JPH08228021A - 導線なしの双方向光データ伝送用半導体集合体 - Google Patents
導線なしの双方向光データ伝送用半導体集合体Info
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- JPH08228021A JPH08228021A JP32495895A JP32495895A JPH08228021A JP H08228021 A JPH08228021 A JP H08228021A JP 32495895 A JP32495895 A JP 32495895A JP 32495895 A JP32495895 A JP 32495895A JP H08228021 A JPH08228021 A JP H08228021A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
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-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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-
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 送信、受信及び増幅のような光データ伝送に
必要なすべての機能を含み、僅かな寸法でチツプ相互の
影響を最小にする光データ伝送用半導体集合体を提供す
る。 【構成】 導線なしの双方向光データ伝送用半導体集合
体は、赤外線範囲の光線を放射する送信チツプ4と、赤
外線範囲の光線に反応して光電流を発生する受信チツプ
1と、受信チツプの光電流を増幅する集積回路2とを含
んでいる。これら3つの半導体チツプ4,1,2は、少
なくとも3つの条片部分3.1〜3.9を持つ導体条片
装置3上に設けられている。集積回路2は導体条片装置
3の縦方向に対して平行な第1の面に設けられ、送信チ
ツプ4及び受信チツプ1は導体条片装置3の端面におい
て第1の面に対して直角な第2の面に設けられている。
必要なすべての機能を含み、僅かな寸法でチツプ相互の
影響を最小にする光データ伝送用半導体集合体を提供す
る。 【構成】 導線なしの双方向光データ伝送用半導体集合
体は、赤外線範囲の光線を放射する送信チツプ4と、赤
外線範囲の光線に反応して光電流を発生する受信チツプ
1と、受信チツプの光電流を増幅する集積回路2とを含
んでいる。これら3つの半導体チツプ4,1,2は、少
なくとも3つの条片部分3.1〜3.9を持つ導体条片
装置3上に設けられている。集積回路2は導体条片装置
3の縦方向に対して平行な第1の面に設けられ、送信チ
ツプ4及び受信チツプ1は導体条片装置3の端面におい
て第1の面に対して直角な第2の面に設けられている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導線なしの双方向光デ
ータ伝送用半導体集合体に関する。
ータ伝送用半導体集合体に関する。
【0002】
【従来の技術】赤外線波長範囲の電磁波による導線なし
の双方向逐次データ伝送は、例えばパーソナルコンピユ
ータと周辺モジユールとの間のデータ伝送において、ま
すます重要になつている。
の双方向逐次データ伝送は、例えばパーソナルコンピユ
ータと周辺モジユールとの間のデータ伝送において、ま
すます重要になつている。
【0003】遠隔制御に使用するため半導体集合体は市
販されており、ドイツ連邦共和国特許第4212948
号明細書からも公知であり、赤外線受信器のほかに、こ
の受信器の光電流を増幅する増幅IC、及び容量や抵抗
のような別の受動素子を含んでいる。従つてこの公知の
半導体集合体は、赤外線遠隔制御信号の受信及び評価に
必要なすべてのアナログ素子を含んでいる。この半導体
集合体は条片技術で構成され、条片導体の上にすべての
チツプ及び受動素子がただ1つの面で設けられている。
販されており、ドイツ連邦共和国特許第4212948
号明細書からも公知であり、赤外線受信器のほかに、こ
の受信器の光電流を増幅する増幅IC、及び容量や抵抗
のような別の受動素子を含んでいる。従つてこの公知の
半導体集合体は、赤外線遠隔制御信号の受信及び評価に
必要なすべてのアナログ素子を含んでいる。この半導体
集合体は条片技術で構成され、条片導体の上にすべての
チツプ及び受動素子がただ1つの面で設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、光デ
ータ伝送に必要な送信、受信及び増幅のようなすべての
機能を共通な構造中に含み、僅かな寸法を持ち、チツプ
相互の影響を最小にする光データ伝送用半導体集合体を
提供することである。
ータ伝送に必要な送信、受信及び増幅のようなすべての
機能を共通な構造中に含み、僅かな寸法を持ち、チツプ
相互の影響を最小にする光データ伝送用半導体集合体を
提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明による半導体集合体は、赤外線範囲の光線を放射
する送信チツプと、赤外線範囲の光線に反応して光電流
を発生する受信チツプと、受信チツプの光電流を増幅す
る集積回路とを含んでいる。これら3つの半導体チツプ
は、少なくとも3つの条片部分を持つ導体条片装置上に
設けられている。集積回路は、導体条片装置の縦方向に
対して平行に延びる第1の面にある導体条片装置の平ら
な側面上に設けられている。送信チツプ及び受信チツプ
は、条片部分の端面において第1の面に対して直角に延
びる第2の面に設けられている。
本発明による半導体集合体は、赤外線範囲の光線を放射
する送信チツプと、赤外線範囲の光線に反応して光電流
を発生する受信チツプと、受信チツプの光電流を増幅す
る集積回路とを含んでいる。これら3つの半導体チツプ
は、少なくとも3つの条片部分を持つ導体条片装置上に
設けられている。集積回路は、導体条片装置の縦方向に
対して平行に延びる第1の面にある導体条片装置の平ら
な側面上に設けられている。送信チツプ及び受信チツプ
は、条片部分の端面において第1の面に対して直角に延
びる第2の面に設けられている。
【0006】
【発明の効果】直立条片技術と扁平条片技術との組合わ
せにより、また互いに直交する2つの面に素子を配置す
ることにより、非常に小さく構成できる半導体集合体が
得られる。光に関係する素子は端面に設けられ、集積回
路は光に関して保護される側面に設けられている。それ
により集積回路回路への直接照射が防止される。
せにより、また互いに直交する2つの面に素子を配置す
ることにより、非常に小さく構成できる半導体集合体が
得られる。光に関係する素子は端面に設けられ、集積回
路は光に関して保護される側面に設けられている。それ
により集積回路回路への直接照射が防止される。
【0007】
【実施態様】第1の条片部分は、端面に一体に形成され
る反射鏡を持つている。この反射鏡内には送信チツプが
ある。第2の条片部分は端部を曲げられている。この曲
げられる部分には、第2の条片部分から離れるように向
く表面に受信チツプが取付けられている。
る反射鏡を持つている。この反射鏡内には送信チツプが
ある。第2の条片部分は端部を曲げられている。この曲
げられる部分には、第2の条片部分から離れるように向
く表面に受信チツプが取付けられている。
【0008】導体条片装置の上端はモールド体を備えて
いる。モールド体は赤外線範囲で光線に対して透明であ
り、送信チツプ、受信チツプ及び集積回路を包囲してい
る。モールド体は、受信チツプ及び送信チツプのために
それぞれ別個の光学的集束装置が生ずるように設けられ
る表面の球帽状突出部を持つている。集合体のハウジン
グは標準発光ダイオードに類似している。その相違は条
片端子の数と2つの光学レンズを持つモールド体の構成
である。
いる。モールド体は赤外線範囲で光線に対して透明であ
り、送信チツプ、受信チツプ及び集積回路を包囲してい
る。モールド体は、受信チツプ及び送信チツプのために
それぞれ別個の光学的集束装置が生ずるように設けられ
る表面の球帽状突出部を持つている。集合体のハウジン
グは標準発光ダイオードに類似している。その相違は条
片端子の数と2つの光学レンズを持つモールド体の構成
である。
【0009】
【実施例】半導体集合体の構成例を図について以下に説
明する。図1〜3による半導体集合体は、9つの条片部
分3.1〜3.9から成る導体条片装置3上に構成され
ている。導体条片装置3は通常は約0.3mmの厚さを
持つ銅板の打抜き部品として製造される。条片の上端で
モールド材により導体条片装置をモールドするまで、条
片部分3.1〜3.9は下端を図示しない横連絡片によ
り互いに結合されている。
明する。図1〜3による半導体集合体は、9つの条片部
分3.1〜3.9から成る導体条片装置3上に構成され
ている。導体条片装置3は通常は約0.3mmの厚さを
持つ銅板の打抜き部品として製造される。条片の上端で
モールド材により導体条片装置をモールドするまで、条
片部分3.1〜3.9は下端を図示しない横連絡片によ
り互いに結合されている。
【0010】第1の条片部分3.6は、集積回路2を取
付けるため上部に取付け範囲8が設けられるように、構
成されている。集積回路2はチツプ状に存在して、受信
チツプ1から供給される光電流用の増幅器を形成してい
る。
付けるため上部に取付け範囲8が設けられるように、構
成されている。集積回路2はチツプ状に存在して、受信
チツプ1から供給される光電流用の増幅器を形成してい
る。
【0011】第1の条片部分3.6は延長部を曲げられ
て、第2の取付け範囲6としての部分が生ずるようにし
ている。この部分上に送信チツプ1が設けられて、その
主面が集積回路2の取付け面に対して直角な方向に延び
るようになつている。受信チツプ1の受信面に立てられ
る法線は、導体条片装置3から離れるように向いてい
る。もちろん固有の条片部分に受信チツプを設けること
も可能である。この場合にもこの条片部分の端部が曲げ
られて、増幅集積回路に対する直角な取付けを可能にす
る。
て、第2の取付け範囲6としての部分が生ずるようにし
ている。この部分上に送信チツプ1が設けられて、その
主面が集積回路2の取付け面に対して直角な方向に延び
るようになつている。受信チツプ1の受信面に立てられ
る法線は、導体条片装置3から離れるように向いてい
る。もちろん固有の条片部分に受信チツプを設けること
も可能である。この場合にもこの条片部分の端部が曲げ
られて、増幅集積回路に対する直角な取付けを可能にす
る。
【0012】別の条片部分3.8はその上端に反射鏡5
を持ち、この反射鏡5の中心において受信チツプ1と同
じ面に送信チツプ4が取付けられている。反射鏡5は条
片部分3.8の一体な構成部分で、その端面を形成して
いる。
を持ち、この反射鏡5の中心において受信チツプ1と同
じ面に送信チツプ4が取付けられている。反射鏡5は条
片部分3.8の一体な構成部分で、その端面を形成して
いる。
【0013】他の条片部分3.1〜3.5,3.7及び
3.9は個々のチツプ及び集積回路の電気接続に役立
ち、その数は、半導体集合体に課される要求及び半導体
集合体が含む機能に関係している。結合線9によりチツ
プと導体条片との接続が行われる。チツプとこのチツプ
が取付けられている導体条片との接続は、ろう付け結合
又は導電接着剤によつても行うことができる。
3.9は個々のチツプ及び集積回路の電気接続に役立
ち、その数は、半導体集合体に課される要求及び半導体
集合体が含む機能に関係している。結合線9によりチツ
プと導体条片との接続が行われる。チツプとこのチツプ
が取付けられている導体条片との接続は、ろう付け結合
又は導電接着剤によつても行うことができる。
【0014】従つて光に関係するチツプは直立条片技術
で、またこれに対して増幅集積回路は扁平条片技術で取
付けられる。集積回路2は光に関して保護される位置に
設けられ、必要な電気接続部の数に合わせた最適の端子
を備えている。
で、またこれに対して増幅集積回路は扁平条片技術で取
付けられる。集積回路2は光に関して保護される位置に
設けられ、必要な電気接続部の数に合わせた最適の端子
を備えている。
【0015】半導体集合体は、光電素子において普通の
方法により製造することができるモールド体で包囲され
ている。図1〜3に示すモールド体7は標準モールド技
術で問題なく製造されて、型から除かれる。部分7に一
体化されるレンズは、受信チツプ1及び送信チツプ4に
対して別々に最適化される。更に両方のレンズ状表面
7.1及び7.2は、送信チツプ4が受信チツプ1を直
接照射しないようにする。
方法により製造することができるモールド体で包囲され
ている。図1〜3に示すモールド体7は標準モールド技
術で問題なく製造されて、型から除かれる。部分7に一
体化されるレンズは、受信チツプ1及び送信チツプ4に
対して別々に最適化される。更に両方のレンズ状表面
7.1及び7.2は、送信チツプ4が受信チツプ1を直
接照射しないようにする。
【0016】光に関係するチツプは直立条片技術で導体
条片装置の上端面に設けられているので、完成した集合
体の寸法は非常に小さくなる。この集合体は、小さい寸
法のため、光データ伝送用のPCMCIAカードへ組込
むのにも適している。
条片装置の上端面に設けられているので、完成した集合
体の寸法は非常に小さくなる。この集合体は、小さい寸
法のため、光データ伝送用のPCMCIAカードへ組込
むのにも適している。
【図1】半導体集合体の斜視図である。
【図2】半導体集合体の側面図である。
【図3】半導体集合体の平面図である。
1 受信チツプ 2 集積回路 3 導体条片装置 3.1〜3.9 条片部分 4 受信チツプ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04B 10/04 10/06
Claims (5)
- 【請求項1】赤外線範囲の光線に反応して光電流を発生
する受信チツプ(1)と、 受信チツプ(1)の光電流を増幅する集積回路(2)
と、 受信チツプ(1)及び集積回路(2)を設けられる少な
くとも3つの条片部分を持つ導体条片装置(3)とを有
する半導体集合体において、 半導体集合体が赤外線範囲の光線を放射する送信チツプ
(4)を含み、 集積回路(2)が導体条片装置(3)の縦方向に対して
平行な第1の面上に設けられ、 送信チツプ(4)及び受信チツプ(1)か導体条片装置
(3)の端面において第1の面に対して直角な第2の面
に設けられていることを特徴とする、導線なしの双方向
光データ伝送用半導体集合体。 - 【請求項2】 第1の条片部分(3.8)がその端面に
一体に形成される反射鏡(5)を持ち、この反射鏡
(5)内に送信チツプ(4)が取付けられていることを
特徴とする、請求項1に記載の半導体積層体。 - 【請求項3】 第2の条片部分(3.6)が端部に曲げ
られる部分(6)を持ち、この曲げられる部分(6)に
受信チツプ(1)が設けられていることを特徴とする、
請求項1又は2に記載の半導体積層体。 - 【請求項4】 導体条片装置(3)が部分的に、また集
積回路(2)、受信チツプ(1)及び及び送信チツプ
(4)が完全に、赤外線範囲の光線を透過するモールド
体(7)により包囲されていることを特徴とする、請求
項1ないし3の1つに記載の半導体積層体。 - 【請求項5】 モールド体(7)が、送信チツプ(4)
及び受信チツプ(1)のために、光を屈折させるレンズ
状素子として構成される表面(7.1,7.2)をそれ
ぞれ持つていることを特徴とする、請求項4に記載の半
導体積層体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4440088A DE4440088A1 (de) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | Halbleiterbaugruppe für die bidirektionale, leitungsungebundene, optische Datenübertragung |
DE4440088.8 | 1994-11-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08228021A true JPH08228021A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=6532923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32495895A Pending JPH08228021A (ja) | 1994-11-10 | 1995-11-09 | 導線なしの双方向光データ伝送用半導体集合体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5668383A (ja) |
EP (1) | EP0712161B1 (ja) |
JP (1) | JPH08228021A (ja) |
KR (1) | KR960019813A (ja) |
DE (2) | DE4440088A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5024449B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2012-09-12 | 株式会社村田製作所 | 同軸コネクタ用レセプタクル |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19601949B4 (de) * | 1995-01-13 | 2004-08-12 | Stratos Lightwave, Inc. (n.d.Ges.d. Staates Delaware), Harwood Heights | System zum Schaffen einer statischen Entladung und einer elektromagnetischen Abschirmung |
CA2166357C (en) * | 1995-12-29 | 2002-07-02 | Albert John Kerklaan | Infrared transceiver for an application interface card |
JP3416942B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2003-06-16 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュールおよび光モジュール用リードフレーム |
DE19808004A1 (de) * | 1998-02-26 | 1999-09-09 | Vishay Semiconductor Gmbh | Bauteil zur optischen Datenübertragung |
US6169295B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-01-02 | Maxim Integrated Products, Inc. | Infrared transceiver module and method for making same |
DE19845703C2 (de) * | 1998-10-05 | 2000-11-23 | Vishay Semiconductor Gmbh | Bauteil zur optischen Datenübertragung |
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