JPH08200674A - 着火装置 - Google Patents
着火装置Info
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- JPH08200674A JPH08200674A JP7012444A JP1244495A JPH08200674A JP H08200674 A JPH08200674 A JP H08200674A JP 7012444 A JP7012444 A JP 7012444A JP 1244495 A JP1244495 A JP 1244495A JP H08200674 A JPH08200674 A JP H08200674A
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23Q—IGNITION; EXTINGUISHING-DEVICES
- F23Q3/00—Igniters using electrically-produced sparks
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23Q—IGNITION; EXTINGUISHING-DEVICES
- F23Q3/00—Igniters using electrically-produced sparks
- F23Q3/004—Using semiconductor elements
Abstract
(57)【要約】
【目的】 周囲温度の低下および電源電圧の低下に対し
て着火性を良好とする。 【構成】 主トランジスタＱ１とトランスＴ１との間に
スイッチング電流制御部１を設ける。スイッチング電流
制御部１において、副トランジスタＱ２のコレクタを主
トランジスタＱ１のベースに接続し、抵抗Ｒ２を主トラ
ンジスタＱ１のエミッタと副トランジスタのエミッタと
の間に接続し、抵抗Ｒ２と主トランジスタＱ１のエミッ
タとの接続点と副トランジスタＱ２のベースとの間にダ
イオードＤ３をそのカソードを副トランジスタＱ２側と
して接続する。
て着火性を良好とする。 【構成】 主トランジスタＱ１とトランスＴ１との間に
スイッチング電流制御部１を設ける。スイッチング電流
制御部１において、副トランジスタＱ２のコレクタを主
トランジスタＱ１のベースに接続し、抵抗Ｒ２を主トラ
ンジスタＱ１のエミッタと副トランジスタのエミッタと
の間に接続し、抵抗Ｒ２と主トランジスタＱ１のエミッ
タとの接続点と副トランジスタＱ２のベースとの間にダ
イオードＤ３をそのカソードを副トランジスタＱ２側と
して接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、オイル，ガス等の被
着火物への着火を行う着火装置に関するものである。
着火物への着火を行う着火装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の着火装置として、図
８にその回路図を示すようなソリッドステートイグナイ
タがある。同図において、ＶACは商用電源（ＡＣ１００
Ｖ）、Ｄ１はダイオード、Ｃ１，Ｃ２はコンデンサ、Ｑ
１は主トランジスタ、Ｒ１は主トランジスタＱ１の起動
用の抵抗、Ｔ１はトランス、Ｌ１はトランスＴ１の１次
巻線、Ｌ２はトランスＴ１の２次巻線、Ｌ３はトランス
Ｔ１の３次巻線である。
８にその回路図を示すようなソリッドステートイグナイ
タがある。同図において、ＶACは商用電源（ＡＣ１００
Ｖ）、Ｄ１はダイオード、Ｃ１，Ｃ２はコンデンサ、Ｑ
１は主トランジスタ、Ｒ１は主トランジスタＱ１の起動
用の抵抗、Ｔ１はトランス、Ｌ１はトランスＴ１の１次
巻線、Ｌ２はトランスＴ１の２次巻線、Ｌ３はトランス
Ｔ１の３次巻線である。
【０００３】この回路では、商用電源ＶACがダイオード
Ｄ１，コンデンサＣ２により整流・平滑され、電源電圧
（直流電圧）ＶDCとして後段の回路へ供給される。これ
により、抵抗Ｒ１を介してトランジスタＱ１に電流が流
れ、主トランジスタＱ１が起動され、主トランジスタＱ
１を介してトランスＴ１の１次巻線Ｌ１（１次側）に電
流が流れ、トランスＴ１の２次巻線Ｌ２（２次側）に高
電圧が発生する。これにより、トランスＴ１の３次巻線
Ｌ３（３次側）に電圧が生じ、この３次側の出力を制御
出力として主トランジスタＱ１のオン／オフ駆動が継続
され、コンデンサＣ１とコイルＬ１とがＬＣ共振し、ト
ランスＴ１の２次側に高電圧が繰り返し発生する。この
高電圧によって、ギャップＧ１，Ｇ２間に火花放電（ス
パーク）が生じ、このスパークによって被着火物への着
火が行われる。
Ｄ１，コンデンサＣ２により整流・平滑され、電源電圧
（直流電圧）ＶDCとして後段の回路へ供給される。これ
により、抵抗Ｒ１を介してトランジスタＱ１に電流が流
れ、主トランジスタＱ１が起動され、主トランジスタＱ
１を介してトランスＴ１の１次巻線Ｌ１（１次側）に電
流が流れ、トランスＴ１の２次巻線Ｌ２（２次側）に高
電圧が発生する。これにより、トランスＴ１の３次巻線
Ｌ３（３次側）に電圧が生じ、この３次側の出力を制御
出力として主トランジスタＱ１のオン／オフ駆動が継続
され、コンデンサＣ１とコイルＬ１とがＬＣ共振し、ト
ランスＴ１の２次側に高電圧が繰り返し発生する。この
高電圧によって、ギャップＧ１，Ｇ２間に火花放電（ス
パーク）が生じ、このスパークによって被着火物への着
火が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のソリッドステートイグナイタによると、周囲
温度の低下や電源電圧ＶDCの低下によって次のような問
題が生じていた。 〔周囲温度が低下した場合〕周囲温度が下がると、一般
的な特性として主トランジスタＱ１の電流利得（ｈFE）
が低下するため、主トランジスタＱ１のコレクタ電流Ｉ
1 が低下し、ひいてはトランスＴ１の２次側の出力電流
Ｉ2 を減少させてしまう。このため、周囲温度が下がる
と、出力エネルギーが低下し、被着火物への着火を行う
ために必要な放電エネルギーが得にくくなり、着火性が
悪化する。また、被着火物をオイル等の液体とした場
合、低温になると、オイル等の液体がゲル状になってく
るため、ノズルから霧状に噴射されるはずのオイルの粒
子が大きくなり、さらに着火しにくくなる。特に、周囲
温度が０℃以下での使用において、被着火物への着火遅
れや不着火が目立つ。
うな従来のソリッドステートイグナイタによると、周囲
温度の低下や電源電圧ＶDCの低下によって次のような問
題が生じていた。 〔周囲温度が低下した場合〕周囲温度が下がると、一般
的な特性として主トランジスタＱ１の電流利得（ｈFE）
が低下するため、主トランジスタＱ１のコレクタ電流Ｉ
1 が低下し、ひいてはトランスＴ１の２次側の出力電流
Ｉ2 を減少させてしまう。このため、周囲温度が下がる
と、出力エネルギーが低下し、被着火物への着火を行う
ために必要な放電エネルギーが得にくくなり、着火性が
悪化する。また、被着火物をオイル等の液体とした場
合、低温になると、オイル等の液体がゲル状になってく
るため、ノズルから霧状に噴射されるはずのオイルの粒
子が大きくなり、さらに着火しにくくなる。特に、周囲
温度が０℃以下での使用において、被着火物への着火遅
れや不着火が目立つ。
【０００５】〔電源電圧ＶDCが低下した場合〕電源電圧
ＶDCが低下すると、主トランジスタＱ１のコレクタ−エ
ミッタ間の電圧ＶＣＥが低下するため、コンデンサＣ１
の端子間のＬＣ共振電圧も低下し、トランスＴ１の２次
側の出力電圧も低下する。また、ＬＣ共振電圧が低下す
ると、トランスＴ１の３次側の出力電圧も減少し、主ト
ランジスタＱ１へのベース電流ＩB が低下する。このた
め、主トランジスタＱ１をオン／オフ駆動する際のオン
幅が狭くなり、主トランジスタＱ１のコレクタ電流Ｉ1
が低下し、トランスＴ２の２次側の出力電流Ｉ2 も低下
する。すなわち、電源電圧ＶDCが低下すると、トランス
Ｔ２の２次側の出力電圧，電流共に減少することにな
り、出力エネルギーが低下し、被着火物への着火を行う
ために必要な放電エネルギーが得にくくなり、着火性が
悪化する。特に、工場の中など、商用電源ＶACの変動が
大きな環境下での使用において、被着火物への着火遅れ
や不着火が目立つ。
ＶDCが低下すると、主トランジスタＱ１のコレクタ−エ
ミッタ間の電圧ＶＣＥが低下するため、コンデンサＣ１
の端子間のＬＣ共振電圧も低下し、トランスＴ１の２次
側の出力電圧も低下する。また、ＬＣ共振電圧が低下す
ると、トランスＴ１の３次側の出力電圧も減少し、主ト
ランジスタＱ１へのベース電流ＩB が低下する。このた
め、主トランジスタＱ１をオン／オフ駆動する際のオン
幅が狭くなり、主トランジスタＱ１のコレクタ電流Ｉ1
が低下し、トランスＴ２の２次側の出力電流Ｉ2 も低下
する。すなわち、電源電圧ＶDCが低下すると、トランス
Ｔ２の２次側の出力電圧，電流共に減少することにな
り、出力エネルギーが低下し、被着火物への着火を行う
ために必要な放電エネルギーが得にくくなり、着火性が
悪化する。特に、工場の中など、商用電源ＶACの変動が
大きな環境下での使用において、被着火物への着火遅れ
や不着火が目立つ。
【０００６】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、周囲温度の
低下に対しても、また電源電圧の低下に対しても、着火
性を良好とすることの可能な着火装置を提供することに
ある。
なされたもので、その目的とするところは、周囲温度の
低下に対しても、また電源電圧の低下に対しても、着火
性を良好とすることの可能な着火装置を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、第１発明（請求項１に係る発明）は、主トラ
ンジスタを起動し、この主トランジスタを介してトラン
スの１次側に電流を流し、このトランスの２次側に高電
圧を発生させ、これにより生じるトランスの３次側の出
力に基づいて主トランジスタのオン／オフ駆動を継続
し、被着火物への着火を行う着火装置において、主トラ
ンジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅を周囲温度の
低下および電源電圧の低下に応じて広げるようにしたも
のである。
るために、第１発明（請求項１に係る発明）は、主トラ
ンジスタを起動し、この主トランジスタを介してトラン
スの１次側に電流を流し、このトランスの２次側に高電
圧を発生させ、これにより生じるトランスの３次側の出
力に基づいて主トランジスタのオン／オフ駆動を継続
し、被着火物への着火を行う着火装置において、主トラ
ンジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅を周囲温度の
低下および電源電圧の低下に応じて広げるようにしたも
のである。
【０００８】第２発明（請求項２に係る発明）は、主ト
ランジスタを起動し、この主トランジスタを介してトラ
ンスの１次側に電流を流し、このトランスの２次側に高
電圧を発生させ、これにより生じるトランスの３次側の
出力を主トランジスタのベースに印加してそのオン／オ
フ駆動を継続し、被着火物への着火を行う着火装置にお
いて、主トランジスタのベースに副トランジスタのコレ
クタを接続し、この副トランジスタのエミッタと主トラ
ンジスタのエミッタとの間に抵抗を接続し、この抵抗と
主トランジスタのエミッタとの接続点と副トランジスタ
のベースとの間にそのカソードを副トランジスタ側とし
てダイオードを接続したものである。
ランジスタを起動し、この主トランジスタを介してトラ
ンスの１次側に電流を流し、このトランスの２次側に高
電圧を発生させ、これにより生じるトランスの３次側の
出力を主トランジスタのベースに印加してそのオン／オ
フ駆動を継続し、被着火物への着火を行う着火装置にお
いて、主トランジスタのベースに副トランジスタのコレ
クタを接続し、この副トランジスタのエミッタと主トラ
ンジスタのエミッタとの間に抵抗を接続し、この抵抗と
主トランジスタのエミッタとの接続点と副トランジスタ
のベースとの間にそのカソードを副トランジスタ側とし
てダイオードを接続したものである。
【０００９】第３発明（請求項３に係る発明）は、主ト
ランジスタを起動し、この主トランジスタを介してトラ
ンスの１次側に電流を流し、このトランスの２次側に高
電圧を発生させ、これにより生じるトランスの３次側の
出力に基づいて主トランジスタのオン／オフ駆動を継続
し、被着火物への着火を行う着火装置において、温度が
低くなるにつれその容量が増大するコンデンサを用いて
ＣＲ時定数回路を構成し、電源電圧の変動に応じてその
値が変化する電圧をＣＲ時定数回路の一端に印加し、ト
ランスの３次側の出力に応じてその値が変化する電圧を
ＣＲ時定数回路の他端に印加し、このＣＲ時定数回路に
おけるコンデンサの充電々圧の上昇に応じ、この充電々
圧が所定値に達するまでの間、主トランジスタをオンと
するようにしたものである。
ランジスタを起動し、この主トランジスタを介してトラ
ンスの１次側に電流を流し、このトランスの２次側に高
電圧を発生させ、これにより生じるトランスの３次側の
出力に基づいて主トランジスタのオン／オフ駆動を継続
し、被着火物への着火を行う着火装置において、温度が
低くなるにつれその容量が増大するコンデンサを用いて
ＣＲ時定数回路を構成し、電源電圧の変動に応じてその
値が変化する電圧をＣＲ時定数回路の一端に印加し、ト
ランスの３次側の出力に応じてその値が変化する電圧を
ＣＲ時定数回路の他端に印加し、このＣＲ時定数回路に
おけるコンデンサの充電々圧の上昇に応じ、この充電々
圧が所定値に達するまでの間、主トランジスタをオンと
するようにしたものである。
【００１０】
【作用】したがってこの発明によれば、第１発明では、
周囲温度の低下や電源電圧の低下が生じると、主トラン
ジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅が広げられ、主
トランジスタを介して流れるトランスの１次側の電流が
増大し、トランスの２次側の出力エネルギーの減少が補
われる。
周囲温度の低下や電源電圧の低下が生じると、主トラン
ジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅が広げられ、主
トランジスタを介して流れるトランスの１次側の電流が
増大し、トランスの２次側の出力エネルギーの減少が補
われる。
【００１１】第２発明では、周囲温度が低下すると、副
トランジスタの電流利得の低下により、副トランジスタ
のコレクタ電流が減少し、またダイオードは温度が低く
なると電圧降下が大きくなるため、益々、副トランジス
タのコレクタ電流が減少する。これにより、主トランジ
スタへのベース電流が増加し、主トランジスタをオン／
オフ駆動する際のオン幅が広げられ、主トランジスタの
コレクタ電流が増大し、トランスの２次側の出力エネル
ギーの減少が補われる。また、電源電圧が低下すると、
トランスの３次側の出力電圧が減少し、主トランジスタ
のコレクタ電流が減少する。主トランジスタのコレクタ
電流が低下すると、副トランジスタのコレクタと主トラ
ンジスタのベースとの間に接続された抵抗での電圧降下
が小さくなり、副トランジスタのベース−エミッタ電圧
が低下し、副トランジスタのコレクタ電流が減少する。
これにより、主トランジスタへのベース電流が増加し、
主トランジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅が広げ
られ、主トランジスタのコレクタ電流が増大し、トラン
スの２次側の出力エネルギーの減少が補われる。
トランジスタの電流利得の低下により、副トランジスタ
のコレクタ電流が減少し、またダイオードは温度が低く
なると電圧降下が大きくなるため、益々、副トランジス
タのコレクタ電流が減少する。これにより、主トランジ
スタへのベース電流が増加し、主トランジスタをオン／
オフ駆動する際のオン幅が広げられ、主トランジスタの
コレクタ電流が増大し、トランスの２次側の出力エネル
ギーの減少が補われる。また、電源電圧が低下すると、
トランスの３次側の出力電圧が減少し、主トランジスタ
のコレクタ電流が減少する。主トランジスタのコレクタ
電流が低下すると、副トランジスタのコレクタと主トラ
ンジスタのベースとの間に接続された抵抗での電圧降下
が小さくなり、副トランジスタのベース−エミッタ電圧
が低下し、副トランジスタのコレクタ電流が減少する。
これにより、主トランジスタへのベース電流が増加し、
主トランジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅が広げ
られ、主トランジスタのコレクタ電流が増大し、トラン
スの２次側の出力エネルギーの減少が補われる。
【００１２】第３発明では、周囲温度が低下すると、Ｃ
Ｒ時定数回路のコンデンサの容量が増大し、ＣＲ時定数
回路の時定数が大きくなる。これにより、コンデンサの
充電々圧の上昇速度が鈍くなって、この充電々圧が所定
値に達するまでの時間が長くなり、主トランジスタをオ
ン／オフ駆動する際のオン幅が広げられ、主トランジス
タを介して流れるトランスの１次側の電流が増大し、ト
ランスの２次側の出力エネルギーの減少が補われる。ま
た、電源電圧が低下すると、ＣＲ時定数回路の一端に印
加される電圧が低下し、ＣＲ時定数回路の時定数で決定
されるコンデンサの充電々圧の上昇速度が鈍くなって、
この充電々圧が所定値に達するまでの時間が長くなり、
主トランジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅が広げ
られ、主トランジスタを介して流れるトランスの１次側
の電流が増大し、トランスの２次側の出力エネルギーの
減少が補われる。
Ｒ時定数回路のコンデンサの容量が増大し、ＣＲ時定数
回路の時定数が大きくなる。これにより、コンデンサの
充電々圧の上昇速度が鈍くなって、この充電々圧が所定
値に達するまでの時間が長くなり、主トランジスタをオ
ン／オフ駆動する際のオン幅が広げられ、主トランジス
タを介して流れるトランスの１次側の電流が増大し、ト
ランスの２次側の出力エネルギーの減少が補われる。ま
た、電源電圧が低下すると、ＣＲ時定数回路の一端に印
加される電圧が低下し、ＣＲ時定数回路の時定数で決定
されるコンデンサの充電々圧の上昇速度が鈍くなって、
この充電々圧が所定値に達するまでの時間が長くなり、
主トランジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅が広げ
られ、主トランジスタを介して流れるトランスの１次側
の電流が増大し、トランスの２次側の出力エネルギーの
減少が補われる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。 〔実施例１〕図１はこの発明の一実施例を示すソリッド
ステートイグナイタの回路図である。同図において、図
８と同一符号は同一或いは同等構成要素を示し、その説
明は省略する。本実施例において、図８に示した従来の
ソリッドステートイグナイタと異なる点は、主トランジ
スタＱ１とトランスＴ１との間にスイッチング電流制御
部１を設けた点にある。
る。 〔実施例１〕図１はこの発明の一実施例を示すソリッド
ステートイグナイタの回路図である。同図において、図
８と同一符号は同一或いは同等構成要素を示し、その説
明は省略する。本実施例において、図８に示した従来の
ソリッドステートイグナイタと異なる点は、主トランジ
スタＱ１とトランスＴ１との間にスイッチング電流制御
部１を設けた点にある。
【００１４】スイッチング電流制御部１は、副トランジ
スタＱ２と、抵抗Ｒ２と、ダイオードＤ２〜Ｄ４と、コ
ンデンサＣ３，Ｃ４とによって構成されている。このス
イッチング電流制御部１において、ダイオードＤ２とコ
ンデンサＣ４は並列に接続され、抵抗Ｒ１とトランスＴ
１の３次巻線Ｌ３との間に接続されている。また、副ト
ランジスタＱ２のコレクタは、ダイオードＤ２とコンデ
ンサＣ４との並列接続回路と抵抗Ｒ１との接続点（主ト
ランジスタＱ１のベース）に接続されている。
スタＱ２と、抵抗Ｒ２と、ダイオードＤ２〜Ｄ４と、コ
ンデンサＣ３，Ｃ４とによって構成されている。このス
イッチング電流制御部１において、ダイオードＤ２とコ
ンデンサＣ４は並列に接続され、抵抗Ｒ１とトランスＴ
１の３次巻線Ｌ３との間に接続されている。また、副ト
ランジスタＱ２のコレクタは、ダイオードＤ２とコンデ
ンサＣ４との並列接続回路と抵抗Ｒ１との接続点（主ト
ランジスタＱ１のベース）に接続されている。
【００１５】抵抗Ｒ２は、主トランジスタＱ１のエミッ
タと副トランジスタのエミッタとの間に接続され、抵抗
Ｒ２と主トランジスタＱ１のエミッタとの接続点と副ト
ランジスタＱ２のベースとの間に、ダイオードＤ３がそ
のカソードを副トランジスタＱ２側として接続されてい
る。また、抵抗Ｒ２に並列に、コンデンサＣ３とダイオ
ードＤ４が接続されている。なお、本実施例において、
主トランジスタＱ１はそのｈFEが１０〜５０、副トラン
ジスタＱ２はそのｈFEが２００以上のものを使用してい
る。また、トランジスタＱ１，Ｑ２は、一般的な特性と
して、周囲温度が下がると、そのｈFEが低下する。ま
た、ダイオードＤ３，Ｄ４も、一般的な特性として、周
囲温度が下がると、その電圧降下が大きくなる。
タと副トランジスタのエミッタとの間に接続され、抵抗
Ｒ２と主トランジスタＱ１のエミッタとの接続点と副ト
ランジスタＱ２のベースとの間に、ダイオードＤ３がそ
のカソードを副トランジスタＱ２側として接続されてい
る。また、抵抗Ｒ２に並列に、コンデンサＣ３とダイオ
ードＤ４が接続されている。なお、本実施例において、
主トランジスタＱ１はそのｈFEが１０〜５０、副トラン
ジスタＱ２はそのｈFEが２００以上のものを使用してい
る。また、トランジスタＱ１，Ｑ２は、一般的な特性と
して、周囲温度が下がると、そのｈFEが低下する。ま
た、ダイオードＤ３，Ｄ４も、一般的な特性として、周
囲温度が下がると、その電圧降下が大きくなる。
【００１６】この回路では、商用電源ＶACがダイオード
Ｄ１，コンデンサＣ２により整流・平滑され、電源電圧
（直流電圧）ＶDCとして後段の回路へ供給される。これ
により、抵抗Ｒ１を介し主トランジスタＱ１のベースに
電流が流れ、主トランジスタＱ１が起動され、主トラン
ジスタＱ１を介してトランスＴ１の１次巻線Ｌ１（１次
側）に電流が流れ、トランスＴ１の２次巻線Ｌ２（２次
側）に高電圧が発生する。これにより、トランスＴ１の
３次巻線Ｌ３（３次側）に電圧が生じ、この３次側の出
力を制御出力として主トランジスタＱ１のオン／オフ駆
動が継続され、コンデンサＣ１とコイルＬ１とがＬＣ共
振し、トランスＴ１の２次側に高電圧が繰り返し発生す
る。この高電圧によって、ギャップＧ１，Ｇ２間に火花
放電（スパーク）が生じ、このスパークによって被着火
物への着火が行われる。
Ｄ１，コンデンサＣ２により整流・平滑され、電源電圧
（直流電圧）ＶDCとして後段の回路へ供給される。これ
により、抵抗Ｒ１を介し主トランジスタＱ１のベースに
電流が流れ、主トランジスタＱ１が起動され、主トラン
ジスタＱ１を介してトランスＴ１の１次巻線Ｌ１（１次
側）に電流が流れ、トランスＴ１の２次巻線Ｌ２（２次
側）に高電圧が発生する。これにより、トランスＴ１の
３次巻線Ｌ３（３次側）に電圧が生じ、この３次側の出
力を制御出力として主トランジスタＱ１のオン／オフ駆
動が継続され、コンデンサＣ１とコイルＬ１とがＬＣ共
振し、トランスＴ１の２次側に高電圧が繰り返し発生す
る。この高電圧によって、ギャップＧ１，Ｇ２間に火花
放電（スパーク）が生じ、このスパークによって被着火
物への着火が行われる。
【００１７】図２にこの回路の起動後の動作状況を示
す。図２（ａ）は主トランジスタＱ１のベース−エミッ
タ電圧ＶBE、図２（ｂ）は主トランジスタＱ１のベース
電流ＩB 、図２（ｃ）は主トランジスタＱ１のコレクタ
電流Ｉ1 、図２（ｄ）は副トランジスタＱ２のコレクタ
電流Ｉ3 を示す。なお、同図において、点線で示す波形
は周囲温度の高い時（通常時）もしくは電源電圧ＶDCの
高い時（通常時）を示し、実線で示す波形は周囲温度の
低い時もしくは電源電圧ＶDCの低い時を示している。
す。図２（ａ）は主トランジスタＱ１のベース−エミッ
タ電圧ＶBE、図２（ｂ）は主トランジスタＱ１のベース
電流ＩB 、図２（ｃ）は主トランジスタＱ１のコレクタ
電流Ｉ1 、図２（ｄ）は副トランジスタＱ２のコレクタ
電流Ｉ3 を示す。なお、同図において、点線で示す波形
は周囲温度の高い時（通常時）もしくは電源電圧ＶDCの
高い時（通常時）を示し、実線で示す波形は周囲温度の
低い時もしくは電源電圧ＶDCの低い時を示している。
【００１８】この回路では、主トランジスタＱ１がオン
とされると、電流Ｉ1 が流れ、抵抗Ｒ２の両端に電位差
が生じる。この電位差が一定値以上となると、副トラン
ジスタＱ２がオンとなり、電流Ｉ3 が流れ、主トランジ
スタＱ１へのベース電流ＩBを分流する。ベース電流Ｉ
B はトランスＴ１の３次側の出力電圧に応じて変化す
る。トランスＴ１の３次側の出力電圧が上昇すると（立
ち上がると）、主トランジスタＱ１にベース−エミッタ
電圧ＶBEが上昇し（図２（ａ）に示すｔ１点）、主トラ
ンジスタＱ１がオンとされる。トランスＴ１の３次側の
出力電圧が低下すると（立ち下がると）、ベース電流Ｉ
B が減少し、ベース−エミッタ電圧ＶBEが低下し（図２
（ａ）に示すｔ２点）、主トランジスタＱ１がオフとさ
れる。
とされると、電流Ｉ1 が流れ、抵抗Ｒ２の両端に電位差
が生じる。この電位差が一定値以上となると、副トラン
ジスタＱ２がオンとなり、電流Ｉ3 が流れ、主トランジ
スタＱ１へのベース電流ＩBを分流する。ベース電流Ｉ
B はトランスＴ１の３次側の出力電圧に応じて変化す
る。トランスＴ１の３次側の出力電圧が上昇すると（立
ち上がると）、主トランジスタＱ１にベース−エミッタ
電圧ＶBEが上昇し（図２（ａ）に示すｔ１点）、主トラ
ンジスタＱ１がオンとされる。トランスＴ１の３次側の
出力電圧が低下すると（立ち下がると）、ベース電流Ｉ
B が減少し、ベース−エミッタ電圧ＶBEが低下し（図２
（ａ）に示すｔ２点）、主トランジスタＱ１がオフとさ
れる。
【００１９】〔周囲温度が低下した場合〕周囲温度が下
がると、主トランジスタＱ１のｈFEが低下するだけでな
く、副トランジスタＱ２のｈFEも低下する。これによ
り、副トランジスタＱ２のコレクタ電流Ｉ3 が減少し、
またダイオードＤ３は温度が低くなると電圧降下が大き
くなるため、益々、副トランジスタＱ２のコレクタ電流
Ｉ3 が減少する。これにより、主トランジスタＱ１への
ベース電流ＩB が増加し、主トランジスタＱ１をオン／
オフ駆動する際のオン幅（図２（ａ）に示すＴＷ）がＴ
Ｗ1 からＴＷ2 へと広げられ、主トランジスタＱ１のコ
レクタ電流Ｉ1 が増大し、主トランスＱ１のｈFEの低下
による出力電流Ｉ2 の減少が補われる。
がると、主トランジスタＱ１のｈFEが低下するだけでな
く、副トランジスタＱ２のｈFEも低下する。これによ
り、副トランジスタＱ２のコレクタ電流Ｉ3 が減少し、
またダイオードＤ３は温度が低くなると電圧降下が大き
くなるため、益々、副トランジスタＱ２のコレクタ電流
Ｉ3 が減少する。これにより、主トランジスタＱ１への
ベース電流ＩB が増加し、主トランジスタＱ１をオン／
オフ駆動する際のオン幅（図２（ａ）に示すＴＷ）がＴ
Ｗ1 からＴＷ2 へと広げられ、主トランジスタＱ１のコ
レクタ電流Ｉ1 が増大し、主トランスＱ１のｈFEの低下
による出力電流Ｉ2 の減少が補われる。
【００２０】本実施例では、周囲温度の低下に伴う減少
量以上にその出力電流Ｉ2 の減少を補うものとしてお
り、周囲温度が低下した場合には周囲温度が高いとき以
上の出力電流Ｉ2 が得られる。すなわち、本実施例で
は、図３（ａ）に従来形と比較してその周囲温度−出力
エネルギー特性（温度特性）を示すように、周囲温度が
低くなるほど出力エネルギーが増大し、周囲温度の低下
による着火性の悪化が防止される。
量以上にその出力電流Ｉ2 の減少を補うものとしてお
り、周囲温度が低下した場合には周囲温度が高いとき以
上の出力電流Ｉ2 が得られる。すなわち、本実施例で
は、図３（ａ）に従来形と比較してその周囲温度−出力
エネルギー特性（温度特性）を示すように、周囲温度が
低くなるほど出力エネルギーが増大し、周囲温度の低下
による着火性の悪化が防止される。
【００２１】〔電源電圧ＶDCが低下した場合〕電源電圧
ＶDCが低下すると、従来例で説明した場合と同様にし
て、トランスＴ１の３次側の出力電圧が減少し、主トラ
ンジスタＱ１へのベース電流ＩB が減少し、主トランジ
スタＱ１のコレクタ電流Ｉ1 が減少する。主トランジス
タＱ１のコレクタ電流Ｉ1 が減少すると、抵抗Ｒ２での
電圧降下が小さくなり、副トランジスタＱ２のベース−
エミッタ電圧が低下し、副トランジスタＱ２のコレクタ
電流Ｉ3 が減少する。これにより、主トランジスタＱ１
へのベース電流ＩB が増加し、主トランジスタＱ１をオ
ン／オフ駆動する際のオン幅（図２（ａ）に示すＴＷ）
がＴＷ1 からＴＷ2 へと広げられ、主トランジスタＱ１
のコレクタ電流Ｉ1が増大し、トランスＴ１の３次側の
出力電圧の減少による出力電流Ｉ2 の減少が補われる。
ＶDCが低下すると、従来例で説明した場合と同様にし
て、トランスＴ１の３次側の出力電圧が減少し、主トラ
ンジスタＱ１へのベース電流ＩB が減少し、主トランジ
スタＱ１のコレクタ電流Ｉ1 が減少する。主トランジス
タＱ１のコレクタ電流Ｉ1 が減少すると、抵抗Ｒ２での
電圧降下が小さくなり、副トランジスタＱ２のベース−
エミッタ電圧が低下し、副トランジスタＱ２のコレクタ
電流Ｉ3 が減少する。これにより、主トランジスタＱ１
へのベース電流ＩB が増加し、主トランジスタＱ１をオ
ン／オフ駆動する際のオン幅（図２（ａ）に示すＴＷ）
がＴＷ1 からＴＷ2 へと広げられ、主トランジスタＱ１
のコレクタ電流Ｉ1が増大し、トランスＴ１の３次側の
出力電圧の減少による出力電流Ｉ2 の減少が補われる。
【００２２】この場合の電源電圧−出力エネルギー特性
（電源電圧特性）を図３（ｂ）に従来形と比較して示
す。このように、本実施例によれば、電源電圧ＶDCの低
下に対する出力エネルギーの低下度合いが小さく、電源
電圧ＶDCの低下による着火性の悪化が防止される。
（電源電圧特性）を図３（ｂ）に従来形と比較して示
す。このように、本実施例によれば、電源電圧ＶDCの低
下に対する出力エネルギーの低下度合いが小さく、電源
電圧ＶDCの低下による着火性の悪化が防止される。
【００２３】〔実施例２〕図４はこの発明の他の実施例
を示すソリッドステートイグナイタの回路図である。本
実施例では、主トランジスタＱ１として電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）を使用するものとし、起動パルス発生
部２と、スイッチング電圧パルス幅制御部３とを設け、
整流平滑部４にダイオードＤ１，コンデンサＣ２に加え
て、抵抗Ｒ３〜Ｒ６，コンデンサＣ５，Ｃ６，ダイオー
ドＤ５，ツェナーダイオードＺＤ１，ＺＤ２を設けてい
る。
を示すソリッドステートイグナイタの回路図である。本
実施例では、主トランジスタＱ１として電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）を使用するものとし、起動パルス発生
部２と、スイッチング電圧パルス幅制御部３とを設け、
整流平滑部４にダイオードＤ１，コンデンサＣ２に加え
て、抵抗Ｒ３〜Ｒ６，コンデンサＣ５，Ｃ６，ダイオー
ドＤ５，ツェナーダイオードＺＤ１，ＺＤ２を設けてい
る。
【００２４】起動パルス発生部２は、抵抗Ｒ７〜Ｒ１４
と、コンデンサＣ７，Ｃ８と、ダイオードＤ６，Ｄ７
と、インバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３と、ツェナーダイオ
ードＺＤ３と、トランジスタＱ２とで構成されている。
スイッチング電圧パルス幅制御部３は、抵抗Ｒ１３〜Ｒ
１７と、コンデンサＣ９と、ダイオードＤ８〜Ｄ１０
と、インバータＩＮＶ３〜ＩＮＶ６と、ツェナーダイオ
ードＺＤ４〜ＺＤ６と、トランジスタＱ２，Ｑ３とで構
成されている。起動パルス発生部２およびスイッチング
電圧パルス幅制御部３において、抵抗Ｒ１３，Ｒ１４，
インバータＩＮＶ３，トランジスタＱ２は、共通に用い
られている。
と、コンデンサＣ７，Ｃ８と、ダイオードＤ６，Ｄ７
と、インバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３と、ツェナーダイオ
ードＺＤ３と、トランジスタＱ２とで構成されている。
スイッチング電圧パルス幅制御部３は、抵抗Ｒ１３〜Ｒ
１７と、コンデンサＣ９と、ダイオードＤ８〜Ｄ１０
と、インバータＩＮＶ３〜ＩＮＶ６と、ツェナーダイオ
ードＺＤ４〜ＺＤ６と、トランジスタＱ２，Ｑ３とで構
成されている。起動パルス発生部２およびスイッチング
電圧パルス幅制御部３において、抵抗Ｒ１３，Ｒ１４，
インバータＩＮＶ３，トランジスタＱ２は、共通に用い
られている。
【００２５】また、スイッチング電圧パルス幅制御部３
において、コンデンサＣ９と抵抗Ｒ１５とによってＣＲ
時定数回路が構成されており、ＣＲ時定数回路の一端
（抵抗Ｒ１５側）にはツェナーダイオードＺＤ４，ＺＤ
５を介して電源電圧ＶDCに応じてその値が変化する電圧
Ｖa1が印加される。また、ＣＲ時定数回路の他端（コン
デンサＣ９側）には、インバータＩＮＶ４を介してトラ
ンスＴ１の３次側の電圧に応じてその値が「Ｌ」／
「Ｈ」レベルに変化する電圧が印加される。
において、コンデンサＣ９と抵抗Ｒ１５とによってＣＲ
時定数回路が構成されており、ＣＲ時定数回路の一端
（抵抗Ｒ１５側）にはツェナーダイオードＺＤ４，ＺＤ
５を介して電源電圧ＶDCに応じてその値が変化する電圧
Ｖa1が印加される。また、ＣＲ時定数回路の他端（コン
デンサＣ９側）には、インバータＩＮＶ４を介してトラ
ンスＴ１の３次側の電圧に応じてその値が「Ｌ」／
「Ｈ」レベルに変化する電圧が印加される。
【００２６】また、本実施例において、コンデンサＣ９
としては、温度が低くなるにつれてその容量が増大する
もの（例えば、セラミックコンデンサ）を用いている。
また、ツェナーダイオードＺＤ５としては、５．１Ｖ以
下のものを用いており、温度が低くなるとそのツェナー
電圧が高くなる。また、ツェナーダイオードＺＤ４とし
ては、温度が低くなると、その順方向電圧が高くなるも
のを用いている。
としては、温度が低くなるにつれてその容量が増大する
もの（例えば、セラミックコンデンサ）を用いている。
また、ツェナーダイオードＺＤ５としては、５．１Ｖ以
下のものを用いており、温度が低くなるとそのツェナー
電圧が高くなる。また、ツェナーダイオードＺＤ４とし
ては、温度が低くなると、その順方向電圧が高くなるも
のを用いている。
【００２７】この回路では、商用電源ＶACがダイオード
Ｄ１，コンデンサＣ２により整流・平滑され、電源電圧
（直流電圧）ＶDCとして後段の回路へ供給される。これ
により、図５（ａ）〜（ｆ）に起動パルス発生部２にお
けるＰ１〜Ｐ６点での変化波形を示すように、ＦＥＴＱ
１のゲートにワンショットパルスが与えられる（図５
（ｆ））。これにより、ＦＥＴＱ１が起動され、電流Ｉ
1 が流れ（図５（ｇ））、ＦＥＴＱ１を介してトランス
Ｔ１の１次巻線Ｌ１（１次側）に電流が流れることによ
り、トランスＴ１の２次巻線Ｌ２（２次側）に高電圧が
発生する。
Ｄ１，コンデンサＣ２により整流・平滑され、電源電圧
（直流電圧）ＶDCとして後段の回路へ供給される。これ
により、図５（ａ）〜（ｆ）に起動パルス発生部２にお
けるＰ１〜Ｐ６点での変化波形を示すように、ＦＥＴＱ
１のゲートにワンショットパルスが与えられる（図５
（ｆ））。これにより、ＦＥＴＱ１が起動され、電流Ｉ
1 が流れ（図５（ｇ））、ＦＥＴＱ１を介してトランス
Ｔ１の１次巻線Ｌ１（１次側）に電流が流れることによ
り、トランスＴ１の２次巻線Ｌ２（２次側）に高電圧が
発生する。
【００２８】これにより、トランスＴ１の３次巻線Ｌ３
（３次側）に電圧が生じ、この３次側の出力を制御出力
として、スイッチング電圧パルス幅制御部３を介してＦ
ＥＴＱ１のオン／オフ駆動が継続され、コンデンサＣ１
とコイルＬ１とがＬＣ共振し、トランスＴ１の２次側に
高電圧が繰り返し発生する。この高電圧によって、ギャ
ップＧ１，Ｇ２間に火花放電（スパーク）が生じ、この
スパークによって被着火物への着火が行われる。
（３次側）に電圧が生じ、この３次側の出力を制御出力
として、スイッチング電圧パルス幅制御部３を介してＦ
ＥＴＱ１のオン／オフ駆動が継続され、コンデンサＣ１
とコイルＬ１とがＬＣ共振し、トランスＴ１の２次側に
高電圧が繰り返し発生する。この高電圧によって、ギャ
ップＧ１，Ｇ２間に火花放電（スパーク）が生じ、この
スパークによって被着火物への着火が行われる。
【００２９】図６（ａ）〜（ｈ）はスイッチング電圧パ
ルス幅制御部３におけるＰ７〜Ｐ１４点での波形変化を
示し、図６（ｉ）はＦＥＴＱ１を流れる電流Ｉ1 を示し
ている。なお、図６において、点線で示す波形は周囲温
度の高い時（通常時）もしくは電源電圧ＶDCの高い時
（通常時）を示し、実線で示す波形は周囲温度の低い時
もしくは電源電圧ＶDCの低い時を示している。
ルス幅制御部３におけるＰ７〜Ｐ１４点での波形変化を
示し、図６（ｉ）はＦＥＴＱ１を流れる電流Ｉ1 を示し
ている。なお、図６において、点線で示す波形は周囲温
度の高い時（通常時）もしくは電源電圧ＶDCの高い時
（通常時）を示し、実線で示す波形は周囲温度の低い時
もしくは電源電圧ＶDCの低い時を示している。
【００３０】スイッチング電圧パルス幅制御部３では、
トランスＴ１の３次側の出力（図６（ａ））が制御出力
として、そのＰ７点に生じる。この制御出力によって、
トランジスタＱ３がオン／オフ駆動され、このトランジ
スタＱ３のオン／オフ状況に応じた「Ｌ」／「Ｈ」レベ
ルの電圧（図６（ｂ））がインバータＩＮＶ５へ与えら
れて反転され（図６（ｃ））、さらにこのインバータＩ
ＮＶ５からの出力がインバータＩＮＶ４へ与えられて反
転されて（図６（ｄ））、ＣＲ時定数回路の他端（コン
デンサＣ９側）へ与えられる。
トランスＴ１の３次側の出力（図６（ａ））が制御出力
として、そのＰ７点に生じる。この制御出力によって、
トランジスタＱ３がオン／オフ駆動され、このトランジ
スタＱ３のオン／オフ状況に応じた「Ｌ」／「Ｈ」レベ
ルの電圧（図６（ｂ））がインバータＩＮＶ５へ与えら
れて反転され（図６（ｃ））、さらにこのインバータＩ
ＮＶ５からの出力がインバータＩＮＶ４へ与えられて反
転されて（図６（ｄ））、ＣＲ時定数回路の他端（コン
デンサＣ９側）へ与えられる。
【００３１】一方、ＣＲ時定数回路の一端（抵抗Ｒ１５
側）にはツェナーダイオードＺＤ４，ＺＤ５を介して電
源電圧ＶDCに応じてその値が変化する電圧Ｖa1が印加さ
れており、ＣＲ時定数回路の他端側が「Ｌ」レベルとな
ると、ＣＲ時定数回路の一端側からコンデンサＣ９へ電
流が流れ込み、コンデンサＣ９の充電々圧が上昇して行
く（図６（ｅ））。
側）にはツェナーダイオードＺＤ４，ＺＤ５を介して電
源電圧ＶDCに応じてその値が変化する電圧Ｖa1が印加さ
れており、ＣＲ時定数回路の他端側が「Ｌ」レベルとな
ると、ＣＲ時定数回路の一端側からコンデンサＣ９へ電
流が流れ込み、コンデンサＣ９の充電々圧が上昇して行
く（図６（ｅ））。
【００３２】そして、このコンデンサＣ９の充電々圧が
所定値に達すると、すなわちＰ１１点の電位が所定値に
達すると（図６（ｅ）に示すｔ１点）、インバータＩＮ
Ｖ６の出力が「Ｌ」レベルへ反転し（図６（ｆ）に示す
ｔ１点）、これによりインバータＩＮＶ３の出力が
「Ｈ」レベルへ反転し（図６（ｇ）に示すｔ１点）、ト
ランジスタＱ２がオンとされて、ＦＥＴＱ１へのゲート
電圧が「Ｌ」レベルへと立ち下がる（図６（ｈ）に示す
ｔ１点）。これにより、ＦＥＴＱ１がオフとされ、ＦＥ
ＴＱ１を流れる電流Ｉ1 が遮断される（図６（ｉ）に示
すｔ１点）。
所定値に達すると、すなわちＰ１１点の電位が所定値に
達すると（図６（ｅ）に示すｔ１点）、インバータＩＮ
Ｖ６の出力が「Ｌ」レベルへ反転し（図６（ｆ）に示す
ｔ１点）、これによりインバータＩＮＶ３の出力が
「Ｈ」レベルへ反転し（図６（ｇ）に示すｔ１点）、ト
ランジスタＱ２がオンとされて、ＦＥＴＱ１へのゲート
電圧が「Ｌ」レベルへと立ち下がる（図６（ｈ）に示す
ｔ１点）。これにより、ＦＥＴＱ１がオフとされ、ＦＥ
ＴＱ１を流れる電流Ｉ1 が遮断される（図６（ｉ）に示
すｔ１点）。
【００３３】〔周囲温度が低下した場合〕周囲温度が下
がると、ＣＲ時定数回路のコンデンサＣ９の容量が増大
し、ＣＲ時定数回路の時定数が大きくなる。また、ツェ
ナーダイオードＺＤ５のツェナー電圧およびツェナーダ
イオードＺＤ４の順方向電圧が高くなり、ＣＲ時定数回
路の一端に印加される電圧Ｖa1が低くなる。これによ
り、コンデンサＣ９の充電々圧の上昇速度が鈍くなっ
て、この充電々圧が所定値に達するまでの時間が長くな
り、図６（ｅ）に示すｔ１点よりも後のｔ２点で、ＦＥ
ＴＱ１を流れる電流Ｉ1が遮断されるようになる。
がると、ＣＲ時定数回路のコンデンサＣ９の容量が増大
し、ＣＲ時定数回路の時定数が大きくなる。また、ツェ
ナーダイオードＺＤ５のツェナー電圧およびツェナーダ
イオードＺＤ４の順方向電圧が高くなり、ＣＲ時定数回
路の一端に印加される電圧Ｖa1が低くなる。これによ
り、コンデンサＣ９の充電々圧の上昇速度が鈍くなっ
て、この充電々圧が所定値に達するまでの時間が長くな
り、図６（ｅ）に示すｔ１点よりも後のｔ２点で、ＦＥ
ＴＱ１を流れる電流Ｉ1が遮断されるようになる。
【００３４】すなわち、周囲温度が下がると、ＦＥＴＱ
１をオン／オフ駆動する際のスイッチングパルス幅（図
６（ｈ）に示すＴＷ）がＴＷ1 からＴＷ2 へと広げら
れ、すなわちＦＥＴＱ１をオン／オフ駆動する際のオン
幅がＴＷ1 からＴＷ2 へと広げられ、ＦＥＴＱ１を流れ
るドレイン電流が増大し、ＦＥＴＱ１のゲート・ソース
間の閾値電圧の上昇等によるドレイン電流の低下を抑
え、出力電流Ｉ2 の減少が補われる。
１をオン／オフ駆動する際のスイッチングパルス幅（図
６（ｈ）に示すＴＷ）がＴＷ1 からＴＷ2 へと広げら
れ、すなわちＦＥＴＱ１をオン／オフ駆動する際のオン
幅がＴＷ1 からＴＷ2 へと広げられ、ＦＥＴＱ１を流れ
るドレイン電流が増大し、ＦＥＴＱ１のゲート・ソース
間の閾値電圧の上昇等によるドレイン電流の低下を抑
え、出力電流Ｉ2 の減少が補われる。
【００３５】本実施例では、周囲温度の低下に伴う減少
量以上にその出力電流Ｉ2 の減少を補うものとしてお
り、周囲温度が低下した場合には周囲温度が高いとき以
上の出力電流Ｉ2 が得られる。すなわち、本実施例で
は、図７（ａ）に従来形と比較してその周囲温度−出力
エネルギー特性（温度特性）を示すように、周囲温度が
低くなるほど出力エネルギーが増大し、周囲温度の低下
による着火性の悪化が防止される。
量以上にその出力電流Ｉ2 の減少を補うものとしてお
り、周囲温度が低下した場合には周囲温度が高いとき以
上の出力電流Ｉ2 が得られる。すなわち、本実施例で
は、図７（ａ）に従来形と比較してその周囲温度−出力
エネルギー特性（温度特性）を示すように、周囲温度が
低くなるほど出力エネルギーが増大し、周囲温度の低下
による着火性の悪化が防止される。
【００３６】〔電源電圧ＶDCが低下した場合〕電源電圧
ＶDCが低下すると、ツェナーダイオードＺＤ４のアノー
ドに印加される電圧Ｖａも低下するため、ＣＲ時定数回
路の一端に印加される電圧Ｖa1も低くなる。これによ
り、コンデンサＣ９の充電々圧の上昇速度が鈍くなっ
て、この充電々圧が所定値に達するまでの時間が長くな
り、図６に（ｅ）示すｔ１点よりも後のｔ２点で、ＦＥ
ＴＱ１を流れる電流Ｉ1 が遮断されるようになる。
ＶDCが低下すると、ツェナーダイオードＺＤ４のアノー
ドに印加される電圧Ｖａも低下するため、ＣＲ時定数回
路の一端に印加される電圧Ｖa1も低くなる。これによ
り、コンデンサＣ９の充電々圧の上昇速度が鈍くなっ
て、この充電々圧が所定値に達するまでの時間が長くな
り、図６に（ｅ）示すｔ１点よりも後のｔ２点で、ＦＥ
ＴＱ１を流れる電流Ｉ1 が遮断されるようになる。
【００３７】すなわち、電源電圧ＶDCが低下すると、Ｆ
ＥＴＱ１をオン／オフ駆動する際のスイッチングパルス
幅（図６（ｈ）に示すＴＷ）がＴＷ1 からＴＷ2 へと広
げられ、すなわちＦＥＴＱ１をオン／オフ駆動する際の
オン幅がＴＷ1 からＴＷ2 へと広げられ、ＦＥＴＱ１を
流れる電流が増大し、トランスＴ１の３次側の出力電圧
の減少による出力電流Ｉ2 の減少が補われる。
ＥＴＱ１をオン／オフ駆動する際のスイッチングパルス
幅（図６（ｈ）に示すＴＷ）がＴＷ1 からＴＷ2 へと広
げられ、すなわちＦＥＴＱ１をオン／オフ駆動する際の
オン幅がＴＷ1 からＴＷ2 へと広げられ、ＦＥＴＱ１を
流れる電流が増大し、トランスＴ１の３次側の出力電圧
の減少による出力電流Ｉ2 の減少が補われる。
【００３８】この場合の電源電圧−出力エネルギー特性
を図７（ｂ）に従来形と比較して示す。このように、本
実施例によれば、電源電圧ＶDCの低下に伴う出力電圧の
減少量をも出力電流Ｉ2 の増加量にて補うことで、電源
電圧ＶDCの低下に対して出力エネルギーがほゞ一定とな
り、電源電圧ＶDCの低下による着火性の悪化が防止され
る。
を図７（ｂ）に従来形と比較して示す。このように、本
実施例によれば、電源電圧ＶDCの低下に伴う出力電圧の
減少量をも出力電流Ｉ2 の増加量にて補うことで、電源
電圧ＶDCの低下に対して出力エネルギーがほゞ一定とな
り、電源電圧ＶDCの低下による着火性の悪化が防止され
る。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、第１発明では、周囲温度の低下や電源電
圧の低下が生じると、主トランジスタをオン／オフ駆動
する際のオン幅が広げられ、主トランジスタを介して流
れるトランスの１次側の電流が増大し、これによりトラ
ンスの２次側の出力エネルギーの減少が補われるものと
なり、周囲温度の低下に対しても、また電源電圧の低下
に対しても、着火性を良好とすることができるようにな
る。
発明によれば、第１発明では、周囲温度の低下や電源電
圧の低下が生じると、主トランジスタをオン／オフ駆動
する際のオン幅が広げられ、主トランジスタを介して流
れるトランスの１次側の電流が増大し、これによりトラ
ンスの２次側の出力エネルギーの減少が補われるものと
なり、周囲温度の低下に対しても、また電源電圧の低下
に対しても、着火性を良好とすることができるようにな
る。
【００４０】第２発明では、周囲温度が低下すると、副
トランジスタの電流利得の低下により、副トランジスタ
のコレクタ電流が減少し、またダイオードは温度が低く
なると電圧降下が大きくなるため、益々、副トランジス
タのコレクタ電流が減少する。このため、主トランジス
タへのベース電流が増加し、主トランジスタをオン／オ
フ駆動する際のオン幅が広げられ、主トランジスタのコ
レクタ電流が増大し、これによりトランスの２次側の出
力エネルギーの減少が補われるものとなり、周囲温度の
低下に対して着火性を良好とすることができるようにな
る。また、電源電圧が低下すると、トランスの３次側の
出力電圧が減少し、主トランジスタのコレクタ電流が減
少し、この主トランジスタのコレクタ電流の減少によ
り、副トランジスタのエミッタと主トランジスタのベー
スとの間に接続された抵抗での電圧降下が小さくなり、
副トランジスタのベース−エミッタ電圧が低下し、副ト
ランジスタのコレクタ電流が減少する。このため、主ト
ランジスタへのベース電流が増加し、主トランジスタを
オン／オフ駆動する際のオン幅が広げられ、主トランジ
スタのコレクタ電流が増大し、これによりトランスの２
次側の出力エネルギーの減少が補われるものとなり、電
源電圧の低下に対しても着火性を良好とすることができ
るようになる。
トランジスタの電流利得の低下により、副トランジスタ
のコレクタ電流が減少し、またダイオードは温度が低く
なると電圧降下が大きくなるため、益々、副トランジス
タのコレクタ電流が減少する。このため、主トランジス
タへのベース電流が増加し、主トランジスタをオン／オ
フ駆動する際のオン幅が広げられ、主トランジスタのコ
レクタ電流が増大し、これによりトランスの２次側の出
力エネルギーの減少が補われるものとなり、周囲温度の
低下に対して着火性を良好とすることができるようにな
る。また、電源電圧が低下すると、トランスの３次側の
出力電圧が減少し、主トランジスタのコレクタ電流が減
少し、この主トランジスタのコレクタ電流の減少によ
り、副トランジスタのエミッタと主トランジスタのベー
スとの間に接続された抵抗での電圧降下が小さくなり、
副トランジスタのベース−エミッタ電圧が低下し、副ト
ランジスタのコレクタ電流が減少する。このため、主ト
ランジスタへのベース電流が増加し、主トランジスタを
オン／オフ駆動する際のオン幅が広げられ、主トランジ
スタのコレクタ電流が増大し、これによりトランスの２
次側の出力エネルギーの減少が補われるものとなり、電
源電圧の低下に対しても着火性を良好とすることができ
るようになる。
【００４１】第３発明では、周囲温度が低下すると、Ｃ
Ｒ時定数回路のコンデンサの容量が増大し、ＣＲ時定数
回路の時定数が大きくなり、コンデンサの充電々圧の上
昇速度が鈍くなって、この充電々圧が所定値に達するま
での時間が長くなり、主トランジスタをオン／オフ駆動
する際のオン幅が広げられ、主トランジスタを介して流
れるトランスの１次側の電流が増大し、これによりトラ
ンスの２次側の出力エネルギーの減少が補われるものと
なり、周囲温度の低下に対して着火性を良好とすること
ができるようになる。また、電源電圧が低下すると、Ｃ
Ｒ時定数回路の一端に印加される電圧が低下し、ＣＲ時
定数回路の時定数で決定されるコンデンサの充電々圧の
上昇速度が鈍くなって、この充電々圧が所定値に達する
までの時間が長くなり、主トランジスタをオン／オフ駆
動する際のオン幅が広げられ、主トランジスタを介して
流れるトランスの１次側の電流が増大し、これによりト
ランスの２次側の出力エネルギーの減少が補われるもの
となり、電源電圧の低下に対しても着火性を良好とする
ことができるようになる。
Ｒ時定数回路のコンデンサの容量が増大し、ＣＲ時定数
回路の時定数が大きくなり、コンデンサの充電々圧の上
昇速度が鈍くなって、この充電々圧が所定値に達するま
での時間が長くなり、主トランジスタをオン／オフ駆動
する際のオン幅が広げられ、主トランジスタを介して流
れるトランスの１次側の電流が増大し、これによりトラ
ンスの２次側の出力エネルギーの減少が補われるものと
なり、周囲温度の低下に対して着火性を良好とすること
ができるようになる。また、電源電圧が低下すると、Ｃ
Ｒ時定数回路の一端に印加される電圧が低下し、ＣＲ時
定数回路の時定数で決定されるコンデンサの充電々圧の
上昇速度が鈍くなって、この充電々圧が所定値に達する
までの時間が長くなり、主トランジスタをオン／オフ駆
動する際のオン幅が広げられ、主トランジスタを介して
流れるトランスの１次側の電流が増大し、これによりト
ランスの２次側の出力エネルギーの減少が補われるもの
となり、電源電圧の低下に対しても着火性を良好とする
ことができるようになる。
【図１】 本発明の一実施例（実施例１）を示すソリッ
ドステートイグナイタの回路図である。
ドステートイグナイタの回路図である。
【図２】 このソリッドステートイグナイタでの周囲温
度の低下および電源電圧の低下時の動作を説明するため
のタイムチャートである。
度の低下および電源電圧の低下時の動作を説明するため
のタイムチャートである。
【図３】 このソリッドステートイグナイタの温度特性
および電源電圧特性を示す図である。
および電源電圧特性を示す図である。
【図４】 本発明の他の実施例（実施例２）を示すソリ
ッドステートイグナイタの回路図である。
ッドステートイグナイタの回路図である。
【図５】 このソリッドステートイグナイタにおける起
動パルス発生部の動作を示すタイムチャートである。
動パルス発生部の動作を示すタイムチャートである。
【図６】 このソリッドステートイグナイタでの周囲温
度の低下および電源電圧の低下時の動作を説明するため
のタイムチャートである。
度の低下および電源電圧の低下時の動作を説明するため
のタイムチャートである。
【図７】 このソリッドステートイグナイタの温度特性
および電源電圧特性を示す図である。
および電源電圧特性を示す図である。
【図８】 従来のソリッドステートイグナイタの回路図
である。
である。
【符号の説明】 Ｔ１…トランス、Ｌ１…１次巻線、Ｌ２…２次巻線、Ｌ
３…３次巻線、Ｒ１…起動用の抵抗、Ｃ１…コンデン
サ、Ｑ１…主トランジスタ、Ｑ２…副トランジスタ、１
…スイッチング電流制御部、Ｒ２…抵抗、Ｄ３…ダイオ
ード、３…スイッチング電圧パルス幅制御部、Ｃ９…コ
ンデンサ、Ｒ１５…抵抗。
３…３次巻線、Ｒ１…起動用の抵抗、Ｃ１…コンデン
サ、Ｑ１…主トランジスタ、Ｑ２…副トランジスタ、１
…スイッチング電流制御部、Ｒ２…抵抗、Ｄ３…ダイオ
ード、３…スイッチング電圧パルス幅制御部、Ｃ９…コ
ンデンサ、Ｒ１５…抵抗。
Claims (3)
- 【請求項１】 主トランジスタを起動し、この主トラン
ジスタを介してトランスの１次側に電流を流し、このト
ランスの２次側に高電圧を発生させ、これにより生じる
前記トランスの３次側の出力に基づいて前記主トランジ
スタのオン／オフ駆動を継続し、被着火物への着火を行
う着火装置において、 前記主トランジスタをオン／オフ駆動する際のオン幅を
周囲温度の低下および電源電圧の低下に応じて広げるオ
ン幅拡大手段を備えたことを特徴とする着火装置。 - 【請求項２】 主トランジスタを起動し、この主トラン
ジスタを介してトランスの１次側に電流を流し、このト
ランスの２次側に高電圧を発生させ、これにより生じる
前記トランスの３次側の出力を前記主トランジスタのベ
ースに印加してそのオン／オフ駆動を継続し、被着火物
への着火を行う着火装置において、 前記主トランジスタのベースにそのコレクタが接続され
た副トランジスタと、 この副トランジスタのエミッタと前記主トランジスタの
エミッタとの間に接続された抵抗と、 この抵抗と前記主トランジスタのエミッタとの接続点と
前記副トランジスタのベースとの間にそのカソードを副
トランジスタ側として接続されたダイオードとを備えた
ことを特徴とする着火装置。 - 【請求項３】 主トランジスタを起動し、この主トラン
ジスタを介してトランスの１次側に電流を流し、このト
ランスの２次側に高電圧を発生させ、これにより生じる
前記トランスの３次側の出力に基づいて前記主トランジ
スタのオン／オフ駆動を継続し、被着火物への着火を行
う着火装置において、 電源電圧の変動に応じてその値が変化する電圧がその一
端に印加され、前記トランスの３次側の出力に応じてそ
の値が変化する電圧がその他端に印加され、温度が低く
なるにつれその容量が増大するコンデンサを用いてなる
ＣＲ時定数回路と、 このＣＲ時定数回路におけるコンデンサの充電々圧の上
昇に応じ、この充電々圧が所定値に達するまでの間、前
記主トランジスタをオンとする主トランジスタ駆動手段
とを備えたことを特徴とする着火装置。
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|---|---|---|---|
| JP7012444A JP3015999B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 着火装置 |
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| US08/589,744 US5720607A (en) | 1995-01-30 | 1996-01-22 | Ignitor |
| EP96250020A EP0724118B1 (en) | 1995-01-30 | 1996-01-25 | Ignitor |
| DE69625258T DE69625258T2 (de) | 1995-01-30 | 1996-01-25 | Zünder |
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| JP7012444A JP3015999B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 着火装置 |
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|---|---|
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| JP3015999B2 JP3015999B2 (ja) | 2000-03-06 |
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| JP (1) | JP3015999B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100540435B1 (ko) * | 1997-06-17 | 2006-03-22 | 주식회사 엘지이아이 | 가스연소기기의 점화장치 |
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| US4197082A (en) * | 1978-04-17 | 1980-04-08 | Johnson Controls, Inc. | Fuel ignition control arrangement employing dual flame sensors |
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1996
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- 1996-01-25 EP EP96250020A patent/EP0724118B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-30 CN CN96101101A patent/CN1090729C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-30 KR KR1019960002012A patent/KR100258793B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100540435B1 (ko) * | 1997-06-17 | 2006-03-22 | 주식회사 엘지이아이 | 가스연소기기의 점화장치 |
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| EP0724118A3 (en) | 1999-05-12 |
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