JP2003045834A - 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 - Google Patents
半導体製造装置のプロセス時間補正方法Info
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- JP2003045834A JP2003045834A JP2001235152A JP2001235152A JP2003045834A JP 2003045834 A JP2003045834 A JP 2003045834A JP 2001235152 A JP2001235152 A JP 2001235152A JP 2001235152 A JP2001235152 A JP 2001235152A JP 2003045834 A JP2003045834 A JP 2003045834A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨パッドの摩耗や研磨液の成分変化や研磨
屑の混入等による変化を反映し、量産において高精度の
研磨が可能なプロセス制御時間を補正する。 【解決手段】 補正研磨時間演算部５は、標準研磨時間
演算部３が演算した結果とデータ蓄積部４から前に処理
されたロットのデータを取り出して当該ロットの補正研
磨時間を算出する。Ｎロット目の標準研磨時間ｔｓＮと
補正研磨時間ｔｃＮとを加えた時間を最適研磨時間ｔｏ
Ｎとする。又、（Ｎ−１）ロット目の最適（標準＋補
正）研磨時間ｔｏ（Ｎ−１）を（Ｎ−１）ロット目の標
準研磨時間ｔｓ（Ｎ−１）で除した値を研磨時間比率ｒ
（Ｎ−１）とする。研磨時間比率ｒ（Ｎ−１）にＮロッ
ト目の標準研磨時間ｔｓＮを乗じた結果に予め設定した
固定時間Ｔｐを加算した値が最適研磨時間ｔｏＮであ
る。
屑の混入等による変化を反映し、量産において高精度の
研磨が可能なプロセス制御時間を補正する。 【解決手段】 補正研磨時間演算部５は、標準研磨時間
演算部３が演算した結果とデータ蓄積部４から前に処理
されたロットのデータを取り出して当該ロットの補正研
磨時間を算出する。Ｎロット目の標準研磨時間ｔｓＮと
補正研磨時間ｔｃＮとを加えた時間を最適研磨時間ｔｏ
Ｎとする。又、（Ｎ−１）ロット目の最適（標準＋補
正）研磨時間ｔｏ（Ｎ−１）を（Ｎ−１）ロット目の標
準研磨時間ｔｓ（Ｎ−１）で除した値を研磨時間比率ｒ
（Ｎ−１）とする。研磨時間比率ｒ（Ｎ−１）にＮロッ
ト目の標準研磨時間ｔｓＮを乗じた結果に予め設定した
固定時間Ｔｐを加算した値が最適研磨時間ｔｏＮであ
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体ウェハー上
に膜を成長させるＣＶＤ（化学気相成長）装置や半導体
ウェハーを研磨するＣＭＰ（化学機械研磨）装置等にお
いて、半導体製造装置への設定条件であるレシピ情報を
修正する方法に関する。
に膜を成長させるＣＶＤ（化学気相成長）装置や半導体
ウェハーを研磨するＣＭＰ（化学機械研磨）装置等にお
いて、半導体製造装置への設定条件であるレシピ情報を
修正する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハーの表面を平坦に研磨する
研磨装置において、ウェハーの膜厚を所定値に研磨する
ためには、通常研磨時間を制御することにより行われて
いる。これは、プロセスの処理速度である研磨速度やウ
ェハーを押さえる面圧などの研磨条件が一定であり、か
つ、研磨テーブル上に貼り付けられた研磨パッド等の装
置状態が一定である場合、研磨量は装置が研磨の処理を
行う研磨時間（プロセス時間）に比例するため、研磨後
の残膜厚値を所定の値にしたい場合は、研磨時間を研磨
量に応じて設定して処理している。
研磨装置において、ウェハーの膜厚を所定値に研磨する
ためには、通常研磨時間を制御することにより行われて
いる。これは、プロセスの処理速度である研磨速度やウ
ェハーを押さえる面圧などの研磨条件が一定であり、か
つ、研磨テーブル上に貼り付けられた研磨パッド等の装
置状態が一定である場合、研磨量は装置が研磨の処理を
行う研磨時間（プロセス時間）に比例するため、研磨後
の残膜厚値を所定の値にしたい場合は、研磨時間を研磨
量に応じて設定して処理している。
【０００３】従来、この研磨時間を得るために複数枚の
ウェハーが入ったロットの１枚目を作業者が抜き取り、
その１枚のウェハーについて研磨を行う前に膜厚測定を
行い、さらに研磨装置にて目標の残膜厚となるように経
験上から所定の時間だけ研磨を実施する。研磨後の膜厚
と研磨前の膜厚の差である実研磨量と、目標膜厚と、研
磨した時間から、最適な研磨時間を計算して以降のウェ
ハーの研磨を実施している。
ウェハーが入ったロットの１枚目を作業者が抜き取り、
その１枚のウェハーについて研磨を行う前に膜厚測定を
行い、さらに研磨装置にて目標の残膜厚となるように経
験上から所定の時間だけ研磨を実施する。研磨後の膜厚
と研磨前の膜厚の差である実研磨量と、目標膜厚と、研
磨した時間から、最適な研磨時間を計算して以降のウェ
ハーの研磨を実施している。
【０００４】特開平１０−１０６９８４号公報におい
て、研磨時間を人手により設定する事が困難な作業であ
る事と、研磨パッドの消耗や研磨液成分の変化や研磨屑
の混入等により装置状態が変化することから最適研磨時
間を残りの全ウェハーに適用しても目的とする精度を維
持することが難しいため、これを改善する方法が開示さ
れている。その方法は、研磨装置内に膜厚測定部と研磨
時間演算手段を保有し、目標膜厚値と初期研磨時間を設
定し、１枚目の半導体ウェハーを初期研磨時間で研磨し
た後、初期研磨時間及び研磨前に測定した膜厚値と研磨
後に測定した膜厚値から次回以降処理予定のウェハーの
最適研磨時間を算出してその研磨時間で研磨を実施す
る。その研磨終了後には、それ以降の所定枚数目の半導
体ウェハーの最適研磨時間を算出し、各半導体ウェハー
を最適研磨時間で研磨し、以降順次最適研磨時間を算出
して研磨するものである。
て、研磨時間を人手により設定する事が困難な作業であ
る事と、研磨パッドの消耗や研磨液成分の変化や研磨屑
の混入等により装置状態が変化することから最適研磨時
間を残りの全ウェハーに適用しても目的とする精度を維
持することが難しいため、これを改善する方法が開示さ
れている。その方法は、研磨装置内に膜厚測定部と研磨
時間演算手段を保有し、目標膜厚値と初期研磨時間を設
定し、１枚目の半導体ウェハーを初期研磨時間で研磨し
た後、初期研磨時間及び研磨前に測定した膜厚値と研磨
後に測定した膜厚値から次回以降処理予定のウェハーの
最適研磨時間を算出してその研磨時間で研磨を実施す
る。その研磨終了後には、それ以降の所定枚数目の半導
体ウェハーの最適研磨時間を算出し、各半導体ウェハー
を最適研磨時間で研磨し、以降順次最適研磨時間を算出
して研磨するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術で
は、複数枚ウェハーからなるロットにおいて、１枚だけ
研磨前の膜厚測定、所定時間の研磨、研磨後の膜厚測定
という抜き取り検査を実施しなければならない。その理
由は、全てのロットにおいて１枚目の抜き取り検査を実
施している間は、研磨部が待ち状態であっても次のウェ
ハーを研磨することができず、１枚目のウェハーを研磨
した後の膜厚測定が終了し２枚目以降の研磨時間が確定
するまでは２枚目以降の研磨を開始する事ができない。
その間は、装置或いはユニットである研磨部や膜厚測定
部がフルに稼動している状態とはならず、工程の生産能
力を向上させることができない。特に、複数の研磨テー
ブルを保有して複数のウェハーを同時に研磨する研磨装
置では、ウェハーを処理していない部分が多くなり、装
置の稼動効率上も適切ではない。
は、複数枚ウェハーからなるロットにおいて、１枚だけ
研磨前の膜厚測定、所定時間の研磨、研磨後の膜厚測定
という抜き取り検査を実施しなければならない。その理
由は、全てのロットにおいて１枚目の抜き取り検査を実
施している間は、研磨部が待ち状態であっても次のウェ
ハーを研磨することができず、１枚目のウェハーを研磨
した後の膜厚測定が終了し２枚目以降の研磨時間が確定
するまでは２枚目以降の研磨を開始する事ができない。
その間は、装置或いはユニットである研磨部や膜厚測定
部がフルに稼動している状態とはならず、工程の生産能
力を向上させることができない。特に、複数の研磨テー
ブルを保有して複数のウェハーを同時に研磨する研磨装
置では、ウェハーを処理していない部分が多くなり、装
置の稼動効率上も適切ではない。
【０００６】又、従来の技術では、２枚目以降のウェハ
ーに対して研磨処理後に順次研磨後の膜厚測定をするた
めに、研磨装置内に膜厚測定部が必要である。その理由
は、研磨装置内に膜厚測定部を保有した装置を使用する
か、或いは研磨装置に後から膜厚測定ユニットを取り付
ける必要があるため、装置が高価になる事である。ま
た、研磨装置内に取り付ける膜厚測定ユニットは、膜厚
測定専用装置に比べて測定処理に時間を要するものが多
いため、処理効率が悪い点である。さらに、研磨装置内
に膜厚測定部があるため、膜厚測定部が故障した場合研
磨装置そのものが使用不能になる。又、膜厚を再度測定
したい場合に容易にかつすぐに使用できない可能性が高
い。又、他工程の膜厚測定装置が故障した場合にも代わ
りに使用することができない。
ーに対して研磨処理後に順次研磨後の膜厚測定をするた
めに、研磨装置内に膜厚測定部が必要である。その理由
は、研磨装置内に膜厚測定部を保有した装置を使用する
か、或いは研磨装置に後から膜厚測定ユニットを取り付
ける必要があるため、装置が高価になる事である。ま
た、研磨装置内に取り付ける膜厚測定ユニットは、膜厚
測定専用装置に比べて測定処理に時間を要するものが多
いため、処理効率が悪い点である。さらに、研磨装置内
に膜厚測定部があるため、膜厚測定部が故障した場合研
磨装置そのものが使用不能になる。又、膜厚を再度測定
したい場合に容易にかつすぐに使用できない可能性が高
い。又、他工程の膜厚測定装置が故障した場合にも代わ
りに使用することができない。
【０００７】そこで、本発明は、研磨パッドの摩耗や研
磨液の成分変化や研磨屑の混入による装置状態の変化を
研磨装置に反映し、ロットの中のウェハー１枚を抜き取
ることなく、また、専用膜厚測定ユニットを研磨装置に
付加することなく、量産において高精度の研磨が可能な
プロセス制御時間を補正する方法を提供する事を課題と
している。
磨液の成分変化や研磨屑の混入による装置状態の変化を
研磨装置に反映し、ロットの中のウェハー１枚を抜き取
ることなく、また、専用膜厚測定ユニットを研磨装置に
付加することなく、量産において高精度の研磨が可能な
プロセス制御時間を補正する方法を提供する事を課題と
している。
【０００８】又、本発明は、標準的な研磨装置と膜厚測
定器を用いて、多品種が流れても生産効率を犠牲にする
ことなく研磨後のウェハー膜厚値を所要の膜厚値となる
ように研磨時間を補正することを課題としている。
定器を用いて、多品種が流れても生産効率を犠牲にする
ことなく研磨後のウェハー膜厚値を所要の膜厚値となる
ように研磨時間を補正することを課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明は、ロット別の目標残膜厚量を設定する事が
可能な入力装置１と、研磨前後の膜厚データを集める膜
厚データ収集部２と、目標残膜厚量から標準研磨時間を
算出する研磨時間演算部３と、すでに処理したロットの
情報を取り出して研磨時間の補正値を算出する研磨時間
補正演算部４と、前記膜厚データ収集部３と研磨時間演
算部３と研磨時間補正演算部４の測定結果と演算結果デ
ータを蓄積するデータ蓄積部５を保有する工程制御コン
トローラにおいて、Ｎロット目の標準研磨時間と補正研
磨時間を加えた最適研磨時間は、Ｎ−１ロット目の最適
（標準＋補正）研磨時間をＮ−１ロット目の標準研磨時
間で除算した研磨時間比率にＮロット目の標準研磨時間
を乗じ、それにＮ−１ロット目の研磨後膜厚と目標残膜
厚量との差と予め設定した厚さとの大小を比較しその関
係により予め設定した固定追加時間を選択し加算して求
める。ここに、予め設定した所定の厚さや固定時間はロ
ット毎に決定されるが、同一ロットにて複数回ＣＭＰ工
程を通過する場合は通過回数別に設定しても良い。同様
に、装置号機別に設定してもよい。
めの本発明は、ロット別の目標残膜厚量を設定する事が
可能な入力装置１と、研磨前後の膜厚データを集める膜
厚データ収集部２と、目標残膜厚量から標準研磨時間を
算出する研磨時間演算部３と、すでに処理したロットの
情報を取り出して研磨時間の補正値を算出する研磨時間
補正演算部４と、前記膜厚データ収集部３と研磨時間演
算部３と研磨時間補正演算部４の測定結果と演算結果デ
ータを蓄積するデータ蓄積部５を保有する工程制御コン
トローラにおいて、Ｎロット目の標準研磨時間と補正研
磨時間を加えた最適研磨時間は、Ｎ−１ロット目の最適
（標準＋補正）研磨時間をＮ−１ロット目の標準研磨時
間で除算した研磨時間比率にＮロット目の標準研磨時間
を乗じ、それにＮ−１ロット目の研磨後膜厚と目標残膜
厚量との差と予め設定した厚さとの大小を比較しその関
係により予め設定した固定追加時間を選択し加算して求
める。ここに、予め設定した所定の厚さや固定時間はロ
ット毎に決定されるが、同一ロットにて複数回ＣＭＰ工
程を通過する場合は通過回数別に設定しても良い。同様
に、装置号機別に設定してもよい。
【００１０】又、本発明は、ロット別の目標残膜厚量を
設定する事が可能な入力装置１と、研磨前後の膜厚デー
タを集める膜厚データ収集部２と、目標残膜厚量から標
準研磨時間を算出する研磨時間演算部３と、すでに処理
したロットの情報を取り出して研磨時間の補正値を算出
する研磨時間補正演算部４と、前記膜厚データ収集部３
と研磨時間演算部３と研磨時間補正演算部４の測定結果
と演算結果データを蓄積するデータ蓄積部５を保有する
工程制御コントローラ６において、Ｎロット目の標準研
磨時間と補正研磨時間を加えた最適研磨時間は、時間的
に前に処理されたＮ−１ロット目の目標残膜厚値と研磨
後の膜厚値との差と、研磨前後の膜厚値と研磨時間によ
り得られるＮ−１ロット目の実研磨レートから、Ｎ−１
ロット目の過不足分の研磨時間を求め、それに予め設定
してある適用率を乗じてＮ−１ロット目の補正研磨時間
とし、この補正研磨時間にＮ−１ロット目の標準研磨時
間を加えた最適研磨時間を、Ｎ−１ロット目の標準研磨
時間で除して得られる研磨時間比率にＮロット目の標準
研磨時間を乗じることにより求めてもよい。
設定する事が可能な入力装置１と、研磨前後の膜厚デー
タを集める膜厚データ収集部２と、目標残膜厚量から標
準研磨時間を算出する研磨時間演算部３と、すでに処理
したロットの情報を取り出して研磨時間の補正値を算出
する研磨時間補正演算部４と、前記膜厚データ収集部３
と研磨時間演算部３と研磨時間補正演算部４の測定結果
と演算結果データを蓄積するデータ蓄積部５を保有する
工程制御コントローラ６において、Ｎロット目の標準研
磨時間と補正研磨時間を加えた最適研磨時間は、時間的
に前に処理されたＮ−１ロット目の目標残膜厚値と研磨
後の膜厚値との差と、研磨前後の膜厚値と研磨時間によ
り得られるＮ−１ロット目の実研磨レートから、Ｎ−１
ロット目の過不足分の研磨時間を求め、それに予め設定
してある適用率を乗じてＮ−１ロット目の補正研磨時間
とし、この補正研磨時間にＮ−１ロット目の標準研磨時
間を加えた最適研磨時間を、Ｎ−１ロット目の標準研磨
時間で除して得られる研磨時間比率にＮロット目の標準
研磨時間を乗じることにより求めてもよい。
【００１１】又、本発明においては、前述したものと同
様な工程制御コントローラ６において、Ｎロット目の標
準研磨時間と補正研磨時間を加えた最適研磨時間は、複
数の時間的に前に処理されたロットの実研磨レートを研
磨前後の膜厚値と標準及び補正した研磨時間から求め、
これらの実研磨レートと研磨処理を行った時刻から近似
直線または近似曲線を作成して現在の時刻での実研磨レ
ート値を補間し、その補間した実研磨レート値と、Ｎロ
ット目の研磨前の膜厚値と目標残膜値との差からＮロッ
ト目の最適研磨予測時間を求めて、得られた最適研磨予
測時間から標準研磨時間を差し引いた時間に予め設定し
た適用率を乗じることによりＮロット目の補正研磨時間
としてもよい。
様な工程制御コントローラ６において、Ｎロット目の標
準研磨時間と補正研磨時間を加えた最適研磨時間は、複
数の時間的に前に処理されたロットの実研磨レートを研
磨前後の膜厚値と標準及び補正した研磨時間から求め、
これらの実研磨レートと研磨処理を行った時刻から近似
直線または近似曲線を作成して現在の時刻での実研磨レ
ート値を補間し、その補間した実研磨レート値と、Ｎロ
ット目の研磨前の膜厚値と目標残膜値との差からＮロッ
ト目の最適研磨予測時間を求めて、得られた最適研磨予
測時間から標準研磨時間を差し引いた時間に予め設定し
た適用率を乗じることによりＮロット目の補正研磨時間
としてもよい。
【００１２】前述した３つの発明により、ロット毎に研
磨時間を補正することができ、かつ研磨装置内に専用の
膜厚測定部保有する必要がないので、研磨パッドや研磨
屑の混入や研磨液の成分が変化しても精度良く目標残膜
値に追従させることができる。
磨時間を補正することができ、かつ研磨装置内に専用の
膜厚測定部保有する必要がないので、研磨パッドや研磨
屑の混入や研磨液の成分が変化しても精度良く目標残膜
値に追従させることができる。
【００１３】また、上記３つの発明では、Ｎロット目の
最適研磨時間を算出する際に説明を平易にするため、前
に処理されたロットとしてＮ−１ロット目に処理された
結果を用いたが、Ｎロット目の研磨を開始するときにま
だＮ−１ロット目の研磨後膜厚を測定している場合もあ
るため、もちろんＮ−１ロットよりも時間的に前のロッ
トのデータを使用しても良い。
最適研磨時間を算出する際に説明を平易にするため、前
に処理されたロットとしてＮ−１ロット目に処理された
結果を用いたが、Ｎロット目の研磨を開始するときにま
だＮ−１ロット目の研磨後膜厚を測定している場合もあ
るため、もちろんＮ−１ロットよりも時間的に前のロッ
トのデータを使用しても良い。
【００１４】また、上記３つの発明では、最初の１ロッ
ト目の場合は時間的に前に処理されたロットの情報がな
いため、研磨時間は補正されない。
ト目の場合は時間的に前に処理されたロットの情報がな
いため、研磨時間は補正されない。
【００１５】また、上記３つの発明における膜厚測定
は、ロットの全ウェハーを測定しても、最初のみでも、
最後のみでも、中間のみでも、それらを組み合わせても
良いし、平均値としても良い。
は、ロットの全ウェハーを測定しても、最初のみでも、
最後のみでも、中間のみでも、それらを組み合わせても
良いし、平均値としても良い。
【００１６】また、上記３つの発明における膜厚測定デ
ータは、研磨テーブルや研磨ヘッド毎に管理しても良
い。
ータは、研磨テーブルや研磨ヘッド毎に管理しても良
い。
【００１７】
【発明の実施の形態】［実施形態１］以下、図面を参照
して本発明の実施の形態について説明する。図１は、本
発明の研磨時間補正のための工程制御コントローラのブ
ロック図である。図に示すように、工程制御コントロー
ラ６は、膜厚データ収集部２と、標準研磨時間演算部３
と、データ蓄積部４と、補正研磨時間演算部５と、から
構成されている。
して本発明の実施の形態について説明する。図１は、本
発明の研磨時間補正のための工程制御コントローラのブ
ロック図である。図に示すように、工程制御コントロー
ラ６は、膜厚データ収集部２と、標準研磨時間演算部３
と、データ蓄積部４と、補正研磨時間演算部５と、から
構成されている。
【００１８】膜厚データ収集部２は、研磨前や研磨後の
膜厚測定データを膜厚測定装置７から収集し、収集した
データをデータ蓄積部４へ格納し、研磨前の膜厚測定デ
ータを標準研磨時間演算部３へ渡す。
膜厚測定データを膜厚測定装置７から収集し、収集した
データをデータ蓄積部４へ格納し、研磨前の膜厚測定デ
ータを標準研磨時間演算部３へ渡す。
【００１９】標準研磨時間演算部３は、入力装置１から
製品別の目標残膜値と膜厚データ収集部２から研磨前の
膜厚測定データを得て標準研磨時間を演算して、その標
準研磨時間を、研磨装置８に設定し、データ蓄積部４へ
格納し、補正研磨時間演算部５へ伝達する。
製品別の目標残膜値と膜厚データ収集部２から研磨前の
膜厚測定データを得て標準研磨時間を演算して、その標
準研磨時間を、研磨装置８に設定し、データ蓄積部４へ
格納し、補正研磨時間演算部５へ伝達する。
【００２０】データ蓄積部４では、膜厚データ収集部２
が収集した測定データと、標準研磨時間演算部３が計算
した演算結果と補正研磨時間演算部５が算出した結果を
ロット毎に格納している。
が収集した測定データと、標準研磨時間演算部３が計算
した演算結果と補正研磨時間演算部５が算出した結果を
ロット毎に格納している。
【００２１】補正研磨時間演算部５は、標準研磨時間演
算部３が演算した結果とデータ蓄積部４から前に処理さ
れたロットのデータを取り出して当該ロットの補正研磨
時間を算出して研磨装置に設定し、その演算結果を再び
データ蓄積部４に格納する。
算部３が演算した結果とデータ蓄積部４から前に処理さ
れたロットのデータを取り出して当該ロットの補正研磨
時間を算出して研磨装置に設定し、その演算結果を再び
データ蓄積部４に格納する。
【００２２】ここで、Ｎロット目の補正研磨時間ｔｃＮ
は次のように求める。
は次のように求める。
【００２３】Ｎロット目の標準研磨時間ｔｓＮと補正研
磨時間ｔｃＮとを加えた時間を最適研磨時間ｔｏＮとす
る。又、（Ｎ−１）ロット目の最適（標準＋補正）研磨
時間ｔｏ（Ｎ−１）を（Ｎ−１）ロット目の標準研磨時
間ｔｓ（Ｎ−１）で除した値を研磨時間比率ｒ（Ｎ−
１）とする。
磨時間ｔｃＮとを加えた時間を最適研磨時間ｔｏＮとす
る。又、（Ｎ−１）ロット目の最適（標準＋補正）研磨
時間ｔｏ（Ｎ−１）を（Ｎ−１）ロット目の標準研磨時
間ｔｓ（Ｎ−１）で除した値を研磨時間比率ｒ（Ｎ−
１）とする。
【００２４】研磨時間比率ｒ（Ｎ−１）にＮロット目の
標準研磨時間ｔｓＮを乗じた結果に予め設定した固定時
間Ｔｐを加算した値がｔｃＮである。ここに、固定時間
Ｔｐは、（Ｎ−１）ロット目の研磨後膜厚ＴＨ（Ｎ−
１）と目標残膜厚量ＴＨＦとの差Ｄと予め設定した厚さ
Ｄｐとの大小関係に基づいて予め設定した時間である。
すなわち、実施形態１においては、ｔｏＮ＝ｒ（Ｎ−
１）×ｔｓＮ ＋ Ｔｐである。
標準研磨時間ｔｓＮを乗じた結果に予め設定した固定時
間Ｔｐを加算した値がｔｃＮである。ここに、固定時間
Ｔｐは、（Ｎ−１）ロット目の研磨後膜厚ＴＨ（Ｎ−
１）と目標残膜厚量ＴＨＦとの差Ｄと予め設定した厚さ
Ｄｐとの大小関係に基づいて予め設定した時間である。
すなわち、実施形態１においては、ｔｏＮ＝ｒ（Ｎ−
１）×ｔｓＮ ＋ Ｔｐである。
【００２５】図２は、本発明のプロセス時間補正方法の
フローチャートである。このフローチャートにおいて、
Ｎを１と置いて説明する。
フローチャートである。このフローチャートにおいて、
Ｎを１と置いて説明する。
【００２６】１ロット目の研磨処理を行うために、まず
入力装置１にて該当ロットの目標残膜厚量を設定する。
入力装置１にて該当ロットの目標残膜厚量を設定する。
【００２７】次にＳ１において、研磨前の膜厚測定を膜
厚測定装置７にて行う。研磨前の膜厚測定を７ａにて実
施する際、全ウェハーを測定しても良いし、任意の位置
のウェハーのみを測定しても良い。データ収集部２は、
研磨前の膜厚測定が終了したときに、測定データを研磨
前膜厚測定結果７ａから通信により取り出し、標準研磨
時間演算部３とデータ蓄積部４に格納する。標準研磨時
間演算部３では、標準研磨時間を研磨前の膜厚量と入力
装置１に設定した目標残膜厚量から経験則に基づいて算
出する。
厚測定装置７にて行う。研磨前の膜厚測定を７ａにて実
施する際、全ウェハーを測定しても良いし、任意の位置
のウェハーのみを測定しても良い。データ収集部２は、
研磨前の膜厚測定が終了したときに、測定データを研磨
前膜厚測定結果７ａから通信により取り出し、標準研磨
時間演算部３とデータ蓄積部４に格納する。標準研磨時
間演算部３では、標準研磨時間を研磨前の膜厚量と入力
装置１に設定した目標残膜厚量から経験則に基づいて算
出する。
【００２８】次にＳ２において、算出された標準研磨時
間は、データ蓄積部４に格納された後に研磨装置８に設
定され、その時間だけ該当の研磨処理を実施する。前に
処理されたロットが存在しないため、補正研磨時間の演
算は行われない。
間は、データ蓄積部４に格納された後に研磨装置８に設
定され、その時間だけ該当の研磨処理を実施する。前に
処理されたロットが存在しないため、補正研磨時間の演
算は行われない。
【００２９】次にＳ３において、１ロット目の研磨処理
を開始すると膜厚測定器が空くので、２ロット目の研磨
前の膜厚測定を膜厚測定器７にて開始する。
を開始すると膜厚測定器が空くので、２ロット目の研磨
前の膜厚測定を膜厚測定器７にて開始する。
【００３０】次にＳ４において、１ロット目の洗浄処理
を行い、研磨後の膜厚測定を膜厚測定器７にて行う。膜
厚データ収集部２は、研磨後の膜厚測定が終了した時
に、測定データを研磨後膜厚測定結果７ｂから通信によ
り取り出し、データ蓄積部４に格納する。
を行い、研磨後の膜厚測定を膜厚測定器７にて行う。膜
厚データ収集部２は、研磨後の膜厚測定が終了した時
に、測定データを研磨後膜厚測定結果７ｂから通信によ
り取り出し、データ蓄積部４に格納する。
【００３１】一方、Ｓ３において、２ロット目の研磨前
の膜厚測定が終了すると、１ロット目と同様にデータ収
集部２が研磨前の膜厚測定結果７ａから通信により取り
出し、標準研磨時間演算部３とデータ蓄積部４に格納す
る。標準研磨時間演算部３では、標準研磨時間が研磨前
の膜厚量と目標残膜厚量から経験測に基づいて算出され
る。
の膜厚測定が終了すると、１ロット目と同様にデータ収
集部２が研磨前の膜厚測定結果７ａから通信により取り
出し、標準研磨時間演算部３とデータ蓄積部４に格納す
る。標準研磨時間演算部３では、標準研磨時間が研磨前
の膜厚量と目標残膜厚量から経験測に基づいて算出され
る。
【００３２】次にＳ５において、補正研磨時間演算部５
は、２ロット目の標準研磨時間と、前に処理したロット
である１ロット目の標準研磨時間と研磨後の膜厚測定か
ら最適研磨時間を計算する。
は、２ロット目の標準研磨時間と、前に処理したロット
である１ロット目の標準研磨時間と研磨後の膜厚測定か
ら最適研磨時間を計算する。
【００３３】具体的には、１ロット目の研磨後の膜厚測
定データと目標残膜厚値との差Ｄが、予め設定してある
膜厚量βよりも大きい場合には、固定時間をα1とす
る。
定データと目標残膜厚値との差Ｄが、予め設定してある
膜厚量βよりも大きい場合には、固定時間をα1とす
る。
【００３４】又、膜厚測定データと目標残膜厚値との差
Ｄが、予め設定してある膜厚量―βよりも大きく、か
つ、βよりも小さい場合は、固定時間をα2とする。
Ｄが、予め設定してある膜厚量―βよりも大きく、か
つ、βよりも小さい場合は、固定時間をα2とする。
【００３５】又、研磨後の膜厚測定データと目標残膜厚
値との差Ｄが、予め設定してある膜厚量―βよりも小さ
い場合は、固定時間をα3とする。
値との差Ｄが、予め設定してある膜厚量―βよりも小さ
い場合は、固定時間をα3とする。
【００３６】１ロット目では研磨時間の補正が行われて
いないので、２ロット目の標準研磨時間と補正研磨時間
を加えた最適研磨時間は、２ロット目の標準研磨時間に
固定時間αi=1,2,3を加えた時間となる。つまり、２ロ
ット目の補正研磨時間は固定追加時間αi=1,2,3であ
る。補正研磨時間演算部５は、求めた補正研磨時間をデ
ータ蓄積部４に格納する。標準研磨時間演算部３と補正
研磨時間演算部５は、求めたそれぞれの研磨時間を加算
して、研磨装置８に設定する。２ロット目は、このよう
に設定された最適研磨時間により研磨処理が開始され
る。
いないので、２ロット目の標準研磨時間と補正研磨時間
を加えた最適研磨時間は、２ロット目の標準研磨時間に
固定時間αi=1,2,3を加えた時間となる。つまり、２ロ
ット目の補正研磨時間は固定追加時間αi=1,2,3であ
る。補正研磨時間演算部５は、求めた補正研磨時間をデ
ータ蓄積部４に格納する。標準研磨時間演算部３と補正
研磨時間演算部５は、求めたそれぞれの研磨時間を加算
して、研磨装置８に設定する。２ロット目は、このよう
に設定された最適研磨時間により研磨処理が開始され
る。
【００３７】２ロット目の研磨処理が始まると、再び膜
厚測定装置が空くため３ロット目の研磨前の膜厚測定を
開始する。２ロット目の研磨処理が終了すると順次洗浄
処理が実施される。２ロット目の洗浄処理が終了する
と、研磨後の膜厚測定を膜厚測定器７にて行う。データ
収集部２は、研磨後の膜厚測定が終了した時に、測定デ
ータを膜厚測定器７の研磨後の膜厚測定７ｂから通信に
より取り出しデータ蓄積部４に格納する。３ロット目の
研磨前の膜厚測定が終了すると、２ロット目と同様にデ
ータ収集部２が研磨前の膜厚測定７ａから通信により自
動的に取り出し、標準研磨時間演算部３とデータ蓄積部
４に格納する。標準研磨時間演算部３では、標準研磨時
間が研磨前の膜厚量と目標残膜厚量から経験的に算出さ
れる。また、補正研磨時間演算部５は、３ロット目の標
準研磨時間と、前に処理したロットである１ロット目の
標準研磨時間と研磨後の膜厚測定から最適研磨時間の演
算を行う。
厚測定装置が空くため３ロット目の研磨前の膜厚測定を
開始する。２ロット目の研磨処理が終了すると順次洗浄
処理が実施される。２ロット目の洗浄処理が終了する
と、研磨後の膜厚測定を膜厚測定器７にて行う。データ
収集部２は、研磨後の膜厚測定が終了した時に、測定デ
ータを膜厚測定器７の研磨後の膜厚測定７ｂから通信に
より取り出しデータ蓄積部４に格納する。３ロット目の
研磨前の膜厚測定が終了すると、２ロット目と同様にデ
ータ収集部２が研磨前の膜厚測定７ａから通信により自
動的に取り出し、標準研磨時間演算部３とデータ蓄積部
４に格納する。標準研磨時間演算部３では、標準研磨時
間が研磨前の膜厚量と目標残膜厚量から経験的に算出さ
れる。また、補正研磨時間演算部５は、３ロット目の標
準研磨時間と、前に処理したロットである１ロット目の
標準研磨時間と研磨後の膜厚測定から最適研磨時間の演
算を行う。
【００３８】研磨後の膜厚測定データと目標残膜厚値と
の差から求める固定追加時間は２ロットの時と同じ求め
方による。
の差から求める固定追加時間は２ロットの時と同じ求め
方による。
【００３９】３ロット目の最適研磨時間は、２ロット目
の最適研磨時間を２ロット目の標準研磨時間で除して得
られる研磨時間比率に、３ロット目の標準研磨時間を乗
じ、さらに先に求めた固定追加時間αi=1,2,3を加える
事により決定する。補正研磨時間演算部５は、得られた
最適研磨時間から標準研磨時間を差し引いて補正研磨時
間を逆算し、データ蓄積部４に格納する。以降、Ｎロッ
トにおいても同様である。
の最適研磨時間を２ロット目の標準研磨時間で除して得
られる研磨時間比率に、３ロット目の標準研磨時間を乗
じ、さらに先に求めた固定追加時間αi=1,2,3を加える
事により決定する。補正研磨時間演算部５は、得られた
最適研磨時間から標準研磨時間を差し引いて補正研磨時
間を逆算し、データ蓄積部４に格納する。以降、Ｎロッ
トにおいても同様である。
【００４０】この計算方法では、目標残膜厚値と差があ
る場合に、所定の固定時間を増減することにより研磨精
度が改善することを目的としている。また、前ロットの
補正を加えた最適研磨時間と標準研磨時間との比率を使
用することにより、各ロットに継続して装置状態が変動
している状態を追従することが可能となる。
る場合に、所定の固定時間を増減することにより研磨精
度が改善することを目的としている。また、前ロットの
補正を加えた最適研磨時間と標準研磨時間との比率を使
用することにより、各ロットに継続して装置状態が変動
している状態を追従することが可能となる。
【００４１】［実施形態２］工程制御コントローラ６は
実施形態１と同じであるが、補正研磨時間演算部の演算
方法が異なるので、異なる部分のみを説明する。
実施形態１と同じであるが、補正研磨時間演算部の演算
方法が異なるので、異なる部分のみを説明する。
【００４２】補正研磨時間演算部５の演算方法において
は、（Ｎ−１）ロット目の目標残膜厚値ＴＨＦと研磨後
の膜厚値ＴＨ（Ｎ−１）との差（−Ｄ）と、研磨前後の
膜厚値と研磨時間により得られる（Ｎ−１）ロット目の
実研磨レートＰＲ（Ｎ−１）から、（Ｎ−１）ロット目
の過不足の研磨時間を求め、それに予め設定してある適
用率を乗じて（Ｎ−１）ロット目の補正研磨時間ｔｃ
（Ｎー１）とする。この補正研磨時間ｔｃ（Ｎ−１）に
（Ｎ−１）ロット目の標準研磨時間ｔｓ（Ｎ−１）を加
えた最適研磨時間ｔｏ（Ｎ−１）を（Ｎ−１）ロット目
の標準研磨時間ｔｓ（Ｎ−１）で除して得られた研磨時
間比率ｒ（Ｎ−１）にＮロット目の標準研磨時間ｔｓＮ
を乗じることにより求める。
は、（Ｎ−１）ロット目の目標残膜厚値ＴＨＦと研磨後
の膜厚値ＴＨ（Ｎ−１）との差（−Ｄ）と、研磨前後の
膜厚値と研磨時間により得られる（Ｎ−１）ロット目の
実研磨レートＰＲ（Ｎ−１）から、（Ｎ−１）ロット目
の過不足の研磨時間を求め、それに予め設定してある適
用率を乗じて（Ｎ−１）ロット目の補正研磨時間ｔｃ
（Ｎー１）とする。この補正研磨時間ｔｃ（Ｎ−１）に
（Ｎ−１）ロット目の標準研磨時間ｔｓ（Ｎ−１）を加
えた最適研磨時間ｔｏ（Ｎ−１）を（Ｎ−１）ロット目
の標準研磨時間ｔｓ（Ｎ−１）で除して得られた研磨時
間比率ｒ（Ｎ−１）にＮロット目の標準研磨時間ｔｓＮ
を乗じることにより求める。
【００４３】この計算方法では、前ロットの実研磨レー
トから目標残膜厚値までの過不足を使用して研磨時間を
補正しており、標準の研磨時間に対してどの程度研磨時
間を増加減する必要があるかについて、前ロットの研磨
時間比率を乗じるという形で与えている。このため、前
ロットと異なる品種においても、標準時間からどの程度
増加減が必要であるかということを適切に与えることが
可能となる。
トから目標残膜厚値までの過不足を使用して研磨時間を
補正しており、標準の研磨時間に対してどの程度研磨時
間を増加減する必要があるかについて、前ロットの研磨
時間比率を乗じるという形で与えている。このため、前
ロットと異なる品種においても、標準時間からどの程度
増加減が必要であるかということを適切に与えることが
可能となる。
【００４４】［実施形態３］工程制御コントローラ６は
実施形態１と同じであるが、補正研磨時間演算部の演算
方法が異なるので、異なる部分のみを説明する。
実施形態１と同じであるが、補正研磨時間演算部の演算
方法が異なるので、異なる部分のみを説明する。
【００４５】補正研磨時間演算部５の演算方法において
は、前に処理された複数のロットの実研磨レートを研磨
前後の膜厚値と研磨処理を行った時刻から近似直線また
は近似曲線により現在の時刻での実研磨レート値を補間
して推定する。その推定した実研磨レート値と、Ｎロッ
ト目の研磨前の膜厚値と目標残膜値との差からＮロット
目の最適研磨予測時間を求める。そして、得られた最適
研磨予測時間ｔｏｅから標準研磨時間ｔｓＮを差し引い
た時間に予め設定した適用率Ｒａを乗じて、これをＮロ
ット目の補正研磨時間ｔｃＮとする方法である。
は、前に処理された複数のロットの実研磨レートを研磨
前後の膜厚値と研磨処理を行った時刻から近似直線また
は近似曲線により現在の時刻での実研磨レート値を補間
して推定する。その推定した実研磨レート値と、Ｎロッ
ト目の研磨前の膜厚値と目標残膜値との差からＮロット
目の最適研磨予測時間を求める。そして、得られた最適
研磨予測時間ｔｏｅから標準研磨時間ｔｓＮを差し引い
た時間に予め設定した適用率Ｒａを乗じて、これをＮロ
ット目の補正研磨時間ｔｃＮとする方法である。
【００４６】すなわち、実施形態３においては、ｔｃＮ
＝（ｔｏｅ−ｔｓＮ）×Ｒａである。
＝（ｔｏｅ−ｔｓＮ）×Ｒａである。
【００４７】この計算方法では、前に処理された複数ロ
ットの傾向から実研磨レート値の上下変動を推定するこ
とが可能である。また、本計算方法では、製品別の実研
磨レートの差異は、適用率により吸収することが可能で
ある。
ットの傾向から実研磨レート値の上下変動を推定するこ
とが可能である。また、本計算方法では、製品別の実研
磨レートの差異は、適用率により吸収することが可能で
ある。
【００４８】以上、本発明の実施形態について説明し
た。
た。
【００４９】但し、前に処理したロットを１つ前のロッ
トとして、本発明の実施の形態について説明したが、１
つより前のロットの情報を使用してもよい。
トとして、本発明の実施の形態について説明したが、１
つより前のロットの情報を使用してもよい。
【００５０】又、一つのロットのウェハーの少なくとも
１枚について膜厚を測定すればよいが、一つのロットの
ウェハーの少なくとも２枚について膜厚を測定し、その
平均値をそのロットの膜厚としてもよい。
１枚について膜厚を測定すればよいが、一つのロットの
ウェハーの少なくとも２枚について膜厚を測定し、その
平均値をそのロットの膜厚としてもよい。
【００５１】又、前記膜厚の測定データを、研磨テーブ
ルや研磨ヘッド毎に管理してもよい。
ルや研磨ヘッド毎に管理してもよい。
【００５２】又、同一ロットにて複数回ＣＭＰ工程を通
過する場合は通過回数ごとに又はＣＭＰ装置号機ごと
に、目標残膜厚量及び所定時間を設定してもよい。
過する場合は通過回数ごとに又はＣＭＰ装置号機ごと
に、目標残膜厚量及び所定時間を設定してもよい。
【００５３】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、研磨と膜
厚測定の工程を管理することにより、１枚ずつのウェハ
ーを毎回測定することなくロット単位にて処理が可能で
あるため工程処理能力を向上させることが可能である。
厚測定の工程を管理することにより、１枚ずつのウェハ
ーを毎回測定することなくロット単位にて処理が可能で
あるため工程処理能力を向上させることが可能である。
【００５４】又、本発明によれば、装置状態に合せて研
磨プロセスの作業条件を補正しているため、研磨の処理
精度を向上させることが可能である。
磨プロセスの作業条件を補正しているため、研磨の処理
精度を向上させることが可能である。
【００５５】又、本発明によれば、膜厚測定機能と研磨
機能の両方を保有したＣＭＰ装置ではなく、汎用的な研
磨機能のみを保有した研磨装置と汎用的な膜厚測定器を
使用して量産工程を構築することが可能である。
機能の両方を保有したＣＭＰ装置ではなく、汎用的な研
磨機能のみを保有した研磨装置と汎用的な膜厚測定器を
使用して量産工程を構築することが可能である。
【図１】本発明の半導体製造装置のプロセス時間補正方
法に使用する装置のブロック図
法に使用する装置のブロック図
【図２】実施形態のプロセス時間補正方法のフローチャ
ート
ート
１ 入力装置
２ 膜厚データ収集部
３ 標準研磨時間演算部
４ データ蓄積部
５ 補正研磨時間演算部
６ 工程制御コントローラ
７ 膜厚測定器
７ａ 研磨前膜厚測定結果
７ｂ 研磨後膜厚測定結果
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 奥野 倫大
滋賀県大津市晴嵐二丁目９番１号 関西日
本電気株式会社内
(72)発明者 河村 雄司
滋賀県大津市晴嵐二丁目９番１号 関西日
本電気株式会社内
(72)発明者 仙波 孝尚
滋賀県大津市晴嵐二丁目９番１号 関西日
本電気株式会社内
(72)発明者 金重 和実
滋賀県大津市晴嵐二丁目９番１号 関西日
本電気株式会社内
(72)発明者 前川 博司
滋賀県大津市晴嵐二丁目９番１号 関西日
本電気株式会社内
Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AC02 BA02 BA07 BA09
BB01 BB02 BB06 BB09 BC03
CB01 CB03 CB07 DA12 DA17
Claims (7)
- 【請求項１】 第（Ｎ−１）ロットを研磨装置によって
研磨中に、第Ｎロットの研磨前膜厚を膜厚測定装置によ
って測定するとともに、前記第（Ｎ−Ｋ）ロットの最適
研磨時間に基づいて前記第Ｎロットの最適研磨時間を補
正研磨時間演算部によって演算し、前記最適研磨時間を
データ記憶部に格納するとともに前記研磨装置に通知す
る半導体製造装置のプロセス時間補正方法であって、 ０＜Ｋ＜Ｎであり、 第（Ｎ−Ｋ）ロットの最適研磨時間を第（Ｎ−Ｋ）ロッ
トの標準研磨時間で除算して研磨時間比率を求めるステ
ップと、 前記研磨時間比率に第Ｎロットの標準研磨時間を乗算す
るステップと、 前記乗算結果に所定時間を加算して加算結果を前記第Ｎ
ロットの最適研磨時間とするステップとを含み、 前記第Ｎロットの標準研磨時間は、前記第Ｎロットの研
磨前膜厚と前記第Ｎロットの目標残膜厚量とに基づいて
定めることを特徴とするプロセス時間補正方法。 - 【請求項２】 第（Ｎ−１）ロットを研磨装置によって
研磨中に、第Ｎロットの研磨前膜厚を膜厚測定装置によ
って測定するとともに、前記第（Ｎ−Ｋ）ロットの最適
研磨時間に基づいて前記第Ｎロットの最適研磨時間を補
正研磨時間演算部によって演算し、前記最適研磨時間を
データ記憶部に格納するとともに前記研磨装置に通知す
る半導体製造装置のプロセス時間補正方法であって、 ０＜Ｋ＜Ｎであり、 第（Ｎ−Ｋ）ロットの研磨時間の過不足分を求めるステ
ップと、 前記過不足分に所定比率を乗算して第（Ｎ−Ｋ）ロット
の補正研磨時間とするステップと、 前記補正研磨時間に前記第（Ｎ−Ｋ）の標準研磨時間を
加算した結果を前記第（Ｎ−１）の最適研磨時間とする
ステップと、 前記第（Ｎ−Ｋ）の最適研磨時間を前記第（Ｎ−Ｋ）の
標準研磨時間で除算した結果に前記第Ｎロットの標準研
磨時間を乗算し、前記乗算結果を前記第Ｎの最適研磨時
間とするステップとを含み、 前記前記第（Ｎ−Ｋ）及び第Ｎロットの標準研磨時間
は、そのロットの研磨前膜厚と前記第Ｎロットの目標残
膜厚量とに基づいて定めることを特徴とするプロセス時
間補正方法。 - 【請求項３】 第（Ｎ−１）ロットを研磨装置によって
研磨中に、第Ｎロットの研磨前膜厚を膜厚測定装置によ
って測定するとともに、前記第（Ｎ−１）ロット以前の
複数のロットの実研磨レートに基づいて前記第（Ｎ−
１）ロットの実研磨レートを補正研磨時間演算部によっ
て補間し、前記補間した実研磨レートに基づいて前記補
正研磨時間演算部によって前記第Ｎロットの最適研磨時
間を演算してデータ記憶部に格納するとともに前記研磨
装置に通知する半導体製造装置のプロセス時間補正方法
であって、 前記補間した第（Ｎ−１）ロットの実研磨レートに基づ
いて第Ｎロットの最適研磨予測時間を演算するステップ
と、 前記第Ｎロットの最適研磨予測時間から前記第Ｎロット
の標準研磨時間を減算するステップと、 前記減算結果に所定比率を乗算して前記第Ｎロットの補
正研磨時間とするステップと、 前記第Ｎロットの補正研磨時間に前記第Ｎロットの標準
研磨時間を加算結果を前記第Ｎの最適研磨時間とするス
テップとを含み、 前記前記第（Ｎ−１）及び第Ｎロットの標準研磨時間
は、そのロットの研磨前膜厚と前記第Ｎロットの目標残
膜厚量とに基づいて定め、 前記前記第Ｎロットの最適研磨予測時間は、第Ｎロット
の研磨前膜厚と前記第Ｎロットの目標残膜厚量との差に
基づいて定めることを特徴とするプロセス時間補正方
法。 - 【請求項４】 一つの前記ロットのウェハーの少なくと
も１枚について膜厚を測定することを特徴とする請求項
１乃至３記載のプロセス時間補正方法。 - 【請求項５】 一つの前記ロットのウェハーの少なくと
も２枚について膜厚を測定し、その平均値をそのロット
の膜厚とすることを特徴とする請求項１乃至３記載のプ
ロセス時間補正方法。 - 【請求項６】 前記膜厚の測定データを、研磨テーブル
や研磨ヘッド毎に管理することを特徴とする請求項１乃
至３記載のプロセス時間補正方法。 - 【請求項７】 同一ロットにて複数回ＣＭＰ工程を通過
する場合は通過回数ごとに又はＣＭＰ装置号機ごとに、
目標残膜厚量及び所定時間を設定することを特徴とする
請求項１記載のプロセス時間補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001235152A JP5021872B2 (ja) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001235152A JP5021872B2 (ja) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045834A true JP2003045834A (ja) | 2003-02-14 |
| JP5021872B2 JP5021872B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=19066648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001235152A Expired - Fee Related JP5021872B2 (ja) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | 半導体製造装置のプロセス時間補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5021872B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203729A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-28 | Ebara Corp | 基板研磨装置 |
| JP2005203786A (ja) * | 2004-01-12 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板処理方法及び装置 |
| KR100640667B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조공정 제어방법 및 그 제어시스템 |
| KR100699856B1 (ko) | 2005-07-29 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자를 제조하는 공정의 제어시스템 및 이를 이용한제어방법 |
| CN111599665A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-28 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05185367A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-27 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | ラッピング装置 |
| JPH06270053A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-09-27 | Japan Energy Corp | 両面ポリシング加工量の自動測定方法及び自動測定装置、並びに自動両面ポリシング加工方法及び加工装置 |
| JPH0817768A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置 |
| JPH10106984A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Ebara Corp | 半導体ウエハー研磨装置における研磨方法及び研磨制御装置 |
| JPH11186204A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Nec Corp | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
| JPH11267968A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 |
| JP2000117623A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
| JP2001015467A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nec Corp | 研磨終点検出装置 |
-
2001
- 2001-08-02 JP JP2001235152A patent/JP5021872B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05185367A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-27 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | ラッピング装置 |
| JPH06270053A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-09-27 | Japan Energy Corp | 両面ポリシング加工量の自動測定方法及び自動測定装置、並びに自動両面ポリシング加工方法及び加工装置 |
| JPH0817768A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置 |
| JPH10106984A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Ebara Corp | 半導体ウエハー研磨装置における研磨方法及び研磨制御装置 |
| JPH11186204A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Nec Corp | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
| JPH11267968A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 |
| JP2000117623A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
| JP2001015467A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nec Corp | 研磨終点検出装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203729A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-28 | Ebara Corp | 基板研磨装置 |
| JP2005203786A (ja) * | 2004-01-12 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板処理方法及び装置 |
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