JPH08179985A - メモリデコーダ - Google Patents

メモリデコーダ

Info

Publication number
JPH08179985A
JPH08179985A JP32198994A JP32198994A JPH08179985A JP H08179985 A JPH08179985 A JP H08179985A JP 32198994 A JP32198994 A JP 32198994A JP 32198994 A JP32198994 A JP 32198994A JP H08179985 A JPH08179985 A JP H08179985A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
signal
write
address
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32198994A
Other languages
English (en)
Inventor
Kousuke Inudou
浩介 犬童
Ritsuro Orihashi
律郎 折橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP32198994A priority Critical patent/JPH08179985A/ja
Publication of JPH08179985A publication Critical patent/JPH08179985A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】多数個のメモリを使用する際に、少数のメモリ
選択信号で、全てのメモリの読みだし,書き込みを可能
にするメモリデコーダを提供する。 【構成】アドレスデコーダ101では、メモリアドレス
111〜112をデコードし、出力側に接続しているメ
モリの読みだし、書き込み可能な状態にし、更に読みだ
し信号114及び書き込み信号115を供給するメモリ
をメモリアドレス113の論理値により特定する。この
読みだし及び書き込みが可能で、かつ読みだし信号ある
いは書き込み信号が供給されるメモリが一つになるよう
に回路を構成することにより、目的とするメモリの読み
だし及び書き込みを可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、少数のメモリ選択信号
で多数個のメモリの読みだし、あるいは書き込みを行う
メモリデコーダに関する。
【0002】
【従来の技術】図4に従来技術のメモリデコーダの一例
を示す。図示のように、アドレスデコーダ401に対
し、メモリアドレスを入力端子411〜413を介して
入力すると、メモリアドレスの論理値に対応して、アド
レスデコーダ401の出力であるメモリ選択信号421
〜428によってメモリ402〜409のうち一つが選
択され、書き込み及び読みだしを可能にする。この状態
で、読みだし信号を入力端子414を介して入力する
と、選択しているメモリの、入力端子416からのアド
レス信号で指定しているアドレスに書き込まれているデ
ータを入出力端子417に出力する。また、書き込み信
号を入力端子415を介して入力すると、選択している
メモリの、入力端子416からのアドレス信号で指定し
たアドレスにデータの書き込みを行う。尚、この種の装
置に関する公知文献は、例えば、インテル社 シリーズ
2 フラッシュメモリカード iMC004FLSA,iMC010FLS
A,iMC020FLSA(1992年)第4頁から第8頁(INTEL
SERIES2 FLASH MEMORY CARDSiMC004FLSA,iMC010FLS
A,iMC020FLSA(1992) PP4-8)において論じられてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術に
よる場合には、メモリの個数分メモリ選択信号を必要と
する。このため、アドレスデコーダをLSIで構成する
場合、メモリ数+αのピン数が必要となり、メモリを多
数個搭載する際には、数個のLSI、あるいは多ピンの
大規模LSIで構成せざるを得なくなり、広大な実装面
積を必要とする。
【0004】本発明の目的は、アドレスデコーダから出
力されるメモリ選択信号数を削減して、アドレスデコー
ド用LSIのデバイス数ならびに実装面積の節約が可能
なメモリデコーダを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明はメモリアドレス信号と書き込み信号、ある
いは読みだし信号を入力信号とし、メモリアドレス信号
の論理値からある領域のメモリを書き込み/読みだし可
能にし、また、メモリアドレス信号の論理値により、メ
モリに書き込み信号あるいは読みだし信号を供給するメ
モリを特定する回路構成にする。
【0006】
【作用】メモリアドレス信号のうちの数本をデコード
し、その論理値から数個のメモリを選択する。また、メ
モリアドレス信号のうち、メモリ選択に使用しなかった
残りの数本をデコードし、その論理値から書き込み信
号、あるいは読みだし信号を供給するメモリを特定す
る。この読みだし及び書き込みが可能で、かつ書き込み
信号、あるいは読みだし信号が供給されるメモリが一つ
になるように回路を構成することにより、目的とするメ
モリの書き込み/読みだしを可能にする。
【0007】
【実施例】図1に本発明の一例の全体構成を、また、図
2に図1の要部入力信号波形を示す。図1に示すよう
に、入力端子111〜113から供給するメモリアドレ
ス、入力端子114から供給する読みだし信号、及び入
力端子115から供給する書き込み信号を入力し、メモ
リ選択信号121〜124、読みだしデコード信号12
5〜126、書き込みデコード信号127〜128を出
力するアドレスデコーダ101と、入力端子116から
供給されるアドレス信号116とアドレスデコーダ10
1から供給されるメモリ選択信号121〜124、読み
だしデコード信号125〜126及び書き込みデコード
信号127〜128を入力し、データ信号117を入出
力するメモリ102〜109で構成する。入力端子11
1〜112からのメモリアドレス信号は、その論理値に
より、メモリ選択信号121〜124のいずれか一つに
メモリ選択を示す論理値を出力する。また、入力端子1
14からの読みだし信号は入力端子113からのメモリ
アドレス信号の論理値により、読みだしデコード出力1
25〜126のいずれかに出力する。また、入力端子1
15からの書き込み信号は入力端子113からのメモリ
アドレス信号の論理値により、書き込みデコード出力1
27〜128のいずれかに出力する。メモリ選択信号1
21〜124よりメモリ選択を検知し、読みだしデコー
ド信号125〜126より読みだし信号を受け取ったメ
モリは、入力端子116からのアドレス信号が示すアド
レスに書き込まれているデータを入出力端子117に出
力する。また、メモリ選択信号121〜124よりメモ
リ選択を検知し、書き込みデコード信号127〜128
より書き込み信号を受け取ったメモリは、入力端子11
6からのアドレス信号が示すアドレスに、入出力端子1
17からのデータ信号の内容を書き込む。読みだし及び
書き込みの一例を図2に添って説明する。メモリ選択信
号121にメモリ選択を示す論理値“H”が出力され、
読みだしデコード出力125に読みだし信号が出力され
た場合、メモリ102のアドレス信号が指定したアドレ
スのデータを出力する。また、メモリ選択信号124に
メモリ選択を示す論理値“H”が出力され、書き込みデ
コード出力128に書き込み信号が出力された場合、デ
ータはメモリ109のアドレス信号が指定したアドレス
に書き込まれる。尚、本例では、メモリアドレスを3
本、メモリ選択信号を4本、読みだしデコード出力及び
書き込みデコード信号を各々2本として示しているが、
その本数は、個々のケースや目的に応じて適当に定めら
れればよい。
【0008】図3はアドレスデコーダ101の具体的な
構成例を示す。入力端子111〜112からのメモリデ
コード信号は、その論理値により、メモリ選択信号12
1〜124にメモリ選択を示す論理値“H”を出力す
る。入力端子114からの読みだし信号は、入力端子1
13からのメモリデコード信号の論理値により、読みだ
しデコード出力125〜126のいずれかに出力する。
また、入力信号115からの書き込み信号は、入力端子
113からのメモリデコード信号の論理値により、書き
込みデコード出力127〜128のいずれかに出力す
る。
【0009】
【発明の効果】本発明によれば、メモリ選択信号が指定
するメモリの領域とデコード出力により選択されるメモ
リと読みだし信号あるいは書き込み信号が入力されるメ
モリの領域が、いわゆる、マトリクス状に形成されるの
で、アドレスデコーダをLSIで構成した場合、出力ピ
ン数の節約を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるメモリデコーダの一例の全体構成
を示すブロック図。
【図2】図1の要部入出力信号の波形図。
【図3】具体的に構成されたデコーダの一例の構成を示
す説明図。
【図4】従来技術に係るメモリデコーダの一例の全体構
成を示す説明図。
【符号の説明】
101…アドレスデコーダ、102〜109…メモリ、
111〜113…入力端子、114…入力端子、115
…入力端子、116…入力端子、117…入力端子、1
21〜124…メモリ選択信号、125〜126…読み
だしデコード信号、127〜128…書き込みデコード
信号。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】外部からのメモリアドレスをデコードし得
    た出力をそれぞれ複数個のメモリの選択ピンへ供給する
    手段と、前記メモリアドレスにより、メモリに供給する
    読みだし信号及び書き込み信号を供給するメモリを特定
    する手段とを含むことを特徴とするメモリデコーダ。
  2. 【請求項2】外部からのメモリアドレスをデコードしメ
    モリの選択信号へ供給する手段と、前記メモリアドレス
    により、前記メモリに供給する読みだし信号及び書き込
    み信号の出力先を指定する手段とを含むことを特徴とす
    るアドレスデコーダ。
JP32198994A 1994-12-26 1994-12-26 メモリデコーダ Pending JPH08179985A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32198994A JPH08179985A (ja) 1994-12-26 1994-12-26 メモリデコーダ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32198994A JPH08179985A (ja) 1994-12-26 1994-12-26 メモリデコーダ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08179985A true JPH08179985A (ja) 1996-07-12

Family

ID=18138685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32198994A Pending JPH08179985A (ja) 1994-12-26 1994-12-26 メモリデコーダ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08179985A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004854B1 (ko) 반도체 메모리 장치
DE60130437D1 (de) Simultaner mehrbank für flash-speicher
KR920008598A (ko) 직접 또는 인터리브모드로 메모리를 액세스하는 메모리 컨트롤러 및 이를 구비한 데이타 처리시스템
JPH05151070A (ja) パーソナルコンピユータ
JPH0365745A (ja) Icカード
JPH08179985A (ja) メモリデコーダ
US6535992B1 (en) DRAM auto-swapping device
JP3499120B2 (ja) 半導体記憶装置
KR20050063198A (ko) 멀티 프로세서 기능을 지원하는 메모리 장치
JPS59113600A (ja) 高信頼記憶回路装置
JP3117984B2 (ja) 半導体不揮発性メモリ装置
JPH0520173A (ja) キヤツシユメモリ回路
JP3541936B2 (ja) 命令実行装置
JPH04333953A (ja) バンクメモリ制御方式
JPH04333940A (ja) データ書き込み方式
JPH01154392A (ja) メモリ回路
JPH05241946A (ja) Rom内蔵ランダムアクセスメモリ装置
JPH05342856A (ja) ランダムアクセス半導体メモリー装置
JPH04291641A (ja) レジスタ装置
JPH06348589A (ja) メモリ制御装置
JPH03152795A (ja) メモリ装置およびそれを用いたデータ処理システム
JPH06103780A (ja) 論理和演算回路
JPH06325572A (ja) メモリーの消費電力低減回路
JPH08195080A (ja) Dram素子
JPH05250877A (ja) 半導体集積回路