JPH081965B2 - Ｌｅｄ表示素子の製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄ表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH081965B2 JPH081965B2 JP2091729A JP9172990A JPH081965B2 JP H081965 B2 JPH081965 B2 JP H081965B2 JP 2091729 A JP2091729 A JP 2091729A JP 9172990 A JP9172990 A JP 9172990A JP H081965 B2 JPH081965 B2 JP H081965B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive adhesive
- display element
- metallized film
- glass substrate
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ガラス製品（眼鏡、窓ガラス、ビューファ
インダーなど）に取付けるLED表示素子の製造方法に関
するものである。
インダーなど）に取付けるLED表示素子の製造方法に関
するものである。
ガラス製品にLED（発光ダイオード）表示素子を取付
ける場合には、ガラスの透明性を損なわないために、基
板に透明なガラス板を用いており、その一例を第２図に
示す。
ける場合には、ガラスの透明性を損なわないために、基
板に透明なガラス板を用いており、その一例を第２図に
示す。
図中、21はガラス基板、22はこの基板21上に所定パタ
ーンとなるように形成したメタライズ膜、23はこのメタ
ライズ膜22の所定箇所に装着したLEDチップ、24はこのL
EDチップ23と前記メタライズ膜22を接続するAlワイヤ
ー、25は前記LEDチップ23とAlワイヤー24の部分を覆っ
ているジャンクションコーティング剤である。
ーンとなるように形成したメタライズ膜、23はこのメタ
ライズ膜22の所定箇所に装着したLEDチップ、24はこのL
EDチップ23と前記メタライズ膜22を接続するAlワイヤ
ー、25は前記LEDチップ23とAlワイヤー24の部分を覆っ
ているジャンクションコーティング剤である。
しかし、このような構造では、LEDチップ23とメタラ
イズ膜22の間の接続にAlワイヤー24を用いているため、
熱ストレスに弱く断線の恐れがある。また、ジャンクシ
ョンコーティング剤25を平らなガラス基板21上に厚くコ
ーティングすることが難しいので、耐湿性に劣るといっ
た欠点がある。
イズ膜22の間の接続にAlワイヤー24を用いているため、
熱ストレスに弱く断線の恐れがある。また、ジャンクシ
ョンコーティング剤25を平らなガラス基板21上に厚くコ
ーティングすることが難しいので、耐湿性に劣るといっ
た欠点がある。
本発明の目的は、熱ストレスに強く、かつ耐湿性に優
れたLED表示素子の製造方法を提供することにある。
れたLED表示素子の製造方法を提供することにある。
本発明は、ガラス基板上に所定パターンのメタライズ
膜を形成する工程と、ガラス基板のメタライズ膜上に導
電性接着剤を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面にLE
Dチップをマウントする工程と、LEDチップの周囲にスペ
ーサーを設け、これにシール剤を被覆する工程と、メタ
ライズ膜上に導電性接着剤を塗布した他のガラス基板を
前記LEDチップ及びスペーサーに被せ、加圧しながら導
電性接着剤及びシール剤を加熱硬化させる工程とを含む
ことを特徴とするものである。
膜を形成する工程と、ガラス基板のメタライズ膜上に導
電性接着剤を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面にLE
Dチップをマウントする工程と、LEDチップの周囲にスペ
ーサーを設け、これにシール剤を被覆する工程と、メタ
ライズ膜上に導電性接着剤を塗布した他のガラス基板を
前記LEDチップ及びスペーサーに被せ、加圧しながら導
電性接着剤及びシール剤を加熱硬化させる工程とを含む
ことを特徴とするものである。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の一実施例を示すもの
で、まず第１図（Ａ）のようにガラス基板１上に所定パ
ターンのメタライズ膜２を形成する。メタライズ膜２に
は、ITO,ITO＋Ni・P,ITO＋Ni・Ｐ＋Auなどを用いる。例
えばITO＋Ni・Ｐ＋Auの場合は、ガラス基板上にITOパタ
ーンを形成し、その上に無電解メッキNi・P0.3μｍ、Au
600Aを施す。
で、まず第１図（Ａ）のようにガラス基板１上に所定パ
ターンのメタライズ膜２を形成する。メタライズ膜２に
は、ITO,ITO＋Ni・P,ITO＋Ni・Ｐ＋Auなどを用いる。例
えばITO＋Ni・Ｐ＋Auの場合は、ガラス基板上にITOパタ
ーンを形成し、その上に無電解メッキNi・P0.3μｍ、Au
600Aを施す。
次に、第１図（Ｂ）のように所定の位置に導電性接着
剤（Agペーストなど）３を塗布し、この塗布面上に第１
図（Ｃ）のようにLEDチップ４をダイボンディングなど
によりマウントする。そして、第１図（Ｄ）のようにLE
Dチップ４の周囲にスペーサー５を設置する。スペーサ
ー５は、LEDチップ４の厚みに対して＋０％，−20％の
寸法精度とする。スペーサー５の周りには、ディスペン
サーを用いてエポキシ樹脂などのシール剤６を塗布し、
100℃,30min程度の熱処理を行う。
剤（Agペーストなど）３を塗布し、この塗布面上に第１
図（Ｃ）のようにLEDチップ４をダイボンディングなど
によりマウントする。そして、第１図（Ｄ）のようにLE
Dチップ４の周囲にスペーサー５を設置する。スペーサ
ー５は、LEDチップ４の厚みに対して＋０％，−20％の
寸法精度とする。スペーサー５の周りには、ディスペン
サーを用いてエポキシ樹脂などのシール剤６を塗布し、
100℃,30min程度の熱処理を行う。
この後、第１図（Ｅ）のようにメタライズ膜２′上に
導電性接着剤３′が塗布された他のガラス基板１′を前
記LEDチップ４、スペーサー５などを挟むようにガラス
基板１に重ね、第１図（Ｆ）のように２枚のガラス基板
1,1′を上下から加圧しながら導電性接着剤3,3′及びシ
ール剤６を加熱硬化させる。加熱温度は200℃、加熱時
間は4hr程度とする。
導電性接着剤３′が塗布された他のガラス基板１′を前
記LEDチップ４、スペーサー５などを挟むようにガラス
基板１に重ね、第１図（Ｆ）のように２枚のガラス基板
1,1′を上下から加圧しながら導電性接着剤3,3′及びシ
ール剤６を加熱硬化させる。加熱温度は200℃、加熱時
間は4hr程度とする。
上記各工程での処理が完了すると、LEDチップ４が一
対のガラス基板1,1′に電気的に直接接続されるように
挟持され、かつ封止状態となっているLED表示素子が得
られる。
対のガラス基板1,1′に電気的に直接接続されるように
挟持され、かつ封止状態となっているLED表示素子が得
られる。
なお、上記工程でLEDチップのマウント工程とスペー
サーの設置・シール処理工程の順序を入替えてもよい。
サーの設置・シール処理工程の順序を入替えてもよい。
以上のように本発明によれば、LEDチップを２枚のガ
ラス基板で挟むとともに、スペーサーで囲み、導電性接
着剤及びシール剤を加熱硬化させて封止状態とするの
で、耐湿性に優れ、かつ熱ストレスに強いLED表示素子
を得ることができる。
ラス基板で挟むとともに、スペーサーで囲み、導電性接
着剤及びシール剤を加熱硬化させて封止状態とするの
で、耐湿性に優れ、かつ熱ストレスに強いLED表示素子
を得ることができる。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明に係るLED表示素子の製
造方法の一実施例を示す工程説明図、第２図はLED表示
素子の従来の構造例を示す断面図である。 １及び１′……ガラス基板 ２及び２′……メタライズ膜 ３及び３′……導電性接着剤、４……LEDチップ ５……スペーサー、６……シール剤
造方法の一実施例を示す工程説明図、第２図はLED表示
素子の従来の構造例を示す断面図である。 １及び１′……ガラス基板 ２及び２′……メタライズ膜 ３及び３′……導電性接着剤、４……LEDチップ ５……スペーサー、６……シール剤
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板上に所定パターンのメタライズ
膜を形成する工程と、ガラス基板のメタライズ膜上に導
電性接着剤を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面にLE
Dチップをマウントする工程と、LEDチップの周囲にスペ
ーサーを設け、これにシール剤を被覆する工程と、メタ
ライズ膜上に導電性接着剤を塗布した他のガラス基板を
前記LEDチップ及びスペーサーに被せ、加圧しながら導
電性接着剤及びシール剤を加熱硬化させる工程とを含む
ことを特徴とするLED表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091729A JPH081965B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091729A JPH081965B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290982A JPH03290982A (ja) | 1991-12-20 |
| JPH081965B2 true JPH081965B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=14034601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2091729A Expired - Lifetime JPH081965B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081965B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100618941B1 (ko) * | 2005-11-08 | 2006-09-01 | 김성규 | 투명발광장치 및 그 제조방법 |
| EP2919225A1 (en) * | 2007-08-02 | 2015-09-16 | Koninklijke Philips N.V. | Light output device |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP2091729A patent/JPH081965B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03290982A (ja) | 1991-12-20 |
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