JPH0817768A - 半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置Info
- Publication number
- JPH0817768A JPH0817768A JP15016194A JP15016194A JPH0817768A JP H0817768 A JPH0817768 A JP H0817768A JP 15016194 A JP15016194 A JP 15016194A JP 15016194 A JP15016194 A JP 15016194A JP H0817768 A JPH0817768 A JP H0817768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- film
- polished
- wafer
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
定すると共に最適なポリッシング時間を設定し、被ポリ
ッシング膜を良好に平坦化することができる半導体装置
の製造方法及びその方法を実施するための装置を提供す
る。 【構成】 ウェハ10をポリッシングした後、光学セン
サ31の上方にウェハ10を吸着した状態でウェハホル
ダ23に移動し、光学センサ31よりウェハ10の被ポ
リッシング膜に例えば可視光線を照射して測定する。そ
れにより得られた膜厚の実測値をもとに、制御部40に
て次にポリッシングするウェハのポリッシング時間を設
定する。
Description
化する方法及びその装置に関し、特に半導体装置の表面
をCMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械
研磨)法により平坦化する場合に関する。
半導体装置の表面における段差形状は激しくなってい
る。そのため、表面を平坦化する方法として、CMP法
が注目されている。
この方法では、高低差1μm足らずの凹凸を平坦化する
ため、所望の膜厚になるように正確にポリッシングをス
トップさせる必要がある。そこで、ポリッシング時間を
予め設定し、時間によりポリッシングを制御している。
しかしながら、ポリッシングレ−トに変動がある場合に
は、所望の平坦化形状を得ることは難しい。
る研磨剤、研磨クロス、圧力及び回転数等の研磨条件に
依存している。これらの条件を一定に保つことは難し
く、例えば研磨クロスをみても、ポリッシングを行うご
とに、研磨クロスの表面が変化するためポリッシングレ
−トの低下を招く。図4はポリッシングレ−トの経時変
化の様子を示している。同図によれば、研磨クロスを張
り替えた直後には、ポリッシングレ−トは1000[A
/min](A:オングストロ−ム)であるが、研磨ク
ロスを4時間使用すると、700[A/min]まで低
下している。さらに研磨クロスを使用すると、ポリッシ
ングレ−トは急激に低下してしまう。つまり、ポリッシ
ングを行う毎に、研磨クロスの表面が変化するため、ポ
リッシングレ−トが変化してしまう。
[A/min]に合わせて、ポリッシング時間tを設定
し、その条件の下で、複数枚のウェハをポリッシングす
るとする。その場合、始めは良好に平坦化される。しか
し、4時間経過後、真のポリッシングレ−トは700
[A/min]に低下している場合、ポリッシング時間
が始めの設定時間tのままであると、実際にはポリッシ
ング予定部分の70%しかポリッシングされず、凹凸形
状のままである。
てポリッシング時間を設定することも考えられるが、ポ
リッシングレ−トの低下の度合い自体も常に一定でな
く、微妙にズレが生じているため、正確なポリッシング
終点を得ることは難しい。
ェハを数枚ポリッシングする毎に、作業者がポリッシン
グレ−トを測定し、ポリッシング時間の設定を見直す作
業を行っている。しかし、この見直し作業は多大な時間
と手間がかかり、装置のスル−プットも2分の1以下に
下がり問題である。
法を用いて被ポリッシング膜を平坦化する際に、ポリッ
シング時間はポリッシングレ−トから算出されており、
ポリッシングレ−トの変化に対応して、最適なポリッシ
ング時間を設定することは容易ではない。正確なポリッ
シングレ−トを得るには、作業者が頻繁に被ポリッシン
グ膜の膜厚を測定しなければならず、多大な手間と時間
が必要である。
研磨後の被ポリッシング膜の膜厚を測定すると共に最適
なポリッシング時間を設定し、被ポリッシング膜を良好
に平坦化することができる半導体装置の製造方法を提供
することである。本発明の第2の目的は、研磨後の被ポ
リッシング膜の膜厚を自動で測定する手段を有する半導
体製造装置を提供することである。
の製造方法は、ウェハ表面に設けられた凹凸のある被ポ
リッシング膜を平坦化する際に、上記被ポリッシング膜
をCMP法により平坦化する工程と、平坦化終了後に被
ポリッシング膜の任意の位置の膜厚を同一装置内で測定
する工程と、その膜厚の測定結果をそれ以後のウェハの
被ポリッシング膜のポリッシング時間の制御にフィ−ド
バックする工程とを含む。
ェハ表面に設けられた凹凸のある被ポリッシング膜をC
MP法により平坦化するポリッシング部と、平坦化終了
後に上記被ポリッシング膜の任意の位置の膜厚を測定す
る測定部と、膜厚の測定結果をフィ−ドバックして次後
のウェハの被ポリッシング膜のポリッシング時間を設定
する制御部とを含む。
ングレ−トの変化に合わせてポリッシング時間を設定す
ることができる。それにより、被ポリッシング膜を所望
の膜厚にまでポリッシングすることが可能であり、常に
良好な平坦化することができる。また、上記半導体製造
装置によれば、同一装置のなかで、被ポリッシング膜の
ポリッシングと、被ポリッシング膜の膜厚の測定を自動
で行うため、装置のスル−プットを大幅に向上すること
ができる。
て説明する。本発明によるポリッシング方法を説明す
る。まず、第1のウェハ上の被ポリッシング膜をポリッ
シングした後、その被ポリッシング膜を膜厚を同一の装
置内にて測定し、上記第1のウェハにおけるポリッシン
グレ−トを算出する。そのポリッシングレ−トに応じた
ポリッシング時間を新たに設定する。続いて、第2のウ
ェハ上の被ポリッシング膜を、新たに設定されたポリッ
シング時間にもとづきポリッシングする。
明する。図1に示される様に、例えばウェハを、下地膜
11上に設けられかつ表面が段差形状を示す被ポリッシ
ング膜12を有する構造とする。研磨前の被ポリッシン
グ膜12の膜厚をTn とし(同図(a))、研磨後の被
ポリッシング膜12の膜厚をTn+1 とする(同図
(b))。また、被ポリッシング膜12をTn からT
n+1 まで研磨するのに必要なポリッシング時間をtn+1
とする。この場合、ポリッシングレ−トRn+1 は、 Rn+1 =k×(Tn −Tn+1 )/tn+1 ……(1) k:定数 によって求められる。
を説明する。第1の方法として光学的に測定する。被ポ
リッシング膜が絶縁膜(SiO2 ,SiN等)若しくは
半導体膜(多結晶シリコン膜,非晶質シリコン膜等)で
ある場合、その被ポリッシング膜に可視光線若しくは赤
外線の波長領域の光を照射して膜厚を測定する。可視光
線の波長領域として200nm以上800nm以下を用
いることができるが、480nm以上790nm以下を
用いることが望ましい。また、赤外線の波長領域として
2.5μm以上25μm以下を用いることができる。
ポリッシング膜の膜厚を測定する。被ポリッシング膜が
金属膜(W,Ti,TiN,Al,Cu等からなる単一
膜若しくは上記金属を含む合金膜あるいはこれらの積層
膜)である場合に、被ポリッシング膜をX線を照射して
測定する。この場合、X線を外部に漏らさないようにす
る必要がある。
いて被ポリッシング膜が金属または金属合金膜である場
合に、その抵抗を測ることにより、被ポリッシング膜の
膜厚を測定することも可能である。
リッシング終了後、被ポリッシング膜の洗浄前または洗
浄注に行うことも可能であるが、表面を洗浄及び乾燥し
た後に行うことが望ましい。それにより、ポリッシング
の際に付着した研磨剤及び研磨屑とが除去され、より正
確な膜厚の測定を行うことができる。
明する。尚、ポリッシングされる複数枚のウェハは同一
構造とする。CMP装置の研磨クロスを張り替えてポリ
ッシングを開始するときに、ポリッシングレ−トを検出
するために、サンプル用のウェハaをポリッシングす
る。研磨前の被ポリッシング膜の膜厚はT0 とする。ま
ず、ウェハaをポリッシング時間t1 に基づいてポリッ
シングし、研磨後の被ポリッシングの膜厚T1 を測定す
る。その後、上記(1)式を用いて、ポリッシングレ−
トR1 を算出する。そのR1 に応じて次にポリッシング
されるウェハbのポリッシング時間t2 を設定する。次
に、ウェハbをポリッシング時間t2 に基づいてポリッ
シングする。その後、被ポリッシグ膜の膜厚を測定し、
上記(1)式を用いてポリッシングレ−トR2 を算出す
る。このとき、次にポリッシングされるウェハcのポリ
ッシング時間t3 は、t3 =t2 ×R2 /R1 によって
求められる。以下、同様の手順によりポリッシングす
る。
ば、被ポリッシング膜の膜厚の実測値をもとにポリッシ
ング時間を設定するため、研磨クロス等の研磨条件が変
化したとしても、常に被ポリッシング膜を所望の膜厚に
までポリッシングすることが可能である。
リッシング膜の膜厚の測定は、全てのウェハについて行
うことも可能であり、複数枚毎に行うことも可能であ
る。次に、上記ポリッシング方法を実施するためのCM
P装置を説明する。図2によれば、CMP装置は、ポリ
ッシング前のウェハを収容するロ−ド部13と、ウェハ
をポリッシングするCMP部20と、ロ−ド部13から
CMP部20にウェハを搬送する搬送部14と、ポリッ
シング後のウェハを洗浄するための洗浄及び乾燥部15
と、ポリッシング後のウェハを収容するアンロ−ド部1
6からなる。洗浄及び乾燥部15は、リンスステ−ジ、
スクラバ−洗浄ステ−ジ、スクラバ−及びスピンドライ
ステ−ジを有する。被ポリッシング膜の膜厚の測定は、
上記スクラバ−及びスピンドライステ−ジで行ってもよ
いし、別の専用ステ−ジを用意してもよい。本発明によ
るCMP装置では、CMP部20と洗浄及び乾燥部15
と同一装置内にあり、更に後述する膜厚測定手段も同一
装置内に設けられる。
3を参照して説明する。CMP部20は定盤21と、定
盤21上に張られた研磨クロス22と、定盤21の上方
に設けられウェハ10を保持するウェハホルダ23と、
スラリ−24を研磨クロス22上に供給するスラリ−供
給管25とを有する。スラリ−供給管25からスラリ−
24が研磨クロス22上に滴下され、ウェハ10はウェ
ハホルダ23により加圧されて研磨クロス22およびス
ラリ−24でポリッシングされる。その際、ウェハホル
ダ23及び定盤21はそれぞれ回転している。
30を用いて測定する。膜厚測定手段30として、例え
ば光学センサ31と光学センサ用コントロ−ラ32とを
用いる。光学センサ31の上方にウェハ10を吸着した
状態でウェハホルダ23に移動し、光学センサ31より
ウェハ10の被ポリッシング膜に例えば可視光線を照射
して測定する。それにより得られた膜厚の実測値をもと
に、上記ポリッシング方法に示したように、制御部40
にて、次にポリッシングするウェハのポリッシング時間
を設定する。尚、ここでは洗浄前にウェハホルダについ
た状態のウェハで膜厚測定を行っているが、洗浄中また
は洗浄後に洗浄ステ−ジ(図示せず)で膜厚測定をして
もよい。
極位置で行う場合に、ウェハの位置ぎめが必要であれ
ば、ウェハホルダの移動で行う。更に、非常に正確な位
置ぎめを必要とする場合は専用の測定ステ−ジ(図示せ
ず)を設けてもよい。
を用いた場合であるが、上記ポリッシング方法で詳述し
たように、X線測定器及びρsメ−タを用いることもで
きる。
ば、変化するポリッシングレ−トに応じて、ポリッシン
グ時間を設定することができる。研磨過少または過多と
なることなく、常に一定の平坦化形状をえることができ
る。また、本発明のCMP装置によれば、被ポリッシン
グ膜の膜厚を自動で測定し、ポリッシング時間を制御す
ることができるので、従来のように作業者が頻繁に被ポ
リッシング膜の膜厚を測定してポリッシング時間の設定
を見直す必要がない。従来、作業者はウェハを数枚ポリ
ッシングする毎にポリッシング時間の設定の見直し作業
を行っていたため、24枚のウェハをポリッシングする
のに4時間以上の時間がかかっていた。しかし、本発明
によれば、2時間程度の所要時間ですむようになり、装
置のスル−プットも2倍以上に向上した。また作業者の
手間も大幅に省くことができ、大きな省人効果があっ
た。
(a)と、ポリッシング後のウェハの状態を示す断面図
(b)である。
図である。
概略図である。
の経時変化の関係を示すグラフ図である。
部、16…アンロ−ド部 20…CMP部、21…定盤、22…研磨クロス、23
…ウェハホルダ 24…スラリ−、25…スラリ−供給管 30…膜厚測定手段、31…光学センサ、32…光学セ
ンサ用コントロ−ラ 40…制御部
Claims (7)
- 【請求項1】 段差形状の被ポリッシング膜を有する第
1及び第2のウェハを準備する工程と、上記第1のウェ
ハの被ポリッシング膜をポリッシングして平坦化する工
程と、上記第1のウェハの被ポリッシング膜の膜厚を測
定する工程と、上記測定された値に応じて上記第2のウ
ェハのポリッシング時間を設定する工程とを含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 上記被ポリッシング膜の膜厚を、可視光
線若しくは赤外線を用いて測定することを特徴とする請
求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 上記被ポリッシング膜の膜厚を、X線を
用いて測定することを特徴とする請求項1記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項4】 上記被ポリッシング膜の膜厚の測定は、
ポリッシングを行う装置の内部で自動で行われることを
特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 被ポリッシング膜を有するウェハをポリ
ッシングする半導体製造装置において、上記ウェハをポ
リッシングするためのポリッシング部と、上記ウェハを
ポリッシングした後に、上記ウェハの表面を洗浄及び乾
燥するための洗浄部と、上記被ポリッシング膜の膜厚を
測定する測定部と、上記測定部の測定結果にもとづきポ
リッシングを制御する制御部とを具備することを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項6】 上記測定部は光学センサを有することを
特徴とする請求項5記載の半導体製造装置。 - 【請求項7】 上記測定部は、X線を用いて上記被ポリ
ッシング膜の膜厚を測定する手段を有することを特徴と
する請求項5記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15016194A JP3311864B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15016194A JP3311864B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0817768A true JPH0817768A (ja) | 1996-01-19 |
JP3311864B2 JP3311864B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=15490844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15016194A Expired - Lifetime JP3311864B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3311864B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5938502A (en) * | 1996-11-15 | 1999-08-17 | Nec Corporation | Polishing method of substrate and polishing device therefor |
US6120348A (en) * | 1996-09-30 | 2000-09-19 | Sumitomo Metal Industries Limited | Polishing system |
WO2002043128A1 (fr) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Nikon Corporation | Dispositif de polissage et procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur |
JP2003045834A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Nec Corp | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
US6905957B2 (en) | 2001-10-19 | 2005-06-14 | Nec Corporation | Polishing method and polishing apparatus permitting control of polishing time at a high accuracy |
JP2006286766A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Nec Electronics Corp | 化学的機械的研磨方法及び化学的機械的研磨システム |
JP2007281460A (ja) * | 1998-06-26 | 2007-10-25 | Advanced Micro Devices Inc | モデル予測制御を用いた、半導体製作における個別部品の生産を制御するための方法およびコントローラ装置 |
JP2008141186A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-06-19 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP15016194A patent/JP3311864B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6120348A (en) * | 1996-09-30 | 2000-09-19 | Sumitomo Metal Industries Limited | Polishing system |
US5938502A (en) * | 1996-11-15 | 1999-08-17 | Nec Corporation | Polishing method of substrate and polishing device therefor |
JP2007281460A (ja) * | 1998-06-26 | 2007-10-25 | Advanced Micro Devices Inc | モデル予測制御を用いた、半導体製作における個別部品の生産を制御するための方法およびコントローラ装置 |
WO2002043128A1 (fr) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Nikon Corporation | Dispositif de polissage et procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur |
JP2003045834A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Nec Corp | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
US6905957B2 (en) | 2001-10-19 | 2005-06-14 | Nec Corporation | Polishing method and polishing apparatus permitting control of polishing time at a high accuracy |
JP2006286766A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Nec Electronics Corp | 化学的機械的研磨方法及び化学的機械的研磨システム |
JP2008141186A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-06-19 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3311864B2 (ja) | 2002-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5695601A (en) | Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method | |
US8460057B2 (en) | Computer-implemented process control in chemical mechanical polishing | |
JP3154930B2 (ja) | 半導体ウエハー表面の研磨率の検出方法及び検出装置並びに半導体ウエハー表面の研磨方法及び研磨装置 | |
US20040029333A1 (en) | Polishing device and method of manufacturing semiconductor device | |
US6594542B1 (en) | Method and system for controlling chemical mechanical polishing thickness removal | |
JP2003511873A (ja) | 半導体ウェハ研磨方法およびシステム | |
US7175505B1 (en) | Method for adjusting substrate processing times in a substrate polishing system | |
JP2001068441A (ja) | 選択的ダマシンケミカルメカニカルポリシング | |
JP2005203729A (ja) | 基板研磨装置 | |
JPH1142551A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JPH1015807A (ja) | 研磨システム | |
JPH10106984A (ja) | 半導体ウエハー研磨装置における研磨方法及び研磨制御装置 | |
US20060113036A1 (en) | Computer integrated manufacturing control system for oxide chemical mechanical polishing | |
JPH0817768A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置 | |
US7097534B1 (en) | Closed-loop control of a chemical mechanical polisher | |
JP2004025413A (ja) | 研磨パッド等の寿命・良否判定方法、研磨パッドのコンディショニング方法、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 | |
US6609946B1 (en) | Method and system for polishing a semiconductor wafer | |
JPH08216016A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置 | |
US6117780A (en) | Chemical mechanical polishing method with in-line thickness detection | |
JPH0878369A (ja) | 研磨の終点検出方法及びその研磨装置 | |
JPH10315131A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法およびその装置 | |
JPH11267968A (ja) | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 | |
JP2000343416A (ja) | ポリッシング装置および方法 | |
TW202200307A (zh) | 具有拋光墊溫度控制的半導體基板拋光 | |
JP2003071708A (ja) | 研磨方法および研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090524 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090524 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100524 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110524 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110524 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120524 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120524 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130524 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130524 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140524 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |