JPH08222586A - 半導体チップのダイボンディング方法 - Google Patents

半導体チップのダイボンディング方法

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JPH08222586A
JPH08222586A JP2675995A JP2675995A JPH08222586A JP H08222586 A JPH08222586 A JP H08222586A JP 2675995 A JP2675995 A JP 2675995A JP 2675995 A JP2675995 A JP 2675995A JP H08222586 A JPH08222586 A JP H08222586A
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JP
Japan
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semiconductor chip
solder sheet
bonded
heat sink
die
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JP2675995A
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Motojiro Shibata
元二郎 芝田
Noriyasu Kashima
規安 加島
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

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  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】リードフレーム、ヒートシンク等の被ボンディ
ング部材に半導体チップをはんだシートを用いてダイボ
ンディングする際に、はんだシートの位置ずれによる種
々の弊害を防止することのできる半導体チップのダイボ
ンディング方法を提供する。 【構成】ヒートシンク4の上に載置されたはんだシート
6の複数箇所を先端部が細長い加圧治具7で加圧し、ヒ
ートシンク4の表面に複数の加圧痕8を加圧治具7によ
って形成することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム、ヒー
トシンク等の被ボンディング部材に半導体チップをダイ
ボンディングする方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】リードフレーム、ヒートシンク等の被ボ
ンディング部材に半導体チップをダイボンディングする
場合、従来は耐熱性の接着剤を用いて半導体チップを被
ボンディング部材にダイボンディングしている。しかし
ながら、このような方法は半導体チップから被ボンディ
ング部材への熱伝導性が悪いという難点がある。
【0003】そこで、上記のような難点を解消する方法
として、被ボンディング部材の上にはんだシートを載置
し、このはんだシートを溶かして半導体チップを被ボン
ディング部材にダイボンディングする方法が提案されて
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した方法による
と、半導体チップから被ボンディング部材への熱伝導性
を改善することができるが、次のような問題があった。
すなわち、上述した方法では、半導体チップをはんだシ
ートの上に載置したときにはんだシートの位置がずれて
しまうことがあり、位置ずれを起したはんだシートがイ
ンナリード等に接触して短絡等を引き起こすという難点
があった。
【0005】本発明は上述した問題点に鑑みてなされた
もので、その目的はリードフレーム、ヒートシンク等の
被ボンディング部材に半導体チップをはんだシートを用
いてダイボンディングする際に、はんだシートの位置ず
れによる種々の弊害を防止することのできる半導体チッ
プのダイボンディング方法を提供しようとするものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、リードフレーム、ヒートシンク等の
被ボンディング部材にはんだシートを用いて半導体チッ
プをダイボンディングする際に、はんだシートを先端部
が先細状に形成された加圧治具で加圧し、はんだシート
を被ボンディング部材に仮圧着することを特徴とするも
のである。
【0007】
【作用】上記の方法によると、はんだシートを被ボンデ
ィング部材に仮圧着されることになるので、はんだシー
トの上に半導体チップを載置してもはんだシートが位置
ずれを起こすことがない。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1および図2を
参照して説明する。図2は半導体パッケージの一例を示
す図であり、この半導体パッケージ1は半導体チップ2
を有している。この半導体チップ2は回路基板3の中央
部に設けられたヒートシンク4にはんだシートを溶かし
て固着(ダイボンディング)されており、半導体チップ
2で発生した熱はヒートシンク4を通じて放熱フィン5
に伝わるようになっている。
【0009】上記のような構成において、半導体チップ
2をヒートシンク4にダイボンディングするときには、
図1(a)に示すように、ヒートシンク4の表面に厚さ
が50μm程度のはんだシート6を載置する。
【0010】次に、図1(b)および図1(c)に示す
ように、はんだシート6の複数箇所を先端部が細長い先
細状の加圧治具7で加圧し、ヒートシンク4の表面に複
数の加圧痕8を加圧治具7によって形成する。
【0011】このようにヒートシンク4の上に載置され
たはんだシート6の複数箇所を先端部が細長い加圧治具
7で加圧し、ヒートシンク4の表面に複数の加圧痕8を
加圧治具7によって形成すると、図1(c)に示すよう
に、はんだシート6の一部が加圧痕8の中に埋め込まれ
た状態となる。したがって、この状態で半導体チップ2
をはんだシート6の上に載置してもはんだシート6が位
置ずれを起こすようなことがなく、はんだシート6の位
置ずれによる種々の弊害を防止することができる。
【0012】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えばヒートシンク4の上にはんだシ
ート6を載置する前に、はんだシート6が載置されるヒ
ートシンク4の表面に、はんだシート6との接合性を高
める目的で金メッキ等を施してもよい。
【0013】また、ヒートシンク4が比較的硬質の金属
材料で構成されている場合には、ヒートシンク4の上に
はんだシート6を載置する前に、はんだシート6が載置
されるヒートシンク4の表面にヒートシンク4よりも軟
質の金属層を形成してもよい。このようにすれば、加圧
治具7ではんだシート6の複数箇所を加圧した際に加圧
治具7を破損させることなく金属層の表面に加圧痕を容
易に形成することができる。
【0014】次に、本発明の他の実施例を図3および図
4を参照して説明する。図3は半導体チップ2がダイボ
ンディングされたリードフレーム9を示す図であり、こ
のリードフレーム9のダイパッド部9aに半導体チップ
2をダイボンディングするときには、図4(a)に示す
ように、ダイパッド部9aの表面に厚さが50μm程度
のはんだシート6を載置する。
【0015】次に、図4(b)および図4(c)に示す
ように、はんだシート6の複数箇所を先端部が細長い先
細状の加圧治具7で加圧し、ダイパッド部9aの表面に
複数の加圧痕8を加圧治具7によって形成する。
【0016】このようにダイパッド部9aの上に載置さ
れたはんだシート6の複数箇所を先端部が細長い加圧治
具7で加圧し、ヒートシンク4の表面に複数の加圧痕8
を加圧治具7によって形成すると、図4(c)に示すよ
うに、はんだシート6の一部が加圧痕8の中に埋め込ま
れた状態となる。したがって、この状態で半導体チップ
2をはんだシート6の上に載置してもはんだシート6が
位置ずれを起こすようなことがなく、はんだシート6の
位置ずれによる種々の弊害を防止することができる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードフレーム、ヒートシンク等の被ボンディング部材
に半導体チップをはんだシートを用いてダイボンディン
グする際に、はんだシートの位置ずれによる種々の弊害
を防止することのできる半導体チップのダイボンディン
グ方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る半導体チップのダイボ
ンディング方法を示す図。
【図2】半導体パッケージの一例を示す図。
【図3】本発明の他の実施例に係る半導体チップのダイ
ボンディング方法を示す図。
【図4】半導体チップがダイボンディングされたリード
フレームを示す図。
【符号の説明】
2…半導体チップ 4…ヒートシンク 5…放熱フィン 6…はんだシート 7…加圧治具 8…加圧痕 9…リードフレーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレーム、ヒートシンク等の被ボ
    ンディング部材にはんだシートを用いて半導体チップを
    ダイボンディングする際に、前記はんだシートを先端部
    が先細状に形成された加圧治具で加圧し、前記はんだシ
    ートを前記被ボンディング部材に仮圧着することを特徴
    とする半導体チップのダイボンディング方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体チップのダイボン
    ディング方法において、前記はんだシートを前記被ボン
    ディング部材に載置する際に、前記はんだシートが載置
    される前記被ボンディング部材の表面に金メッキを施す
    ことを特徴とする半導体チップのダイボンディング方
    法。
JP2675995A 1995-02-15 1995-02-15 半導体チップのダイボンディング方法 Pending JPH08222586A (ja)

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