JPH0823555B2 - 三弗化窒素検知装置及び方法 - Google Patents
三弗化窒素検知装置及び方法Info
- Publication number
- JPH0823555B2 JPH0823555B2 JP5154989A JP15498993A JPH0823555B2 JP H0823555 B2 JPH0823555 B2 JP H0823555B2 JP 5154989 A JP5154989 A JP 5154989A JP 15498993 A JP15498993 A JP 15498993A JP H0823555 B2 JPH0823555 B2 JP H0823555B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nitrogen trifluoride
- measured
- detection device
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、三弗化窒素検知装置及
び方法に関し、特に、半導体製造装置に適用することが
好適な三弗化窒素ガス検知装置及び方法に関する。
び方法に関し、特に、半導体製造装置に適用することが
好適な三弗化窒素ガス検知装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】三弗化窒素ガスは、環境に有害なガスで
あるため、環境に放出されるガスでは、三弗化窒素成分
を所定以下とする必要がある。三弗化窒素検知装置は、
例えば、環境への放出ガスについて、三弗化窒素成分が
所定以下であることを検知するために使用される。
あるため、環境に放出されるガスでは、三弗化窒素成分
を所定以下とする必要がある。三弗化窒素検知装置は、
例えば、環境への放出ガスについて、三弗化窒素成分が
所定以下であることを検知するために使用される。
【０００３】従来の三弗化窒素検知装置について図面を
参照して説明する。図４は、従来の第一の例の三弗化窒
素検知装置の構成を示す。この検知装置は、被測定ガス
導入管１、検知部２０、表示部６、吸引ポンプ７及び排
出管８から成る。検知部２０は、白金コイル２１に金属
酸化物の半導体２２を塗布した後、焼結することで形成
された検知素子２３と、ホイートストーンブリッジ２４
とから構成される。
参照して説明する。図４は、従来の第一の例の三弗化窒
素検知装置の構成を示す。この検知装置は、被測定ガス
導入管１、検知部２０、表示部６、吸引ポンプ７及び排
出管８から成る。検知部２０は、白金コイル２１に金属
酸化物の半導体２２を塗布した後、焼結することで形成
された検知素子２３と、ホイートストーンブリッジ２４
とから構成される。
【０００４】上記従来の第一の検知装置では、被測定ガ
スが検知素子２３に吸着すると、被測定ガス内の三弗化
窒素を検知して半導体２２の電気伝導度が変化するの
で、白金線２１及び半導体２２の合成抵抗値が変化す
る。この抵抗値の変化をホイートストーンブリッジ２４
で検出することによりガス濃度を電気信号に変換し、表
示部６でこの電気信号を三弗化窒素ガス濃度として表示
する。被測定ガスは、その後、吸入ポンプ７及び排出管
８を通って検知装置外に排出される。
スが検知素子２３に吸着すると、被測定ガス内の三弗化
窒素を検知して半導体２２の電気伝導度が変化するの
で、白金線２１及び半導体２２の合成抵抗値が変化す
る。この抵抗値の変化をホイートストーンブリッジ２４
で検出することによりガス濃度を電気信号に変換し、表
示部６でこの電気信号を三弗化窒素ガス濃度として表示
する。被測定ガスは、その後、吸入ポンプ７及び排出管
８を通って検知装置外に排出される。
【０００５】図５は、従来技術の第二の例の三弗化窒素
検知装置の構成を示す。この検知装置では、導入管１の
途中に熱分解器２５を設け、検知部２６には、作用電極
２７及び対電極２８を電解液と共に隔膜２９でカバーし
た検知素子３０と、作用電極２７及び対電極２８間に一
定の電位差を与える定電圧回路３１とを設ける。
検知装置の構成を示す。この検知装置では、導入管１の
途中に熱分解器２５を設け、検知部２６には、作用電極
２７及び対電極２８を電解液と共に隔膜２９でカバーし
た検知素子３０と、作用電極２７及び対電極２８間に一
定の電位差を与える定電圧回路３１とを設ける。
【０００６】従来の第二の検知装置では、被測定ガスに
含まれる三弗化窒素は、熱分解器２５で熱分解され、Ｎ
Ｏ2に変換されて検知部２６に導入される。ＮＯ2ガス
は、隔膜２９を透過して作用電極２７に吸着する。ＮＯ
2ガスは、吸着した電極表面で電気化学的に酸化・還元
反応を起こし、電流を発生させる。発生した電流値を表
示部６で数値濃度として表示することで、三弗化窒素ガ
スの検知が行われる。
含まれる三弗化窒素は、熱分解器２５で熱分解され、Ｎ
Ｏ2に変換されて検知部２６に導入される。ＮＯ2ガス
は、隔膜２９を透過して作用電極２７に吸着する。ＮＯ
2ガスは、吸着した電極表面で電気化学的に酸化・還元
反応を起こし、電流を発生させる。発生した電流値を表
示部６で数値濃度として表示することで、三弗化窒素ガ
スの検知が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の第一の例では、
検知素子２３は、半導体２２にガスが吸着することで反
応する構造のため、三弗化窒素以外のガス、例えば、Ｈ
Ｆ（弗化水素）、フロン１２、フロン２２、フロン１１
３、Ｈ2、ＣＨ4、ＮＨ3、トリクレン、メタノール、ア
セトンを検知する。従って、従来の第一の検知装置は、
これら多種のガスの中から三弗化窒素を検知する選択性
が悪く、三弗化窒素検知装置としての信頼性に欠けると
いう問題がある。
検知素子２３は、半導体２２にガスが吸着することで反
応する構造のため、三弗化窒素以外のガス、例えば、Ｈ
Ｆ（弗化水素）、フロン１２、フロン２２、フロン１１
３、Ｈ2、ＣＨ4、ＮＨ3、トリクレン、メタノール、ア
セトンを検知する。従って、従来の第一の検知装置は、
これら多種のガスの中から三弗化窒素を検知する選択性
が悪く、三弗化窒素検知装置としての信頼性に欠けると
いう問題がある。
【０００８】また、従来の第二の例では、検知素子３０
内部の電解液がＮＯ2以外のガス、例えば、ＣＯ2、Ｎ
Ｏ、Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、ＳiＨ4、Ｈ2、ＣＯをも溶解さ
せ、これらのガスが作用電極２７に吸着して検知され
る。このように、従来の第二の検知装置も、これら多種
のガスの中から三弗化窒素を検知する選択性が悪く、検
知装置としての信頼性に欠けるという問題がある。
内部の電解液がＮＯ2以外のガス、例えば、ＣＯ2、Ｎ
Ｏ、Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、ＳiＨ4、Ｈ2、ＣＯをも溶解さ
せ、これらのガスが作用電極２７に吸着して検知され
る。このように、従来の第二の検知装置も、これら多種
のガスの中から三弗化窒素を検知する選択性が悪く、検
知装置としての信頼性に欠けるという問題がある。
【０００９】特に、半導体の製造装置では、三弗化窒素
検知装置は、製造ラインからの漏洩検知のため、或い
は、放出ガスから三弗化窒素ガスを除去する除害装置の
出力ラインにおいて使用される。半導体製造装置では、
ＳiＨ4、Ｈ2、メタノールを多く使用し、或いはその発
生が多いので、これらの干渉ガス又は妨害ガスに反応す
る従来の検知装置では、三弗化窒素ガスの正確な検知が
行われない。
検知装置は、製造ラインからの漏洩検知のため、或い
は、放出ガスから三弗化窒素ガスを除去する除害装置の
出力ラインにおいて使用される。半導体製造装置では、
ＳiＨ4、Ｈ2、メタノールを多く使用し、或いはその発
生が多いので、これらの干渉ガス又は妨害ガスに反応す
る従来の検知装置では、三弗化窒素ガスの正確な検知が
行われない。
【００１０】このため、半導体製造装置、特にＣＶＤ装
置のために、選択性よく三弗化窒素を検知可能な三弗化
窒素検知装置が望まれる。
置のために、選択性よく三弗化窒素を検知可能な三弗化
窒素検知装置が望まれる。
【００１１】本発明は、上記に鑑み、特に半導体製造装
置に好適であり、選択性よく三弗化窒素を検知できるた
め、信頼性が高い三弗化窒素検知装置及び方法を提供す
ることを目的とする。
置に好適であり、選択性よく三弗化窒素を検知できるた
め、信頼性が高い三弗化窒素検知装置及び方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の三弗化窒素検知装置は、シリコン又はシリ
コン化合物の粒子から成る層を含み、被測定ガスが導入
されて前記層を通過する反応部と、前記反応部及び被測
定ガスの少なくとも一方を加熱する加熱手段と、前記通
過した被測定ガスに含まれる弗化水素を検知可能な検知
部とを備えることを特徴とする。
め、本発明の三弗化窒素検知装置は、シリコン又はシリ
コン化合物の粒子から成る層を含み、被測定ガスが導入
されて前記層を通過する反応部と、前記反応部及び被測
定ガスの少なくとも一方を加熱する加熱手段と、前記通
過した被測定ガスに含まれる弗化水素を検知可能な検知
部とを備えることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の三弗化窒素検知方法は、被
測定ガスを、加熱されたシリコン又はシリコン化合物の
粒子からなる層を通過させる第一ステップと、前記通過
させた被測定ガス内に含まれる弗化水素を検知する第二
ステップとを含むことを特徴とする。
測定ガスを、加熱されたシリコン又はシリコン化合物の
粒子からなる層を通過させる第一ステップと、前記通過
させた被測定ガス内に含まれる弗化水素を検知する第二
ステップとを含むことを特徴とする。
【００１４】
【作用】被測定ガスに含まれる三弗化窒素は、シリコン
又はシリコン化合物の粒子と反応して一旦、四弗化珪素
に変換され、更にこの四弗化珪素は、被測定ガス中に含
まれる水分と反応して弗化水素（ＨＦ）に変換されるの
で、シリコン又はシリコン化合物の粒子の層を通過した
後の被測定ガスに含まれるＨＦを検知することにより、
元の被測定ガス内の三弗化窒素の検知が可能となる。Ｈ
Ｆは、他のガスから選択性よく検知できる。
又はシリコン化合物の粒子と反応して一旦、四弗化珪素
に変換され、更にこの四弗化珪素は、被測定ガス中に含
まれる水分と反応して弗化水素（ＨＦ）に変換されるの
で、シリコン又はシリコン化合物の粒子の層を通過した
後の被測定ガスに含まれるＨＦを検知することにより、
元の被測定ガス内の三弗化窒素の検知が可能となる。Ｈ
Ｆは、他のガスから選択性よく検知できる。
【００１５】
【実施例】図面を参照して本発明を更に詳しく説明す
る。図１は、本発明の三弗化窒素検知装置の一実施例の
構成を示す模式的系統図である。この三弗化窒素検知装
置は、導入管１、反応部を成す反応槽２、検知部３、表
示部６、吸入ポンプ７、排出管８、及び空気導入管１０
から成る。反応槽２内部にはシリコン化合物の粒子が層
状に詰められている。反応槽２で使用できる粒子として
は、例えばＳi、Ｓi3Ｎ4、ＷＳiが挙げられる。シリコ
ン化合物の粒子層は、反応槽２を外部から加熱するヒー
タ１１によって、約６００℃の温度に維持されている。
る。図１は、本発明の三弗化窒素検知装置の一実施例の
構成を示す模式的系統図である。この三弗化窒素検知装
置は、導入管１、反応部を成す反応槽２、検知部３、表
示部６、吸入ポンプ７、排出管８、及び空気導入管１０
から成る。反応槽２内部にはシリコン化合物の粒子が層
状に詰められている。反応槽２で使用できる粒子として
は、例えばＳi、Ｓi3Ｎ4、ＷＳiが挙げられる。シリコ
ン化合物の粒子層は、反応槽２を外部から加熱するヒー
タ１１によって、約６００℃の温度に維持されている。
【００１６】被測定ガスは、導入管１を経由して反応槽
２内のシリコン化合物の粒子の層を通過する。三弗化窒
素（ＮＦ3）は、一般に約６００℃以上ではその９９％
以上がシリコンと化学反応を起こし、化学的に活性な四
弗化珪素（ＳiＦ4）と窒素とに変換される。１モルの三
弗化窒素は、この反応により３／４モルの四弗化窒素を
生成する。なお、反応槽２におけるシリコン化合物の温
度は、約５００℃以上とする必要がある。この温度より
も低いと反応が適切に行われないおそれがある。
２内のシリコン化合物の粒子の層を通過する。三弗化窒
素（ＮＦ3）は、一般に約６００℃以上ではその９９％
以上がシリコンと化学反応を起こし、化学的に活性な四
弗化珪素（ＳiＦ4）と窒素とに変換される。１モルの三
弗化窒素は、この反応により３／４モルの四弗化窒素を
生成する。なお、反応槽２におけるシリコン化合物の温
度は、約５００℃以上とする必要がある。この温度より
も低いと反応が適切に行われないおそれがある。
【００１７】反応層２を通過した被測定ガス（以下、反
応ガスと呼ぶ）に含まれる四弗化窒素は、被測定ガス内
に最初から含まれている水蒸気、及び、空気導入管１２
から導入される空気中の水分と更に化学反応を起こし、
弗化水素（ＨＦ）と二酸化珪素（ＳiＯ2）とに変換され
る。四弗化珪素は化学的に活性であるので、常温でその
９９％以上が水と反応する。従って、１モルの三弗化窒
素から生成された３／４モルの四弗化珪素により、３モ
ルのＨＦが生成される。
応ガスと呼ぶ）に含まれる四弗化窒素は、被測定ガス内
に最初から含まれている水蒸気、及び、空気導入管１２
から導入される空気中の水分と更に化学反応を起こし、
弗化水素（ＨＦ）と二酸化珪素（ＳiＯ2）とに変換され
る。四弗化珪素は化学的に活性であるので、常温でその
９９％以上が水と反応する。従って、１モルの三弗化窒
素から生成された３／４モルの四弗化珪素により、３モ
ルのＨＦが生成される。
【００１８】反応ガスは、弗化水素を検知する検知部３
に導入され、反応ガス中に含まれるＨＦは、ＨＦ検知素
子４の隔膜４１を透過して作用電極４２に吸着する。作
用電極４２には、定電圧回路５により対電極４３に対し
て予め一定の電位が与えられており、ＨＦは、作用電極
４２表面で電気化学的に酸化・還元反応を起こして電流
を発生させる。この酸化・還元量は、ガス濃度に依存す
るので、ここで発生する電流値もガス濃度に依存する。
この電流値は、元の被測定ガス中の三弗化窒素量に換算
されて表示部６で表示される。反応ガスは、その後、吸
入ポンプ７及び排出管８を経由して排出される。
に導入され、反応ガス中に含まれるＨＦは、ＨＦ検知素
子４の隔膜４１を透過して作用電極４２に吸着する。作
用電極４２には、定電圧回路５により対電極４３に対し
て予め一定の電位が与えられており、ＨＦは、作用電極
４２表面で電気化学的に酸化・還元反応を起こして電流
を発生させる。この酸化・還元量は、ガス濃度に依存す
るので、ここで発生する電流値もガス濃度に依存する。
この電流値は、元の被測定ガス中の三弗化窒素量に換算
されて表示部６で表示される。反応ガスは、その後、吸
入ポンプ７及び排出管８を経由して排出される。
【００１９】ＨＦ検知技術は、既に確立されている技術
であり、この場合の干渉ガスは、実質的に、ＨＣｌ、Ｏ
3及びＣＯ2のみである。従って、この実施例の三弗化窒
素検知装置における干渉ガスも、実質的に、ＨＣｌ、Ｏ
3及びＣＯ2のみである。
であり、この場合の干渉ガスは、実質的に、ＨＣｌ、Ｏ
3及びＣＯ2のみである。従って、この実施例の三弗化窒
素検知装置における干渉ガスも、実質的に、ＨＣｌ、Ｏ
3及びＣＯ2のみである。
【００２０】図２は、本発明の第二の実施例の三弗化窒
素検知装置における導入管１及び反応槽２部分の構成を
示す。同図に示したように、この実施例の三弗化窒素検
知装置は、反応槽２にバイパス管１１を設けた点におい
て、第一の実施例と異なる。その他の構成は第一の実施
例と同様であり、図示を省略している。バイパス管１１
と反応槽２との分流比は、ニードル弁１２の開度を調節
することにより行う。この構成によると、ニードル弁１
２の開度調節によって三弗化窒素から四弗化珪素への変
換比率を制御することが出来るので、検知装置における
測定可能な三弗化窒素の濃度範囲を、即ち、三弗化窒素
検知装置としての感度を設定できる。
素検知装置における導入管１及び反応槽２部分の構成を
示す。同図に示したように、この実施例の三弗化窒素検
知装置は、反応槽２にバイパス管１１を設けた点におい
て、第一の実施例と異なる。その他の構成は第一の実施
例と同様であり、図示を省略している。バイパス管１１
と反応槽２との分流比は、ニードル弁１２の開度を調節
することにより行う。この構成によると、ニードル弁１
２の開度調節によって三弗化窒素から四弗化珪素への変
換比率を制御することが出来るので、検知装置における
測定可能な三弗化窒素の濃度範囲を、即ち、三弗化窒素
検知装置としての感度を設定できる。
【００２１】図３は、本発明の三弗化窒素検知装置が利
用される態様を例示するブロック図である。同図に示し
たように、第一の三弗化窒素検知装置１３Ａは、三弗化
窒素を使用する半導体製造装置１４との間に導入管１及
び排出管８を接続して、閉サイクルを形成することで、
半導体製造装置１４内部における漏洩検知のために使用
される。また、第二の三弗化窒素検知装置１３Ｂは、半
導体製造装置１４から放出されるガスを無害にするため
の除害装置１５の出口に配置されて、排気管１６から放
出されるガスに含まれる有害な三弗化窒素を検知する。
用される態様を例示するブロック図である。同図に示し
たように、第一の三弗化窒素検知装置１３Ａは、三弗化
窒素を使用する半導体製造装置１４との間に導入管１及
び排出管８を接続して、閉サイクルを形成することで、
半導体製造装置１４内部における漏洩検知のために使用
される。また、第二の三弗化窒素検知装置１３Ｂは、半
導体製造装置１４から放出されるガスを無害にするため
の除害装置１５の出口に配置されて、排気管１６から放
出されるガスに含まれる有害な三弗化窒素を検知する。
【００２２】特に、ＣＶＤ装置等の半導体製造装置で
は、ＳiＨ4及びＨ2ガスを多く使用するので、従来の三
弗化窒素検知装置では、これらガスが干渉ガスとなっ
て、除害装置１５出口での除害確認に障害となってい
た。また、半導体装置の洗浄には、メタノールが多く使
用され、このメタノールが従来の漏洩検知装置に反応す
るので、三弗化窒素の漏洩検知が正確に行われないとい
う問題もあった。
は、ＳiＨ4及びＨ2ガスを多く使用するので、従来の三
弗化窒素検知装置では、これらガスが干渉ガスとなっ
て、除害装置１５出口での除害確認に障害となってい
た。また、半導体装置の洗浄には、メタノールが多く使
用され、このメタノールが従来の漏洩検知装置に反応す
るので、三弗化窒素の漏洩検知が正確に行われないとい
う問題もあった。
【００２３】本発明の三弗化窒素検知装置及び方法は、
ＨＦガスを検知する検知素子を使用し、この検知素子
は、干渉ガスが実質的にＨＣｌ、Ｏ3及びＣＯ2のみであ
る。半導体製造装置ではこれらＨＣｌ等の干渉ガスの使
用量は少ないので、本発明の三弗化窒素検知装置及び方
法は、特に、半導体製造装置における漏洩検知及び除害
確認のために使用価値が大きい。
ＨＦガスを検知する検知素子を使用し、この検知素子
は、干渉ガスが実質的にＨＣｌ、Ｏ3及びＣＯ2のみであ
る。半導体製造装置ではこれらＨＣｌ等の干渉ガスの使
用量は少ないので、本発明の三弗化窒素検知装置及び方
法は、特に、半導体製造装置における漏洩検知及び除害
確認のために使用価値が大きい。
【００２４】なお、上記各実施例の構成は、単に例示で
あり、本発明の範囲をこれら実施例の構成にのみ限定す
ることを意図しない。例えば、上記実施例では、反応槽
２内部のシリコン化合物を加熱する例であったが、これ
に代えて、被測定ガスを加熱する、又は、シリコン化合
物及び被測定ガスの双方を加熱してもよい。
あり、本発明の範囲をこれら実施例の構成にのみ限定す
ることを意図しない。例えば、上記実施例では、反応槽
２内部のシリコン化合物を加熱する例であったが、これ
に代えて、被測定ガスを加熱する、又は、シリコン化合
物及び被測定ガスの双方を加熱してもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の三弗化窒
素検知装置及び方法によると、干渉ガスの種類が少な
く、半導体製造装置のために使用した場合には特に、三
弗化窒素の有効な検知が可能である。
素検知装置及び方法によると、干渉ガスの種類が少な
く、半導体製造装置のために使用した場合には特に、三
弗化窒素の有効な検知が可能である。
【図１】本発明の一実施例の三弗化窒素検知装置の構成
を示す模式的系統図。
を示す模式的系統図。
【図２】本発明の第二の実施例の三弗化窒素検知装置の
構成を示す部分系統図。
構成を示す部分系統図。
【図３】本発明の三弗化窒素検知装置を採用する半導体
製造装置におけるブロック図。
製造装置におけるブロック図。
【図４】従来の第一の例の三弗化窒素検知装置の構成を
示す模式的系統図。
示す模式的系統図。
【図５】従来の第二の例の三弗化窒素検知装置の構成を
示す模式的系統図。
示す模式的系統図。
【符号の説明】 １ 導入管 ２ 反応槽 ３ 検知部 ４ 検知素子 ４１ 隔膜 ４２ 作用電極 ４３ 対電極 ５ 定電圧回路 ６ 表示部 ７ 吸入ポンプ ８ 排出管 ９ ヒータ １０ 空気導入管 １１ バイパス管 １２ ニードル弁
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコン又はシリコン化合物の粒子から
成る層を含み、被測定ガスが導入されて前記層を通過す
る反応部と、 前記反応部及び被測定ガスの少なくとも一方を加熱する
加熱手段と、 前記層を通過した被測定ガスに含まれる弗化水素を検知
可能な検知部とを備えることを特徴とする三弗化窒素検
知装置。 - 【請求項２】 前記層の温度が約５００℃以上に維持さ
れることを特徴とする請求項１に記載の三弗化窒素検知
装置。 - 【請求項３】 前記反応部と前記検知部との間で、前記
層を通過した被測定ガスに空気を導入する空気導入部を
更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の三
弗化窒素検知装置。 - 【請求項４】 前記反応部をバイパスするバイパス管を
更に備えることを特徴とする請求項１乃至３の一に記載
の三弗化窒素検知装置。 - 【請求項５】 被測定ガスを、加熱されたシリコン又は
シリコン化合物の粒子からなる層を通過させる第一ステ
ップと、 前記通過させた被測定ガス内に含まれる弗化水素を検知
する第二ステップとを含むことを特徴とする三弗化窒素
の検知方法。 - 【請求項６】 前記第一ステップ及び第二ステップの間
に、前記通過させた被測定ガス内に空気を導入する第三
ステップを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の
三弗化窒素の検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154989A JPH0823555B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 三弗化窒素検知装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154989A JPH0823555B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 三弗化窒素検知装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128280A JPH07128280A (ja) | 1995-05-19 |
| JPH0823555B2 true JPH0823555B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=15596289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154989A Expired - Lifetime JPH0823555B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 三弗化窒素検知装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823555B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10928339B2 (en) | 2015-11-13 | 2021-02-23 | New Cosmos Electric Co., Ltd. | Catalytic-conversion-type sensor |
| WO2017082431A1 (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | 新コスモス電機株式会社 | 触媒転化式センサ |
| JP6851185B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2021-03-31 | 新コスモス電機株式会社 | 触媒転化式センサおよびガス検知器 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154989A patent/JPH0823555B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07128280A (ja) | 1995-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7140229B2 (en) | Gas-monitoring assembly comprising one or more gas sensors and one or more getters, and method of using same | |
| EP0878709A3 (en) | Method and apparatus for measuring NOx gas concentration | |
| JPH06132224A (ja) | 半導体装置製造装置並びにロードロック室、及びかかる半導体装置製造装置を用いた半導体装置の製造方法 | |
| US7909981B2 (en) | Method and apparatus for improving the performance of an electrochemical sensor | |
| JP4828747B2 (ja) | ガス混合気におけるガス成分の濃度を検出するためのセンサ素子およびその方法 | |
| JPH0823555B2 (ja) | 三弗化窒素検知装置及び方法 | |
| JP3021545B2 (ja) | 電池気密検査装置 | |
| Moritz et al. | Monitoring of HF and F2 using a field-effect sensor | |
| US20060231422A1 (en) | Switched gas sensor | |
| JPH10307115A (ja) | ガス検知装置 | |
| JPH10325818A (ja) | Ｔｍｂガス検知器 | |
| US20180275098A1 (en) | Apparatus for measuring ion mobility of harmful material and reference data obtaining method of the same | |
| CN116380987A (zh) | 一种缩短气体传感器检测时间的数据处理方法 | |
| JPH1164264A (ja) | ガス濃度検出装置及びその方法 | |
| US7677082B2 (en) | Solid state gas sensors based on tunnel junction geometry | |
| JPH01321348A (ja) | 水素ガスセンサー | |
| JPH10135196A (ja) | 真空薄膜堆積装置 | |
| JPH07234203A (ja) | 窒素酸化物センサ装置 | |
| KR101732546B1 (ko) | 유해 물질의 이온 이동도 측정 장치 및 그의 레퍼런스 데이터 획득방법 | |
| US20050155871A1 (en) | Electrochemical sensor | |
| JPH038705B2 (ja) | ||
| JP2836184B2 (ja) | 可燃ガス測定装置 | |
| JPH11258218A (ja) | 分析装置 | |
| JP2007519900A6 (ja) | 電気化学センサ | |
| JPS63315976A (ja) | トリチウム濃度測定器 |