JPH08236681A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents

リ−ドフレ−ムの製造方法

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JPH08236681A
JPH08236681A JP6857095A JP6857095A JPH08236681A JP H08236681 A JPH08236681 A JP H08236681A JP 6857095 A JP6857095 A JP 6857095A JP 6857095 A JP6857095 A JP 6857095A JP H08236681 A JPH08236681 A JP H08236681A
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JP
Japan
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pad
support bar
lead frame
lead
die
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Application number
JP6857095A
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English (en)
Inventor
Shigetoshi Shiraki
茂敏 白木
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Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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Publication date
Application filed by Mitsui High Tec Inc filed Critical Mitsui High Tec Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 インナーリードに形状や寸法精度の劣化を生
じることなく、サポ−トバ−を押し下げ加工しパッドを
ダウンセットした高形状・寸法精度のリードフレームを
得る。 【構成】 パッドの周りにインナーリードを多数形成
し、前記インナーリードに連続してアウターリードを形
成し、前記パッドを支持するサポ−トバ−を熱間で押し
下げ加工し、パッドをダウンセットするリードフレーム
の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はパッドをダウンセットし
たリードフレームの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置は、例えばリードフレームの
パッドに半導体チップ(以下 チップという)を接着剤
等を介して固着搭載し、チップ端子とインナーリードを
ボンディングワイヤ−で接続し、インナーリードより内
方を樹脂封止して製造される。
【0003】半導体装置は高機能化、小型化および薄手
化を要請され、チップの高集積度化、リードの多ピン
化、またパッケ−ジ樹脂封止厚みの薄手化がなされてい
る。
【0004】前記薄手化、及びボンディングワイヤ−を
短くし信号伝送の高速化等を図るために、例えば特開平
2−139954号のようにパッドを支持するサポ−ト
バ−を押し下げて当該パッドをダウンセットしたリード
フレームが製造されている。パッドが下げられることに
より、搭載するチップとインナーリードの垂直方向の距
離が縮められボンディングワイヤ−を短くでき、信号伝
送が高速化され、さらに樹脂等で封止したパッケ−ジ厚
みを薄くできる。
【0005】
【この発明が解決しようとする課題】パッドのダウンセ
ットはサポ−トバ−をスタンピング金型で押し下げ加工
することによりされている。該加工はパッドを例えば4
方向から支持するサポ−トバ−について高速度でされる
が、これらサポ−トバ−の加工残留応力や加工精度の難
しさ等からパッドが微量例えば数10μm傾くことがあ
る。また、サポ−トバ−の押し下げ加工の影響が、多ピ
ン化により幅、ピッチとも微細になり変形しやすくなっ
たインナーリードに表れ、例えばサポ−トバ−に近い側
のインナーリードが横方向に変位したり、先端が反った
りする。またリードフレームがクロスボ−と称されるよ
うに全体的に若干反ることもある。
【0006】本発明は前記のような形状精度や寸法精度
の劣化を生じることなく、サポ−トバ−を押し下げ加工
しパッドをダウンセットした高形状・寸法精度のリード
フレームを得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、パッド
の周りにインナーリードを多数形成し、前記インナーリ
ードに連続してアウターリードを形成し、前記パッドを
支持するサポ−トバ−を熱間加工で押し下げ、パッドを
ダウンセットするリードフレームの製造方法にある。
【0008】
【作用】本発明はサポ−トバ−を熱間加工により押し下
げるので、材料の強度が下げられ成形後の反力を生じる
ことなくパッドを下方に変位させる得る。また該加工が
材料の加工能を高めた状態でなされるので、サポ−トバ
−の周辺に加工応力が伝播せず、当該サポ−トバ−近く
のインナーリードはなんら変形や変位せず、さらにパッ
ドは反りや傾きを生ぜず、寸法精度のすぐれたパッドを
ダウンセットしたリードフレームが得られる。
【0009】
【実施例】次に、本発明について一実施例に基づき図面
を参照して説明する。図面において、1はチップを搭載
するパッドで、その周りにはインナーリード2が多数形
成されている。3はアウターリードで、前記インナーリ
ード2に連続して形成され、両者の境にはタイバ−4が
形成されている。
【0010】5は前記チップ1を支持するサポ−トバ−
で、その他端はこの実施例ではタイバ−4の延長連結部
分に接続している。6はサイドレ−ル、7は位置決めの
ためのガイドホ−ルである。
【0011】前記各パタ−ンを有するリードフレーム8
は、プレス法あるいはエッチング法のいずれでも形成で
きる。
【0012】ところで、半導体装置を薄型にし、且つ、
チップとインナーリード2を接続するボンディングワイ
ヤ−の長さを短くして信号伝送の高速化や短絡防止等を
図るために、前述のようにサポ−トバ−5を押し下げパ
ッド1をインナーリード2より下方に位置させるが、本
発明では該押し下げ加工を熱間、例えばリードフレーム
材の材料にも依るが450℃〜700℃の温度で行う。
【0013】前記サポ−トバ−5の熱間加工におけるダ
イ9は、インナーリード2やパッド1に対応した箇所は
座ぐりされてこれらとは当接せず、サポ−トバ−5に対
応した箇所のみが当接するように製作されている。また
該ダイ9は加熱自在なヒ−トブロックより構成され、図
示しない加熱制御装置と電気的に接続している。
【0014】一方、前記熱間加工におけるパンチ10
は、サポ−トバ−5にだけ当接して前記ダイ9との協働
で押し下げ加工するように当該サポ−トバ−5に対応し
た箇所が他の箇所より突出している。該パンチ10は前
記ダイ9と同様に加熱自在なヒ−トブロックより構成さ
れていて、所望の温度に加熱できるようになっている。
11はパンチ進退駆動装置であり、そのロッド12が前
記パンチ10と連結して進退させる。なお、13は前記
熱間加工のダイ9、パンチ10が設けられた熱間加工装
置炉であり、雰囲気制御ができ、また加工後の冷却制御
ができるように強制冷却や温度域により緩冷却ができる
ように図示しない冷却装置が設けられる。
【0015】次に、サポ−トバ−5の熱間での押し下げ
加工について述べる。リードパターンを形成したリード
フレーム8を熱間加工装置炉13に通板して、ダイ9の
上に当該リードフレーム8のサポ−トバ−5を位置させ
加熱するとともに、パンチ10をダイ9側に進行させて
押し下げ加工を所定の温度例えば450℃〜700℃に
て行う。該加工でダイ9とパンチ10で押圧された箇所
は押し下げられるとともに板厚が減少する加工を受ける
が、加工残留応力はなく、また加工時の強度が低下して
いて周辺の加工力を及ぼすことがない。而して周辺のイ
ンナーリード2に先端部反りやリ−ド寄り等の形状不良
が生じない。さらにパッド1は傾きや反ることなく平坦
度高く下げられる。
【0016】
【発明の効果】本発明は前記ように、サポ−トバ−を押
し下げ加工しパッドをダウンセットした高形状・寸法精
度のリードフレームが得られる。またリードフレームに
クロスボ−やツイストと称される形状不良が皆無とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例におけるサポ−トバ−の熱間
押し下げ加工を示す図。
【図2】本発明の1実施例におけるリードフレームを示
す図。
【図3】本発明の1実施例でサポ−トバ−を押し下げ加
工したリードフレームの側面を示す図。
【符号の説明】
1 パッド 2 インナーリード 3 アウターリード 4 タイバ− 5 サポ−トバ− 6 サイドレ−ル 7 ガイドホ−ル 8 リードフレーム 9 ダイ 10 パンチ 11 パンチ進退駆動装置 12 ロッド 13 熱間加工装置炉

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パッドの周りにインナーリードを多数形
    成し、前記インナーリードに連続してアウターリードを
    形成し、前記パッドを支持するサポ−トバ−を熱間加工
    で押し下げ、パッドをダウンセットすることを特徴とす
    るリードフレームの製造方法。
JP6857095A 1995-03-01 1995-03-01 リ−ドフレ−ムの製造方法 Pending JPH08236681A (ja)

Priority Applications (1)

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JP6857095A JPH08236681A (ja) 1995-03-01 1995-03-01 リ−ドフレ−ムの製造方法

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JP6857095A JPH08236681A (ja) 1995-03-01 1995-03-01 リ−ドフレ−ムの製造方法

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JPH08236681A true JPH08236681A (ja) 1996-09-13

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ID=13377567

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6857095A Pending JPH08236681A (ja) 1995-03-01 1995-03-01 リ−ドフレ−ムの製造方法

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JP (1) JPH08236681A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003510835A (ja) * 1999-08-19 2003-03-18 マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド 機械的に予備形成された電導性リードを提供するための装置および方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003510835A (ja) * 1999-08-19 2003-03-18 マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド 機械的に予備形成された電導性リードを提供するための装置および方法

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