JPH10126111A

JPH10126111A - Ｓ／ｎエンハンサ

Info

Publication number: JPH10126111A
Application number: JP29725896A
Authority: JP
Inventors: Satoru Niimura; 村悟新; Hiroyasu Matsuzaki; 崎宏泰松
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-10-18
Filing date: 1996-10-18
Publication date: 1998-05-15

Abstract

(57)【要約】【課題】小型のＳ／Ｎエンハンサ、または挿入損が小
さいＳ／Ｎエンハンサを得る。【解決手段】Ｓ／Ｎエンハンサ１０の第１の方向性結
合器１２に、高レベルの主信号と低レベルのノイズとを
含む信号を入力する。第１の方向性結合器１２で分割し
た信号を第１の静磁波フィルタ１４および第２の静磁波
フィルタ１６に入力する。第１の静磁波フィルタ１４と
しては、入力信号から静磁波への変換効率が高く、静磁
波から出力信号への変換効率が低いものを用いる。逆
に、第２の静磁波フィルタとしては、入力側の変換効率
が低く、出力側の変換効率が高いものを用いる。第２の
方向性結合器１８で、第１の静磁波フィルタ１４および
第２の静磁波フィルタ１６の出力信号を、互いに逆位相
となるようにして合成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はＳ／Ｎエンハンサ
に関し、特に、入力信号中の主信号とノイズとの比（Ｓ
／Ｎ比）を改善し、たとえば衛星放送受信用として用い
られるＳ／Ｎエンハンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１０は従来のＳ／Ｎエンハンサの一例
を示す図解図である。Ｓ／Ｎエンハンサ１は、第１の方
向性結合器２を含む。第１の方向性結合器２の一方の出
力端は、第１の静磁波フィルタ３の入力端に接続され
る。第１の静磁波フィルタ３の出力端は第１の減衰器４
に入力され、さらに第１の減衰器４は第２の方向性結合
器５の一方の入力端に接続される。また、第１の方向性
結合器２の他方の出力端は、第２の減衰器６に接続され
る。さらに、第２の減衰器６は第２の静磁波フィルタ７
の入力端に接続され、第２の静磁波フィルタ７の出力端
は第２の方向性結合器５の他方の入力端に接続される。

【０００３】第１の静磁波フィルタ３および第２の静磁
波フィルタ７は、周波数選択的に非線形な振幅制限特性
を有する。周波数選択的に非線形な振幅制限特性とは、
ある周波数ｆ₁の信号が飽和レベルを超えて振幅制限を
受けている場合でも、その周波数ｆ₁と異なった周波数
ｆ₂の信号が飽和レベル以下ならば、その周波数ｆ₂の
信号は振幅制限を受けない特性をいう。つまり、周波数
選択的に非線形な振幅制限特性とは、信号が飽和レベル
を超えた場合に起こる飽和動作による振幅制限がそれぞ
れの周波数において独立して起こる特性をいう。また、
第１の減衰器４および第２の減衰器６は、たとえばチッ
プ抵抗などで構成されている。

【０００４】このＳ／Ｎエンハンサ１では、レベルが高
い主信号とその主信号に対して周波数が異なりかつレベ
ルが低いノイズとを含む入力信号が第１の方向性結合器
２に入力されると、その入力信号が分割され、第１の静
磁波フィルタ３と第２の減衰器６に入力される。第１静
磁波フィルタ３では、高レベルの主信号は振幅制限を受
けるが、主信号と周波数が異なりレベルの低いノイズは
振幅制限を受けない。そして、第１の静磁波フィルタ３
の出力信号は、第１の減衰器４で減衰され、主信号およ
びノイズの振幅が減衰される。

【０００５】また、第２の減衰器６では、主信号が第２
の静磁波フィルタ７で振幅制限を受けないレベルに減衰
される。したがって、第２の静磁波フィルタ７からは、
主信号およびノイズがそのままの形で出力される。そし
て、第２の方向性結合器５において、第１の減衰器４の
出力信号と第２の静磁波フィルタ７の出力信号とが、逆
位相となるようにして合成される。このとき、第１の減
衰器４では、２つの信号のノイズの振幅が同じになるよ
うに調整される。したがって、第１の減衰器４の出力信
号中のノイズと第２の静磁波フィルタ７の出力信号中の
ノイズとが相殺される。しかしながら、第１の減衰器４
の出力信号中の主信号は第１の静磁波フィルタ３で振幅
制限を受けているため、第２の静磁波フィルタ７の出力
信号中の主信号に比べて低レベルとなっている。そのた
め、第２の方向性結合器５からは、主信号の振幅制限を
受けた部分に相当する信号が出力される。このように、
このＳ／Ｎエンハンサ１を用いれば、信号中のノイズを
除去することができ、Ｓ／Ｎ比を改善することができ
る。

【０００６】また、図１１に示すように、第１の静磁波
フィルタ３および第２の静磁波フィルタ７として、入力
側と出力側とで信号と静磁波の変換効率の異なるものを
用いてもよい。図１１では、静磁波フィルタの形状を三
角形にすることにより、幅の広い部分に形成されたトラ
ンスデューサにおける変換効率が高く、幅の狭い部分に
形成されたトランスデューサにおける変換効率が低い例
を示してある。つまり、第１の静磁波フィルタ３および
第２の静磁波フィルタ７として、入力信号から静磁波へ
の変換効率が静磁波から出力信号への変換効率より高い
ものが用いられる。このような静磁波フィルタを用いる
ことにより、静磁波フィルタの飽和特性を良好にするこ
とができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
に示すようなＳ／Ｎエンハンサでは、減衰器をチップ抵
抗などで構成しているため、小型化の妨げとなってい
る。また、図１１に示すＳ／Ｎエンハンサでは、静磁波
フィルタの飽和特性はよくなっているが、静磁波フィル
タの出力側の変換効率が低いため、静磁波フィルタの減
衰量が大きくなる。このように、静磁波フィルタの減衰
量が大きいうえに、減衰器が用いられているため、Ｓ／
Ｎエンハンサ全体として挿入損が大きくなる。

【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型のＳ／Ｎエンハンサ、または挿入損が小さいＳ／Ｎエ
ンハンサを提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明は、入力信号中
の主信号の振幅を制限するための第１の静磁波フィルタ
と、主信号を通過させるための第２の静磁波フィルタと
を含むＳ／Ｎエンハンサであって、第１の静磁波フィル
タの入力信号から静磁波への変換効率を静磁波から出力
信号への変換効率より高くし、第２の静磁波フィルタの
入力信号から静磁波への変換効率を静磁波から出力信号
への変換効率より低くした、Ｓ／Ｎエンハンサである。
このＳ／Ｎエンハンサにおいて、たとえば、入力信号は
分割されて第１の静磁波フィルタおよび第２の静磁波フ
ィルタに入力され、第１の静磁波フィルタの出力信号お
よび第２の静磁波フィルタの出力信号が逆位相となるよ
うにして合成される。また、第１の静磁波フィルタの入
力トランスデューサおよび第２の静磁波フィルタの入力
トランスデューサが接続されるとともに、第１の静磁波
フィルタの出力トランスデューサおよび第２の静磁波フ
ィルタの出力トランスデューサが接続され、かつ第１の
静磁波フィルタの出力信号と第２の静磁波フィルタの出
力信号とが逆位相で合成されるように接続されてもよ
い。さらに、第１の静磁波フィルタの出力信号を減衰す
るための第１の減衰器と、入力信号を減衰して第２の静
磁波フィルタに入力するための第２の減衰器とを含み、
第１の減衰器の出力信号と第２の静磁波フィルタの出力
信号とが逆位相となるようにして合成されてもよい。

【００１０】第１の静磁波フィルタは、入力信号中の高
レベルの主信号によって飽和し、主信号が振幅制限をう
ける。また、ノイズは低レベルであるため、振幅制限を
受けずに出力される。このとき、第１の静磁波フィルタ
では、静磁波から出力信号への変換効率が低いため、主
信号およびノイズは減衰されて出力される。第２の静磁
波フィルタでは、入力信号から静磁波への変換効率が低
いため、高レベルの信号が入力されても、静磁波に変換
される割合が小さく、飽和による振幅制限を受けない。
したがって、入力信号を分割して第１の静磁波フィルタ
および第２の静磁波フィルタに入力し、その出力信号を
逆位相となるようにして合成すれば、ノイズは相殺さ
れ、主信号の振幅制限を受けた部分に相当する信号が得
られる。

【００１１】また、第１の静磁波フィルタの入力トラン
スデューサと第２の静磁波フィルタの入力トランスデュ
ーサとを接続し、第１の静磁波フィルタの出力トランス
デューサと第２のトランスデューサとを接続すれば、第
１の静磁波フィルタで振幅制限を受けた主信号を含む信
号が第２の静磁波フィルタの出力トランスデューサに入
力される。第２の静磁波フィルタでは、振幅制限されな
い信号が出力トランスデューサから出力されるため、第
１の静磁波フィルタの出力信号と第２の静磁波フィルタ
の出力信号とが逆位相になるように接続しておけば、第
２の静磁波フィルタの出力トランスデューサにおいて、
ノイズが相殺され、主信号の振幅制限を受けた部分に相
当する信号が得られる。

【００１２】第１の静磁波フィルタの後段および第２の
静磁波フィルタの前段に減衰器を配置したＳ／Ｎエンハ
ンサでは、第２の静磁波フィルタの入力信号から静磁波
への変換効率が低いため、第２の静磁波フィルタに振幅
の大きい信号を入力しても飽和せず、振幅制限を受けな
い。そのため、第２の減衰器の減衰量を大きくする必要
がなく、Ｓ／Ｎエンハンサ全体の挿入損を小さくするこ
とができる。

【００１３】

【発明の効果】この発明によれば、減衰器を用いなくて
も、ノイズを減らすことができ、小型のＳ／Ｎエンハン
サを得ることができる。さらに、第１の静磁波フィルタ
と第２静磁波フィルタとを直接接続する場合、第２の静
磁波フィルタの出力トランスデューサにおいて２つの信
号が合成されるため、方向性結合器も省略することがで
きる。また、減衰器を用いる場合でも、減衰器の減衰量
を大きくする必要がなく、Ｓ／Ｎエンハンサ全体の挿入
損を小さくすることができる。

【００１４】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１はこの発明のＳ／Ｎエンハン
サの一例を示す図解図である。Ｓ／Ｎエンハンサ１０
は、第１の方向性結合器１２を含む。第１の方向性結合
器１２の一方の出力端は、第１の静磁波フィルタ１４の
入力端に接続される。また、第１の方向性結合器１２の
他方の出力端は、第２の静磁波フィルタ１６の入力端に
接続される。さらに、第１の静磁波フィルタ１４の出力
端は第２の方向性結合器１８の一方の入力端に接続さ
れ、第２の静磁波フィルタ１６の出力端は第２の方向性
結合器１８の他方の入力端に接続される。

【００１６】第１の静磁波フィルタ１４としては、入力
信号から静磁波への変換効率が高く、かつ静磁波から出
力信号への変換効率が低いものが用いられる。また、第
２の静磁波フィルタ１６としては、入力信号から静磁波
への変換効率が低く、かつ静磁波から出力信号への変換
効率が高いものが用いられる。

【００１７】入力側と出力側とで変換効率の異なる静磁
波フィルタとしては、たとえば図２および図３に示すよ
うに、フェリ磁性基体の形状を工夫したものがある。こ
の静磁波フィルタ１００は、ＧＧＧ（ガドリニウム，ガ
リウム，ガーネット）基板１０２を含む。ＧＧＧ基板１
０２上には、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ（イットリ
ウム，アイアン，ガーネット）薄膜１０４が形成され
る。これらのＧＧＧ基板１０２およびＹＩＧ薄膜１０４
は、たとえば３角形状のように、一方側から他方側に向
かって幅が異なるように形成される。ＹＩＧ薄膜１０４
上には、２つのトランスデューサ１０６，１０８が形成
される。一方のトランスデューサ１０６は、ＹＩＧ薄膜
１０４の幅の広い部分に形成される。また、他方のトラ
ンスデューサ１０８は、ＹＩＧ薄膜１０４の幅の狭い部
分に形成される。

【００１８】このような静磁波フィルタ１００では、Ｙ
ＩＧ薄膜１０４の面に平行でかつトランスデューサ１０
６，１０８に平行に、直流磁界Ｈ₀が印加される。そし
て、一方のトランスデューサ１０６に高周波信号を入力
すると、トランスデューサ１０６の周囲に高周波磁界が
発生する。この高周波磁界によって、ＹＩＧ薄膜１０４
に表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬し、他方のトランスデ
ューサ１０８において高周波信号に変換される。このと
き、トランスデューサ１０６は、ＹＩＧ薄膜１０４の幅
の広い部分に形成されているため、ＹＩＧ薄膜１０４上
にあるトランスデューサ１０６が長く、信号から静磁波
への変換効率は高くなる。それに比べて、トランスデュ
ーサ１０８は、ＹＩＧ薄膜１０４の幅が狭い部分に形成
されているため、ＹＩＧ薄膜１０４上にあるトランスデ
ューサ１０８が短く、静磁波から信号への変換効率が低
くなる。逆に、トランスデューサ１０８を入力用として
用い、トランスデューサ１０６を出力側として用いれ
ば、入力側の変換効率が低く、出力側の変換効率が高い
静磁波フィルタとすることができる。

【００１９】また、入力側と出力側とで変換効率の異な
る静磁波フィルタ１００としては、図４および図５に示
すように、トランスデューサ１０８とＹＩＧ薄膜１０４
との間にスペーサ１１０を形成してもよい。この場合、
ＹＩＧ薄膜とトランスデューサとの間隔が異なるため、
スペーサのない側の変換効率は高く、スペーサのある側
の変換効率は低くなる。さらに、図６および図７に示す
ように、一方のトランスデューサ１０６にマッチング回
路１１２を接続し、入力側と出力側とでマッチングのと
れ方が異なるようにして、変換効率に差をつけてもよ
い。

【００２０】このＳ／Ｎエンハンサ１０の第１の静磁波
フィルタ１４および第２の静磁波フィルタ１６として
は、上述のような静磁波フィルタが用いられる。このＳ
／Ｎエンハンサ１０に、レベルが高い主信号とその主信
号に対して周波数が異なりかつレベルが低いノイズとを
含む入力信号が入力されると、第１の方向性結合器１２
で分割され、第１の静磁波フィルタ１４および第２の静
磁波フィルタ１６に入力される。第１の静磁波フィルタ
１４の入力側では、入力信号から静磁波への変換効率が
高いため、高レベルの主信号によって生じる静磁波は飽
和し、出力される信号は振幅制限を受けた信号となる。
ただし、低レベルのノイズは、振幅制限を受けない。な
お、第１の静磁波フィルタ１４の出力側では、静磁波か
ら出力信号への変換効率が低いため、主信号およびノイ
ズは減衰されて出力される。

【００２１】第２の静磁波フィルタ１６では、入力信号
から静磁波への変換効率が低いため、高レベルの主信号
によって生じる静磁波が飽和せず、振幅制限を受けずに
出力される。もちろん、ノイズも振幅制限を受けない。
なお、第１の静磁波フィルタ１４と第２の静磁波フィル
タ１６とでは、入力側と出力側の変換効率が逆となって
いるが、全体としての減衰量は同じであるため、振幅制
限を受けていないノイズについては、第１の静磁波フィ
ルタ１４および第２の静磁波フィルタ１６から同レベル
の出力信号が得られる。しかしながら、主信号について
は、第１の静磁波フィルタ１４で振幅制限を受けている
ため、第２の静磁波フィルタ１６の出力信号のレベルの
ほうが大きい。

【００２２】第１の静磁波フィルタ１４および第２の静
磁波フィルタ１６の出力信号は、第２の方向性結合器１
８において、逆位相となるようにして合成される。した
がって、２つの信号のノイズは相殺され、主信号につい
ては、第１の静磁波フィルタ１４で振幅制限を受けた部
分に相当する信号が出力される。このように、第２の方
向性結合器１８において、ノイズが相殺されるため、信
号のＳ／Ｎ比を改善することができる。

【００２３】このＳ／Ｎエンハンサ１０では、第１の静
磁波フィルタ１４および第２の静磁波フィルタ１６にお
いて、入力側と出力側の変換効率を変えることによっ
て、減衰の効果を得ることができる。そのため、従来の
Ｓ／Ｎエンハンサのように、減衰器を用いる必要がな
い。したがって、従来のようなチップ型抵抗を用いて減
衰器を形成したものに比べて、小型のＳ／Ｎエンハンサ
を得ることができる。

【００２４】また、図８に示すように、第１の静磁波フ
ィルタ１４の入力側のトランスデューサ１０６および第
２の静磁波フィルタ１６の入力側のトランスデューサ１
０８を接続し、第１の静磁波フィルタ１４の出力側のト
ランスデューサ１０８および第２の静磁波フィルタ１６
の出力側のトランスデューサ１０６を接続してもよい。
この場合、第１の静磁波フィルタ１４の入力側のトラン
スデューサ１０６と第２の静磁波フィルタ１６の入力側
のトランスデューサ１０８とは、互いに逆向きに信号が
流れるように接続される。そして、第１の静磁波フィル
タ１４の出力側のトランスデューサ１０８と第２の静磁
波フィルタ１６の出力側のトランスデューサ１０６と
は、互いに同じ方向に信号が流れるように接続される。

【００２５】このＳ／Ｎエンハンサ１０においても、第
１の静磁波フィルタ１４としては、入力側の変換効率が
高く、出力側の変換効率が低いものが用いられる。ま
た、第２の静磁波フィルタ１６としては、入力側の変換
効率が低く、出力側の変換効率が高いものが用いられ
る。このＳ／Ｎエンハンサ１０においても、第１の静磁
波フィルタ１４において、主信号が振幅制限を受け、ノ
イズは振幅制限を受けずに出力される。これらの信号
が、第２の静磁波フィルタ１６の出力側のトランスデュ
ーサ１０６に入力される。

【００２６】一方、第１の静磁波フィルタ１４の入力側
のトランスデューサ１０６に入力されたのと同じ信号
が、第２の静磁波フィルタ１６の入力側のトランスデュ
ーサ１０８に入力される。ここでは、入力側の変換効率
が低いため、主信号もノイズも振幅制限を受けない。こ
のとき、第１の静磁波フィルタ１４と第２の静磁波フィ
ルタ１６とでは、信号の流れる向きが逆であるため、第
２の静磁波フィルタ１６には第１の静磁波フィルタ１４
とは逆位相の静磁波が励振される。そのため、第２の静
磁波フィルタ１６からは、第１の静磁波フィルタ１４と
は逆位相の出力信号が得られる。第２の静磁波フィルタ
１６の出力側のトランスデューサ１０６には、第１の静
磁波フィルタ１４の出力信号が入力されているため、第
１の静磁波フィルタ１４の出力信号と第２の静磁波フィ
ルタ１６の出力信号とが、逆位相で合成される。

【００２７】第１の静磁波フィルタ１４および第２の静
磁波フィルタ１６は、全体としてはほぼ同じ減衰量をも
っているため、それぞれの出力信号を逆位相で合成する
ことにより、ノイズは相殺される。しかしながら、第１
の静磁波フィルタ１４の出力信号では、主信号が振幅制
限を受けているため、その振幅制限を受けた分に相当す
る信号がＳ／Ｎエンハンサ１０の出力端から出力され
る。このように、ノイズが相殺されるため、信号のＳ／
Ｎ比を改善することができる。

【００２８】このＳ／Ｎエンハンサ１０では、２つの静
磁波フィルタを接続するだけでＳ／Ｎエンハンサを形成
することができ、減衰器も方向性結合器も不要である。
したがって、回路を簡単にすることができ、Ｓ／Ｎエン
ハンサの小型化が可能である。なお、第１の静磁波フィ
ルタ１４と第２の静磁波フィルタ１６の出力信号が逆位
相となるように合成されるためには、それぞれの入力側
のトランスデューサ１０６に同じ向きの信号が流れるよ
うに接続し、それぞれの出力側のトランスデューサ１０
８に逆向きの信号が流れるように接続してもよい。

【００２９】さらに、図９に示すＳ／Ｎエンハンサ１０
では、第１の方向性結合器１２の一方の出力信号が第１
の静磁波フィルタ１４に入力され、第１の静磁波フィル
タ１４の出力信号が第１の減衰器２０を介して、第２の
方向性結合器１８に入力される。また、第１の方向性結
合器１２の他方の出力信号が第２の減衰器２２に入力さ
れ、第２の減衰器２２の出力信号が第２の静磁波フィル
タ１６を介して、第２の方向性結合器１８に入力され
る。

【００３０】このＳ／Ｎエンハンサ１０は、図１１に示
す従来のＳ／Ｎエンハンサと同じ回路構成であるが、第
１の静磁波フィルタ１４としては、入力側の変換効率が
高く出力側の変換効率が低いものが用いられている。ま
た、第２の静磁波フィルタ１６としては、入力側の変換
効率が低く、出力側の変換効率が高いものが用いられて
いる。

【００３１】このＳ／Ｎエンハンサ１０では、従来のＳ
／Ｎエンハンサと同じ作用により、Ｓ／Ｎ比を改善する
ことができる。ただし、このＳ／Ｎエンハンサ１０で
は、第１の静磁波フィルタ１４として、入力側の変換効
率が出力側の変換効率より高いものを用いることによ
り、飽和特性を良好なものにしている。さらに、第２の
静磁波フィルタ１６として、入力側の変換効率が低いも
のを用いているため、第２の静磁波フィルタ１６に入力
される信号が大きくても、励振された静磁波が飽和せ
ず、主信号が振幅制限を受けない。したがって、第２の
減衰器２２の減衰量を大きくする必要がなく、Ｓ／Ｎエ
ンハンサ１０全体としての挿入損を小さくすることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のＳ／Ｎエンハンサの一例を示す図解
図である。

【図２】この発明のＳ／Ｎエンハンサに用いられる静磁
波フィルタの一例を示す平面図解図である。

【図３】図２に示す静磁波フィルタの側面図解図であ
る。

【図４】この発明のＳ／Ｎエンハンサに用いられる静磁
波フィルタの他の例を示す平面図解図である。

【図５】図４に示す静磁波フィルタの側面図解図であ
る。

【図６】この発明のＳ／Ｎエンハンサに用いられる静磁
波フィルタのさらに他の例を示す平面図解図である。

【図７】図６に示す静磁波フィルタの側面図解図であ
る。

【図８】この発明のＳ／Ｎエンハンサの他の例を示す図
解図である。

【図９】この発明のＳ／Ｎエンハンサのさらに他の例を
示す図解図である。

【図１０】従来のＳ／Ｎエンハンサの一例を示す図解図
である。

【図１１】従来のＳ／Ｎエンハンサの他の例を示す図解
図である。

【符号の説明】

１０Ｓ／Ｎエンハンサ１２第１の方向性結合器１４第１の静磁波フィルタ１６第２の静磁波フィルタ１８第２の方向性結合器２０第１の減衰器２２第２の減衰器１００静磁波フィルタ１０２ＧＧＧ基板１０４ＹＩＧ薄膜１０６トランスデューサ１０８トランスデューサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入力信号中の主信号の振幅を制限するた
めの第１の静磁波フィルタと、前記主信号を通過させる
ための第２の静磁波フィルタとを含むＳ／Ｎエンハンサ
であって、前記第１の静磁波フィルタの入力信号から静磁波への変
換効率を静磁波から出力信号への変換効率より高くし、前記第２の静磁波フィルタの入力信号から静磁波への変
換効率を静磁波から出力信号への変換効率より低くし
た、Ｓ／Ｎエンハンサ。
【請求項２】前記入力信号は分割されて前記第１の静
磁波フィルタおよび前記第２の静磁波フィルタに入力さ
れ、前記第１の静磁波フィルタの出力信号および前記第
２の静磁波フィルタの出力信号が逆位相となるようにし
て合成される、請求項１に記載のＳ／Ｎエンハンサ。
【請求項３】前記第１の静磁波フィルタの入力トラン
スデューサおよび前記第２の静磁波フィルタの入力トラ
ンスデューサが接続されるとともに、前記第１の静磁波
フィルタの出力トランスデューサおよび前記第２の静磁
波フィルタの出力トランスデューサが接続され、かつ前
記第１の静磁波フィルタの出力信号と前記第２の静磁波
フィルタの出力信号とが逆位相で合成されるように接続
された、請求項１に記載のＳ／Ｎエンハンサ。
【請求項４】前記第１の静磁波フィルタの出力信号を
減衰するための第１の減衰器と、前記入力信号を減衰し
て前記第２の静磁波フィルタに入力するための第２の減
衰器とを含み、前記第１の減衰器の出力信号と前記第２
の静磁波フィルタの出力信号とが逆位相となるようにし
て合成される、請求項１に記載のＳ／Ｎエンハンサ。