッファメモリにおい
て、さらに、最初のフィルタの出力側に２×１カプラを
設け、最後のフィルタの入力側に１×２カプラを設ける
とともに該１×２カプラの最後の出力側に１個の光増幅
器を接続し、該２×１カプラの最後の出力側に別の１個
の光増幅器を接続することによって基本単位モジュール
を構成し、該基本単位モジュールを所定段数だけ縦続接
続させたことを特徴とする光バッファメモリ。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載の光バッ
ファメモリを光ＡＴＭ交換方式に用いる代わりに光ＳＴ
Ｍ交換方式に用いる場合において、該光セルの代わりに
タイムスロットを用いたことを特徴とする光バッファメ
モリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04020595A JP3534473B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 光バッファメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04020595A JP3534473B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 光バッファメモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08237266A true JPH08237266A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3534473B2 JP3534473B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=12574287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04020595A Expired - Fee Related JP3534473B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 光バッファメモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3534473B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998005988A1 (de) * | 1996-08-01 | 1998-02-12 | Ams Optotech Gmbh | Optische wellenlängenmultiplexeinheit |
| JP2002156452A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hioki Ee Corp | レーザレーダシステム |
| US6782210B1 (en) | 1999-08-25 | 2004-08-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical packet routing network system based on optical label switching technique |
| KR100448711B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2004-09-13 | 삼성전자주식회사 | 광 링크 집속장치 및 그를 구비한 동기디지털계층전송시스템 |
| KR100456673B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2004-11-10 | 한국전자통신연구원 | 광 버퍼 |
| JP2012255974A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変光バッファ回路および回路装置 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP04020595A patent/JP3534473B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998005988A1 (de) * | 1996-08-01 | 1998-02-12 | Ams Optotech Gmbh | Optische wellenlängenmultiplexeinheit |
| US6782210B1 (en) | 1999-08-25 | 2004-08-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical packet routing network system based on optical label switching technique |
| US7113701B2 (en) | 1999-08-25 | 2006-09-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical packet routing network system based on optical label switching technique |
| US7120358B2 (en) | 1999-08-25 | 2006-10-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical packet routing network system based on optical label switching technique |
| JP2002156452A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hioki Ee Corp | レーザレーダシステム |
| KR100448711B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2004-09-13 | 삼성전자주식회사 | 광 링크 집속장치 및 그를 구비한 동기디지털계층전송시스템 |
| KR100456673B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2004-11-10 | 한국전자통신연구원 | 광 버퍼 |
| JP2012255974A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変光バッファ回路および回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3534473B2 (ja) | 2004-06-07 |
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