JPH08203855A - シリコンウェーハ洗浄液の浄化方法 - Google Patents
シリコンウェーハ洗浄液の浄化方法Info
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- JPH08203855A JPH08203855A JP7046092A JP4609295A JPH08203855A JP H08203855 A JPH08203855 A JP H08203855A JP 7046092 A JP7046092 A JP 7046092A JP 4609295 A JP4609295 A JP 4609295A JP H08203855 A JPH08203855 A JP H08203855A
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウェーハの洗浄液中に溶存する銅を
吸着し、洗浄液を浄化する。 【構成】 密閉したケース１内のシリコンフィルター２
を有機溶液３に曝露し、シリコンフィルター２の表面に
有機溶液を付与する。このシリコンフィルター２をシリ
コンウェーハ洗浄液に接触させると、有機溶液付与処理
をしないシリコンフィルターに比べて、洗浄液中の重金
属、特に銅の吸着が著しく加速される。その結果、洗浄
液中の溶存銅が減少するので、洗浄によりシリコンウェ
ーハに銅が付着してウェーハの電気特性を劣化させるお
それがない。有機溶液には、ステアリン酸あるいはブロ
モシクロヘキサンとシュウ酸の混合液を使用する。
吸着し、洗浄液を浄化する。 【構成】 密閉したケース１内のシリコンフィルター２
を有機溶液３に曝露し、シリコンフィルター２の表面に
有機溶液を付与する。このシリコンフィルター２をシリ
コンウェーハ洗浄液に接触させると、有機溶液付与処理
をしないシリコンフィルターに比べて、洗浄液中の重金
属、特に銅の吸着が著しく加速される。その結果、洗浄
液中の溶存銅が減少するので、洗浄によりシリコンウェ
ーハに銅が付着してウェーハの電気特性を劣化させるお
それがない。有機溶液には、ステアリン酸あるいはブロ
モシクロヘキサンとシュウ酸の混合液を使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハ洗浄
液の浄化方法、特にフッ化水素溶液中の金属不純物の除
去方法に関するものである。
液の浄化方法、特にフッ化水素溶液中の金属不純物の除
去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴
い、シリコンウェーハの微量汚染が大きな問題となって
きた。微量汚染には、大別してパーティクル汚染と重金
属汚染がある。汚染浄化のためには、鏡面仕上げしたシ
リコンウェーハを、例えばフッ化水素溶液で洗浄する方
法が採られている。しかしながら、洗浄液中に溶存する
重金属、特に銅イオンはシリコンと結合しやすくて、ウ
ェーハの電気特性を劣化させる。従来、これらの溶存重
金属の除去には、洗浄液を清浄表面を有する金属シリコ
ンに接触させたり、あるいは洗浄液に表面酸化膜を除去
したゲッタ用シリコンを浸漬させる方法が知られてい
る。（特開平４−４５５３０号公報、特開平５−１０９
６８３号公報）
い、シリコンウェーハの微量汚染が大きな問題となって
きた。微量汚染には、大別してパーティクル汚染と重金
属汚染がある。汚染浄化のためには、鏡面仕上げしたシ
リコンウェーハを、例えばフッ化水素溶液で洗浄する方
法が採られている。しかしながら、洗浄液中に溶存する
重金属、特に銅イオンはシリコンと結合しやすくて、ウ
ェーハの電気特性を劣化させる。従来、これらの溶存重
金属の除去には、洗浄液を清浄表面を有する金属シリコ
ンに接触させたり、あるいは洗浄液に表面酸化膜を除去
したゲッタ用シリコンを浸漬させる方法が知られてい
る。（特開平４−４５５３０号公報、特開平５−１０９
６８３号公報）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、洗浄液
を清浄な金属シリコンまたは酸化膜を除去したゲッタ用
シリコンと単純に接触させる従来の方法では、必ずしも
十分な銅の除去効果は期待できない。例えば、酸化膜を
除去したシリコンウェーハを５ｐｐｂの銅を含む０．５
重量％のフッ化水素溶液に浸漬するだけでは、銅を１０
１０個／ｃｍ２程度しか捕捉できない。本発明は、上記
のごとき課題を解決した洗浄液中の溶存重金属の除去を
飛躍的に高めたシリコンウェーハ洗浄液の浄化方法を提
供することを目的としている。
を清浄な金属シリコンまたは酸化膜を除去したゲッタ用
シリコンと単純に接触させる従来の方法では、必ずしも
十分な銅の除去効果は期待できない。例えば、酸化膜を
除去したシリコンウェーハを５ｐｐｂの銅を含む０．５
重量％のフッ化水素溶液に浸漬するだけでは、銅を１０
１０個／ｃｍ２程度しか捕捉できない。本発明は、上記
のごとき課題を解決した洗浄液中の溶存重金属の除去を
飛躍的に高めたシリコンウェーハ洗浄液の浄化方法を提
供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成した本発
明のシリコンウェーハ洗浄液の浄化方法は、シリコンウ
ェーハ洗浄液を、酸化膜のないシリコンフィルターと接
触させて金属不純物を除去するにあたり、あらかじめシ
リコンフィルターに有機溶液を付与することを特徴とし
ている。
明のシリコンウェーハ洗浄液の浄化方法は、シリコンウ
ェーハ洗浄液を、酸化膜のないシリコンフィルターと接
触させて金属不純物を除去するにあたり、あらかじめシ
リコンフィルターに有機溶液を付与することを特徴とし
ている。
【０００５】一般にシリコンウェーハの洗浄液には、ア
ンモニア、過酸化水素水、塩酸、硫酸、硝酸、フッ化水
素溶液などを単独及び組み合わせて使用するが、本発明
は特にフッ化水素溶液中の溶存重金属の除去に好適であ
る。本発明において、酸化膜のないシリコンフィルター
には、金属シリコンあるいはゲッタ用シリコン、シリコ
ンウェーハ、シリコンウェーハ屑などで、酸化膜のない
清浄なシリコン層が露出しているものを使用する。シリ
コンウェーハ屑は、表面積が大きくて望ましい。有機溶
液としては、ステアリン酸またはブロモシクロヘキサン
を使用する。ステアリン酸は単独で使用するが、ブロモ
シクロヘキサンはシュウ酸と混合して使用し、シュウ酸
の混合割合は約３０〜７０％が望ましい。
ンモニア、過酸化水素水、塩酸、硫酸、硝酸、フッ化水
素溶液などを単独及び組み合わせて使用するが、本発明
は特にフッ化水素溶液中の溶存重金属の除去に好適であ
る。本発明において、酸化膜のないシリコンフィルター
には、金属シリコンあるいはゲッタ用シリコン、シリコ
ンウェーハ、シリコンウェーハ屑などで、酸化膜のない
清浄なシリコン層が露出しているものを使用する。シリ
コンウェーハ屑は、表面積が大きくて望ましい。有機溶
液としては、ステアリン酸またはブロモシクロヘキサン
を使用する。ステアリン酸は単独で使用するが、ブロモ
シクロヘキサンはシュウ酸と混合して使用し、シュウ酸
の混合割合は約３０〜７０％が望ましい。
【０００６】シリコンフィルターに対する有機溶液の付
与は、曝露、浸漬、塗布等いずれの方法でもよいが、シ
リコンフィルター表面に対する有機溶液の付着は、曝露
が高純度の有機溶液付着の観点からもっとも望ましい。
曝露は例えば、図１に示すように、ケース１内にシリコ
ンフィルター２と有機溶液３を入れて密閉し、常温、常
圧で通常１５〜２４時間程度放置する。４は有機溶液を
入れる皿である。この際、ウェーハと有機溶液の距離は
近い方がよい。
与は、曝露、浸漬、塗布等いずれの方法でもよいが、シ
リコンフィルター表面に対する有機溶液の付着は、曝露
が高純度の有機溶液付着の観点からもっとも望ましい。
曝露は例えば、図１に示すように、ケース１内にシリコ
ンフィルター２と有機溶液３を入れて密閉し、常温、常
圧で通常１５〜２４時間程度放置する。４は有機溶液を
入れる皿である。この際、ウェーハと有機溶液の距離は
近い方がよい。
【０００７】
【作用】本発明では、シリコンフィルターの表面に有機
溶液を付与することにより、理由は必ずしも明らかでは
ないが、シリコンフィルター表面に対する銅の吸着が加
速される。たとえば、有機溶液を曝露したシリコンフィ
ルターでは、５ｐｐｂの銅を含む０．５重量％のフッ化
水素溶液に浸漬すると、銅を１０１２個／ｃｍ２と驚く
ほど効率よく吸着する。
溶液を付与することにより、理由は必ずしも明らかでは
ないが、シリコンフィルター表面に対する銅の吸着が加
速される。たとえば、有機溶液を曝露したシリコンフィ
ルターでは、５ｐｐｂの銅を含む０．５重量％のフッ化
水素溶液に浸漬すると、銅を１０１２個／ｃｍ２と驚く
ほど効率よく吸着する。
【０００８】
【実施例１】図１に示す密閉ケース１には、容積１０，
０００ｃｍ３の石英ガラス製ケースを用いた。この密閉
ケース１内に、シリコンフィルター２として、酸化膜を
除去したシリコンウェーハを１枚いれた。また、同ケー
ス１内の皿４に有機溶液３としてステアリン酸５０ｍｌ
を入れた。ケース１を密閉し、２６℃、１気圧で２４時
間曝露した。得られたシリコンウェーハを、５ｐｐｂの
銅を含む０．５重量％のフッ化水素溶液に浸漬して、原
子吸光分析装置により、シリコンウェーハ表面に対する
銅の付着量を測定した。銅の付着量は、原子数約１×１
０１１個／ｃｍ２であった。
０００ｃｍ３の石英ガラス製ケースを用いた。この密閉
ケース１内に、シリコンフィルター２として、酸化膜を
除去したシリコンウェーハを１枚いれた。また、同ケー
ス１内の皿４に有機溶液３としてステアリン酸５０ｍｌ
を入れた。ケース１を密閉し、２６℃、１気圧で２４時
間曝露した。得られたシリコンウェーハを、５ｐｐｂの
銅を含む０．５重量％のフッ化水素溶液に浸漬して、原
子吸光分析装置により、シリコンウェーハ表面に対する
銅の付着量を測定した。銅の付着量は、原子数約１×１
０１１個／ｃｍ２であった。
【０００９】
【実施例２】シリコンフィルターとして酸化膜を除去し
たシリコンウェーハ屑（１０ｍｍ×１００ｍｍ×１００
ｍｍ）を使用し、有機溶液３としてブロモシクロヘキサ
ン２５ｍｌとシュウ酸２５ｍｌの混合溶液を用いた以外
は、実施例１と同一の方法により曝露し、曝露したシリ
コンウェーハ屑に対する銅の付着量を原子吸光分析装置
により測定した。銅の付着量は、原子数約１×１０１２
個／ｃｍ２であった。
たシリコンウェーハ屑（１０ｍｍ×１００ｍｍ×１００
ｍｍ）を使用し、有機溶液３としてブロモシクロヘキサ
ン２５ｍｌとシュウ酸２５ｍｌの混合溶液を用いた以外
は、実施例１と同一の方法により曝露し、曝露したシリ
コンウェーハ屑に対する銅の付着量を原子吸光分析装置
により測定した。銅の付着量は、原子数約１×１０１２
個／ｃｍ２であった。
【００１０】
【比較例】有機溶液による曝露処理を行わないシリコン
ウェーハを、実施例１と同じフッ化水素溶液に浸漬し、
銅の付着量を測定した。銅の付着量は約１×１０１０個
／ｃｍ２であった。
ウェーハを、実施例１と同じフッ化水素溶液に浸漬し、
銅の付着量を測定した。銅の付着量は約１×１０１０個
／ｃｍ２であった。
【００１１】
【発明の効果】本発明のシリコンウェーハ洗浄液の浄化
方法によれば、以下のごとき利点が得られる。 （イ）シリコンウェーハの洗浄液であるフッ化水素溶液
中の重金属、特に銅を効率よく吸着する。その結果、シ
リコンウェーハの洗浄時、洗浄液中に溶存する銅がシリ
コンと結合して、シリコンウェーハの電気特性を劣化し
ない。 （ハ）特に有機溶液の付与手段としての曝露では、シリ
コンフィルター表面に高純度の有機溶液層が自然に形成
される。
方法によれば、以下のごとき利点が得られる。 （イ）シリコンウェーハの洗浄液であるフッ化水素溶液
中の重金属、特に銅を効率よく吸着する。その結果、シ
リコンウェーハの洗浄時、洗浄液中に溶存する銅がシリ
コンと結合して、シリコンウェーハの電気特性を劣化し
ない。 （ハ）特に有機溶液の付与手段としての曝露では、シリ
コンフィルター表面に高純度の有機溶液層が自然に形成
される。
【図１】本発明に係わるシリコンウェーハ洗浄液の浄化
方法を示す模式図である。
方法を示す模式図である。
１ 密閉ケース ２ シリコンフィルター ３ 有機溶液 ４ 皿
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンウェーハ洗浄液を、酸化膜のな
いシリコンフィルターと接触させて金属不純物を除去す
るにあたり、あらかじめシリコンフィルターに有機溶液
を付与することを特徴とするシリコンウェーハ洗浄液の
浄化方法。 - 【請求項２】 有機溶液がステアリン酸、またはブロモ
シクロヘキサンとシュウ酸の混合液であることを特徴と
する請求項１記載のシリコンウェーハ洗浄液の浄化方
法。 - 【請求項３】 有機溶液の付与を曝露で行うことを特徴
とする請求項１記載のシリコンウェーハ洗浄液の浄化方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7046092A JPH08203855A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | シリコンウェーハ洗浄液の浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7046092A JPH08203855A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | シリコンウェーハ洗浄液の浄化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203855A true JPH08203855A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=12737353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7046092A Pending JPH08203855A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | シリコンウェーハ洗浄液の浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203855A (ja) |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP7046092A patent/JPH08203855A/ja active Pending
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Legal Events
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