JPH08180808A - 環境制御下の陰極線管用発光スクリーンの製造方法 - Google Patents
環境制御下の陰極線管用発光スクリーンの製造方法Info
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- JPH08180808A JPH08180808A JP7235410A JP23541095A JPH08180808A JP H08180808 A JPH08180808 A JP H08180808A JP 7235410 A JP7235410 A JP 7235410A JP 23541095 A JP23541095 A JP 23541095A JP H08180808 A JPH08180808 A JP H08180808A
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- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
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- H01J9/2276—Development of latent electrostatic images
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- H01J9/221—Applying luminescent coatings in continuous layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、相対湿度と温度の制御により改良
されたＣＲＴ用発光スクリーン組立体の電子写真的な製
造方法の提供を目的とする。 【解決手段】 本発明の方法は：パネルの内面に設けら
れた揮発性のＯＣ層の上にある揮発性のＯＰＣ層に一様
な静電荷を定着させ；電荷に影響を与えるためＯＰＣ層
の選択領域に可視光を当て；摩擦電気的に充電された乾
燥粉末状スクリーン構造材料でＯＰＣ層の選択領域を現
像し；固定剤で上記材料をＯＰＣ層に固定し；上記材料
を薄膜化し；スクリーンをアルミニウム処理する。充電
中のＲＨは、ＯＣ層の性能がイオン伝達移動度の低下に
よる悪影響をうける湿度よりも上で、ＯＣ層が膨らみＯ
ＰＣ層に亀裂を生じさせる湿度よりも下に維持される。
現像中のＲＨは、上記材料が水と大量の凝塊を吸収し材
料の電荷と質量の比を被覆に悪影響を与える値に変える
湿度よりも下に維持される。
されたＣＲＴ用発光スクリーン組立体の電子写真的な製
造方法の提供を目的とする。 【解決手段】 本発明の方法は：パネルの内面に設けら
れた揮発性のＯＣ層の上にある揮発性のＯＰＣ層に一様
な静電荷を定着させ；電荷に影響を与えるためＯＰＣ層
の選択領域に可視光を当て；摩擦電気的に充電された乾
燥粉末状スクリーン構造材料でＯＰＣ層の選択領域を現
像し；固定剤で上記材料をＯＰＣ層に固定し；上記材料
を薄膜化し；スクリーンをアルミニウム処理する。充電
中のＲＨは、ＯＣ層の性能がイオン伝達移動度の低下に
よる悪影響をうける湿度よりも上で、ＯＣ層が膨らみＯ
ＰＣ層に亀裂を生じさせる湿度よりも下に維持される。
現像中のＲＨは、上記材料が水と大量の凝塊を吸収し材
料の電荷と質量の比を被覆に悪影響を与える値に変える
湿度よりも下に維持される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管（ＣＲ
Ｔ）用の発光スクリーン組立体を電子写真的に製造する
方法に係り、特に、製造処理の重要な段階中に温度及び
湿度を制御すると共にスクリーン組立体を製造する方法
に関する。
Ｔ）用の発光スクリーン組立体を電子写真的に製造する
方法に係り、特に、製造処理の重要な段階中に温度及び
湿度を制御すると共にスクリーン組立体を製造する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】1990年 5月 1日にダッタ(Datta) 等に発
行された米国特許第4,921,767 号明細書には、フェース
プレートパネルの内面に被覆された適当な光受容体の上
に順次に被覆された乾燥−粉末化され、摩擦電気的に充
電されたスクリーン構造材料を使用する電子写真的スク
リーニング（ＥＰＳ）によるカラーＣＲＴ用の発光スク
リーンの基本的な製造方法が記載されている。上記光受
容体は、好ましくは、有機伝導性（ＯＣ）層と、上に重
なる有機光伝導性（ＯＰＣ）層とからなる。上記特許に
おいて、ＯＰＣ層は、メタクリル酸ポリメチル又は炭酸
ポリプロピレンのような適当なバインダーに溶解された
ポリビニルカルバゾール、ｎ−エチル カルバゾール、
ｎ−ビニル カルバゾール又はテトラフェニル ブタト
リエン（ＴＰＢＴ）のような揮発性の有機重合体材料で
ある。上記ＯＰＣ材料の欠点は、約４８時間の間、約７
５％の相対湿度で放置された場合、亀裂を生じ易いこと
である。４８時間とは、製造作業が停止される典型的な
週末の時間を表わしている。金曜日に被覆されたＯＰＣ
層を有し、週末の間、制御されていない環境に放置され
たフェースプレートパネルは、次の月曜日には使用でき
ない可能性がある。
行された米国特許第4,921,767 号明細書には、フェース
プレートパネルの内面に被覆された適当な光受容体の上
に順次に被覆された乾燥−粉末化され、摩擦電気的に充
電されたスクリーン構造材料を使用する電子写真的スク
リーニング（ＥＰＳ）によるカラーＣＲＴ用の発光スク
リーンの基本的な製造方法が記載されている。上記光受
容体は、好ましくは、有機伝導性（ＯＣ）層と、上に重
なる有機光伝導性（ＯＰＣ）層とからなる。上記特許に
おいて、ＯＰＣ層は、メタクリル酸ポリメチル又は炭酸
ポリプロピレンのような適当なバインダーに溶解された
ポリビニルカルバゾール、ｎ−エチル カルバゾール、
ｎ−ビニル カルバゾール又はテトラフェニル ブタト
リエン（ＴＰＢＴ）のような揮発性の有機重合体材料で
ある。上記ＯＰＣ材料の欠点は、約４８時間の間、約７
５％の相対湿度で放置された場合、亀裂を生じ易いこと
である。４８時間とは、製造作業が停止される典型的な
週末の時間を表わしている。金曜日に被覆されたＯＰＣ
層を有し、週末の間、制御されていない環境に放置され
たフェースプレートパネルは、次の月曜日には使用でき
ない可能性がある。
【０００３】1992年 8月 4日にリット(Ritt)等に発行さ
れた米国特許第5,135,826 号明細書には、適当な量のフ
タル酸ジアルキルの可塑剤がＯＰＣ層を形成するため使
用される溶液に添加されるＥＰＳ処理によるスクリーン
組立体の製造方法が記載されている。可塑剤を用いるこ
とにより、特別の湿度制御を行なうことなく、光受容体
によって被覆されたパネルを週末の間放置することが可
能になる。ＯＰＣ層に上記可塑剤を有する光受容体で被
覆されたパネルは、２１°Ｃで６８％の相対湿度（Ｒ
Ｈ）の周辺雰囲気で３０秒間充電されたとき、許容し得
る電気的特性を示す。しかし、カルバゾールを含有する
材料を用いて作られたパネルは、薄膜化の間に亀裂を生
じる傾向を示し、スクリーンのベーキング中にＯＰＣ層
の揮発性組成物をベーキング除去するため長時間が必要
とされる。ＴＰＢＴを使用して作られたパネルは、ＯＰ
Ｃ層が結晶化する傾向があり、ＯＰＣ層は、ここで関心
のある波長、即ち、４００乃至５００ｎｍの波長に適当
な感度がない。結晶化は、結晶側で電気的破壊が発生す
るので好ましくなく、結晶側に発光体及び／又はマトリ
ックスの欠陥を生じさせる。
れた米国特許第5,135,826 号明細書には、適当な量のフ
タル酸ジアルキルの可塑剤がＯＰＣ層を形成するため使
用される溶液に添加されるＥＰＳ処理によるスクリーン
組立体の製造方法が記載されている。可塑剤を用いるこ
とにより、特別の湿度制御を行なうことなく、光受容体
によって被覆されたパネルを週末の間放置することが可
能になる。ＯＰＣ層に上記可塑剤を有する光受容体で被
覆されたパネルは、２１°Ｃで６８％の相対湿度（Ｒ
Ｈ）の周辺雰囲気で３０秒間充電されたとき、許容し得
る電気的特性を示す。しかし、カルバゾールを含有する
材料を用いて作られたパネルは、薄膜化の間に亀裂を生
じる傾向を示し、スクリーンのベーキング中にＯＰＣ層
の揮発性組成物をベーキング除去するため長時間が必要
とされる。ＴＰＢＴを使用して作られたパネルは、ＯＰ
Ｃ層が結晶化する傾向があり、ＯＰＣ層は、ここで関心
のある波長、即ち、４００乃至５００ｎｍの波長に適当
な感度がない。結晶化は、結晶側で電気的破壊が発生す
るので好ましくなく、結晶側に発光体及び／又はマトリ
ックスの欠陥を生じさせる。
【０００４】改良されたＯＣ層には、1994年12月 6日に
ダッタ(Datta) 等に発行された米国特許第5,370,952 号
明細書に記載された第四アンモニウムの高分子電解質が
含まれている。好ましくは、ＯＰＣ層は、ポリスチレン
と；１，４−ジ（２，４−メチル フェニル）−１，４
ジフェニルブタトリエン（以下、２，４−ＤＭＰＢＴ
と呼ぶ）のような電子供与材料と；２，４，７−トリニ
トロ−９−フルオレノン（以下、ＴＮＦと呼ぶ）及び２
−エチルアントロキノン（以下、２−ＥＡＱと呼ぶ）の
ような電子受容材料と；トルエン又はキシレンのような
溶媒とを含む溶液から形成される。好ましいＯＰＣ層
は、従来の材料の欠点を殆ど有しない。
ダッタ(Datta) 等に発行された米国特許第5,370,952 号
明細書に記載された第四アンモニウムの高分子電解質が
含まれている。好ましくは、ＯＰＣ層は、ポリスチレン
と；１，４−ジ（２，４−メチル フェニル）−１，４
ジフェニルブタトリエン（以下、２，４−ＤＭＰＢＴ
と呼ぶ）のような電子供与材料と；２，４，７−トリニ
トロ−９−フルオレノン（以下、ＴＮＦと呼ぶ）及び２
−エチルアントロキノン（以下、２−ＥＡＱと呼ぶ）の
ような電子受容材料と；トルエン又はキシレンのような
溶媒とを含む溶液から形成される。好ましいＯＰＣ層
は、従来の材料の欠点を殆ど有しない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記改良され
たＯＰＣ層の場合でも、ＥＰＳ処理のある段階におい
て、上記処理段階の間で少なくとも相対湿度と温度を制
御することにより更なる最適化が可能であることが分か
っている。
たＯＰＣ層の場合でも、ＥＰＳ処理のある段階におい
て、上記処理段階の間で少なくとも相対湿度と温度を制
御することにより更なる最適化が可能であることが分か
っている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、カラー
ＣＲＴ用発光スクリーン組立体をフェースプレートの内
面に電子写真的に製造する方法が記載されている。揮発
性の有機伝導性（ＯＣ）層がパネルの内面に設けられ、
揮発性の有機光伝導性（ＯＰＣ）層がＯＣ層の上に重な
る。上記方法は：ＯＰＣ層に実質的に一様な静電荷を定
着させる段階と；上記電荷に影響を与えるため、ＯＰＣ
層の選択された領域に可視光を当てる段階と；摩擦電気
的に充電され、乾燥粉末化されたスクリーン構造材料で
ＯＰＣ層の選択された領域を現像する段階と；適当な固
定剤でスクリーン構造材料を下にあるＯＰＣ層に固定す
る段階と；スクリーン構造材料を薄膜化する段階と；ス
クリーンをアルミニウム処理する段階とからなる。本発
明の方法によれば、充電段階中の相対湿度（ＲＨ）は、
その湿度より下であると上記有機伝導性層の性能が上記
有機伝導性層のイオン伝達移動度の低下による悪影響を
うける湿度レベルよりも上に維持され、その湿度より上
であるとＯＣ層が膨らみ、ＯＰＣ層に亀裂を生じさせる
湿度レベルよりも下に維持されるので、従来の方法を改
良する。その上、現像段階中の相対湿度（ＲＨ）は、そ
の湿度より上であると上記スクリーン構造材料が水と大
量の凝塊を吸収し、これにより、該材料の電荷と質量の
比が被覆に悪影響を与える値に変わる湿度よりも下に維
持される。
ＣＲＴ用発光スクリーン組立体をフェースプレートの内
面に電子写真的に製造する方法が記載されている。揮発
性の有機伝導性（ＯＣ）層がパネルの内面に設けられ、
揮発性の有機光伝導性（ＯＰＣ）層がＯＣ層の上に重な
る。上記方法は：ＯＰＣ層に実質的に一様な静電荷を定
着させる段階と；上記電荷に影響を与えるため、ＯＰＣ
層の選択された領域に可視光を当てる段階と；摩擦電気
的に充電され、乾燥粉末化されたスクリーン構造材料で
ＯＰＣ層の選択された領域を現像する段階と；適当な固
定剤でスクリーン構造材料を下にあるＯＰＣ層に固定す
る段階と；スクリーン構造材料を薄膜化する段階と；ス
クリーンをアルミニウム処理する段階とからなる。本発
明の方法によれば、充電段階中の相対湿度（ＲＨ）は、
その湿度より下であると上記有機伝導性層の性能が上記
有機伝導性層のイオン伝達移動度の低下による悪影響を
うける湿度レベルよりも上に維持され、その湿度より上
であるとＯＣ層が膨らみ、ＯＰＣ層に亀裂を生じさせる
湿度レベルよりも下に維持されるので、従来の方法を改
良する。その上、現像段階中の相対湿度（ＲＨ）は、そ
の湿度より上であると上記スクリーン構造材料が水と大
量の凝塊を吸収し、これにより、該材料の電荷と質量の
比が被覆に悪影響を与える値に変わる湿度よりも下に維
持される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施例を詳細に説明する。図１は、矩形状のファンネ
ル１５により接続された矩形状のフェースプレートパネ
ル１２と管状のネック１４とからなるガラスエンベロー
プ１１を有するカラー陰極線管１０を示す図である。フ
ァンネル１５は、アノードボタン１６と接触し、ネック
１４内に広がる内部の伝導性被膜（図示しない）を有す
る。パネル１２は、ビューイングフェースプレート又は
サブストレート１８と、ガラスフリット２１によってフ
ァンネル１５に密着された周辺フランジ又は側壁２０と
からなる。発光性の３色発光体スクリーン２２は、フェ
ースプレート１８の内面に担持されている。図２に示す
ように、スクリーン２２は、循環的な順序で３本の縞又
は三つ一組のカラー群又は画素に配置された赤色放出発
光縞Ｒ、緑色放出発光縞Ｇ及び青色放出発光縞Ｂよりな
る多数のスクリーン素子を含むラインスクリーンであ
る。上記縞は、電子ビームが発生される平面に略垂直な
向きに延在する。実施例の通常のビューイング位置にお
いて、発光縞は垂直方向に延在する。発光縞の一部は、
好ましくは、1971年 1月26日にメイヨード(Mayaud)に発
行された米国特許第3,558,310 号明細書に記載されてい
る「湿式」処理によって形成された形、或いは、上記米
国特許第4,921,767 号明細書に記載されている１段階、
又は、1993年 7月20日にリッドル(Riddle)に発行された
米国特許第5,229,234 号明細書に記載されている「２段
階」処理の何れかのＥＰＳ処理によって形成された形の
かなり薄い、光吸収性のマトリックス２３に重なる。上
記「２段階」マトリックス被覆処理は、得られるマトリ
ックスの不透明度を１段階処理より増大させるので、
「湿式」処理によって形成されたマトリックスの不透明
度と等しい不透明度が得られる。或いは、マトリックス
は、1993年 8月31日にエーマン ジュニア(Ehemann, J
r.)に発行された米国特許第5,240,798 号明細書に記載
された方法で、スクリーン素子を被覆させた後に形成し
てもよい。ドット状スクリーンは新規の方法で形成して
もよい。好ましくはアルミニウム製である薄膜伝導性層
２４は、スクリーン２２を被い、スクリーンに一様な電
位を形成すると共に発光素子から放出された光をフェー
スプレート１８を介して反射する手段を提供する。スク
リーン２２及び上に重なるアルミニウム層２４は、スク
リーン組立体を構成する。多開口の色選択電極又はシャ
ドーマスク２５は、スクリーン組立体に対し所定の離間
した関係で通常の方法を用いて取外し自在に取付けられ
ている。
の実施例を詳細に説明する。図１は、矩形状のファンネ
ル１５により接続された矩形状のフェースプレートパネ
ル１２と管状のネック１４とからなるガラスエンベロー
プ１１を有するカラー陰極線管１０を示す図である。フ
ァンネル１５は、アノードボタン１６と接触し、ネック
１４内に広がる内部の伝導性被膜（図示しない）を有す
る。パネル１２は、ビューイングフェースプレート又は
サブストレート１８と、ガラスフリット２１によってフ
ァンネル１５に密着された周辺フランジ又は側壁２０と
からなる。発光性の３色発光体スクリーン２２は、フェ
ースプレート１８の内面に担持されている。図２に示す
ように、スクリーン２２は、循環的な順序で３本の縞又
は三つ一組のカラー群又は画素に配置された赤色放出発
光縞Ｒ、緑色放出発光縞Ｇ及び青色放出発光縞Ｂよりな
る多数のスクリーン素子を含むラインスクリーンであ
る。上記縞は、電子ビームが発生される平面に略垂直な
向きに延在する。実施例の通常のビューイング位置にお
いて、発光縞は垂直方向に延在する。発光縞の一部は、
好ましくは、1971年 1月26日にメイヨード(Mayaud)に発
行された米国特許第3,558,310 号明細書に記載されてい
る「湿式」処理によって形成された形、或いは、上記米
国特許第4,921,767 号明細書に記載されている１段階、
又は、1993年 7月20日にリッドル(Riddle)に発行された
米国特許第5,229,234 号明細書に記載されている「２段
階」処理の何れかのＥＰＳ処理によって形成された形の
かなり薄い、光吸収性のマトリックス２３に重なる。上
記「２段階」マトリックス被覆処理は、得られるマトリ
ックスの不透明度を１段階処理より増大させるので、
「湿式」処理によって形成されたマトリックスの不透明
度と等しい不透明度が得られる。或いは、マトリックス
は、1993年 8月31日にエーマン ジュニア(Ehemann, J
r.)に発行された米国特許第5,240,798 号明細書に記載
された方法で、スクリーン素子を被覆させた後に形成し
てもよい。ドット状スクリーンは新規の方法で形成して
もよい。好ましくはアルミニウム製である薄膜伝導性層
２４は、スクリーン２２を被い、スクリーンに一様な電
位を形成すると共に発光素子から放出された光をフェー
スプレート１８を介して反射する手段を提供する。スク
リーン２２及び上に重なるアルミニウム層２４は、スク
リーン組立体を構成する。多開口の色選択電極又はシャ
ドーマスク２５は、スクリーン組立体に対し所定の離間
した関係で通常の方法を用いて取外し自在に取付けられ
ている。
【０００８】図１に点線で概略的に示された電子銃２６
は、ネック１４の中心に取付けられ、３本の電子ビーム
２８を発生し、コンバージェンスパスに沿ってマスク２
５の開口の中を介してスクリーン２２に向けられる。電
子銃は通常の電子銃であり、従来技術において周知のい
ずれの適当な銃でもよい。陰極線管１０は、ヨーク３０
の如くの外部磁気偏向ヨークと共に使用されるよう設計
され、ファンネル・ネック接合の領域にある。作動され
ると、ヨーク３０は、スクリーン２２上の矩形状ラスタ
内でビームを水平方向及び垂直方向に走査させる磁場を
３本のビーム２８に加える。最初（零偏向）の偏向面
は、ヨーク３０の中央付近にある図１の線Ｐ−Ｐで示さ
れている。簡単化のため、偏向ゾーン内の偏向ビームパ
スの実際の湾曲は示されていない。
は、ネック１４の中心に取付けられ、３本の電子ビーム
２８を発生し、コンバージェンスパスに沿ってマスク２
５の開口の中を介してスクリーン２２に向けられる。電
子銃は通常の電子銃であり、従来技術において周知のい
ずれの適当な銃でもよい。陰極線管１０は、ヨーク３０
の如くの外部磁気偏向ヨークと共に使用されるよう設計
され、ファンネル・ネック接合の領域にある。作動され
ると、ヨーク３０は、スクリーン２２上の矩形状ラスタ
内でビームを水平方向及び垂直方向に走査させる磁場を
３本のビーム２８に加える。最初（零偏向）の偏向面
は、ヨーク３０の中央付近にある図１の線Ｐ−Ｐで示さ
れている。簡単化のため、偏向ゾーン内の偏向ビームパ
スの実際の湾曲は示されていない。
【０００９】スクリーンは、図３乃至９に概略的に示さ
れる電子写真的スクリーニング（ＥＰＳ）処理によって
製造される。最初に、パネル１２は、技術的に周知の如
く、腐食性溶液で洗浄し、水で洗い流し、緩衝されたフ
ッ化水素酸でエッチングし、再び水で洗い流すことによ
って清掃される。ビューイングフェースプレート１８の
内面は、好ましくは、上記の米国特許第3,558,310 号明
細書に記載されている通常の湿式マトリックス処理を用
いて光吸収性マトリックス２３が設けられている。５１
ｃｍ（２０インチ）の対角線寸法を有するフェースプレ
ートパネル１８に対し、マトリックス内に形成されたウ
ィンドウ開口部は、約０．１３乃至０．１８ｍｍの幅を
有し、マトリックスラインは約０．１乃至０．１５ｍｍ
の幅を有する。その上にマトリックス２３を有するフェ
ースプレートパネルは、有機伝導性（ＯＣ）層３２を形
成するため適当な揮発性の有機伝導性材料で被われ、有
機伝導性層３２は、上にある揮発性の有機光伝導性（Ｏ
ＰＣ）層３４に電極を設ける。図３に示されたように、
有機伝導性層３２及び有機光伝導性層３４は、組み合わ
されて光受容体３６を構成する。
れる電子写真的スクリーニング（ＥＰＳ）処理によって
製造される。最初に、パネル１２は、技術的に周知の如
く、腐食性溶液で洗浄し、水で洗い流し、緩衝されたフ
ッ化水素酸でエッチングし、再び水で洗い流すことによ
って清掃される。ビューイングフェースプレート１８の
内面は、好ましくは、上記の米国特許第3,558,310 号明
細書に記載されている通常の湿式マトリックス処理を用
いて光吸収性マトリックス２３が設けられている。５１
ｃｍ（２０インチ）の対角線寸法を有するフェースプレ
ートパネル１８に対し、マトリックス内に形成されたウ
ィンドウ開口部は、約０．１３乃至０．１８ｍｍの幅を
有し、マトリックスラインは約０．１乃至０．１５ｍｍ
の幅を有する。その上にマトリックス２３を有するフェ
ースプレートパネルは、有機伝導性（ＯＣ）層３２を形
成するため適当な揮発性の有機伝導性材料で被われ、有
機伝導性層３２は、上にある揮発性の有機光伝導性（Ｏ
ＰＣ）層３４に電極を設ける。図３に示されたように、
有機伝導性層３２及び有機光伝導性層３４は、組み合わ
されて光受容体３６を構成する。
【００１０】有機伝導性層３２に適当な材料には、先に
引用した米国特許第5,370,952 号明細書に列挙された第
４アンモニウムの高分子電解質が含まれる。好ましく
は、有機光伝導性層３４は、ポリスチレンと；１，４−
ジ（２，４−メチル フェニル）−１，４ ジフェニル
ブタトリエン（以下、２，４−ＤＭＰＢＴと呼ぶ）のよ
うな電子供与体材料と；２，４，７−トリニトロ−９−
フルオレノン（以下、ＴＮＦと呼ぶ）と２−エチルアン
トロキノン（以下、２−ＥＡＱと呼ぶ）のような電子受
容体材料と；トルエン又はキシレンのような溶媒とを含
む溶液をコーティングすることにより形成される。シリ
コーンＵ−７６０２のような界面活性剤と、フタル酸ジ
オクチル（以下、ＤＯＰと呼ぶ）のような可塑剤を溶液
に添加してもよい。界面活性剤Ｕ−７６０２は、コネテ
ィカット州ダンベリーのユニオンカーバイドから入手す
ることができる。図４に示す如く、有機光伝導性層３４
は、1992年 1月28日にダッタ等に発行された米国特許第
5,083,959 号明細書に記載されているコロナ放電装置３
８を用いて一様に静電的に充電される。このコロナ放電
装置３８は、有機光伝導性層３４をおよそ＋２００乃至
＋７００ボルトの範囲内の電圧に充電する。充電装置内
の相対湿度（ＲＨ）レベルは、略４０乃至６５％の範囲
内に維持する必要があり、略４５乃至５５％の範囲内に
維持するのが好ましいことが分かった。４５％に満たな
い相対湿度レベルは、有機伝導性層のイオン伝達移動度
を低下させることにより有機伝導性層３２の性能に悪影
響を与えるので、上に重なる有機光伝導性層３４に有効
なコロナ充電を加えることが難しくなる。５５％を上回
る湿度レベルは、有機伝導性層３２を膨張させ、有機光
伝導性層の予測できない亀裂を生じさせる可能性があ
る。亀裂によって二つの層は分離され、有機光伝導性層
３４に破断が生じる。有機光伝導性層の遅延した亀裂
は、５５％を超える湿度レベルに晒した後、有機伝導性
層３２から湿気を緩やかに放出させることにより生ずる
ことが分かった。更に、充電装置内の温度を略２０乃至
３５°Ｃの範囲内、好ましくは、２２乃至２８°Ｃの範
囲内に制御することが必要である。ＥＰＳ処理のための
相対湿度及び温度は、４５±３％のＲＨと、２２±２°
Ｃの温度に維持され制御された環境を有する室内でスク
リーニング作業を行なうことにより制御される。
引用した米国特許第5,370,952 号明細書に列挙された第
４アンモニウムの高分子電解質が含まれる。好ましく
は、有機光伝導性層３４は、ポリスチレンと；１，４−
ジ（２，４−メチル フェニル）−１，４ ジフェニル
ブタトリエン（以下、２，４−ＤＭＰＢＴと呼ぶ）のよ
うな電子供与体材料と；２，４，７−トリニトロ−９−
フルオレノン（以下、ＴＮＦと呼ぶ）と２−エチルアン
トロキノン（以下、２−ＥＡＱと呼ぶ）のような電子受
容体材料と；トルエン又はキシレンのような溶媒とを含
む溶液をコーティングすることにより形成される。シリ
コーンＵ−７６０２のような界面活性剤と、フタル酸ジ
オクチル（以下、ＤＯＰと呼ぶ）のような可塑剤を溶液
に添加してもよい。界面活性剤Ｕ−７６０２は、コネテ
ィカット州ダンベリーのユニオンカーバイドから入手す
ることができる。図４に示す如く、有機光伝導性層３４
は、1992年 1月28日にダッタ等に発行された米国特許第
5,083,959 号明細書に記載されているコロナ放電装置３
８を用いて一様に静電的に充電される。このコロナ放電
装置３８は、有機光伝導性層３４をおよそ＋２００乃至
＋７００ボルトの範囲内の電圧に充電する。充電装置内
の相対湿度（ＲＨ）レベルは、略４０乃至６５％の範囲
内に維持する必要があり、略４５乃至５５％の範囲内に
維持するのが好ましいことが分かった。４５％に満たな
い相対湿度レベルは、有機伝導性層のイオン伝達移動度
を低下させることにより有機伝導性層３２の性能に悪影
響を与えるので、上に重なる有機光伝導性層３４に有効
なコロナ充電を加えることが難しくなる。５５％を上回
る湿度レベルは、有機伝導性層３２を膨張させ、有機光
伝導性層の予測できない亀裂を生じさせる可能性があ
る。亀裂によって二つの層は分離され、有機光伝導性層
３４に破断が生じる。有機光伝導性層の遅延した亀裂
は、５５％を超える湿度レベルに晒した後、有機伝導性
層３２から湿気を緩やかに放出させることにより生ずる
ことが分かった。更に、充電装置内の温度を略２０乃至
３５°Ｃの範囲内、好ましくは、２２乃至２８°Ｃの範
囲内に制御することが必要である。ＥＰＳ処理のための
相対湿度及び温度は、４５±３％のＲＨと、２２±２°
Ｃの温度に維持され制御された環境を有する室内でスク
リーニング作業を行なうことにより制御される。
【００１１】図５に概略的に示す如く、シャドーマスク
２５が、灯台管４０に置かれたパネル１２に挿入され、
正に充電された有機光伝導性層３４は、キセノンフラッ
シュランプ４２、又は、灯台管内に置かれた水銀アーク
のような他の十分な光度の光源からシャドーマスク２５
を通して照射される。受像管の電子銃からの電子ビーム
の中の一つの角度と同じ角度でシャドーマスク２５内の
開口を通過する光は、光が入射する有機光伝導性層３４
上の照射された領域を放電する。シャドーマスクはパネ
ル１２から取り外され、パネルは、図６に示す如く、第
１の発光体の現像器４４に置かれる。現像器は、５５％
以下、好ましくは、約５０％以下の相対湿度に維持され
た発光体貯蔵器（図示しない）を含む。５０％を上回る
ＲＨにおいて、発光体は水を吸収するので、電荷と質量
の比はその被覆に悪影響を与えるレベルに低下させられ
る。その上、５０％を超えるＲＨにおいて、貯蔵器内に
おいて発光体粒子の凝集(clamping)又は大量の凝塊(agg
lomeration) を誘起し、許容できる粒子寸法の約７．０
μに対し２５０μの大きさの通常の径を有する凝塊した
粒子が得られる。貯蔵器からの粒子は、摩擦電気銃４６
を用いて大気中を搬送され、約−４０°Ｃ以下の露点を
有するよう制御される。−４０°Ｃを上回る露点におい
て、各発光体粒子は、約１５乃至５０μの通常の径を有
する発光体粒子を形成するよう大量に凝塊するので、摩
擦電気的作用によって付与された電荷は消散され、粒子
の電荷と質量の分布は最適化されていない。大気の露点
が低い場合、現像器４４内の湿度は、発光体の被覆中に
更に約３％低下する。第１の色放出発光体材料は、摩擦
電気銃４６によって現像器４４内で摩擦電気的に正に充
電され、有機光伝導性層３４の方に向けられる。正に充
電された第１の色放出発光体材料は、有機光伝導性層３
４の正に充電された領域による反発をうけ、有機光伝導
性層の放電された領域に「反転(reversal)」現像として
周知の従来の処理によって被覆される。反転現像におい
て、スクリーン構造体材料の摩擦電気的に充電された粒
子は、有機光伝導性層３４の同じ極性に充電された領域
による反発をうけ、有機光伝導性層の放電された領域に
被覆される。第１の色放出発光体の各ラインの寸法は、
各開口の完全な覆いと、開口を取り囲む光吸収性マトリ
ックス材料の僅かな重なりを得るため、光吸収性マトリ
ックスの開口の寸法よりも僅かに大きい。次いで、パネ
ル１２は、上記コロナ放電装置を使用して再充電され
る。正の電圧が有機光伝導性層３４と、有機光伝導性層
の上に被覆された第１の色放出発光体材料に確定され
る。光照射と発光体現像の段階が、第１の色放出発光体
材料の被覆に使用されたＲＨ及び温度と同一のＲＨ及び
温度の制御で二つの残りの色放出発光体の各々に対し繰
り返される。有機光伝導性層３４の他の二つの色放出発
光体の各ラインの寸法は、ギャップが生じることがな
く、かつ、開口を取り囲む光吸収性マトリックス材料の
僅かな重なりが得られることを保証するためマトリック
スの開口の寸法よりも大きい。これにより得られたスク
リーン２２は図７に示されている。
２５が、灯台管４０に置かれたパネル１２に挿入され、
正に充電された有機光伝導性層３４は、キセノンフラッ
シュランプ４２、又は、灯台管内に置かれた水銀アーク
のような他の十分な光度の光源からシャドーマスク２５
を通して照射される。受像管の電子銃からの電子ビーム
の中の一つの角度と同じ角度でシャドーマスク２５内の
開口を通過する光は、光が入射する有機光伝導性層３４
上の照射された領域を放電する。シャドーマスクはパネ
ル１２から取り外され、パネルは、図６に示す如く、第
１の発光体の現像器４４に置かれる。現像器は、５５％
以下、好ましくは、約５０％以下の相対湿度に維持され
た発光体貯蔵器（図示しない）を含む。５０％を上回る
ＲＨにおいて、発光体は水を吸収するので、電荷と質量
の比はその被覆に悪影響を与えるレベルに低下させられ
る。その上、５０％を超えるＲＨにおいて、貯蔵器内に
おいて発光体粒子の凝集(clamping)又は大量の凝塊(agg
lomeration) を誘起し、許容できる粒子寸法の約７．０
μに対し２５０μの大きさの通常の径を有する凝塊した
粒子が得られる。貯蔵器からの粒子は、摩擦電気銃４６
を用いて大気中を搬送され、約−４０°Ｃ以下の露点を
有するよう制御される。−４０°Ｃを上回る露点におい
て、各発光体粒子は、約１５乃至５０μの通常の径を有
する発光体粒子を形成するよう大量に凝塊するので、摩
擦電気的作用によって付与された電荷は消散され、粒子
の電荷と質量の分布は最適化されていない。大気の露点
が低い場合、現像器４４内の湿度は、発光体の被覆中に
更に約３％低下する。第１の色放出発光体材料は、摩擦
電気銃４６によって現像器４４内で摩擦電気的に正に充
電され、有機光伝導性層３４の方に向けられる。正に充
電された第１の色放出発光体材料は、有機光伝導性層３
４の正に充電された領域による反発をうけ、有機光伝導
性層の放電された領域に「反転(reversal)」現像として
周知の従来の処理によって被覆される。反転現像におい
て、スクリーン構造体材料の摩擦電気的に充電された粒
子は、有機光伝導性層３４の同じ極性に充電された領域
による反発をうけ、有機光伝導性層の放電された領域に
被覆される。第１の色放出発光体の各ラインの寸法は、
各開口の完全な覆いと、開口を取り囲む光吸収性マトリ
ックス材料の僅かな重なりを得るため、光吸収性マトリ
ックスの開口の寸法よりも僅かに大きい。次いで、パネ
ル１２は、上記コロナ放電装置を使用して再充電され
る。正の電圧が有機光伝導性層３４と、有機光伝導性層
の上に被覆された第１の色放出発光体材料に確定され
る。光照射と発光体現像の段階が、第１の色放出発光体
材料の被覆に使用されたＲＨ及び温度と同一のＲＨ及び
温度の制御で二つの残りの色放出発光体の各々に対し繰
り返される。有機光伝導性層３４の他の二つの色放出発
光体の各ラインの寸法は、ギャップが生じることがな
く、かつ、開口を取り囲む光吸収性マトリックス材料の
僅かな重なりが得られることを保証するためマトリック
スの開口の寸法よりも大きい。これにより得られたスク
リーン２２は図７に示されている。
【００１２】スクリーン２２の三つの光放出発光体は、
図８に概略的に示された静電噴霧銃５８により静電的に
充電された適当な固定剤に発光体を接触させることによ
り上記有機光伝導性層３４に固定されている。適当な固
定剤には、アセトン；酢酸アミル；酢酸ブチル；メチル
イソブチル ケトン（ＭＩＢＫ）；メチル エチルケ
トン（ＭＥＫ）；トルエン、及びキシレンのような溶媒
と；ＭＩＢＫに溶解されたアクリル樹脂、及び、ＭＩＢ
Ｋに溶解されたポリアルファメチル スチレン（ＡＭ
Ｓ）のような高分子溶液が含まれる。
図８に概略的に示された静電噴霧銃５８により静電的に
充電された適当な固定剤に発光体を接触させることによ
り上記有機光伝導性層３４に固定されている。適当な固
定剤には、アセトン；酢酸アミル；酢酸ブチル；メチル
イソブチル ケトン（ＭＩＢＫ）；メチル エチルケ
トン（ＭＥＫ）；トルエン、及びキシレンのような溶媒
と；ＭＩＢＫに溶解されたアクリル樹脂、及び、ＭＩＢ
Ｋに溶解されたポリアルファメチル スチレン（ＡＭ
Ｓ）のような高分子溶液が含まれる。
【００１３】上記溶媒は何れも発光体を下にある有機光
伝導性層３４に固定するため使用し得る。好ましい静電
噴霧銃は、オハイオ州トリードのアイ・ティー・ダブリ
ューランズバーグ(ITW Ransburg)より入手可能なＡＥＲ
ＯＢＥＬＬ（登録商標）モデルである。静電銃は、発光
体を移動させることなく、発光体と下にある有機光伝導
性層３４を湿らす均一なサイズの負に充電された液滴を
発生する。図８に示す如く、パネル１２は、電子銃５８
の方へ下向きに向けられた有機光伝導性層３４と発光体
に揃えられる。パネルが下に向けられることにより、銃
に形成される大きい液滴がスクリーン２２の上に落下
し、発光体を移動させることが防止される。有機光伝導
性層３４に使用されるポリスチレンは、酢酸アミル、酢
酸ブチル、ＭＩＢＫ、トルエン及びキシレンに完全に溶
解し、アセトンに部分的に溶解する。しかし、ＭＩＢＫ
は、有機光伝導性層３４のポリスチレンを他の溶媒より
も緩やかに溶解するので好ましい。
伝導性層３４に固定するため使用し得る。好ましい静電
噴霧銃は、オハイオ州トリードのアイ・ティー・ダブリ
ューランズバーグ(ITW Ransburg)より入手可能なＡＥＲ
ＯＢＥＬＬ（登録商標）モデルである。静電銃は、発光
体を移動させることなく、発光体と下にある有機光伝導
性層３４を湿らす均一なサイズの負に充電された液滴を
発生する。図８に示す如く、パネル１２は、電子銃５８
の方へ下向きに向けられた有機光伝導性層３４と発光体
に揃えられる。パネルが下に向けられることにより、銃
に形成される大きい液滴がスクリーン２２の上に落下
し、発光体を移動させることが防止される。有機光伝導
性層３４に使用されるポリスチレンは、酢酸アミル、酢
酸ブチル、ＭＩＢＫ、トルエン及びキシレンに完全に溶
解し、アセトンに部分的に溶解する。しかし、ＭＩＢＫ
は、有機光伝導性層３４のポリスチレンを他の溶媒より
も緩やかに溶解するので好ましい。
【００１４】次いで、スクリーン２２は、図９に示され
た如く、層６０が得られるよう薄膜化され、層６０はア
ルミニウム層２４が被覆される滑らかな表面をスクリー
ン２２上に形成する。薄膜は上記米国特許第5,028,501
号明細書に記載されている従来のエマルジョン薄膜又は
乾燥薄膜のいずれでもよく、或いは、薄膜は以下に説明
するような静電的に被覆された高分子溶液により構成し
てもよい。好ましい材料の一つは、ＭＩＢＫに溶解され
たアクリル樹脂である。ニューヨーク州バッファローの
ピアス アンド スティーブンス(Pierce and Stevens)
から入手可能な樹脂を使用することにより良好な結果が
得られた。このアクリル樹脂は、９０重量％のポリメタ
クリル酸メチルと、９重量％のメタクリル酸イソブチル
と、バランスである可塑剤ＤＯＰとニトロセルロースか
らなる。樹脂は、約３乃至１０重量％の薄膜溶液よりな
る。薄膜化の後、スクリーン組立体の揮発性の組成物を
除去するため、スクリーン組立体は約３０分の間、約４
２５°Ｃの温度でベーキングされる。
た如く、層６０が得られるよう薄膜化され、層６０はア
ルミニウム層２４が被覆される滑らかな表面をスクリー
ン２２上に形成する。薄膜は上記米国特許第5,028,501
号明細書に記載されている従来のエマルジョン薄膜又は
乾燥薄膜のいずれでもよく、或いは、薄膜は以下に説明
するような静電的に被覆された高分子溶液により構成し
てもよい。好ましい材料の一つは、ＭＩＢＫに溶解され
たアクリル樹脂である。ニューヨーク州バッファローの
ピアス アンド スティーブンス(Pierce and Stevens)
から入手可能な樹脂を使用することにより良好な結果が
得られた。このアクリル樹脂は、９０重量％のポリメタ
クリル酸メチルと、９重量％のメタクリル酸イソブチル
と、バランスである可塑剤ＤＯＰとニトロセルロースか
らなる。樹脂は、約３乃至１０重量％の薄膜溶液よりな
る。薄膜化の後、スクリーン組立体の揮発性の組成物を
除去するため、スクリーン組立体は約３０分の間、約４
２５°Ｃの温度でベーキングされる。
【図１】本発明により製造されたカラーＣＲＴの軸方向
部分断面の平面図である。
部分断面の平面図である。
【図２】スクリーン組立体を示す図１のＣＲＴのフェー
スプレートパネルの断面図である。
スプレートパネルの断面図である。
【図３】製造工程の選択された段階を示す図である。
【図４】製造工程の選択された段階を示す図である。
【図５】製造工程の選択された段階を示す図である。
【図６】製造工程の選択された段階を示す図である。
【図７】製造工程の選択された段階を示す図である。
【図８】製造工程の選択された段階を示す図である。
【図９】製造工程の選択された段階を示す図である。
１０ カラー陰極線管 １１ ガラスエンベロープ １２ フェースプレートパネル １４ ネック １５ ファンネル １６ アノードボタン １８ サブストレート ２０ 側壁 ２１ ガラスフリット ２２ 発光体スクリーン ２３ 光吸収性マトリックス ２４ 伝導性層 ２５ シャドーマスク ２６ 電子銃 ２８ 電子ビーム ３０ ヨーク ３２ 有機伝導性層 ３４ 有機光伝導性層 ３６ 光受容体 ３８ コロナ放電装置 ４０ 灯台管 ４２ キセノンフラッシュランプ ４４ 現像器 ４６ 摩擦電気銃 ５８ 静電銃 ６０ 層
フロントページの続き (72)発明者 ピーター マイケル リット アメリカ合衆国 ペンシルヴェニア 17520 イースト・ピータースバーグ ス プリット・レイル・ドライヴ 2356 (72)発明者 チャールズ マイケル ウエッツェル アメリカ合衆国 ペンシルヴェニア 17543 リティッツ ピアソン・ロード 411 (72)発明者 ハリー ロバート ストーク アメリカ合衆国 ペンシルヴェニア 19501 アダムスタウン ジェファーソ ン・ロード 246 (72)発明者 ジョン ジョセフ モスコニー アメリカ合衆国 ペンシルヴェニア 17601 ランカスター ビヴァリー・ドラ イヴ 1860
Claims (6)
- 【請求項１】 ａ）カラー陰極線管のフェースプレート
パネルの内面に有機伝導性（ＯＣ）層を設ける段階と、 ｂ）該有機伝導性層の上に重なる有機光伝導性（ＯＰ
Ｃ）層を形成する段階と、 ｃ）該有機光伝導性層を静電的に充電する段階と、 ｄ）荷電像を形成するため、該有機光伝導性層の選択さ
れた領域を露光する段階と、 ｅ）第１の摩擦電気的に充電されたスクリーン構造材料
を該有機光伝導性層に塗布することにより、該有機光伝
導性層の上に上記荷電像を現像する段階と、 ｆ）発光カラースクリーンを形成するため、少なくとも
二つの付加的な摩擦電気的に充電されたスクリーン構造
材料に対し上記段階ｃ）乃至ｅ）を繰り返す段階と、 ｇ）該スクリーン構造材料を該有機光伝導性層に固定す
る段階と、 ｈ）該スクリーンを薄膜化する段階と、 ｉ）該スクリーンをアルミニウム処理する段階と、 ｊ）該発光スクリーン組立体を形成するべく、揮発性組
成物を除去するため該アルミニウム処理されたスクリー
ンをベーキングする段階とからなり、電子写真的スクリ
ーニング（ＥＰＳ）処理によりカラー陰極線管のフェー
スプレートパネルの内面に発光スクリーン組立体を製造
する方法であって： 上記段階ｃ）中、相対湿度（ＲＨ）は、それより下であ
ると上記有機伝導性層の性能が上記有機伝導性層の低下
したイオン伝達移動度による悪影響をうける湿度よりも
上に維持され、 上記段階ｅ）中、相対湿度（ＲＨ）は、それより上であ
ると該スクリーン構造材料が水と大量の凝塊を吸収し、
これにより、該材料の電荷と質量の比が被覆に悪影響を
与える値に変わる湿度よりも下に維持されることを特徴
とする、製造方法。 - 【請求項２】 上記段階ｃ）中、上記相対湿度（ＲＨ）
は略４０乃至６５％の範囲内に維持され、温度は略２０
乃至３５°Ｃの範囲内に維持されることを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項３】 上記段階ｃ）中、上記相対湿度（ＲＨ）
は略４５乃至５５％の範囲内に維持され、温度は略２２
乃至２８°Ｃの範囲内に維持されることを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項４】 上記段階ｅ）中、上記相対湿度（ＲＨ）
は５５％以下に維持されることを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項５】 上記段階ｅ）中、上記相対湿度（ＲＨ）
は５０％以下に維持されることを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項６】 上記段階ｅ）において該スクリーン構造
材料を塗布する露点は略−４０°Ｃ以下であることを特
徴とする請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US305:952 | 1994-09-16 | ||
| US08/305,952 US5474867A (en) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | Method of manufacturing a luminescent screen for a CRT under ambient controls |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08180808A true JPH08180808A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=23183078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7235410A Pending JPH08180808A (ja) | 1994-09-16 | 1995-09-13 | 環境制御下の陰極線管用発光スクリーンの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5474867A (ja) |
| JP (1) | JPH08180808A (ja) |
| KR (1) | KR0156657B1 (ja) |
| CN (1) | CN1062971C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502800A (ja) * | 1999-06-14 | 2003-01-21 | トムソン ライセンシング ソシエテ アノニム | 潜電荷像を現像する方法及びバイアスシールド |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100315241B1 (ko) * | 1994-12-26 | 2002-04-24 | 김순택 | 브라운관의형광막제조방법 |
| KR100288720B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2001-10-24 | 김영남 | 실리카및티타네이트계카플링으로이중코팅된음극선관의건식전자사진식스크린제조용형광체의제조방법,이를사용하는스크린제조방법및이에제조된음극선관 |
| KR19980060817A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 손욱 | 음극선관 벌브 및 그 제조방법 |
| KR100424634B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라 브라운관용 광도전성 물질 및 이를 이용한 형광막의 제조방법 |
| JP2005062307A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | フラットパネルディスプレイの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3558310A (en) * | 1967-03-29 | 1971-01-26 | Rca Corp | Method for producing a graphic image |
| US4921767A (en) * | 1988-12-21 | 1990-05-01 | Rca Licensing Corp. | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly for a cathode-ray-tube |
| US5028501A (en) * | 1989-06-14 | 1991-07-02 | Rca Licensing Corp. | Method of manufacturing a luminescent screen assembly using a dry-powdered filming material |
| EP0447078B1 (en) * | 1990-03-12 | 1994-09-28 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly for a CRT |
| US5083959A (en) * | 1990-08-13 | 1992-01-28 | Rca Thomson Licensing Corp. | CRT charging apparatus |
| US5229234A (en) * | 1992-01-27 | 1993-07-20 | Rca Thomson Licensing Corp. | Dual exposure method of forming a matrix for an electrophotographically manufactured screen assembly of a cathode-ray tube |
| US5240798A (en) * | 1992-01-27 | 1993-08-31 | Thomson Consumer Electronics | Method of forming a matrix for an electrophotographically manufactured screen assembly for a cathode-ray tube |
| US5370952A (en) * | 1993-12-22 | 1994-12-06 | Rca Thomson Licensing Corp. | Organic conductor for an electrophotographic screening process for a CRT |
-
1994
- 1994-09-16 US US08/305,952 patent/US5474867A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-13 JP JP7235410A patent/JPH08180808A/ja active Pending
- 1995-09-13 KR KR1019950029774A patent/KR0156657B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-15 CN CN95115162A patent/CN1062971C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502800A (ja) * | 1999-06-14 | 2003-01-21 | トムソン ライセンシング ソシエテ アノニム | 潜電荷像を現像する方法及びバイアスシールド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0156657B1 (ko) | 1998-12-15 |
| KR960011579A (ko) | 1996-04-20 |
| CN1120239A (zh) | 1996-04-10 |
| CN1062971C (zh) | 2001-03-07 |
| US5474867A (en) | 1995-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050517 |