JPH08204407A

JPH08204407A - Ｓ／ｎエンハンサ

Info

Publication number: JPH08204407A
Application number: JP7028643A
Authority: JP
Inventors: Takekazu Okada; 田剛和岡; Satoru Niimura; 村悟新; Fumio Kanetani; 谷文夫金; Shinichiro Ichiguchi; 口真一郎市; Toshihiro Nomoto; 本俊裕野
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd; Nippon Hoso Kyokai NHK; Japan Broadcasting Corp
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1995-01-24
Filing date: 1995-01-24
Publication date: 1996-08-09
Also published as: EP0724330A1; KR960030475A; CN1139322A; TW301808B

Abstract

(57)【要約】【目的】良好なエンハンス特性を簡単に得ることがで
きるＳ／Ｎエンハンサを提供する。【構成】このＳ／Ｎエンハンサ１０は、静磁波素子３
０を含む。静磁波素子３０は、たとえば短冊状のＧＧＧ
基板３２を含み、ＧＧＧ基板３２の一方主面にフェリ磁
性基体としてのＹＩＧ薄膜３４が形成される。この静磁
波素子３０は、４つのトランスデューサ１６ａ〜１６ｄ
上に配置される。そして、２つのトランスデューサ１６
ａ，１６ｂおよび静磁波素子３０の一端側部分３０ａな
どで第１の静磁波フィルタが構成され、別の２つのトラ
ンスデューサ１６ｃ，１６ｄおよび静磁波素子３０の他
端側部分３０ｂなどで第２の静磁波フィルタが構成され
る。。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はＳ／Ｎエンハンサに関
し、特に、入力信号中の主信号の振幅を制限するための
第１の静磁波フィルタおよびその主信号を通過するため
の第２の静磁波フィルタを有し、入力信号中の主信号と
ノイズとの比（Ｓ／Ｎ）を改善し、たとえば、衛星放送
受信に用いられる、Ｓ／Ｎエンハンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のＳ／Ｎエンハンサの一例が、特開
平４−１２３５０２号に開示されている。図８はこのよ
うな従来のＳ／Ｎエンハンサの一例を示す回路図であ
る。図８に示すＳ／Ｎエンハンサ１は入力端子２を含
む。入力端子２は、分配器としての方向性結合器３の入
力端に接続される。この方向性結合器３は、入力端子２
に入力された入力信号を入力信号とほぼ同じレベルの高
レベル信号とたとえば３０ｄＢ程度減衰した低レベル信
号とに分配するためのものである。

【０００３】方向性結合器３の２つの出力端は、表面静
磁波モードを利用した２つの静磁波フィルタ４および５
の入力端にそれぞれ接続される。これらの静磁波フィル
タ４および５は、同様の周波数選択的に非線形な振幅制
限特性を有する。周波数選択的に非線形な振幅制限特性
とは、ある周波数ｆ₁の信号が飽和レベルを超えて振幅
制限を受けている場合でも、その周波数ｆ₁とは異なっ
た周波数ｆ₂の信号が飽和レベル以下ならば、その周波
数ｆ₂の信号は振幅制限を受けない特性をいう。つま
り、周波数選択的に非線形な振幅制限特性とは、信号が
飽和レベルを超えた場合に起こる飽和動作による振幅制
限がそれぞれの周波数において独立して起こる特性をい
う。一方の静磁波フィルタ４は、方向性結合器３から出
力される高レベル信号中のレベルの高い主信号の振幅を
制限するためのリミッタとして用いられる。また、他方
の静磁波フィルタ５は、方向性結合器３から出力される
低レベル信号を通過させるために用いられる。

【０００４】一方の静磁波フィルタ４の出力端は、減衰
器６の入力端に接続される。この減衰器６は、静磁波フ
ィルタ４から出力される信号のレベルを減衰するための
ものである。また、他方の静磁波フィルタ５の出力端
は、遅延線７の入力端に接続される。この遅延線７は、
静磁波フィルタ５から出力される信号の位相を遅延する
ためのものである。さらに、減衰器６の出力端および遅
延線７の出力端は、合成器としての方向性結合器８の２
つの入力端にそれぞれ接続される。この方向性結合器８
は、減衰器６から出力される信号のレベルを減衰し、そ
のレベルを減衰した信号と遅延線７から出力される信号
とを合成するためのものである。また、方向性結合器８
の出力端は、出力端子９に接続される。

【０００５】したがって、このＳ／Ｎエンハンサ１で
は、入力端子２および出力端子９間において、方向性結
合器３，静磁波フィルタ４，減衰器６および方向性結合
器８で第１の信号経路が構成され、方向性結合器３，静
磁波フィルタ５，遅延線７および方向性結合器８で第２
の信号経路が構成される。

【０００６】このＳ／Ｎエンハンサ１では、レベルが高
い主信号とその主信号に対して周波数が異なりかつレベ
ルが低いノイズとを含む入力信号が、入力端子２に入力
された場合、その入力信号は、方向性結合器３によって
入力信号とほぼ同じレベルの高レベル信号とたとえば３
０ｄＢ程度減衰した低レベル信号とに分配される。この
場合、高レベル信号は周波数が互いに異なるレベルの高
い主信号とレベルの低いノイズとを含み、低レベル信号
は周波数が互いに異なるレベルの低い主信号とさらにレ
ベルの低いノイズとを含む。

【０００７】一方の静磁波フィルタ４において、高レベ
ル信号中の主信号はレベルが高いので振幅制限を受ける
が、高レベル信号中のノイズは周波数が主信号の周波数
と異なりかつレベルが低いので振幅制限を受けない。そ
れに対して、他方の静磁波フィルタ５において、低レベ
ル信号中の主信号およびノイズは、ともにレベルが低い
ので振幅制限を受けない。なお、静磁波フィルタ４およ
び５における挿入損失によって、高レベル信号および低
レベル信号は、それぞれレベルが少し減衰する。

【０００８】また、一方の静磁波フィルタ４から出力さ
れる信号のレベルは減衰器６によって減衰され、他方の
静磁波フィルタ５から出力される信号の位相は遅延線７
によって遅延される。そして、方向性結合器８によっ
て、減衰器６から出力される信号のレベルが減衰され、
そのレベルが減衰された信号と遅延線７から出力される
信号とが合成される。この場合、方向性結合器８で合成
される２つの信号中のノイズが等しいレベルになりかつ
互いに逆の位相になるように、静磁波フィルタ４から出
力される信号のレベルが減衰器６で減衰され、静磁波フ
ィルタ５から出力される信号の位相が遅延線７で遅延さ
れる。そのため、静磁波フィルタ４を含む第１の信号経
路を通るノイズと静磁波フィルタ５を含む第２の信号経
路を通るノイズとは、方向性結合器８によって相殺され
る。また、第１の信号経路を通る主信号は静磁波フィル
タ４によって振幅制限を受けるが、第２の信号経路を通
る主信号は静磁波フィルタ５によって振幅制限を受けな
い。そのため、方向性結合器８の出力端ないし出力端子
９には、その振幅制限を受けた分に対応する主信号が得
られる。したがって、このＳ／Ｎエンハンサ１では、入
力信号のＳ／Ｎが改善される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来のＳ／Ｎエンハン
サ１では、２つの静磁波フィルタ４および５に、２枚の
たとえばＹＩＧ薄膜などのフェリ磁性基体が用いられて
いる。

【００１０】ＹＩＧ薄膜などのフェリ磁性基体は、ＹＩ
Ｇなどのフェリ磁性体を液相成長してウエハを形成し、
そのウエハをカットすることによって、多数形成され
る。この場合、２枚のフェリ磁性基体は、ウエハをカッ
トする部分によって、磁気共鳴半値幅ΔＨおよび飽和磁
化４πＭｓなどの材料特性が大きく異なる。そのため、
２枚のフェリ磁性基体の材料特性は、異なる場合が多
い。

【００１１】また、２枚のＹＩＧ薄膜などのフェリ磁性
基体は、それらを磁界の方向に対して同様の方向に並べ
ることが困難であるため、それらに同様な磁界を印加す
ることが困難である。

【００１２】以上のように、２枚のフェリ磁性基体の材
料特性が異なる場合が多く、しかも、２枚のフェリ磁性
基体に同様な磁界を印加することが困難であるため、同
様な入出力特性を有する２つの静磁波フィルタを構成す
ることは困難であり、従来のＳ／Ｎエンハンサ１におい
て、良好なエンハンス特性を得ることが困難である。な
お、従来のＳ／Ｎエンハンサ１では、２枚のフェリ磁性
基体を形成しなければならないので、生産性も悪い。

【００１３】それゆえに、この発明の主たる目的は、良
好なエンハンス特性を簡単に得ることができる、Ｓ／Ｎ
エンハンサを提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明は、入力信号中
の主信号の振幅を制限するための第１の静磁波フィルタ
と、主信号を通過するための第２の静磁波フィルタとを
含むＳ／Ｎエンハンサにおいて、第１の静磁波フィルタ
に用いられるフェリ磁性基体と第２のフェリ磁性基体に
用いられるフェリ磁性基体とが、第１の静磁波フィルタ
および第２の静磁波フィルタにおける静磁波の伝搬方向
と同じ方向に延びて一体的に形成される、Ｓ／Ｎエンハ
ンサである。

【００１５】この発明にかかるＳ／Ｎエンハンサにおい
て、フェリ磁性基体の長手方向における一端側に第１の
静磁波フィルタの２つのトランスデューサが間隔を隔て
て配置され、フェリ磁性基体の長手方向における他端側
に第２の静磁波フィルタの２つのトランスデューサが間
隔を隔てて配置され、さらにフェリ磁性基体の長手方向
における中央部に静磁波を吸収するための静磁波吸収材
が形成されることが、後述の理由によって好ましい。

【００１６】さらに、この発明にかかるＳ／Ｎエンハン
サにおいて、第１の静磁波フィルタおよび第２の静磁波
フィルタの前段に設けられ、入力信号を第１の信号およ
び第２の信号に分配し、第１の信号を第１の静磁波フィ
ルタ側に出力し、第２の信号を第２の静磁波フィルタ側
に出力するための分配器と、第１の静磁波フィルタおよ
び第２の静磁波フィルタの後段に設けられ、第１の静磁
波フィルタから出力される信号と第２の静磁波フィルタ
から出力される信号との２つの信号を合成するための合
成器と、合成器で合成される２つの信号中のノイズのレ
ベルを一致させるためのレベル調整手段と、その２つの
信号中のノイズの位相を互いに逆の位相に調整するため
の位相調整手段とを含むことが、後述の理由によって好
ましい。なお、この場合、レベル調整手段は、たとえ
ば、分配器と第２の静磁波フィルタとの間に設けられる
第１の減衰器と、第１の静磁波フィルタと合成器との間
に設けられる第２の減衰器とを含み、位相調整手段は、
たとえば、第２の静磁波フィルタと合成器との間に設け
られる位相器を含む。

【００１７】また、この発明にかかるＳ／Ｎエンハンサ
において、第１の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フ
ィルタの前段に設けられ、入力信号を広帯域において第
１の位相差を有する第１の信号および第２の信号に分配
し、第１の信号を第１の静磁波フィルタ側に出力し、第
２の信号を第２の静磁波フィルタ側に出力するための第
１のハイブリッドと、第１の静磁波フィルタおよび第２
の静磁波フィルタの後段に設けられ、第１の静磁波フィ
ルタから出力される信号と第２の静磁波フィルタから出
力される信号との２つの信号を広帯域において第２の位
相差で合成するための第２のハイブリッドと、第２のハ
イブリッドで合成される２つの信号中のノイズのレベル
を一致させるためのレベル調整手段とを含み、第１の位
相差と第２の位相差との和が（２ｎ＋１）×１８０度
（ｎ＝０，１，２，３，・・・）であることが、後述の
理由によって好ましい。なお、この場合、レベル調整手
段は、たとえば、第１のハイブリッドと第２の静磁波フ
ィルタとの間に設けられる第１の減衰器と、第１の静磁
波フィルタと第２のハイブリッドとの間に設けられる第
２の減衰器とを含む。

【００１８】

【作用】たとえばＹＩＧ薄膜などのフェリ磁性基体は、
たとえばＹＩＧなどのフェリ磁性体を成長してウエハを
形成し、そのウエハをカットすることによって、形成さ
れるが、この発明では、第１の静磁波フィルタに用いら
れるフェリ磁性基体と第２の静磁波フィルタに用いられ
るフェリ磁性基体とが一体的に形成されるため、第１の
静磁波フィルタおよび第２の静磁波フィルタに用いられ
るフェリ磁性基体がウエハ内で接近し、フェリ磁性基体
の磁気共鳴半値幅ΔＨおよび飽和磁化４πＭｓなどの材
料特性が近似する。

【００１９】さらに、この発明では、第１の静磁波フィ
ルタに用いられるフェリ磁性基体と第２の静磁波フィル
タに用いられるフェリ磁性基体とがそれらの静磁波フィ
ルタにおける静磁波の伝搬方向と同じ方向に延びて一体
的に形成されるため、第１の静磁波フィルタおよび第２
の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体は、平行
な磁界の方向に対して同様な方向に配置され、同様な磁
界が印加される。

【００２０】以上のように、この発明では、第１の静磁
波フィルタおよび第２の静磁波フィルタに用いられるフ
ェリ磁性基体の材料特性が近似し、しかも、第１の静磁
波フィルタおよび第２の静磁波フィルタに用いられるフ
ェリ磁性基体に同様な磁界が印加されるため、同様な入
出力特性を有する２つの静磁波フィルタが簡単に構成さ
れ、良好なエンハンス特性が簡単に得られる。

【００２１】

【発明の効果】この発明によれば、良好なエンハンス特
性を簡単に得ることができる、Ｓ／Ｎエンハンサが得ら
れる。

【００２２】また、この発明にかかるＳ／Ｎエンハンサ
では、第１の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基
体と第２のフェリ磁性基体に用いられるフェリ磁性基体
とが一体的に形成されるため、１枚のフェリ磁性基体を
形成すればよくなり、生産性が向上する。

【００２３】この発明において、フェリ磁性基体の長手
方向における一端側に第１の静磁波フィルタの２つのト
ランスデューサが間隔を隔てて配置され、フェリ磁性基
体の長手方向における他端側に第２の静磁波フィルタの
２つのトランスデューサが間隔を隔てて配置され、さら
にフェリ磁性基体の長手方向における中央部に静磁波を
吸収するための静磁波吸収材が形成される場合には、第
１の静磁波フィルタから第２の静磁波フィルタ側へ伝搬
されようとする静磁波および第２の静磁波フィルタから
第１の静磁波フィルタ側へ伝搬されようとする静磁波が
静磁波吸収材で吸収されるので、第１の静磁波フィルタ
および第２の静磁波フィルタ間の静磁波による干渉を防
止することができる。

【００２４】さらに、この発明において、第１の静磁波
フィルタおよび第２の静磁波フィルタの前段に設けら
れ、入力信号を第１の信号および第２の信号に分配し、
第１の信号を第１の静磁波フィルタ側に出力し、第２の
信号を第２の静磁波フィルタ側に出力するための分配器
と、第１の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フィルタ
の後段に設けられ、第１の静磁波フィルタから出力され
る信号と第２の静磁波フィルタから出力される信号との
２つの信号を合成するための合成器と、合成器で合成さ
れる２つの信号中のノイズのレベルを一致させるための
レベル調整手段と、その２つの信号中のノイズの位相を
互いに逆の位相に調整するための位相調整手段とを含む
場合には、合成器で合成される２つの信号中のノイズの
レベルがレベル調整手段によって一致されかつそれらの
ノイズの位相が位相調整手段によって互いに逆の位相に
なるので、それらのノイズを確実に相殺することができ
る。そのため、Ｓ／Ｎをさらに改善することができる。

【００２５】また、この発明において、第１の静磁波フ
ィルタおよび第２の静磁波フィルタの前段に設けられ、
入力信号を広帯域において第１の位相差を有する第１の
信号および第２の信号に分配し、第１の信号を第１の静
磁波フィルタ側に出力し、第２の信号を第２の静磁波フ
ィルタ側に出力するための第１のハイブリッドと、第１
の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フィルタの後段に
設けられ、第１の静磁波フィルタから出力される信号と
第２の静磁波フィルタから出力される信号との２つの信
号を広帯域において第２の位相差で合成するための第２
のハイブリッドと、第２のハイブリッドで合成される２
つの信号中のノイズのレベルを一致させるためのレベル
調整手段とを含み、第１の位相差と第２の位相差との和
が（２ｎ＋１）×１８０度（ｎ＝０，１，２，３，・・
・）である場合には、入力信号が第１のハイブリッドに
よって広帯域において第１の位相差を有する第１の信号
および第２の信号に分配され、第１の静磁波フィルタか
ら出力される信号と第２の静磁波フィルタから出力され
る信号との２つの信号が第２のハイブリッドによって広
帯域において第２の位相差で合成され、第１の位相差と
第２の位相差との和が（２ｎ＋１）×１８０度（ｎ＝
０，１，２，３，・・・）であるため、第２のハイブリ
ッドで合成される２つの信号の位相は広帯域において逆
の位相になる。さらに、第２のハイブリッドで合成され
る２つの信号中のノイズのレベルがレベル調整手段によ
って一致される。そのため、第２のハイブリッドで合成
される２つの信号中のノイズが広帯域において確実に相
殺される。したがって、所望のエンハンスメント量以上
である動作周波数帯域が広帯域であるＳ／Ｎエンハンサ
が得られる。さらに、この場合、Ｓ／Ｎエンハンサの動
作周波数帯域が広いので、温度が変化したときに、動作
周波数帯域が変動しても実際に使用したい使用周波数か
ら外れにくい上に、動作周波数帯域内に使用周波数が入
るように動作周波数帯域を調整することが簡単であっ
て、動作周波数帯域を調整するために短時間しかかから
ない。

【００２６】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００２７】

【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す平面図解図
であり、図２はその要部を示す断面図解図である。この
Ｓ／Ｎエンハンサ１０は、たとえば合成樹脂，セラミッ
クなどの誘電体からなるたとえば矩形状の基板１２を含
む。この基板１２には、４つのスルーホール１４ａ，１
４ｂ，１４ｃおよび１４ｄが交互に並ぶように形成され
る。

【００２８】基板１２の一方主面には、４つのライン電
極からなる４つのトランスデューサ１６ａ，１６ｂ，１
６ｃおよび１６ｄが、間隔を隔てて平行に形成される。
この場合、４つのトランスデューサ１６ａ〜１６ｄは、
４つのスルーホール１４ａ〜１４ｄの近傍から延びてそ
れぞれ形成される。

【００２９】また、基板１２の一方主面には、２つの引
出し電極１８ａおよび１８ｂが形成される。

【００３０】さらに、基板１２の一方主面には、分配器
２０，たとえば抵抗器からなる第１の減衰器２２，たと
えば抵抗器からなる第２の減衰器２４，たとえば遅延線
からなる位相器２６および合成器２８が取り付けられ
る。

【００３１】分配器２０は、入力信号を同様のレベルの
第１の信号および第２の信号に分配するためのものであ
り、１つの入力端，第１の出力端および第２の出力端を
有する。この分配器２０の入力端には、入力端子２１が
接続される。また、分配器２０の第１の出力端は、トラ
ンスデューサ１６ａの一端に接続される。さらに、分配
器２０の第２の出力端は、引出し電極１８ａを介して、
第１の減衰器２２の入力端に接続される。

【００３２】第１の減衰器２２は、分配器２０の第２の
出力端から出力される第２の信号のレベルをたとえば３
０ｄＢ減衰するためのものである。第１の減衰器２２の
出力端は、トランスデューサ１６ｃの一端に接続され
る。

【００３３】第２の減衰器２４は、それに入力される信
号のレベルをたとえば３０ｄＢ減衰するためのものであ
る。第２の減衰器２４の入力端は、トランスデューサ１
６ｂの一端に接続される。また、第２の減衰器２４の出
力端は、引出し電極１８ｂを介して合成器２８の第１の
入力端に接続される。

【００３４】位相器２６は、それに入力される信号の位
相を調整するためのものである。位相器２６は、その入
力端がトランスデューサ１６ｄの一端に接続され、その
出力端が合成器２８の第２の入力端に接続される。

【００３５】合成器２８は、第２の減衰器２４から出力
される信号と位相器２６から出力される信号との２つの
信号を合成するためのものである。合成器２８の出力端
は、出力端子２９に接続される。

【００３６】さらに、基板１２の一方主面には、４つの
トランスデューサ１６ａ〜１６ｄ上に静磁波素子３０が
取り付けられる。なお、４つのトランスデューサ１６ａ
〜１６ｄの他端は、スルーホール１４ａ〜１４ｄを介し
てそれぞれアースされる。

【００３７】静磁波素子３０は、図２に示すように、た
とえば短冊状のＧＧＧ基板３２を含み、そのＧＧＧ基板
３２の一方主面にフェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜３
４が形成されている。そして、この静磁波素子３０は、
ＹＩＧ薄膜３４の表面が基板１２の一方主面に対向する
ように取り付けられる。また、この場合、静磁波素子３
０は、その一端側部分３０ａが２つのトランスデューサ
１６ａおよび１６ｂに対向し、その他端側部分３０ｂが
別の２つのトランスデューサ１６ｃおよび１６ｄに対向
するように取り付けられる。なお、その静磁波素子３０
のＹＩＧ薄膜３４の表面の長手方向における一端部，中
央部および他端部には、ＹＩＧ薄膜３４に発生する不要
な静磁波を吸収するための静磁波吸収材３６ａ，３６ｂ
および３６ｃが、それぞれ形成されている。

【００３８】さらに、静磁波素子３０の両側において基
板１２の両側には、たとえばフェライトからなる永久磁
石３８ａおよび３８ｂが、それぞれ取り付けられる。こ
の場合、永久磁石３８ａおよび３８ｂは、それらの間に
おいてトランスデューサ１６ａ〜１６ｄの延びる方向に
磁界が発生するように配置される。そのため、静磁波素
子３０には、トランスデューサ１６ａ〜１６ｄの延びる
方向に磁界が印加される。したがって、この静磁波素子
３０は、表面静磁波モードを利用した静磁波素子とな
る。

【００３９】そして、２つのトランスデューサ１６ａ，
１６ｂおよび静磁波素子３０の一端側部分３０ａなど
が、第１の静磁波フィルタとして用いられる。この第１
の静磁波フィルタは、周波数選択的に非線形な振幅制限
特性を有する。この第１の静磁波フィルタは、分配器２
０の第１の出力端から出力される第１の信号中の主信号
の振幅を制限するためのものである。この場合、この第
１の静磁波フィルタでは、トランスデューサ１６ａの一
端が入力端として用いられ、トランスデューサ１６ｂの
一端が出力端として用いられる。

【００４０】また、別の２つのトランスデューサ１６
ｃ，１６ｄおよび静磁波素子３０の他端側部分３０ｂな
どが、第２の静磁波フィルタとして用いられる。この第
２の静磁波フィルタは、上述の第１の静磁波フィルタと
同様の構造を有するため、上述の第１の静磁波フィルタ
と同様の入出力特性を有する。この第２の静磁波フィル
タは、入力される信号を通過させるためのものである。
この場合、この第２の静磁波フィルタでは、トランスデ
ューサ１６ｃの一端が入力端として用いられ、トランス
デーサ１６ｄの一端が出力端として用いられる。

【００４１】したがって、このＳ／Ｎエンハンサ１０で
は、入力端子２１および出力端子２９間において、分配
器２０，静磁波素子３０の一端側部分３０ａなどからな
る第１の静磁波フィルタ，第２の減衰器２４および合成
器２８で第１の信号経路が構成され、分配器２０，第１
の減衰器２２，静磁波素子３０の他端側部分３０ｂなど
からなる第２の静磁波フィルタ，位相器２６および合成
器２８で第２の信号経路が構成される。

【００４２】なお、永久磁石３８ａおよび３８ｂの外側
には、静磁波素子３０および永久磁石３８ａ，３８ｂな
どを覆うようにして、磁性体からなる断面コ字状のヨー
ク４０が取り付けられる。このヨーク４０は、永久磁石
３８ａおよび３８ｂ間の磁気抵抗を小さくするとともに
静磁波素子３０および永久磁石３８ａ，３８ｂなどを保
護するためのものである。

【００４３】さらに、永久磁石３８ａおよび３８ｂの近
傍には、静磁波素子３０に印加される磁界の大きさや分
布を調整するための磁性体からなるねじ（図示せず）が
設けられている。

【００４４】次に、このＳ／Ｎエンハンサ１０の動作に
ついて説明する。

【００４５】このＳ／Ｎエンハンサ１０では、主信号と
その主信号に対して周波数が異なりかつレベルが低いノ
イズとを含む入力信号が、入力端子２１に入力された場
合、その入力信号は、分配器２０によって、第１の信号
および第２の信号に分配される。この場合、入力信号
は、分配器２０の第１の出力端および第２の出力端にお
いて、入力信号のレベルの２分の１のレベルの第１の信
号および第２の信号に分配される。また、第１の信号お
よび第２の信号は、それぞれ主信号とレベルの低いノイ
ズとを含む。

【００４６】第１の信号中の主信号は、静磁波素子３０
の一端側部分３０ａなどからなる第１の静磁波フィルタ
によって振幅制限を受ける。それに対して、第１の信号
中のノイズは、第１の信号中の主信号の周波数と異なり
かつレベルが低いので、この第１の静磁波フィルタによ
って振幅制限を受けない。なお、第１の信号は、その第
１の静磁波フィルタの挿入損失によって、レベルが少し
減衰する。この場合、静磁波素子３０の一端側部分３０
ａには、トランスデューサ１６ａからトランスデューサ
１６ｂ側に表面静磁波が伝搬する。

【００４７】また、第２の信号は、第１の減衰器２２に
よって、レベルが３０ｄＢ減衰する。

【００４８】さらに、減衰した第２の信号は、レベルが
低いので、静磁波素子３０の他端側部分３０ｂなどから
なる第２の静磁波フィルタを通過する。なお、減衰した
第２の信号は、その第２の静磁波フィルタの挿入損失に
よって、レベルが少し減衰する。この場合、静磁波素子
３０の他端側部分３０ｂには、トランスデューサ１６ｃ
からトランスデューサ１６ｄ側に表面静磁波が伝搬す
る。

【００４９】また、第１の静磁波フィルタから出力され
る信号は、第２の減衰器２４によって、レベルが３０ｄ
Ｂ減衰する。

【００５０】さらに、第２の静磁波フィルタから出力さ
れる信号は、位相器２６によって、位相が調整される。

【００５１】そして、第２の減衰器２４から出力される
信号と、位相器２６から出力される信号とは、合成器２
８によって合成される。この場合、合成器２８で合成さ
れる第１の信号経路および第２の信号経路における２つ
の信号中のノイズのレベルは、レベル調整手段としての
第１の減衰器２２および第２の減衰器２４によって一致
される。さらに、合成器２８で合成される第１の信号経
路および第２の信号経路における２つの信号の位相は、
位相調整手段としての位相器２６によって、互いに逆の
位相になる。なお、永久磁石３８ａおよび３８ｂの近傍
に設けられた磁性体からなるねじで静磁波素子３０に印
加される磁界の大きさや分布を調整することによって
も、これらの２つの信号の位相を調整することができ
る。したがって、合成器２８で合成される第１の信号経
路および第２の信号経路における２つの信号中のノイズ
は、確実に相殺される。さらに、合成器２８の出力端な
いし出力端子２９には、第１の静磁波フィルタで振幅制
限を受けた分に対応する主信号が得られる。

【００５２】このＳ／Ｎエンハンサ１０では、フェリ磁
性基体としてのＹＩＧ薄膜３４がフェリ磁性体としての
ＹＩＧを成長してウエハを形成しそのウエハをカットす
ることによって形成されるが、第１の静磁波フィルタに
用いられるフェリ磁性基体と第２の静磁波フィルタに用
いられるフェリ磁性基体とが一体的に形成されるため、
第１の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フィルタに用
いられるフェリ磁性基体がウエハ内で接近し、フェリ磁
性基体の磁気共鳴半値幅ΔＨおよび飽和磁化４πＭｓな
どの材料特性が近似する。

【００５３】さらに、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、
第１の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体と第
２の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体とがそ
れらの静磁波フィルタにおける静磁波の伝搬方向と同じ
方向に延びて一体的に形成されるため、第１の静磁波フ
ィルタおよび第２の静磁波フィルタに用いられるフェリ
磁性基体は、永久磁石３８ａおよび３８ｂによる平行な
磁界の方向に対して同様な方向に配置され、同様な磁界
が印加される。

【００５４】以上のように、このＳ／Ｎエンハンサ１０
では、第１の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フィル
タに用いられるフェリ磁性基体の材料特性が近似し、し
かも、第１の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フィル
タに用いられるフェリ磁性基体に同様な磁界が印加され
るため、同様な入出力特性を有する第１の静磁波フィル
タおよび第２の静磁波フィルタが簡単に構成され、良好
なエンハンス特性が簡単に得られる。

【００５５】さらに、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、
第１の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体と第
２のフェリ磁性基体に用いられるフェリ磁性基体とが一
体的に形成されるため、１枚のフェリ磁性基体を形成す
ればよくなり、フェリ磁性基体の切出しや取扱が簡便に
なり、生産性も向上する。

【００５６】また、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、Ｙ
ＩＧ薄膜３４の長手方向における中央部に、すなわちＹ
ＩＧ第１の静磁波フィルタのトランスデューサ１６ａお
よび１６ｂと第２の静磁波フィルタのトランスデューサ
１６ｃおよび１６ｄの間に、静磁波を吸収するための静
磁波吸収材３６ｂが形成されているので、第１の静磁波
フィルタから第２の静磁波フィルタ側へ伝搬されようと
する静磁波および第２の静磁波フィルタから第１の静磁
波フィルタ側へ伝搬されようとする静磁波が静磁波吸収
材で吸収されるので、第１の静磁波フィルタおよび第２
の静磁波フィルタ間の静磁波による干渉を防止すること
ができる。

【００５７】さらに、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、
ＹＩＧ薄膜３４の長手方向における一端部および他端部
に、静磁波を吸収するための静磁波吸収材３６ａおよび
３６ｃが形成されているので、ＹＩＧ薄膜３４の長手方
向における両端部で反射される不要な静磁波を吸収する
ことができる。

【００５８】なお、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、第
１の静磁波フィルタに表面静磁波モードを利用した静磁
波素子が用いられるため、第１の静磁波フィルタによっ
て振幅制限を受ける主信号の最低のレベルすなわち第１
の静磁波フィルタの飽和レベルが低く、主信号のレベル
が低くても入力信号のＳ／Ｎを改善することができる。

【００５９】図３はこの発明の他の実施例を示す平面図
であり、図４はその正面図である。このＳ／Ｎエンハン
サ１１０は、たとえば合成樹脂，セラミックなどの誘電
体からなるたとえば長方形の基板１１２を含む。

【００６０】基板１１２には、４つのスルーホール１１
４ａ，１１４ｂ，１１４ｃおよび１１４ｄが形成され
る。この場合、２つのスルーホール１１４ａおよび１１
４ｃは、基板１１２の長手方向における中央から少しだ
け一端よりに形成され、別の２つのスルーホール１１４
ｂおよび１１４ｄは、基板１１２の長手方向における中
央から少しだけ他端よりに形成される。また、スルーホ
ール１１４ａは基板１１２の一方の長辺の近傍に形成さ
れ、スルーホール１１４ｂは基板１１２の中央から少し
だけ一方の長辺よりに形成され、スルーホール１１４ｃ
は基板１１２の中央から少しだけ他方の長辺よりに形成
され、スルーホール１１４ｄは基板１１２の他方の長辺
の近傍に形成される。

【００６１】基板１１２の一方主面には、その長手方向
における一端から中央側に、第１のハイブリッドとして
たとえば第１の９０度ハイブリッド１２０が形成され
る。第１の９０度ハイブリッド１２０は、たとえばクラ
ンク状の２つのライン電極１２２および１２４を含む。

【００６２】一方のライン電極１２２は、基板１１２の
長手方向における一端から一方の長辺に沿って延びる幅
広の一端側部分１２２ａと、基板１１２の短辺に平行し
て延びる中間部分１２２ｂと、基板１１２の他方の長辺
に沿って延びる幅広の他端側部分１２２ｃとからなる。
このライン電極１２２の中間部分１２２ｂは、図５およ
び図６に示すように、互いに間隔を隔てて平行に配置さ
れる２つの細いライン部１２２ｂ１および１２２ｂ２を
含む。一方のライン部１２２ｂ１は一端側部分１２２ａ
から延びて形成され、他方のライン部１２２ｂ２は他端
側部分１２２ｃから延びて形成される。また、一方のラ
イン部１２２ｂ１の両端は、他方のライン部１２２ｂ２
の両端に、たとえばＵ字状の２つずつのリード線、たと
えば金線やアルミ線１２３ａおよび１２３ｂでそれぞれ
電気的にたとえばワイヤボンディング法で接続される。

【００６３】他方のライン電極１２４は、図３に示すよ
うに、基板１１２の長手方向における一端側から他方の
長辺に沿って延びる幅広の一端側部分１２４ａと、基板
１１２の短辺に平行して延びる中間部分１２４ｂと、基
板１１２の一方の長辺に沿ってスルーホール１１４ａの
近傍にまで延びる幅広の他端側部分１２４ｃとからな
る。このライン電極１２４の中間部分１２４ｂは、図５
および図６に示すように、たとえば互いに間隔を隔てて
平行に形成される３つの細いライン部１２４ｂ１，１２
４ｂ２および１２４ｂ３を含む。１つのライン部１２４
ｂ１は、ライン電極１２２の２つのライン部１２２ｂ１
および１２２ｂ２間において、一端側部分１２４ａから
他端側部分１２４ｃに延びて形成される。また、別の２
つのライン部１２４ｂ２および１２４ｂ３は、ライン部
１２２ｂ１および１２２ｂ２の両側において、一端側部
分１２４ａおよび他端側部分１２４ｃから延びてライン
部１２４ｂ１の２分の１の長さに形成される。また、ラ
イン部１２４ｂ１の長手方向における中央には、ライン
部１２４ｂ２および１２４ｂ３の先端が、たとえばＵ字
状の２つずつのリード線、たとえば金線やアルミ線１２
５ａおよび１２５ｂでそれぞれ電気的にたとえばワイヤ
ボンディング法で接続される。

【００６４】ライン電極１２４の一端側部分１２４ａに
は、図３に示すように、終端器としてたとえば５０Ωの
抵抗器１２６の一端が接続される。この抵抗器１２６の
他端はアースされる。

【００６５】上述の第１の９０度ハイブリッド１２０
は、主信号およびノイズを含む入力信号をたとえば１．
４ＭＨｚ〜２．４ＭＨｚの広帯域において９０度の位相
差を有する第１の信号および第２の信号に分配するため
のものである。この場合、第１の９０度ハイブリッド１
２０では、ライン電極１２２の一端側部分１２２ａが入
力端として用いられ、ライン電極１２４の他端側部分１
２４ｃが第１の出力端として用いられ、ライン電極１２
２の他端側部分１２２ｃが第２の出力端として用いられ
る。そして、入力端に入力された入力信号は、第１の出
力端および第２の出力端において、入力信号のレベルの
２分の１のレベルの第１の信号および第２の信号に分配
される。なお、第２の信号の位相は、第１の信号の位相
より９０度遅れる。

【００６６】さらに、基板１１２の一方主面には、第１
の９０度ハイブリッド１２０の一方のライン電極１２２
の他端側部分１２２ｃの近傍からスルーホール１１４ｃ
の近傍にわたって、たとえばＬ字状の引出し電極１３０
が形成される。そして、その他端側部分１２２ｃおよび
引出し電極１３０には、第１の減衰器としてたとえば５
０Ωの抵抗器１３２の両端がそれぞれ接続される。この
抵抗器１３２は、第１の９０度ハイブリッド１２０の第
２の出力端から出力される第２の信号のレベルをたとえ
ば３０ｄＢ減衰するためのものである。

【００６７】また、基板１１２の一方主面には、その長
手方向における中央側から他端に、第２のハイブリッド
としてたとえば第２の９０度ハイブリッド１４０が形成
される。この第２の９０度ハイブリッド１４０は、第１
の９０度ハイブリッド１２０と同様の構造を有する。

【００６８】すなわち、第２の９０ハイブリッド１４０
は、たとえばクランク状の２つのライン電極１４２およ
び１４４を含む。

【００６９】一方のライン電極１４２は、基板１１２の
一方の長辺に沿って延びる幅広の一端側部分１４２ａ
と、基板１１２の短辺に平行して延びる中間部分１４２
ｂと、基板１１２の他方の長辺に沿って延びる幅広の他
端側部分１４２ｃとからなる。このライン電極１４２の
中間部分１４２ｂは、図５および図６に示すように、互
いに間隔を隔てて平行に配置される２つの細いライン部
１４２ｂ１および１４２ｂ２を含む。一方のライン部１
４２ｂ１は一端側部分１４２ａから延びて形成され、他
方のライン部１４２ｂ２は他端側部分１４２ｃから延び
て形成される。また、一方のライン部１４２ｂ１の両端
は、他方のライン部１４２ｂ２の両端に、たとえばＵ字
状の２つずつのリード線、たとえば金線やアルミ線１４
３ａおよび１４３ｂでそれぞれ電気的にたとえばワイヤ
ボンディング法で接続される。

【００７０】他方のライン電極１４４は、図３に示すよ
うに、スルーホール１１４ｄの近傍から基板１１２の他
方の長辺に沿って延びる幅広の一端側部分１４４ａと、
基板１１２の短辺に平行して延びる中間部分１４４ｂ
と、基板１１２の一方の長辺に沿って延びる幅広の他端
側部分１４４ｃとからなる。このライン電極１４４の中
間部分１４４ｂは、図５および図６に示すように、たと
えば互いに間隔を隔てて平行に形成される３つの細いラ
イン部１４４ｂ１，１４４ｂ２および１４４ｂ３を含
む。１つのライン部１４４ｂ１は、ライン電極１４２の
２つのライン部１４２ｂ１および１４２ｂ２間におい
て、一端側部分１４４ａから他端側部分１４４ｃに延び
て形成される。また、別の２つのライン部１４４ｂ２お
よび１４４ｂ３は、ライン部１４２ｂ１および１４２ｂ
２の外側において、一端側部分１４４ａおよび他端側部
分１４４ｃから延びてライン部１４４ｂ１の２分の１の
長さに形成される。また、ライン部１４４ｂ１の長手方
向における中央には、ライン部１４４ｂ２および１４４
ｂ３の先端が、たとえばＵ字状の２つずつのリード線、
たとえば金線やアルミ線１４５ａおよび１４５ｂでそれ
ぞれ電気的にたとえばワイヤボンディング法で接続され
る。

【００７１】ライン電極１４２の他端側部分１４２ｃに
は、図３に示すように、終端器としてたとえば５０Ωの
抵抗器１４６の一端が接続される。この抵抗器１４６の
他端はアースされる。

【００７２】上述の第２の９０度ハイブリッド１４０
は、入力される２つの信号をたとえば１．４ＭＨｚ〜
２．４ＭＨｚの広帯域において９０度の位相差で合成す
るためのものである。この場合、第２の９０度ハイブリ
ッド１４０では、ライン電極１４２の一端側部分１４２
ａが第１の入力端として用いられ、ライン電極１４４の
一端側部分１４４ａが第２の入力端として用いられ、ラ
イン電極１４４の他端側部分１４４ｃが出力端として用
いられる。そして、第２の９０度ハイブリッド１４０の
第１の入力端および第２の入力端に入力された２つの信
号は、出力端において合成される。なお、２つの信号を
合成する際、第２の入力端に入力された信号の位相は、
第１の入力端に入力された信号の位相より９０度遅れ
る。

【００７３】さらに、基板１１２の一方主面には、第２
の９０度ハイブリッド１４０の一方のライン電極１４２
の一端側部分１４２ａの近傍からスルーホール１１４ｂ
の近傍にわたって、たとえばＬ字状の引出し電極１５０
が形成される。そして、その一端側部分１４２ａおよび
引出し電極１５０には、第２の減衰器としてたとえば５
０Ωの抵抗器１５２の両端がそれぞれ接続される。この
抵抗器１５２は、第２の９０度ハイブリッド１４０の第
１の入力端に入力される信号のレベルをたとえば３０ｄ
Ｂ減衰するためのものである。

【００７４】基板１１２の他方主面には、その長手方向
における中央部分に、４つのライン電極からなる４つの
トランスデューサ１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃおよび
１６０ｄが、スルーホール１１４ａ，１１４ｂ，１１４
ｃおよび１１４ｄの近傍から基板１１４の長辺に平行に
形成される。この場合、これらのトランスデューサ１６
０ａ，１６０ｂ，１６０ｃおよび１６０ｄの一端は、ス
ルーホール１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃおよび１１４
ｄを通して、ライン電極１２４の他端側部分１２４ｃ，
引出し電極１５０，引出し電極１３０およびライン電極
１４４の一端側部分１４４ａに、それぞれ電気的に接続
される。さらに、これらのトランスデューサ１６０ａ〜
１６０ｄの他端は、それぞれアースされる。

【００７５】また、基板１１２の他方主面には、４つの
トランスデューサ１６０ａ〜１６０ｄ上に静磁波素子１
６２が取り付けられる。この静磁波素子１６２は、たと
えば短冊状のＧＧＧ基板を含み、そのＧＧＧ基板の一方
主面にフェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜が形成されて
いる。そして、この静磁波素子１６２は、ＹＩＧ薄膜の
表面が基板１１２の他方主面に対向するように取り付け
られる。また、この場合、静磁波素子１６２は、その一
端側部分１６２ａが２つのトランスデューサ１６０ａお
よび１６０ｂに対向し、その他端側部分１６２ｂが別の
２つのトランスデューサ１６０ｃおよび１６０ｄに対向
するように取り付けられる。なお、その静磁波素子１６
２のＹＩＧ薄膜の表面の長手方向における一端部，中央
部および他端部には、ＹＩＧ薄膜に発生する不要な静磁
波を吸収するための静磁波吸収材１６４ａ，１６４ｂお
よび１６４ｃが、それぞれ形成されている。

【００７６】さらに、基板１１２の他方主面には、静磁
波素子１６２の両側に、たとえばフェライトからなる永
久磁石１６６ａおよび１６６ｂが、それぞれ取り付けら
れる。この場合、永久磁石１６６ａおよび１６６ｂは、
それらの間においてトランスデューサ１６０ａ〜１６０
ｄの延びる方向に磁界が発生するように配置される。そ
のため、静磁波素子１６２には、トランスデューサ１６
０ａ〜１６０ｄの延びる方向に磁界が印加される。した
がって、この静磁波素子１６２は、表面静磁波モードを
利用した静磁波素子となる。

【００７７】そして、２つのトランスデューサ１６０
ａ，１６０ｂおよび静磁波素子１６２の一端側部分１６
２ａなどが、第１の静磁波フィルタとして用いられる。
この第１の静磁波フィルタは、周波数選択的に非線形な
振幅制限特性を有する。この第１の静磁波フィルタは、
第１の９０度ハイブリッド１２０の第１の出力端から出
力される第１の信号中の主信号の振幅を制限するための
ものである。この場合、この第１の静磁波フィルタで
は、トランスデューサ１６０ａの一端が入力端として用
いられ、トランスデューサ１６０ｂの一端が出力端とし
て用いられる。

【００７８】また、別の２つのトランスデューサ１６０
ｃ，１６０ｄおよび静磁波素子１６２の他端側部分１６
２ｂなどが、第２の静磁波フィルタとして用いられる。
この第２の静磁波フィルタは、上述の第１の静磁波フィ
ルタと同様の構造を有するため、上述の第１の静磁波フ
ィルタと同様の入出力特性を有する。この第２の静磁波
フィルタは、入力される信号を通過させるためのもので
ある。この場合、この第２の静磁波フィルタでは、トラ
ンスデューサ１６０ｃの一端が入力端として用いられ、
トランスデーサ１６０ｄの一端が出力端として用いられ
る。

【００７９】なお、基板１１２の他方主面には、静磁波
素子１６２および永久磁石１６６ａ，１６６ｂなどを覆
うようにして、磁性体からなる断面コ字状のヨーク１６
８が取り付けられる。このヨーク１６８は、永久磁石１
６６ａおよび１６６ｂ間の磁気抵抗を小さくするととも
に静磁波素子１６２および永久磁石１６６ａ，１６６ｂ
などを保護するためのものである。

【００８０】したがって、このＳ／Ｎエンハンサ１１０
は、図７に示す回路を有する。

【００８１】すなわち、このＳ／Ｎエンハンサ１１０で
は、第１の９０度ハイブリッド１２０の第１の出力端
が、静磁波素子１６２の一端側部分１６２ａを用いた第
１の静磁波フィルタの入力端に接続される。また、第１
の９０度ハイブリッド１２０の第２の出力端が、第１の
減衰器としての抵抗器１３２を介して、静磁波素子１６
２の他端側部分１６２ｂを用いた第２の静磁波フィルタ
の入力端に接続される。さらに、第１の静磁波フィルタ
の出力端は、第２の減衰器としての抵抗器１５２を介し
て第２の９０度ハイブリッド１４０の第１の入力端に接
続される。また、第２の静磁波フィルタの出力端は、第
２の９０度ハイブリッド１４０の第２の入力端に接続さ
れる。

【００８２】したがって、このＳ／Ｎエンハンサ１１０
では、入力端および出力端間において、第１の９０度ハ
イブリッド１２０，静磁波素子１６２の一端側部分１６
２ａなどからなる第１の静磁波フィルタ，抵抗器１５２
からなる第２の減衰器および第２の９０度ハイブリッド
１４０で第１の信号経路が構成され、第１の９０度ハイ
ブリッド１２０，抵抗器１３２からなる第１の減衰器，
静磁波素子１６２の他端側部分１６２ｂなどからなる第
２の静磁波フィルタおよび第２の９０度ハイブリッド１
４０で第２の信号経路が構成される。

【００８３】次に、このＳ／Ｎエンハンサ１１０の動作
について説明する。

【００８４】このＳ／Ｎエンハンサ１１０では、主信号
とその主信号に対して周波数が異なりかつレベルが低い
ノイズとを含む入力信号が、第１の９０度ハイブリッド
１２０の入力端すなわちライン電極１２２の一端側部分
１２２ａに入力された場合、その入力信号は、第１の９
０度ハイブリッド１２０によって、１．４ＭＨｚ〜２．
４ＭＨｚの広帯域において９０度の位相差を有する第１
の信号および第２の信号に分配される。この場合、入力
信号は、第１の９０度ハイブリッド１２０の第１の出力
端および第２の出力端において、入力信号のレベルの２
分の１のレベルの第１の信号および第２の信号に分配さ
れる。また、第１の信号および第２の信号は、それぞれ
主信号とレベルの低いノイズとを含む。さらに、第１の
信号の位相は、第２の信号の位相より９０度遅れる。

【００８５】第１の信号中の主信号は、静磁波素子１６
２の一端側部分１６２ａなどからなる第１の静磁波フィ
ルタによって振幅制限を受ける。それに対して、第１の
信号中のノイズは、第１の信号中の主信号の周波数と異
なりかつレベルが低いので、この第１の静磁波フィルタ
によって振幅制限を受けない。なお、第１の信号は、そ
の第１の静磁波フィルタの挿入損失によって、レベルが
少し減衰する。この場合、静磁波素子１６２の一端側部
分１６２ａには、トランスデューサ１６０ａからトラン
スデューサ１６０ｂ側に表面静磁波が伝搬する。

【００８６】また、第２の信号は、抵抗器１３２からな
る第１の減衰器によって、レベルが３０ｄＢ減衰する。

【００８７】さらに、減衰した第２の信号は、レベルが
低いので、静磁波素子１６２の他端側部分１６２ｂなど
からなる第２の静磁波フィルタを通過する。なお、減衰
した第２の信号は、その第２の静磁波フィルタの挿入損
失によって、レベルが少し減衰する。この場合、静磁波
素子１６２の一端側部分１６２ａには、トランスデュー
サ１６０ｃからトランスデューサ１６０ｄ側に表面静磁
波が伝搬する。

【００８８】また、第１の静磁波フィルタから出力され
る信号は、抵抗器１５２からなる第２の減衰器によっ
て、レベルが３０ｄＢ減衰する。

【００８９】そして、第２の減衰器から出力される信号
と、第２の静磁波フィルタから出力される信号とは、第
２の９０度ハイブリッド１４０によって、１．４ＭＨｚ
〜２．４ＭＨｚの広帯域において９０度の位相差で合成
される。この場合、第２の９０度ハイブリッド１４０で
合成される第１の信号経路および第２の信号経路におけ
る２つの信号中のノイズのレベルは、レベル調整手段と
しての第１の減衰器および第２の減衰器によって一致さ
れる。さらに、第２の９０度ハイブリッド１４０で合成
される第１の信号経路および第２の信号経路における２
つの信号の位相差は、第１の９０度ハイブリッド１２０
および第２の９０度ハイブリッド１４０によって、広帯
域において１８０度すなわち逆の位相になる。したがっ
て、第２の９０度ハイブリッド１４０で合成される第１
の信号経路および第２の信号経路における２つの信号中
のノイズは、広帯域において相殺される。さらに、第２
のハイブリッド１４０の出力端には、第１の静磁波フィ
ルタで振幅制限を受けた分に対応する主信号が得られ
る。

【００９０】このＳ／Ｎエンハンサ１１０でも、上述の
Ｓ／Ｎエンハンサ１０と同様に、第１の静磁波フィルタ
に用いられるフェリ磁性基体および第２の静磁波フィル
タに用いられるフェリ磁性基体がそれらの静磁波フィル
タにおける静磁波の伝搬方向と同じ方向に延びて一体的
に形成されているため、同様な入出力特性を有する第１
の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フィルタが簡単に
構成され、良好なエンハンス特性が簡単に得られるとと
もに、フェリ磁性基体の切出しや取扱が簡便になり、生
産性も向上する。

【００９１】また、このＳ／Ｎエンハンサ１１０でも、
ＹＩＧ薄膜の長手方向における中央部に静磁波吸収材１
６４ｂが形成されているため、第１の静磁波フィルタお
よび第２の静磁波フィルタ間の静磁波による干渉を防止
することができる。

【００９２】さらに、このＳ／Ｎエンハンサ１１０で
も、ＹＩＧ薄膜の長手方向における一端部および他端部
に静磁波吸収材１６４ａおよび１６４ｃが形成されてい
るので、ＹＩＧ薄膜の長手方向における両端部で反射さ
れる不要な静磁波を吸収することができる。

【００９３】なお、このＳ／Ｎエンハンサ１１０でも、
第１の静磁波フィルタに表面静磁波モードを利用した静
磁波素子が用いられるため、第１の静磁波フィルタによ
って振幅制限を受ける主信号の最低のレベルすなわち第
１の静磁波フィルタの飽和レベルが低く、主信号のレベ
ルが低くても入力信号のＳ／Ｎを改善することができ
る。

【００９４】また、このＳ／Ｎエンハンサ１１０では、
第２の９０度ハイブリッド１４０で合成される第１の信
号経路および第２の信号経路における２つの信号の位相
が広帯域において逆の位相になるので、広帯域におい
て、所望のエンハンスメント量以上である動作周波数帯
域が得られる。

【００９５】さらに、このＳ／Ｎエンハンサ１１０で
は、動作周波数帯域が広いので、温度が変化したとき
に、動作周波数帯域が変動しても実際に使用したい使用
周波数から外れにくい上に、動作周波数帯域内に使用周
波数が入るように動作周波数帯域を調整することが簡単
であって、動作周波数帯域を調整するために短時間しか
かからない。

【００９６】また、このＳ／Ｎエンハンサ１１０では、
第１のハイブリッドおよび第２のハイブリッドとしてそ
れぞれ９０度ハイブリッドが用いられるため、第１のハ
イブリッドおよび第２のハイブリッドとして同様のハイ
ブリッドを作製すればよいので、第１のハイブリッドお
よび第２のハイブリッドの作製効率がよい。

【００９７】なお、第１の静磁波フィルタおよび第２の
静磁波フィルタとして、上述の各実施例ではバンドパス
機能を有する表面静磁波モードを利用した静磁波素子が
用いられているが、体積前進静磁波モードあるいは体積
後退静磁波モードを利用した静磁波素子や、静磁波を用
いたローパスフィルタ、静磁波を用いたハイパスフィル
タ、静磁波を用いたバンドエリミネーションフィルタな
どのフィルタが用いられてもよい。

【００９８】また、上述の各実施例ではフェリ磁性基体
としてＹＩＧ薄膜が用いられているが、この発明ではＹ
ＩＧ薄膜以外のフェリ磁性基体が用いられてもよい。

【００９９】さらに、上述の各実施例では各トランスデ
ューサが直線状の１本のラインで形成されているが、各
トランスデューサを構成するラインの形状や本数は任意
に変更されてもよい。また、各トランスデューサの大き
さも、ＹＩＧ薄膜の大きさに合わせる必要はない。

【０１００】また、ＹＩＧ薄膜に磁界を印加するため
に、上述の各実施例では永久磁石が用いられているが、
永久磁石に代えて、電磁石が用いられてもよく、永久磁
石とともに電磁石が用いられてもよい。

【０１０１】さらに、上述の各実施例では、トランスデ
ューサの延びる方向にＹＩＧ薄膜に磁界が印加されてい
るが、ＹＩＧ薄膜にはその主面に直交する方向に磁界が
印加されてもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜には、体積前
進静磁波がその長手方向に伝搬される。あるいは、ＹＩ
Ｇ薄膜にはその長手方向に磁界が印加されてもよい。こ
の場合、ＹＩＧ薄膜には、体積後退静磁波がその長手方
向に伝搬される。

【０１０２】さらに、レベル調整手段として、上述の各
実施例では第１の減衰器および第２の減衰器が用いられ
ているが、第１の減衰器および第２の減衰器に代えて、
合成器および第１のハイブリッドの前段に減衰器が設け
られ、第１の静磁波フィルタの前段に増幅器が設けら
れ、かつ、第２の静磁波フィルタの後段に増幅器が設け
られてもよい。あるいは、合成器および第１のハイブリ
ッドの前段と、第１の静磁波フィルタの前段および後段
と、第２の静磁波フィルタの前段および後段とに、それ
ぞれ増幅器や減衰器が設けられてもよい。

【０１０３】また、第１の静磁波フィルタおよび第２の
静磁波フィルタ間の静磁波による干渉を防止するため
に、ＹＩＧ薄膜の長手方向における中央部に静磁波吸収
材を形成する代わりに、ＹＩＧ薄膜の中央部に溝を形成
してもよい。

【０１０４】なお、第１の静磁波フィルタおよび第２の
静磁波フィルタ間の静磁波による干渉を抑えるために
は、上述の各実施例のように、レベルの低い信号が入力
される第２の静磁波フィルタの入力側のトランスデュー
サをＹＩＧ薄膜の長手方向における中央側に配置するこ
とが好ましい。なぜなら、第１の静磁波フィルタおよび
第２の静磁波フィルタにおける静磁波を効率よく伝搬す
るためには、それらの静磁波の伝搬方向を一致させるこ
とが好ましく、その場合、第１の静磁波フィルタおよび
第２の静磁波フィルタの一方の静磁波フィルタの入力側
のトランスデューサがＹＩＧ薄膜の長手方向における中
央側に配置される。この場合、レベルの低い信号が入力
される第２の静磁波フィルタの入力側のトランスデュー
サをＹＩＧ薄膜の長手方向における中央側に配置する
と、レベルの高い信号が入力される第１の静磁波フィル
タの入力側のトランスデューサを、第２の静磁波フィル
タのトランスデューサから遠ざけることができるからで
ある。

【０１０５】また、ＹＩＧ薄膜の長手方向における両端
部で反射する不要な静磁波による悪影響を防止するため
には、ＹＩＧ薄膜の両端部に静磁波吸収材を形成する代
わりに、ＹＩＧ薄膜の長手方向における両端部を斜めに
形成して、不要な静磁波がトランスデューサ側に反射さ
れないようにしてもよい。

【０１０６】なお、第１のハイブリッドおよび第２のハ
イブリッドとして、図３に示す実施例ではそれぞれ９０
度ハイブリッドが用いられているが、この発明では０度
ハイブリッドおよび１８０度ハイブリッド、あるいは、
１８０度ハイブリッドおよび０度ハイブリッドが用いら
れてもよい。なお、０度ハイブリッドあるいは１８０度
ハイブリッドを構成するためには、２つの９０度ハイブ
リッドをそれらの位相差を考慮して用いればよい。

【０１０７】また、この発明でいう「９０度」，「１８
０度」は、文字どおりの値を中心にしてこの発明の目
的、作用効果からみて実質的に同一の範囲を含むものと
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す平面図解図である。

【図２】図１に示す実施例の要部を示す断面図解図であ
る。

【図３】この発明の他の実施例を示す平面図である。

【図４】図３に示す実施例の正面図である。

【図５】図３に示す実施例に用いられる第１の９０度ハ
イブリッド（第２の９０度ハイブリッド）の要部を示す
平面図である。

【図６】図３に示す実施例に用いられる第１の９０度ハ
イブリッド（第２の９０度ハイブリッド）の要部を示す
回路図である。

【図７】図３に示す実施例の回路図である。

【図８】従来のＳ／Ｎエンハンサの一例を示す回路図で
ある。

【符号の説明】

１０Ｓ／Ｎエンハンサ１２基板１４ａ〜１４ｄスルーホール１６ａ〜１６ｄトランスデューサ１８ａ，１８ｂ引出し電極２０分配器２２第１の減衰器２４第２の減衰器２６位相器２８合成器３０静磁波素子３２ＧＧＧ基板３４ＹＩＧ薄膜３６ａ〜３６ｃ静磁波吸収材３８ａ，３８ｂ永久磁石４０ヨーク１１０Ｓ／Ｎエンハンサ１１２基板１１４ａ〜１１４ｄスルーホール１２０第１の９０度ハイブリッド１３２抵抗器１４０第２の９０度ハイブリッド１５２抵抗器１６０ａ〜１６０ｄトランスデューサ１６２静磁波素子１６４ａ〜１６４ｃ静磁波吸収材１６６ａ，１６６ｂ永久磁石１６８ヨーク

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年１月３１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明は、入力信号中
の主信号の振幅を制限するための第１の静磁波フィルタ
と、主信号を通過するための第２の静磁波フィルタとを
含むＳ／Ｎエンハンサにおいて、第１の静磁波フィルタ
に用いられるフェリ磁性基体と第２の静磁波フィルタに
用いられるフェリ磁性基体とが、第１の静磁波フィルタ
および第２の静磁波フィルタにおける静磁波の伝搬方向
と同じ方向に延びて一体的に形成される、Ｓ／Ｎエンハ
ンサである。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２２】また、この発明にかかるＳ／Ｎエンハンサ
では、第１の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基
体と第２の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体
とが一体的に形成されるため、１枚のフェリ磁性基体を
形成すればよくなり、生産性が向上する。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４０】また、別の２つのトランスデューサ１６
ｃ，１６ｄおよび静磁波素子３０の他端側部分３０ｂな
どが、第２の静磁波フィルタとして用いられる。この第
２の静磁波フィルタは、上述の第１の静磁波フィルタと
同様の構造を有するため、上述の第１の静磁波フィルタ
と同様の入出力特性を有する。この第２の静磁波フィル
タは、入力される信号を通過させるためのものである。
この場合、この第２の静磁波フィルタでは、トランスデ
ューサ１６ｃの一端が入力端として用いられ、トランス
デューサ１６ｄの一端が出力端として用いられる。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５５】さらに、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、
第１の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体と第
２の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体とが一
体的に形成されるため、１枚のフェリ磁性基体を形成す
ればよくなり、フェリ磁性基体の切出しや取扱が簡便に
なり、生産性も向上する。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５６】また、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、Ｙ
ＩＧ薄膜３４の長手方向における中央部に、すなわち第
１の静磁波フィルタのトランスデューサ１６ａおよび１
６ｂと第２の静磁波フィルタのトランスデューサ１６ｃ
および１６ｄの間に、静磁波を吸収するための静磁波吸
収材３６ｂが形成されているので、第１の静磁波フィル
タから第２の静磁波フィルタ側へ伝搬されようとする静
磁波および第２の静磁波フィルタから第１の静磁波フィ
ルタ側へ伝搬されようとする静磁波が静磁波吸収材で吸
収され、第１の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フィ
ルタ間の静磁波による干渉を防止することができる。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７４】基板１１２の他方主面には、その長手方向
における中央部分に、４つのライン電極からなる４つの
トランスデューサ１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃおよび
１６０ｄが、スルーホール１１４ａ，１１４ｂ，１１４
ｃおよび１１４ｄの近傍から基板１１２の長辺に平行に
形成される。この場合、これらのトランスデューサ１６
０ａ，１６０ｂ，１６０ｃおよび１６０ｄの一端は、ス
ルーホール１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃおよび１１４
ｄを通して、ライン電極１２４の他端側部分１２４ｃ，
引出し電極１５０，引出し電極１３０およびライン電極
１４４の一端側部分１４４ａに、それぞれ電気的に接続
される。さらに、これらのトランスデューサ１６０ａ〜
１６０ｄの他端は、それぞれアースされる。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７８】また、別の２つのトランスデューサ１６０
ｃ，１６０ｄおよび静磁波素子１６２の他端側部分１６
２ｂなどが、第２の静磁波フィルタとして用いられる。
この第２の静磁波フィルタは、上述の第１の静磁波フィ
ルタと同様の構造を有するため、上述の第１の静磁波フ
ィルタと同様の入出力特性を有する。この第２の静磁波
フィルタは、入力される信号を通過させるためのもので
ある。この場合、この第２の静磁波フィルタでは、トラ
ンスデューサ１６０ｃの一端が入力端として用いられ、
トランスデューサ１６０ｄの一端が出力端として用いら
れる。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８７】さらに、減衰した第２の信号は、レベルが
低いので、静磁波素子１６２の他端側部分１６２ｂなど
からなる第２の静磁波フィルタを通過する。なお、減衰
した第２の信号は、その第２の静磁波フィルタの挿入損
失によって、レベルが少し減衰する。この場合、静磁波
素子１６２の他端側部分１６２ｂには、トランスデュー
サ１６０ｃからトランスデューサ１６０ｄ側に表面静磁
波が伝搬する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金谷文夫京都府長岡京市天神２丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者市口真一郎京都府長岡京市天神２丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者野本俊裕東京都世田谷区砧１−10−11 日本放送協会放送技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入力信号中の主信号の振幅を制限するた
めの第１の静磁波フィルタ、および前記主信号を通過す
るための第２の静磁波フィルタを含むＳ／Ｎエンハンサ
において、前記第１の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体
と前記第２のフェリ磁性基体に用いられるフェリ磁性基
体とが、前記第１の静磁波フィルタおよび前記第２の静
磁波フィルタにおける静磁波の伝搬方向と同じ方向に延
びて一体的に形成されることを特徴とする、Ｓ／Ｎエン
ハンサ。
【請求項２】前記フェリ磁性基体の長手方向における
一端側に前記第１の静磁波フィルタの２つのトランスデ
ューサが間隔を隔てて配置され、前記フェリ磁性基体の長手方向における他端側に前記第
２の静磁波フィルタの２つのトランスデューサが間隔を
隔てて配置され、さらに前記フェリ磁性基体の長手方向
における中央部に静磁波を吸収するための静磁波吸収材
が形成される、請求項１のＳ／Ｎエンハンサ。
【請求項３】前記第１の静磁波フィルタおよび前記第
２の静磁波フィルタの前段に設けられ、前記入力信号を
第１の信号および第２の信号に分配し、前記第１の信号
を前記第１の静磁波フィルタ側に出力し、前記第２の信
号を前記第２の静磁波フィルタ側に出力するための分配
器、前記第１の静磁波フィルタおよび前記第２の静磁波フィ
ルタの後段に設けられ、前記第１の静磁波フィルタから
出力される信号と前記第２の静磁波フィルタから出力さ
れる信号との２つの信号を合成するための合成器、前記合成器で合成される前記２つの信号中のノイズのレ
ベルを一致させるためのレベル調整手段、および前記２
つの信号中のノイズの位相を互いに逆の位相に調整する
ための位相調整手段を含む、請求項１または請求項２の
Ｓ／Ｎエンハンサ。
【請求項４】前記レベル調整手段は、前記分配器と前記第２の静磁波フィルタとの間に設けら
れる第１の減衰器、および前記第１の静磁波フィルタと
前記合成器との間に設けられる第２の減衰器を含み、前記位相調整手段は、前記第２の静磁波フィルタと前記
合成器との間に設けられる位相器を含む、請求項３のＳ
／Ｎエンハンサ。
【請求項５】前記第１の静磁波フィルタおよび前記第
２の静磁波フィルタの前段に設けられ、前記入力信号を
広帯域において第１の位相差を有する第１の信号および
第２の信号に分配し、前記第１の信号を前記第１の静磁
波フィルタ側に出力し、前記第２の信号を前記第２の静
磁波フィルタ側に出力するための第１のハイブリッド、前記第１の静磁波フィルタおよび前記第２の静磁波フィ
ルタの後段に設けられ、前記第１の静磁波フィルタから
出力される信号と前記第２の静磁波フィルタから出力さ
れる信号との２つの信号を広帯域において第２の位相差
で合成するための第２のハイブリッド、および前記第２
のハイブリッドで合成される前記２つの信号中のノイズ
のレベルを一致させるためのレベル調整手段を含み、前記第１の位相差と前記第２の位相差との和が（２ｎ＋
１）×１８０度（ｎ＝０，１，２，３，・・・）であ
る、請求項１または請求項２のＳ／Ｎエンハンサ。
【請求項６】前記レベル調整手段は、前記第１のハイブリッドと前記第２の静磁波フィルタと
の間に設けられる第１の減衰器、および前記第１の静磁
波フィルタと前記第２のハイブリッドとの間に設けられ
る第２の減衰器を含む、請求項５のＳ／Ｎエンハンサ。