JPH08236240A - 接続部材の製造方法 - Google Patents
接続部材の製造方法Info
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- JPH08236240A JPH08236240A JP3817895A JP3817895A JPH08236240A JP H08236240 A JPH08236240 A JP H08236240A JP 3817895 A JP3817895 A JP 3817895A JP 3817895 A JP3817895 A JP 3817895A JP H08236240 A JPH08236240 A JP H08236240A
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- JP
- Japan
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- base material
- insulating base
- metal
- polishing
- plated
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Abstract
(57)【要約】
【目的】電極間を電気的に導通させる金属バンプ（金属
柱）の形成を高精度で行う接続部材の製造方法を提供す
る。 【構成】Ａ．銅箔仮基板上にニッケル薄層を形成し、
Ｂ．ニッケル薄層上にレジストパターンを形成し、Ｃ．
仮基板を電極にして配線パターンを形成後、レジストパ
ターンを剥離し、Ｄ．配線パターンに面して絶縁基材を
積層し、Ｅ．絶縁基材側から配線パターンに達する凹部
を所定の位置に形成し、Ｆ．仮基板を電極として電気め
っき法により凹部底から絶縁基材表面以上に金属めっき
柱を析出させ、Ｇ．絶縁基材及び金属めっき柱の所定量
を研磨して絶縁基材表面及び金属めっき柱頭頂部を平坦
化し、Ｈ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨
面から照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去
し、金属めっき柱の所望する部分を絶縁基材表面から突
出させ、Ｉ．仮基板、続けて金属薄層の所望する部分を
エッチング除去し接続部材を製造する。 【効果】微細バンプ（導通用金属柱）頭頂部のXY及びZ
方向の加工精度を著しく向上させることができた。
柱）の形成を高精度で行う接続部材の製造方法を提供す
る。 【構成】Ａ．銅箔仮基板上にニッケル薄層を形成し、
Ｂ．ニッケル薄層上にレジストパターンを形成し、Ｃ．
仮基板を電極にして配線パターンを形成後、レジストパ
ターンを剥離し、Ｄ．配線パターンに面して絶縁基材を
積層し、Ｅ．絶縁基材側から配線パターンに達する凹部
を所定の位置に形成し、Ｆ．仮基板を電極として電気め
っき法により凹部底から絶縁基材表面以上に金属めっき
柱を析出させ、Ｇ．絶縁基材及び金属めっき柱の所定量
を研磨して絶縁基材表面及び金属めっき柱頭頂部を平坦
化し、Ｈ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨
面から照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去
し、金属めっき柱の所望する部分を絶縁基材表面から突
出させ、Ｉ．仮基板、続けて金属薄層の所望する部分を
エッチング除去し接続部材を製造する。 【効果】微細バンプ（導通用金属柱）頭頂部のXY及びZ
方向の加工精度を著しく向上させることができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細ピッチに配置され
た相対する電極間を電気的に導通させる接続部材の製造
方法に関する。
た相対する電極間を電気的に導通させる接続部材の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子やモジュール基板を電
気的に検査する接続部材として、ニッケル粒子をゴムシ
ート内に充填させ、加圧することにより電気的接続を確
保するものや、片面にピン状のプローブを配置したもの
があった。また、耐熱絶縁フィルムを貫通する金属バン
プを所定の密度で配置したフィルム材や上記金属バンプ
と電気的に接続した展開配線パターンを反対面に有する
ものなどがあった。
気的に検査する接続部材として、ニッケル粒子をゴムシ
ート内に充填させ、加圧することにより電気的接続を確
保するものや、片面にピン状のプローブを配置したもの
があった。また、耐熱絶縁フィルムを貫通する金属バン
プを所定の密度で配置したフィルム材や上記金属バンプ
と電気的に接続した展開配線パターンを反対面に有する
ものなどがあった。
【０００３】導電粒子を充填させたゴムシートやプロー
ブを有する検査基板の場合、検査ピッチの微細化には限
界があるなどの問題があった。以上のような背景から、
金属バンプを所定のピッチで配置したフィルム基材が提
案されている。（「高密度実装用マイクロフィルムコネ
クタ」：電子材料, p28(1992年11月号)）、「整列した
微細ピッチ」：NIKKEI MICRODEVICES, p15 (1992年3月
号)）。金属バンプはポリイミド層から上下に突出して
おり、この上下の突出部が相対する電極間に接触、ある
いは、接合して電気的導通を確保する。製造方法は、銅
箔上にポリイミド層を形成後、ポリイミド層表面から銅
箔に達する凹部を形成し、銅箔の露出部分を所定量だけ
等方的に化学エッチングし、電気めっき法で凹部底から
金属バンプ（導通用金属柱）を形成するものである。
ブを有する検査基板の場合、検査ピッチの微細化には限
界があるなどの問題があった。以上のような背景から、
金属バンプを所定のピッチで配置したフィルム基材が提
案されている。（「高密度実装用マイクロフィルムコネ
クタ」：電子材料, p28(1992年11月号)）、「整列した
微細ピッチ」：NIKKEI MICRODEVICES, p15 (1992年3月
号)）。金属バンプはポリイミド層から上下に突出して
おり、この上下の突出部が相対する電極間に接触、ある
いは、接合して電気的導通を確保する。製造方法は、銅
箔上にポリイミド層を形成後、ポリイミド層表面から銅
箔に達する凹部を形成し、銅箔の露出部分を所定量だけ
等方的に化学エッチングし、電気めっき法で凹部底から
金属バンプ（導通用金属柱）を形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この方式で形成する金
属バンプの断面形状はリベット形状をしており、その頭
頂部はポリイミド層に形成した凹部の直径よりも大きく
なる。すなわち、たとえ凹部径を精度良く制御できたと
しても、ポリイミド層厚さ以上の領域ではめっきが等方
的に成長するため成長方向に対する精度制御が必要にな
る。実際に電気めっき法で微小領域にバンプ形成する場
合、バンプ配置や電流密度及びめっき槽構成など複雑な
要因があり、結果としてバンプ形状（直径、ポリイミド
層表面からの高さ）を制御することが困難であった。特
に、微細バンプを半導体ウエハーのバーイン試験用のプ
ローバーとして適用するような場合、バンプ高さやバン
プ径が不揃いだとアルミ電極とＺ方向で良好な接触が得
られなかったり、更にＸ、Ｙ方向での位置ずれに対する
許容度が減少してしまうという問題があった。本発明
は、電極間を電気的に導通させる金属バンプ（金属柱）
の形成を高精度で行う接続部材の製造方法を提供するも
のである。
属バンプの断面形状はリベット形状をしており、その頭
頂部はポリイミド層に形成した凹部の直径よりも大きく
なる。すなわち、たとえ凹部径を精度良く制御できたと
しても、ポリイミド層厚さ以上の領域ではめっきが等方
的に成長するため成長方向に対する精度制御が必要にな
る。実際に電気めっき法で微小領域にバンプ形成する場
合、バンプ配置や電流密度及びめっき槽構成など複雑な
要因があり、結果としてバンプ形状（直径、ポリイミド
層表面からの高さ）を制御することが困難であった。特
に、微細バンプを半導体ウエハーのバーイン試験用のプ
ローバーとして適用するような場合、バンプ高さやバン
プ径が不揃いだとアルミ電極とＺ方向で良好な接触が得
られなかったり、更にＸ、Ｙ方向での位置ずれに対する
許容度が減少してしまうという問題があった。本発明
は、電極間を電気的に導通させる金属バンプ（金属柱）
の形成を高精度で行う接続部材の製造方法を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、 １Ａ．シ−ト状絶縁基材の所望する箇所に絶縁基材を貫
通する金属柱を形成し、 １Ｂ．絶縁基材及び金属柱の所定量を研磨して絶縁基材
表面及び金属柱頭頂部を平坦化し、 １Ｃ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨面か
ら照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去し金
属柱の所望する部分を絶縁基材面から突出させる、 工程を含むことを特徴とする接続部材の製造方法であ
る。
通する金属柱を形成し、 １Ｂ．絶縁基材及び金属柱の所定量を研磨して絶縁基材
表面及び金属柱頭頂部を平坦化し、 １Ｃ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨面か
ら照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去し金
属柱の所望する部分を絶縁基材面から突出させる、 工程を含むことを特徴とする接続部材の製造方法であ
る。
【０００６】シ−ト状絶縁基材としては、ポリイミドフ
ィルム等の可とう性のものが好ましい。本発明で使用さ
れる研磨法としては、電解研磨法などの化学エッチング
法も適用可能であるが、研磨砥粒や研磨砥粒をベルト上
に固着させたものなど物理的に研磨する方法が好まし
い。この場合、研磨終点はめっき柱頭頂部径が金属めっ
き柱形成用の凹部の直径になったときであり、凹部加工
精度をがそのまま金属めっき柱頭頂部の形成精度とな
る。すなわち、凹部加工をレーザ光や公知のフォトリソ
法などで高精度で形成することにより、金属柱頭頂部を
同程度の精度で加工することが可能になる。
ィルム等の可とう性のものが好ましい。本発明で使用さ
れる研磨法としては、電解研磨法などの化学エッチング
法も適用可能であるが、研磨砥粒や研磨砥粒をベルト上
に固着させたものなど物理的に研磨する方法が好まし
い。この場合、研磨終点はめっき柱頭頂部径が金属めっ
き柱形成用の凹部の直径になったときであり、凹部加工
精度をがそのまま金属めっき柱頭頂部の形成精度とな
る。すなわち、凹部加工をレーザ光や公知のフォトリソ
法などで高精度で形成することにより、金属柱頭頂部を
同程度の精度で加工することが可能になる。
【０００７】絶縁基材表面から照射するレーザ光として
はエキシマレーザ光が適しており、ＸｅＦ（波長：351n
m）、ＸｅＣｌ（波長：308nm)、ＫｒＦ（波長：248n
m）、ＡｒＦ（波長：193nm）などが使用可能である。例
えば、ＫｒＦエキシマレーザ光を照射してポリイミド樹
脂をアブレーション加工（エッチング加工）する場合、
サブミクロンオーダーで加工深さを制御することができ
る。この場合、加工方式は特に限定されず、コンタクト
マスク法、コンフォーマルマスク法及びマスクイメージ
法などが適用できる。
はエキシマレーザ光が適しており、ＸｅＦ（波長：351n
m）、ＸｅＣｌ（波長：308nm)、ＫｒＦ（波長：248n
m）、ＡｒＦ（波長：193nm）などが使用可能である。例
えば、ＫｒＦエキシマレーザ光を照射してポリイミド樹
脂をアブレーション加工（エッチング加工）する場合、
サブミクロンオーダーで加工深さを制御することができ
る。この場合、加工方式は特に限定されず、コンタクト
マスク法、コンフォーマルマスク法及びマスクイメージ
法などが適用できる。
【０００８】本発明の接続部材は、半導体素子やモジュ
−ル基板等の検査用だけでなく接続用にも使用される。
−ル基板等の検査用だけでなく接続用にも使用される。
【０００９】
実施例１ 本発明の一実施例を図１によって説明する。外形250ｍ
ｍ角の銅張りポリイミドフィルム（日立化成工業（株）
製：商品名MCF5000-I）１１（ａ）の銅箔上に第一のレ
ジストパターン１２を形成し（ｂ）、公知のサブトラク
ト法により所定の配線パターン１３を形成後、第一のレ
ジストパターンを剥離した（ｃ）。次に、ポリイミド面
からマスクイメージ法で波長248nmのKrFエキシマレーザ
を所定の位置に照射し、配線パターン１３に達する凹部
（直径30μｍ）１４を形成した（ｄ）。用いたエキシマ
レーザは、0.2μｍ/パルスの加工速度であるので、必要
な加工深さはパルス数を制御することにより得られる。
この場合は、約150パルスで所定の部分の配線パターン
を露出させることができた。次に、配線パターン１３面
に第二のレジストパターン１５を形成後、硫酸銅めっき
により凹部底（レーザ照射により露出した銅箔面）から
ポリイミド層表面以上のめっき柱１６を形成した
（ｅ）。次に、めっき柱頭頂部及びポリイミド表面を研
磨してめっき柱頭頂部及びポリイミド表面を平坦化した
後、全面にエキシマレーザ光１７を照射して（ｆ）金属
めっき柱をポリイミド表面から10μｍだけ突出させた
（ｇ）。最後に、第二のレジストパターン１５を剥離し
た後、腐食防止用表面仕上として厚さ0.2μｍの無電解
パターン金めっき１８を施した。この場合、金属めっき
柱頭頂部径ｄは設計値に対して±2μｍ以内であった。
ｍ角の銅張りポリイミドフィルム（日立化成工業（株）
製：商品名MCF5000-I）１１（ａ）の銅箔上に第一のレ
ジストパターン１２を形成し（ｂ）、公知のサブトラク
ト法により所定の配線パターン１３を形成後、第一のレ
ジストパターンを剥離した（ｃ）。次に、ポリイミド面
からマスクイメージ法で波長248nmのKrFエキシマレーザ
を所定の位置に照射し、配線パターン１３に達する凹部
（直径30μｍ）１４を形成した（ｄ）。用いたエキシマ
レーザは、0.2μｍ/パルスの加工速度であるので、必要
な加工深さはパルス数を制御することにより得られる。
この場合は、約150パルスで所定の部分の配線パターン
を露出させることができた。次に、配線パターン１３面
に第二のレジストパターン１５を形成後、硫酸銅めっき
により凹部底（レーザ照射により露出した銅箔面）から
ポリイミド層表面以上のめっき柱１６を形成した
（ｅ）。次に、めっき柱頭頂部及びポリイミド表面を研
磨してめっき柱頭頂部及びポリイミド表面を平坦化した
後、全面にエキシマレーザ光１７を照射して（ｆ）金属
めっき柱をポリイミド表面から10μｍだけ突出させた
（ｇ）。最後に、第二のレジストパターン１５を剥離し
た後、腐食防止用表面仕上として厚さ0.2μｍの無電解
パターン金めっき１８を施した。この場合、金属めっき
柱頭頂部径ｄは設計値に対して±2μｍ以内であった。
【００１０】実施例２ 本発明の一実施例を図２によって説明する。外形250ｍ
ｍ角、厚さ35μｍの電解銅箔２１（日本電解（株）製：
商品名SLP-12）上に厚さ0.5μｍのニッケル薄層２２を
形成した（ａ）。次に、ドライフィルムレジスト（日立
化成工業（株）製：商品名HS-415ED）をラミネートし、
公知の露光・現像により所望する第一のレジストパター
ン２３を形成した。次に、硫酸銅めっきにより電流密
３．０Ａ／dm2で配線パターン２４を形成した（ｂ）。
次に、第一のレジストパターン２３を3.0wt%の水酸化カ
リウム溶液で剥離した後、ポリイミドカバーレイ２５
（ニッカン工業（株）製：商品名CUSV-2035）の接着剤
面を配線パターン面に向かい合わせて170℃、30kgf/cm2
で60分間加熱加圧することにより配線パターンと積層し
た（ｃ）。続いて、カバーレイ側からマスクイメージ法
で波長248nmのKrFエキシマレーザを所定の位置に照射
し、配線パターン２４に達する凹部（直径30μｍ）２６
を形成した（ｄ）。用いたエキシマレーザは、0.2μｍ/
パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはパルス
数を制御することにより得られる。この場合は、約300
パルスで所定の部分の配線パターンを露出させることが
できた。次に、硫酸銅めっきにより露出した配線パター
ン面からカバーレイ表面以上のめっき柱２７を形成した
（ｅ）。次に、めっき柱頭頂部及びカバーレイ表面を研
磨してめっき柱頭頂部及びカバーレイ表面を平坦化した
後、全面にエキシマレーザ光８を照射して金属めっき柱
をカバーレイ表面から10μｍだけ突出させた（ｆ）。次
に、研磨面に第二のレジストパターン２９を形成した
後、アルカリエッチャント（メルテックス社製：商品名
Aプロセス）で露出している銅箔２１を、続いて、ニ
ッケル薄層２２をニッケルエッチング液（メルテックス
社製：商品名メルストリップ）によりエッチングして配
線パターン２４を露出させるとともに、接続端子部３０
を形成した。最後に、第二のレジストパターン２９を剥
離した後、腐食防止用表面仕上として厚さ0.2μｍの無
電解パターン金めっき３１を施した。
ｍ角、厚さ35μｍの電解銅箔２１（日本電解（株）製：
商品名SLP-12）上に厚さ0.5μｍのニッケル薄層２２を
形成した（ａ）。次に、ドライフィルムレジスト（日立
化成工業（株）製：商品名HS-415ED）をラミネートし、
公知の露光・現像により所望する第一のレジストパター
ン２３を形成した。次に、硫酸銅めっきにより電流密
３．０Ａ／dm2で配線パターン２４を形成した（ｂ）。
次に、第一のレジストパターン２３を3.0wt%の水酸化カ
リウム溶液で剥離した後、ポリイミドカバーレイ２５
（ニッカン工業（株）製：商品名CUSV-2035）の接着剤
面を配線パターン面に向かい合わせて170℃、30kgf/cm2
で60分間加熱加圧することにより配線パターンと積層し
た（ｃ）。続いて、カバーレイ側からマスクイメージ法
で波長248nmのKrFエキシマレーザを所定の位置に照射
し、配線パターン２４に達する凹部（直径30μｍ）２６
を形成した（ｄ）。用いたエキシマレーザは、0.2μｍ/
パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはパルス
数を制御することにより得られる。この場合は、約300
パルスで所定の部分の配線パターンを露出させることが
できた。次に、硫酸銅めっきにより露出した配線パター
ン面からカバーレイ表面以上のめっき柱２７を形成した
（ｅ）。次に、めっき柱頭頂部及びカバーレイ表面を研
磨してめっき柱頭頂部及びカバーレイ表面を平坦化した
後、全面にエキシマレーザ光８を照射して金属めっき柱
をカバーレイ表面から10μｍだけ突出させた（ｆ）。次
に、研磨面に第二のレジストパターン２９を形成した
後、アルカリエッチャント（メルテックス社製：商品名
Aプロセス）で露出している銅箔２１を、続いて、ニ
ッケル薄層２２をニッケルエッチング液（メルテックス
社製：商品名メルストリップ）によりエッチングして配
線パターン２４を露出させるとともに、接続端子部３０
を形成した。最後に、第二のレジストパターン２９を剥
離した後、腐食防止用表面仕上として厚さ0.2μｍの無
電解パターン金めっき３１を施した。
【００１２】
【発明の効果】本発明により、従来問題となっていた微
細バンプ（導通用金属柱）頭頂部のXY及びZ方向の加工
精度を著しく向上させることができた。
細バンプ（導通用金属柱）頭頂部のXY及びZ方向の加工
精度を著しく向上させることができた。
【図１】本発明の一実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の一実施例の製造工程を示す断面図
である。
である。
１１.銅張りポリイミドフィルム １２.第一のレジストパターン １３.配線パターン １４.凹部 １５.第二のレジストパターン １６.めっき金属柱 １７.レーザ光 １８.パターン金めっき ２１.銅箔 ２２.金属薄層 ２３.第一のレジストパターン ２４.配線パターン ２５.ポリイミドカバーレイ ２６.凹部 ２７.めっき金属柱 ２８.レーザ光 ２９.第二のレジストパターン ３０.接続端子部 ３１.パタ−ン金めっき
Claims (2)
- 【請求項１】１Ａ．シ−ト状絶縁基材の所望する箇所に
絶縁基材を貫通する金属柱を形成し、 １Ｂ．絶縁基材及び金属柱の所定量を研磨して絶縁基材
表面及び金属柱頭頂部を平坦化し、 １Ｃ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨面か
ら照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去し金
属柱の所望する部分を絶縁基材面から突出させる、 工程を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。 - 【請求項２】２Ａ．導電性を有する仮基板上に仮基板と
エッチング条件の異なる金属薄層を形成し、 ２Ｂ．金属薄層上に、所定のレジストパターンを形成
し、 ２Ｃ．仮基板を電極にして所定の配線パターンを形成
後、レジストパターンを剥離し、 ２Ｄ．配線パターンに面して絶縁基材を積層し、 ２Ｅ．絶縁基材側から配線パターンに達する凹部を所定
の位置に形成し、 ２Ｆ．仮基板を電極として電気めっき法により凹部底か
ら絶縁基材表面以上に金属めっき柱を析出させ、 ２Ｇ．絶縁基材及び金属めっき柱の所定量を研磨して絶
縁基材表面及び金属めっき柱頭頂部を平坦化し、 ２Ｈ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨面か
ら照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去し、
金属めっき柱の所望する部分を絶縁基材表面から突出さ
せ、 ２Ｉ．仮基板、続けて金属薄層の所望する部分をエッチ
ング除去する、 工程を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03817895A JP3873294B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 接続部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03817895A JP3873294B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 接続部材の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006127663A Division JP4388029B2 (ja) | 2006-05-01 | 2006-05-01 | 接続部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236240A true JPH08236240A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3873294B2 JP3873294B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=12518142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03817895A Expired - Fee Related JP3873294B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 接続部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3873294B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19715501C1 (de) * | 1997-04-14 | 1998-06-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP03817895A patent/JP3873294B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19715501C1 (de) * | 1997-04-14 | 1998-06-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3873294B2 (ja) | 2007-01-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050407 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20050601 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
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| A02 | Decision of refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060501 |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20061003 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061016 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 4 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |