JP3534473B2 - 光バッファメモリ - Google Patents
光バッファメモリInfo
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- JP3534473B2 JP3534473B2 JP04020595A JP4020595A JP3534473B2 JP 3534473 B2 JP3534473 B2 JP 3534473B2 JP 04020595 A JP04020595 A JP 04020595A JP 4020595 A JP4020595 A JP 4020595A JP 3534473 B2 JP3534473 B2 JP 3534473B2
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Description
【産業上の利用分野】本発明は光バッファメモリに関
し、特に光ＡＴＭ交換方式または光ＳＴＭ交換方式（光
時分割交換方式）に用いる光バッファメモリに関するも
のである。
し、特に光ＡＴＭ交換方式または光ＳＴＭ交換方式（光
時分割交換方式）に用いる光バッファメモリに関するも
のである。
【０００１】マルチメディア通信を担う次世代の通信網
として広帯域ＩＳＤＮが構築されている。
として広帯域ＩＳＤＮが構築されている。
【０００２】この広帯域ＩＳＤＮにおいては現在の通信
網の数千倍の情報が扱われるため、その膨大な情報量に
も対応することができる大容量・小型化が可能な光ＡＴ
Ｍ交換方式または光ＳＴＭ交換方式などの光交換方式が
期待されている。
網の数千倍の情報が扱われるため、その膨大な情報量に
も対応することができる大容量・小型化が可能な光ＡＴ
Ｍ交換方式または光ＳＴＭ交換方式などの光交換方式が
期待されている。
【０００３】このような光交換方式は、複数の光セルま
たはタイムスロットに対し、所定の宛先に対応してルー
トを切り替えて出力機能を有するものであり、このため
複数の光セルまたはタイムスロットが同一のルートに出
力される場合は衝突が生じるので、このような事態を回
避するための光バッファ機能が必要となる。
たはタイムスロットに対し、所定の宛先に対応してルー
トを切り替えて出力機能を有するものであり、このため
複数の光セルまたはタイムスロットが同一のルートに出
力される場合は衝突が生じるので、このような事態を回
避するための光バッファ機能が必要となる。
【０００４】
【従来の技術】図６は従来の例えば光ＡＴＭ交換方式に
おいて、上記のような光バッファ機能を有する光バッフ
ァメモリの構成例（１）を示したもので、図において、
ｋ個の入力は既にルートが設定された光セルであり、ほ
ぼ同時に光スイッチ２００に入力されるとともに、ｋ個
の入力は同じｋ個の光／電気変換回路２１０〜２１ｋの
対応する回路にそれぞれ入力される。
おいて、上記のような光バッファ機能を有する光バッフ
ァメモリの構成例（１）を示したもので、図において、
ｋ個の入力は既にルートが設定された光セルであり、ほ
ぼ同時に光スイッチ２００に入力されるとともに、ｋ個
の入力は同じｋ個の光／電気変換回路２１０〜２１ｋの
対応する回路にそれぞれ入力される。
【０００５】そして、光／電気変換回路２１０〜２１ｋ
は、各リンクから分岐した光セルの一部を対応する電気
信号に変換し、コントロール回路２２０に入力する。コ
ントロール回路２２０は電気信号に変換された光セルの
情報を分析して、ｋ個の入力の送出順位を判定して、こ
の判定された順位に基づき光スイッチ２００の切替制御
を行う。
は、各リンクから分岐した光セルの一部を対応する電気
信号に変換し、コントロール回路２２０に入力する。コ
ントロール回路２２０は電気信号に変換された光セルの
情報を分析して、ｋ個の入力の送出順位を判定して、こ
の判定された順位に基づき光スイッチ２００の切替制御
を行う。
【０００６】光スイッチ２００はコントロール回路２２
０の制御を受けることにより、その出力が、それぞれ、
０，Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・・・（ｋ−１）Ｔの遅延量（Ｔ
は単位遅延量）を有するｋ本の光ファイバ６に接続され
ている。従って、ｋ個の入力はコントロール回路２２０
の制御によりｋ本の光ファイバ６のいずれかに切替出力
されるようになっている。
０の制御を受けることにより、その出力が、それぞれ、
０，Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・・・（ｋ−１）Ｔの遅延量（Ｔ
は単位遅延量）を有するｋ本の光ファイバ６に接続され
ている。従って、ｋ個の入力はコントロール回路２２０
の制御によりｋ本の光ファイバ６のいずれかに切替出力
されるようになっている。
【０００７】また、ｋ本の光ファイバ６の内のｋ−１本
の光ファイバに、それぞれ、１Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・・・
（ｋ−１）Ｔの遅延量を有するように構成するために、
遅延線２０１〜２０（ｋ−１）を設けている。
の光ファイバに、それぞれ、１Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・・・
（ｋ−１）Ｔの遅延量を有するように構成するために、
遅延線２０１〜２０（ｋ−１）を設けている。
【０００８】また、２３０は光カプラであり、２入力／
１出力を有する２×１の光カプラをツリー状にして構成
している。従って、光スイッチ２００から同時にｋ本の
光ファイバに光セルが出力される場合であっても、衝突
することなく光カプラ２３０から出力が得られる。
１出力を有する２×１の光カプラをツリー状にして構成
している。従って、光スイッチ２００から同時にｋ本の
光ファイバに光セルが出力される場合であっても、衝突
することなく光カプラ２３０から出力が得られる。
【０００９】このような従来の光バッファメモリは、コ
ントロール回路２２０により電気的に光スイッチ２００
を制御し、各光セルのバッファリング時間に対応した光
ファイバ６に振り分け、ファイバ遅延線２０１〜２０
（ｋ−１）により光セルの競合制御を行うように構成し
ているため、光／電気変換回路が必要であるとともに、
伝送速度が上がるに従ってコントロール２２０における
処理が困難になって来るという問題があった。
ントロール回路２２０により電気的に光スイッチ２００
を制御し、各光セルのバッファリング時間に対応した光
ファイバ６に振り分け、ファイバ遅延線２０１〜２０
（ｋ−１）により光セルの競合制御を行うように構成し
ているため、光／電気変換回路が必要であるとともに、
伝送速度が上がるに従ってコントロール２２０における
処理が困難になって来るという問題があった。
【００１０】このような問題を解決するため、特願平６
−１５８４１５号において、図７に示すような構成例
（２）が提案されている。
−１５８４１５号において、図７に示すような構成例
（２）が提案されている。
【００１１】すなわち、この従来構成例（２）において
は、ｋ個の入力がカプラ１０に並列に与えられ、このカ
プラ１０は入力がｋ個で出力がｍ個として一般化された
ｋ×ｍカプラであり、内部で一旦波長多重されて同一の
光出力信号としてフィルタ５１〜５ｍに与えられる。
は、ｋ個の入力がカプラ１０に並列に与えられ、このカ
プラ１０は入力がｋ個で出力がｍ個として一般化された
ｋ×ｍカプラであり、内部で一旦波長多重されて同一の
光出力信号としてフィルタ５１〜５ｍに与えられる。
【００１２】フィルタ５１〜５ｍはそれぞれ透過波長が
異なっており、したがってこれらのフィルタ５１〜５ｍ
からは異なるｍ個の波長の光セルが光ファイバ６に出力
されることになる。
異なっており、したがってこれらのフィルタ５１〜５ｍ
からは異なるｍ個の波長の光セルが光ファイバ６に出力
されることになる。
【００１３】光ファイバ６は、その内のｍ−１本に対し
てファイバ遅延線６１〜６（ｍ−１）が設けられてお
り、各ファイバ遅延線６１〜６（ｍ−１）は入力してき
た光セルに対してそれぞれ遅延量１Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・
・・（ｍ−１）Ｔを与えるので、衝突することなく順次
ｍ×１カプラ７０に入力される。
てファイバ遅延線６１〜６（ｍ−１）が設けられてお
り、各ファイバ遅延線６１〜６（ｍ−１）は入力してき
た光セルに対してそれぞれ遅延量１Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，・
・・（ｍ−１）Ｔを与えるので、衝突することなく順次
ｍ×１カプラ７０に入力される。
【００１４】したがって、ｍ×１カプラ７０からは、時
系列に順次ｋ個の光セルが出力される。
系列に順次ｋ個の光セルが出力される。
【００１５】これにより、光バッファメモリ部分では受
動素子であるフィルタおよび遅延線のみが用いられ、以
て電気的制御の必要なしに競合制御が行われることとな
る。
動素子であるフィルタおよび遅延線のみが用いられ、以
て電気的制御の必要なしに競合制御が行われることとな
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来構成例（２）においては、ファイバ遅延線に
よる遅延時間は遅延線長に比例するので、光セルの廃棄
率を下げようとすると遅延時間が長くなりファイバ遅延
線長が増大してしまう。
ような従来構成例（２）においては、ファイバ遅延線に
よる遅延時間は遅延線長に比例するので、光セルの廃棄
率を下げようとすると遅延時間が長くなりファイバ遅延
線長が増大してしまう。
【００１７】そのため、光セルの廃棄率の低下に伴い従
来構成例ではハードウェア量が急激に増大してしまうの
で小型なシステムの実現が難しいという問題点があっ
た。
来構成例ではハードウェア量が急激に増大してしまうの
で小型なシステムの実現が難しいという問題点があっ
た。
【００１８】したがって本発明は、光ＡＴＭ交換方式ま
たは光ＳＴＭ交換方式に用いられる光バッファメモリに
おいて、ファイバ遅延線長を短縮して出来るだけ小型な
システムを実現することを目的とする。
たは光ＳＴＭ交換方式に用いられる光バッファメモリに
おいて、ファイバ遅延線長を短縮して出来るだけ小型な
システムを実現することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】（１）上記の目的を達成
するため、本発明に光バッファメモリは、光ＡＴＭ交換
方式に用いられる場合、図１に概念的に示すように、互
いに波長が異なるｋ個の並列した光セルを１つに波長多
重する１個のｋ×１カプラ１と、該ｋ×１カプラ１の出
力側に縦続接続されそれぞれ分岐比が異なるｍ−１個の
１×２カプラ１１〜１ｍと、該１×２カプラ１１〜１ｍ
の他方の光出力をそれぞれ互いに異なる固有の透過波長
だけ通過させるｍ−１個のフィルタ２１〜２ｍと、各フ
ィルタ２１〜２ｍの光出力を入力する互いに分岐比が異
なるｍ−１個の２×１カプラ４１〜４（ｍ−１）と、前
段の各２×１カプラの出力側に挿入され１光セルタイム
スロット分づつ遅延させる長さを有するｍ−１本のファ
イバ遅延線３１〜３（ｍ−１）とを備え、最後の該２×
１カプラから光セルを順次１個づつ出力するとともにｍ
が２以上の整数であり、各１×２カプラ１１〜１ｍの分
岐比が、出力される光セルのレベルを均一にし、損失を
低減するように設定されていることを特徴としたもので
ある。
するため、本発明に光バッファメモリは、光ＡＴＭ交換
方式に用いられる場合、図１に概念的に示すように、互
いに波長が異なるｋ個の並列した光セルを１つに波長多
重する１個のｋ×１カプラ１と、該ｋ×１カプラ１の出
力側に縦続接続されそれぞれ分岐比が異なるｍ−１個の
１×２カプラ１１〜１ｍと、該１×２カプラ１１〜１ｍ
の他方の光出力をそれぞれ互いに異なる固有の透過波長
だけ通過させるｍ−１個のフィルタ２１〜２ｍと、各フ
ィルタ２１〜２ｍの光出力を入力する互いに分岐比が異
なるｍ−１個の２×１カプラ４１〜４（ｍ−１）と、前
段の各２×１カプラの出力側に挿入され１光セルタイム
スロット分づつ遅延させる長さを有するｍ−１本のファ
イバ遅延線３１〜３（ｍ−１）とを備え、最後の該２×
１カプラから光セルを順次１個づつ出力するとともにｍ
が２以上の整数であり、各１×２カプラ１１〜１ｍの分
岐比が、出力される光セルのレベルを均一にし、損失を
低減するように設定されていることを特徴としたもので
ある。
【００２０】（２）上記（１）の光バッファメモリにお
いては、図２に概念的に示すように、１個の光増幅器８
１を中間の２個の該１×２カプラの間に挿入し、別の１
個の光増幅器８２を同じ中間の該ファイバ遅延線と該２
×１カプラの間に挿入することが好ましい。
いては、図２に概念的に示すように、１個の光増幅器８
１を中間の２個の該１×２カプラの間に挿入し、別の１
個の光増幅器８２を同じ中間の該ファイバ遅延線と該２
×１カプラの間に挿入することが好ましい。
【００２１】（３）さらに上記（１）の光バッファメモ
リにおいては、図３に概念的に示すように、さらに、最
初のフィルタ２１の出力側に２×１カプラ４０を設け、
最後のフィルタ２ｍの入力側に１×２カプラ１（ｍ＋
１）を設けるとともに該最後の１×２カプラ１（ｍ＋
１）の出力側に１個の光増幅器８１１を接続し、最後の
該２×１カプラ３（ｍ−１）の出力側に別の１個の光増
幅器８２１を接続することによって基本単位モジュール
を構成し、該基本単位モジュールを所定段数ｒだけ縦続
接続させることもできる。
リにおいては、図３に概念的に示すように、さらに、最
初のフィルタ２１の出力側に２×１カプラ４０を設け、
最後のフィルタ２ｍの入力側に１×２カプラ１（ｍ＋
１）を設けるとともに該最後の１×２カプラ１（ｍ＋
１）の出力側に１個の光増幅器８１１を接続し、最後の
該２×１カプラ３（ｍ−１）の出力側に別の１個の光増
幅器８２１を接続することによって基本単位モジュール
を構成し、該基本単位モジュールを所定段数ｒだけ縦続
接続させることもできる。
【００２２】（４）さらに上記の各光バッファメモリに
おいては、光ＡＴＭ交換方式に用いる代わりに光ＳＴＭ
交換方式に用いる場合、該光セルの代わりにタイムスロ
ットを用いればよい。
おいては、光ＡＴＭ交換方式に用いる代わりに光ＳＴＭ
交換方式に用いる場合、該光セルの代わりにタイムスロ
ットを用いればよい。
【００２３】
【作用】（１）図１に示す本発明に係る波長多重型光バ
ッファメモリでは、ｋ×１カプラ１でｋ入力の光セルを
１つにまとめて各１×２カプラ１１〜１ｍに送出する。
それぞれの１×２カプラ１１〜１ｍで光セルは分岐され
るが各１×２カプラ１１〜１ｍは出力される光セルのレ
ベルが均等かつ、損失が少なくなるように互いに分岐比
が異なっている。
ッファメモリでは、ｋ×１カプラ１でｋ入力の光セルを
１つにまとめて各１×２カプラ１１〜１ｍに送出する。
それぞれの１×２カプラ１１〜１ｍで光セルは分岐され
るが各１×２カプラ１１〜１ｍは出力される光セルのレ
ベルが均等かつ、損失が少なくなるように互いに分岐比
が異なっている。
【００２４】すなわち、図示のように、カプラ１１では
１：（ｍ−１）に分岐し、この分岐したカプラ１１から
の一方の光セルを更に１：（ｍ−２）に分岐し、これを
最後のカプラ１ｍまで順次経由することによりカプラ１
ｍの２つの光セルの出力レベルは１：１となり、すべて
のフィルタ２１〜２ｍに入力する光セルのレベルが均一
となる。
１：（ｍ−１）に分岐し、この分岐したカプラ１１から
の一方の光セルを更に１：（ｍ−２）に分岐し、これを
最後のカプラ１ｍまで順次経由することによりカプラ１
ｍの２つの光セルの出力レベルは１：１となり、すべて
のフィルタ２１〜２ｍに入力する光セルのレベルが均一
となる。
【００２５】各フィルタ２１〜２ｍは透過波長が全て異
なる波長に設定してあり、対応した波長の光セルのみ透
過されて２×１カプラ４１〜４（ｍ−１）に送られる
が、フィルタ２１及び最後の２×１カプラ４（ｍ−１）
を除く２×１カプラ４１〜４（ｍ−２）を透過した光セ
ルは順次ファイバ遅延線３１〜３（ｍ−１）で１光セル
タイムスロットづつ遅延を受けて最後の２×１カプラ４
（ｍ−１）から出力される。
なる波長に設定してあり、対応した波長の光セルのみ透
過されて２×１カプラ４１〜４（ｍ−１）に送られる
が、フィルタ２１及び最後の２×１カプラ４（ｍ−１）
を除く２×１カプラ４１〜４（ｍ−２）を透過した光セ
ルは順次ファイバ遅延線３１〜３（ｍ−１）で１光セル
タイムスロットづつ遅延を受けて最後の２×１カプラ４
（ｍ−１）から出力される。
【００２６】なお、２×１カプラ４１〜４（ｍ−１）の
分岐比は必ずしも１×２カプラ１１〜１ｍの分岐比と対
応させる必要はない。
分岐比は必ずしも１×２カプラ１１〜１ｍの分岐比と対
応させる必要はない。
【００２７】（２）図２に示す光バッファメモリでは、
図１と同様にバッファリングを行うが、ｍ−１個の１×
２カプラ１１〜１ｍの接続の中間の１×２カプラ１ｎと
１（ｎ＋１）に１個の光増幅器８１を挿入し、中間のフ
ァイバ遅延線３ｎと中間の１×２カプラ４（ｎ＋１）と
の間に別の１個の光増幅器８２を挿入し損失を補償して
バッファリングを行っている。
図１と同様にバッファリングを行うが、ｍ−１個の１×
２カプラ１１〜１ｍの接続の中間の１×２カプラ１ｎと
１（ｎ＋１）に１個の光増幅器８１を挿入し、中間のフ
ァイバ遅延線３ｎと中間の１×２カプラ４（ｎ＋１）と
の間に別の１個の光増幅器８２を挿入し損失を補償して
バッファリングを行っている。
【００２８】（３）図３に示す光バッファメモリでは、
図１と同様にバッファリングを行うが、この図１の光バ
ッファメモリにおいて、最初のフィルタ２１の出力側に
２×１カプラ４０を設け、最後のフィルタ２ｍの入力側
に１×２カプラ１（ｍ＋１）を設ける。そして、最後の
１×２カプラ１（ｍ＋１）の後に１個の光増幅器８１１
を接続し、最後の２×１カプラ４ｍの後に１個の光増幅
器８２１を接続した基本単位モジュールをｒ段接続する
ことにより、損失を補償してバッファリングを行う。
図１と同様にバッファリングを行うが、この図１の光バ
ッファメモリにおいて、最初のフィルタ２１の出力側に
２×１カプラ４０を設け、最後のフィルタ２ｍの入力側
に１×２カプラ１（ｍ＋１）を設ける。そして、最後の
１×２カプラ１（ｍ＋１）の後に１個の光増幅器８１１
を接続し、最後の２×１カプラ４ｍの後に１個の光増幅
器８２１を接続した基本単位モジュールをｒ段接続する
ことにより、損失を補償してバッファリングを行う。
【００２９】（４）上記の各光バッファメモリは光ＡＴ
Ｍ交換方式に用いることが前提となっており、このため
に光セルを用いているが、光ＳＴＭ交換に用いる場合に
も本発明は同様に適用することができ、この場合には、
該光セルの代わりにタイムスロットを用いればよい。
Ｍ交換方式に用いることが前提となっており、このため
に光セルを用いているが、光ＳＴＭ交換に用いる場合に
も本発明は同様に適用することができ、この場合には、
該光セルの代わりにタイムスロットを用いればよい。
【００３０】
【実施例】図４は、図１に示した本発明に係る波長多重
型光バッファメモリを光ＡＴＭ交換機に適用した応用例
を示しており、この応用例では、３入力／３出力の光Ａ
ＴＭ交換機で、且つセルのバッファリング時間は０〜３
セルタイムスロットまでのバッファメモリの場合を示し
ている。
型光バッファメモリを光ＡＴＭ交換機に適用した応用例
を示しており、この応用例では、３入力／３出力の光Ａ
ＴＭ交換機で、且つセルのバッファリング時間は０〜３
セルタイムスロットまでのバッファメモリの場合を示し
ている。
【００３１】まず、入力＃１および＃２に光セルが同時
に到着し出線＃２に出力するとき、ＩＩＭ９０で入力＃
１の光セルの波長をλ２、入力＃２の光セルをλ１に波
長変換し、光自己ルーティングモジュール（ＰＳＲＭ）
１００に送られる。
に到着し出線＃２に出力するとき、ＩＩＭ９０で入力＃
１の光セルの波長をλ２、入力＃２の光セルをλ１に波
長変換し、光自己ルーティングモジュール（ＰＳＲＭ）
１００に送られる。
【００３２】ＰＳＲＭ１００は３個のセルセレクタ１０
１〜１０３と３個のバッファメモリＢＭ１〜ＢＭ３を備
えており、ＩＩＭ９０から出力される光セル及びタグ
は、対応するセルセレクタ１０１〜１０３に入力する。
セルセクタ１０１〜１０３では、タグの宛先情報に基づ
き光セルの出力ルート切替え、対応するバッファメモリ
ＢＭ１〜ＢＭ３に入力される。この例では、タグにより
例えばバッファメモリＢＭ１にセルが送られる。
１〜１０３と３個のバッファメモリＢＭ１〜ＢＭ３を備
えており、ＩＩＭ９０から出力される光セル及びタグ
は、対応するセルセレクタ１０１〜１０３に入力する。
セルセクタ１０１〜１０３では、タグの宛先情報に基づ
き光セルの出力ルート切替え、対応するバッファメモリ
ＢＭ１〜ＢＭ３に入力される。この例では、タグにより
例えばバッファメモリＢＭ１にセルが送られる。
【００３３】ここで、バッファメモリＢＭ１〜ＢＭ３の
各々には、セルセレクタ１０１〜１０３から出力される
光セルが入力される。
各々には、セルセレクタ１０１〜１０３から出力される
光セルが入力される。
【００３４】バッファメモリＢＭ１はその外のバッファ
メモリＢＭ２，ＢＭ３と同様にそれぞれ３×１カプラ１
と１×２カプラ１１〜１３とフィルタ２１〜２４とファ
イバ遅延線３１〜３３と２×１カプラ４１〜４３とで構
成されており、選択波長がλ１及びλ２にそれぞれが設
定されているフィルタ２４とフィルタ２３をそれぞれの
光セルが透過してファイバ遅延線３３を経由した波長λ
２の光セルと波長λ１の光セルは１セルタイムスロット
の遅延時間差が生じる。その結果、出線＃２には光セル
の衝突なしに波長λ１の光セルと波長λ２の光セルの順
で出力される。
メモリＢＭ２，ＢＭ３と同様にそれぞれ３×１カプラ１
と１×２カプラ１１〜１３とフィルタ２１〜２４とファ
イバ遅延線３１〜３３と２×１カプラ４１〜４３とで構
成されており、選択波長がλ１及びλ２にそれぞれが設
定されているフィルタ２４とフィルタ２３をそれぞれの
光セルが透過してファイバ遅延線３３を経由した波長λ
２の光セルと波長λ１の光セルは１セルタイムスロット
の遅延時間差が生じる。その結果、出線＃２には光セル
の衝突なしに波長λ１の光セルと波長λ２の光セルの順
で出力される。
【００３５】図５は、ＩＩＭ９０の構成例を示してお
り、それぞれ波長λi 〜λk を有する複数のリンクから
の光セルＣ1 〜Ｃk が入力される。各光セルには、対応
するヘッダ部Ｃ11〜Ｃk1を有する。
り、それぞれ波長λi 〜λk を有する複数のリンクから
の光セルＣ1 〜Ｃk が入力される。各光セルには、対応
するヘッダ部Ｃ11〜Ｃk1を有する。
【００３６】このＩＩＭ９０内には、複数（ｋ個）の１
×２カプラ１１１〜１１ｋが備えられている。１×２カ
プラ１１１〜１１ｋは、一の光入力に対し、二つの光出
力を分岐して出力する。１×２カプラ１１１〜１１ｋの
それぞれの一の出力は、ｋ個の波長変換回路１３０の
内、対応する回路に入力する。
×２カプラ１１１〜１１ｋが備えられている。１×２カ
プラ１１１〜１１ｋは、一の光入力に対し、二つの光出
力を分岐して出力する。１×２カプラ１１１〜１１ｋの
それぞれの一の出力は、ｋ個の波長変換回路１３０の
内、対応する回路に入力する。
【００３７】さらに、１×２カプラ１１１〜１１ｋのそ
れぞれの他の出力は、制御回路１２０に入力される。制
御回路１２０は、分岐された光セルのヘッドＣ11、Ｃk1
の内容を分析し、出線への行き先を示す制御信号を生成
し、これを対応する光セルが入力される波長変換回路１
３０に入力する。
れぞれの他の出力は、制御回路１２０に入力される。制
御回路１２０は、分岐された光セルのヘッドＣ11、Ｃk1
の内容を分析し、出線への行き先を示す制御信号を生成
し、これを対応する光セルが入力される波長変換回路１
３０に入力する。
【００３８】ｋ個の波長変換回路１３０のそれぞれは、
波長変換素子１３１と可変波長ＬＤ１３２を有してい
る。波長変換素子１３１は、各入線から同時に複数の光
セルが到着した場合のセル競合制御を行うため、この例
では、入力光セルＣ１の波長λ１をバッファリング時間
に対応した波長λm-1 の光セルＣ21に変換する。また入
力光セルＣk の波長λk をバッファリング時間に対応し
た波長λm-2 の光セルＣ2kに変換する。
波長変換素子１３１と可変波長ＬＤ１３２を有してい
る。波長変換素子１３１は、各入線から同時に複数の光
セルが到着した場合のセル競合制御を行うため、この例
では、入力光セルＣ１の波長λ１をバッファリング時間
に対応した波長λm-1 の光セルＣ21に変換する。また入
力光セルＣk の波長λk をバッファリング時間に対応し
た波長λm-2 の光セルＣ2kに変換する。
【００３９】さらに、可変波長ＬＤ１３２は、制御部１
２０からの制御信号に対応して各々異なる波長のタグ光
を出力する。このタグ光は、対応するセル光の出線を特
定する情報を含んでいる。
２０からの制御信号に対応して各々異なる波長のタグ光
を出力する。このタグ光は、対応するセル光の出線を特
定する情報を含んでいる。
【００４０】また、この例では、入力セルＣ１に対応し
て波長変換素子１３１により波長変換され出力された光
セルＣ２１が出力される。これに対応して可変波長ＬＤ
１３２により、波長λk-1 の光タグｔ１が出力される。
て波長変換素子１３１により波長変換され出力された光
セルＣ２１が出力される。これに対応して可変波長ＬＤ
１３２により、波長λk-1 の光タグｔ１が出力される。
【００４１】同様に、入力セルＣk に対応して波長変換
素子１３１により波長変換され出力された光セルＣ2kが
出力される。これに対応して可変波長ＬＤ１３２によ
り、波長λk-2 の光タグｔ２が出力される。
素子１３１により波長変換され出力された光セルＣ2kが
出力される。これに対応して可変波長ＬＤ１３２によ
り、波長λk-2 の光タグｔ２が出力される。
【００４２】なお、上記の実施例において、フィルタに
は誘電体膜や半導体等のフィルタがあり、グレーティン
グ型、ファブリペロー型、エタロン型、バンドパス型等
がある。カプラにはファイバ融着型、導波路型等があ
る。
は誘電体膜や半導体等のフィルタがあり、グレーティン
グ型、ファブリペロー型、エタロン型、バンドパス型等
がある。カプラにはファイバ融着型、導波路型等があ
る。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光バ
ッファメモリにおいては、受動素子のみを用いることに
よって高い安定性と超高速化が可能となるとともに、更
にファイバ遅延線長を短くすることが可能であり、それ
によってハード量が従来型より削減でき小型化が可能で
ある。
ッファメモリにおいては、受動素子のみを用いることに
よって高い安定性と超高速化が可能となるとともに、更
にファイバ遅延線長を短くすることが可能であり、それ
によってハード量が従来型より削減でき小型化が可能で
ある。
【００４４】さらに、それぞれのカプラの分岐比を変え
ることにより損失を低減することができる。以上のよう
な特徴により光交換システムの小型化・経済化・大容量
化に期待ができる。
ることにより損失を低減することができる。以上のよう
な特徴により光交換システムの小型化・経済化・大容量
化に期待ができる。
【図１】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（１）の構成を示したブロック図である。
（１）の構成を示したブロック図である。
【図２】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（２）の構成を示したブロック図である。
（２）の構成を示したブロック図である。
【図３】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（３）の構成を示したブロック図である。
（３）の構成を示したブロック図である。
【図４】本発明に係る波長多重型光バッファメモリ
（１）を光ＡＴＭ交換機に適用した応用例を示したブロ
ック図である。
（１）を光ＡＴＭ交換機に適用した応用例を示したブロ
ック図である。
【図５】図４の応用例に示した入力インタフェース・モ
ジュル（ＩＩＭ）の構成例を示したブロック図である。
ジュル（ＩＩＭ）の構成例を示したブロック図である。
【図６】従来構成例（１）を示したブロック図である。
【図７】従来構成例（２）を示したブロック図である。
１ ｋ×１カプラ
２ アイソレータ
３ ２×２カプラ２
１〜２ｍ フィルタ３
１〜３（ｍ−１） ファイバ遅延線１
１〜１ｍ １×２カプラ
４１〜４ｍ ２×１カプラ
８１，８２，８１１〜８１ｒ，８２１〜８２ｒ 光増幅
器 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
器 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０４Ｑ 3/52
(56)参考文献 特開 平５−102927（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−318755（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−276160（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−184997（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−321813（ＪＰ，Ａ)
黒柳智司 他，部分共有型ＷＤＭバッ
ファを用いた光ＡＴＭ交換方式，電子情
報通信学会技術研究報告，日本，社団法
人電子情報通信学会，1994年 ９月 ２
日，Ｖｏｌ．94，Ｎｏ．212（ＣＳ94−
109），ｐｐ．１−６
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H04B 10/02
H04J 14/00
H04H 14/02
H04Q 3/00
H04Q 3/52
H04L 12/28
Claims (4)
- 【請求項１】光ＡＴＭ交換方式に用いられる光バッファ
メモリにおいて、 互いに波長が異なるｋ個の並列した光セルを１つに波長
多重する１個のｋ×１カプラと、該ｋ×１カプラの出力
側に縦続接続されそれぞれ分岐比が異なるｍ−１個の１
×２カプラと、該１×２カプラの他方の光出力をそれぞ
れ互いに異なる固有の透過波長だけ通過させるｍ−１個
のフィルタと、各フィルタの光出力を入力する互いに分
岐比が異なるｍ−１個の２×１カプラと、前段の各２×
１カプラの出力側に挿入され１光セルタイムスロット分
づつ遅延させる長さを有するｍ−１本のファイバ遅延線
とを備え、最後の該２×１カプラから光セルを順次１個
づつ出力するとともにｍが２以上の整数であり、各１×
２カプラの分岐比が、出力される光セルのレベルを均一
にし、損失を低減するように設定されていることを特徴
とした光バッファメモリ。 - 【請求項２】請求項１に記載の光バッファメモリにおい
て、１個の光増幅器を中間の２個の該１×２カプラの間
に挿入し、別の１個の光増幅器を同じ中間の該ファイバ
遅延線と該２×１カプラの間に挿入したことを特徴とす
る光バッファメモリ。 - 【請求項３】請求項１に記載の光バッファメモリにおい
て、さらに、最初のフィルタの出力側に２×１カプラを
設け、最後のフィルタの入力側に１×２カプラを設ける
とともに該１×２カプラの最後の出力側に１個の光増幅
器を接続し、該２×１カプラの最後の出力側に別の１個
の光増幅器を接続することによって基本単位モジュール
を構成し、該基本単位モジュールを所定段数だけ縦続接
続させたことを特徴とする光バッファメモリ。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の光バッ
ファメモリを光ＡＴＭ交換方式に用いる代わりに光ＳＴ
Ｍ交換方式に用いる場合において、該光セルの代わりに
タイムスロットを用いたことを特徴とする光バッファメ
モリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04020595A JP3534473B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 光バッファメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04020595A JP3534473B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 光バッファメモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08237266A JPH08237266A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3534473B2 true JP3534473B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=12574287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04020595A Expired - Fee Related JP3534473B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 光バッファメモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3534473B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19631109C1 (de) * | 1996-08-01 | 1997-10-02 | Ams Optotech Gmbh | Optische Wellenlängenmultiplexeinheit |
| US6782210B1 (en) | 1999-08-25 | 2004-08-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical packet routing network system based on optical label switching technique |
| JP2002156452A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hioki Ee Corp | レーザレーダシステム |
| KR100448711B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2004-09-13 | 삼성전자주식회사 | 광 링크 집속장치 및 그를 구비한 동기디지털계층전송시스템 |
| KR100456673B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2004-11-10 | 한국전자통신연구원 | 광 버퍼 |
| JP5737651B2 (ja) * | 2011-06-10 | 2015-06-17 | 日本電信電話株式会社 | 可変光バッファ回路および回路装置 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP04020595A patent/JP3534473B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 黒柳智司 他，部分共有型ＷＤＭバッファを用いた光ＡＴＭ交換方式，電子情報通信学会技術研究報告，日本，社団法人電子情報通信学会，１９９４年 ９月 ２日，Ｖｏｌ．９４，Ｎｏ．２１２（ＣＳ９４−１０９），ｐｐ．１−６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08237266A (ja) | 1996-09-13 |
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