JPH08172224A - 強誘電体薄膜素子 - Google Patents
強誘電体薄膜素子Info
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- JPH08172224A JPH08172224A JP6314484A JP31448494A JPH08172224A JP H08172224 A JPH08172224 A JP H08172224A JP 6314484 A JP6314484 A JP 6314484A JP 31448494 A JP31448494 A JP 31448494A JP H08172224 A JPH08172224 A JP H08172224A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックス薄膜を用いた各種薄膜デバイス
素子に使用される強誘電体薄膜において、結晶中の格子
欠陥が極めて少なく、電気特性を向上することによって
小型で優れた特性を持つ強誘電体薄膜素子を提供する。 【構成】 （１００）でへき開し鏡面研磨したＭｇＯ単
結晶基板上１に形成された白金下部電極２と白金上部電
極４との間に、Ａサイト金属の一部がＬａ等の他の金属
で置換されたことによって格子欠陥を有するＡＢＯ3型
ペロブスカイト構造をなし、かつその欠陥を補償するＭ
ｎイオン等の金属イオンを含有する強誘電体薄膜を設け
ることによりtanδが小さく、大きな焦電係数と比較的
小さな比誘電率を持つ優れた強誘電体薄膜素子が得られ
る。
素子に使用される強誘電体薄膜において、結晶中の格子
欠陥が極めて少なく、電気特性を向上することによって
小型で優れた特性を持つ強誘電体薄膜素子を提供する。 【構成】 （１００）でへき開し鏡面研磨したＭｇＯ単
結晶基板上１に形成された白金下部電極２と白金上部電
極４との間に、Ａサイト金属の一部がＬａ等の他の金属
で置換されたことによって格子欠陥を有するＡＢＯ3型
ペロブスカイト構造をなし、かつその欠陥を補償するＭ
ｎイオン等の金属イオンを含有する強誘電体薄膜を設け
ることによりtanδが小さく、大きな焦電係数と比較的
小さな比誘電率を持つ優れた強誘電体薄膜素子が得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電体を用いた薄膜
素子に関するものである。
素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、強誘電体の焦電性、圧電性、分極
反転等の物性を用いたセンサー素子や不揮発性メモリ等
のデバイスが各種提案されている。
反転等の物性を用いたセンサー素子や不揮発性メモリ等
のデバイスが各種提案されている。
【０００３】鉛系酸化物強誘電体であるＰｂＴｉＯ3や
ＰＺＴあるいはＰＬＴは焦電効果、圧電効果、電気光学
効果が大きく優れた材料として薄膜素子への応用が期待
されている。通常これらの材料を薄膜化する場合には、
基板上に作成した電極上にスパッタリング法、ＣＶＤ
法、ゾル−ゲル法等によって作製している。
ＰＺＴあるいはＰＬＴは焦電効果、圧電効果、電気光学
効果が大きく優れた材料として薄膜素子への応用が期待
されている。通常これらの材料を薄膜化する場合には、
基板上に作成した電極上にスパッタリング法、ＣＶＤ
法、ゾル−ゲル法等によって作製している。
【０００４】焦電センサは、その出力が、焦電係数γと
比誘電率εrの比(γ/εr)に比例することから、その材
料としては大きなγ、小さいεrを持つことが重要であ
る。また大きなγを得るためには、分極軸が電極に対し
て垂直に配向していることが重要である。
比誘電率εrの比(γ/εr)に比例することから、その材
料としては大きなγ、小さいεrを持つことが重要であ
る。また大きなγを得るためには、分極軸が電極に対し
て垂直に配向していることが重要である。
【０００５】従来強誘電体薄膜として使用されてきたＰ
ＬＴは、ＰｂＴｉＯ3のペロブスカイト構造のＡサイト
の一部をＬａで置換し、キュリー温度(Ｔc)を低下させ
ることによってγを向上させてきた。Ａサイトの一部が
Ｐｂ2+よりイオン半径の小さいＬａ3+で置換されること
によってＬａ3+付近では電荷のバランスが崩れ格子の歪
みが生じる。このため、微視的な領域での格子のバネ定
数すなわち格子力にゆらぎが生じ格子がソフト化され、
Ｔcが低下し、その結果γが向上するのである。
ＬＴは、ＰｂＴｉＯ3のペロブスカイト構造のＡサイト
の一部をＬａで置換し、キュリー温度(Ｔc)を低下させ
ることによってγを向上させてきた。Ａサイトの一部が
Ｐｂ2+よりイオン半径の小さいＬａ3+で置換されること
によってＬａ3+付近では電荷のバランスが崩れ格子の歪
みが生じる。このため、微視的な領域での格子のバネ定
数すなわち格子力にゆらぎが生じ格子がソフト化され、
Ｔcが低下し、その結果γが向上するのである。
【０００６】しかしＬａの置換量が増加すると格子力の
ゆらぎが増大し、同時に系の電荷のバランスが崩れるた
め、この電荷のアンバランスを補償するために結晶中の
格子欠陥が増加する。これらの要因によりＬａ含量の多
い組成域では緩和型強誘電体的な挙動を示すようになる
と考えられている。このため過度にＬａ含有量の多い組
成域では、室温の比誘電率(εr)および損失正接tanδが
増大し焦電特性が低下してしまう。
ゆらぎが増大し、同時に系の電荷のバランスが崩れるた
め、この電荷のアンバランスを補償するために結晶中の
格子欠陥が増加する。これらの要因によりＬａ含量の多
い組成域では緩和型強誘電体的な挙動を示すようになる
と考えられている。このため過度にＬａ含有量の多い組
成域では、室温の比誘電率(εr)および損失正接tanδが
増大し焦電特性が低下してしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のＰｂ
ＴｉＯ3系固溶体を用いた強誘電体薄膜素子は、材料の
Ｔcの低下に伴って緩和型強誘電体的な挙動を示すよう
になり、εrおよびtanδが増大する。また同時に電荷の
バランスが崩れるため、このアンバランスを補償するた
めに結晶中の格子欠陥が増加し、自発分極ならびに残留
分極が低下し、強誘電特性が低下する。これらの要因に
より赤外線センサとしての感度が著しく低下する。
ＴｉＯ3系固溶体を用いた強誘電体薄膜素子は、材料の
Ｔcの低下に伴って緩和型強誘電体的な挙動を示すよう
になり、εrおよびtanδが増大する。また同時に電荷の
バランスが崩れるため、このアンバランスを補償するた
めに結晶中の格子欠陥が増加し、自発分極ならびに残留
分極が低下し、強誘電特性が低下する。これらの要因に
より赤外線センサとしての感度が著しく低下する。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決するた
め、結晶性、強誘電特性に優れた強誘電体薄膜素子を提
供することを目的とする。
め、結晶性、強誘電特性に優れた強誘電体薄膜素子を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る強誘電体薄膜素子の構成は、基板上に
形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成され
た強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された第
２の電極とを少なくとも備えた強誘電体薄膜素子であっ
て、前記強誘電体薄膜が、Ａサイト金属の一部が他の金
属で置換されたことによって格子欠陥を有するＡＢＯ３
型ペロブスカイト構造を成し、かつその欠陥を補償する
Ｍｎ等の金属のイオンを含有することを特徴とする。
め、本発明に係る強誘電体薄膜素子の構成は、基板上に
形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成され
た強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された第
２の電極とを少なくとも備えた強誘電体薄膜素子であっ
て、前記強誘電体薄膜が、Ａサイト金属の一部が他の金
属で置換されたことによって格子欠陥を有するＡＢＯ３
型ペロブスカイト構造を成し、かつその欠陥を補償する
Ｍｎ等の金属のイオンを含有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】前記本発明の構成によれば、欠陥を補償する金
属のイオンが結晶中の欠陥を補償することにより、緩和
型強誘電体的挙動が抑制され比誘電率が低下し、その周
波数分散も抑制される。Ｍｎイオンは、薄膜中で多種類
の価数をとりうるので、欠陥の原因となる電荷のアンバ
ランスに柔軟に対応し、欠陥を補償しやすい。また欠陥
が補償されることによって材料本来の強誘電性が発現す
るため、自発分極および残留分極が増加し焦電係数が向
上し焦電特性に優れた強誘電体薄膜素子が得られる。
属のイオンが結晶中の欠陥を補償することにより、緩和
型強誘電体的挙動が抑制され比誘電率が低下し、その周
波数分散も抑制される。Ｍｎイオンは、薄膜中で多種類
の価数をとりうるので、欠陥の原因となる電荷のアンバ
ランスに柔軟に対応し、欠陥を補償しやすい。また欠陥
が補償されることによって材料本来の強誘電性が発現す
るため、自発分極および残留分極が増加し焦電係数が向
上し焦電特性に優れた強誘電体薄膜素子が得られる。
【００１１】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明に係る強誘電
体薄膜素子の一実施例を示す断面図である。
体薄膜素子の一実施例を示す断面図である。
【００１３】（１００）面でへき開し鏡面研磨したＭｇ
Ｏ単結晶を基板１とし、まず、基板１の上に、スパッタ
リング法によって膜厚０．２μｍのPt薄膜を堆積し、下
部電極２を形成した。次いで、下部電極２の上に、高周
波マグネトロンスパッタリング法によって、強誘電体薄
膜３を３μｍ成長させた。尚、スパッタリングターゲッ
トとしては、下記化学式で表記される酸化物の粉末を用
いた。
Ｏ単結晶を基板１とし、まず、基板１の上に、スパッタ
リング法によって膜厚０．２μｍのPt薄膜を堆積し、下
部電極２を形成した。次いで、下部電極２の上に、高周
波マグネトロンスパッタリング法によって、強誘電体薄
膜３を３μｍ成長させた。尚、スパッタリングターゲッ
トとしては、下記化学式で表記される酸化物の粉末を用
いた。
【００１４】｛(１−Ｘ−Ｙ)Ｐｂ(1-x)LａxZｒyTｉ
(1-y)O3+ＸＰｂＯ＋ＹＭｎＯ2} ただし、ｘとｙの組成比は、ｘ−ｙ平面上でＡ点（ｘ＝
０．００，ｙ＝０．００）、Ｂ点（ｘ＝０．００，ｙ＝
０．２６）、Ｃ点（ｘ＝０．５３，ｙ＝０．００）、Ｄ
点（ｘ＝０．６５，ｙ＝０．０９）の四点を頂点とする
四角形の範囲内にある。
(1-y)O3+ＸＰｂＯ＋ＹＭｎＯ2} ただし、ｘとｙの組成比は、ｘ−ｙ平面上でＡ点（ｘ＝
０．００，ｙ＝０．００）、Ｂ点（ｘ＝０．００，ｙ＝
０．２６）、Ｃ点（ｘ＝０．５３，ｙ＝０．００）、Ｄ
点（ｘ＝０．６５，ｙ＝０．０９）の四点を頂点とする
四角形の範囲内にある。
【００１５】Ｘ線回折図形によって、これらの薄膜が全
て正方晶系のＡＢＯ３型ペロブスカイト構造を成し、し
かもその分極軸であるｃ軸方向に配向した膜であること
を確認した。次いで、強誘電体薄膜３の上に、スパッタ
リング法によって膜厚０．２μｍのPt薄膜を堆積し、上
部電極４を形成した。
て正方晶系のＡＢＯ３型ペロブスカイト構造を成し、し
かもその分極軸であるｃ軸方向に配向した膜であること
を確認した。次いで、強誘電体薄膜３の上に、スパッタ
リング法によって膜厚０．２μｍのPt薄膜を堆積し、上
部電極４を形成した。
【００１６】以上のようにして構成された強誘電体薄膜
素子の焦電特性測定、ソーヤタワー回路を用いたヒステ
リシス曲線観察および誘電測定をしたところ、下記（表
１）のような結果を得た。尚、強誘電体薄膜に分極処理
は行っていない。
素子の焦電特性測定、ソーヤタワー回路を用いたヒステ
リシス曲線観察および誘電測定をしたところ、下記（表
１）のような結果を得た。尚、強誘電体薄膜に分極処理
は行っていない。
【００１７】
【表１】
【００１８】この（表１）から明らかなように、Ｍｎイ
オンを含有する本実施例による強誘電体薄膜素子は、Ｍ
ｎイオンを含有しない薄膜素子に比べて焦電係数が２倍
に向上し、比誘電率が３０％低下したことによって性能
評価指数Ｆｖ＝γ／（εr・ＣV）が約３倍に向上し優れ
た焦電効果を発揮することができる。また、本実施例に
よる強誘電体薄膜素子は、分極処理を行っていなくても
既に残留分極が向上し、抗電界が低下している。
オンを含有する本実施例による強誘電体薄膜素子は、Ｍ
ｎイオンを含有しない薄膜素子に比べて焦電係数が２倍
に向上し、比誘電率が３０％低下したことによって性能
評価指数Ｆｖ＝γ／（εr・ＣV）が約３倍に向上し優れ
た焦電効果を発揮することができる。また、本実施例に
よる強誘電体薄膜素子は、分極処理を行っていなくても
既に残留分極が向上し、抗電界が低下している。
【００１９】以上のように本実施例１によれば、下部電
極２と上部電極４との間に少量のマンガンを含有するＡ
ＢＯ3型ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜層を
設けることにより、誘電率の周波数分散が少なく焦電特
性および強誘電特性に優れた強誘電体薄膜素子を実現す
ることができた。
極２と上部電極４との間に少量のマンガンを含有するＡ
ＢＯ3型ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜層を
設けることにより、誘電率の周波数分散が少なく焦電特
性および強誘電特性に優れた強誘電体薄膜素子を実現す
ることができた。
【００２０】（実施例２）本実施例２で作製した強誘電
体薄膜素子の構成は図１と同様である。本実施例２が実
施例１と異なる点は、強誘電体薄膜３の組成が、実施例
１で示した化学式においてｘ−ｙ平面上でＥ点（ｘ＝
０．５５，ｙ＝０．００）、Ｆ点（ｘ＝０．６７，ｙ＝
０．１０）、Ｇ点（ｘ＝０．９３，ｙ＝０．００）の三
点を頂点とする三角形の範囲内にあるとした点である。
体薄膜素子の構成は図１と同様である。本実施例２が実
施例１と異なる点は、強誘電体薄膜３の組成が、実施例
１で示した化学式においてｘ−ｙ平面上でＥ点（ｘ＝
０．５５，ｙ＝０．００）、Ｆ点（ｘ＝０．６７，ｙ＝
０．１０）、Ｇ点（ｘ＝０．９３，ｙ＝０．００）の三
点を頂点とする三角形の範囲内にあるとした点である。
【００２１】Ｘ線回折図形によって、これらの薄膜が、
全て菱面体晶系のＡＢＯ３型ペロブスカイト構造を成
し、しかもその分極軸である［１１１］軸方向に配向し
た膜であることを確認した。
全て菱面体晶系のＡＢＯ３型ペロブスカイト構造を成
し、しかもその分極軸である［１１１］軸方向に配向し
た膜であることを確認した。
【００２２】以上のようにして構成された強誘電体薄膜
素子の焦電特性測定、ソーヤタワー回路を用いたヒステ
リシス曲線観察および誘電測定をしたところ、下記（表
２）のような結果を得た。尚、強誘電体薄膜に分極処理
は行っていない。
素子の焦電特性測定、ソーヤタワー回路を用いたヒステ
リシス曲線観察および誘電測定をしたところ、下記（表
２）のような結果を得た。尚、強誘電体薄膜に分極処理
は行っていない。
【００２３】
【表２】
【００２４】この（表２）から明らかなように、Ｍｎイ
オンを含有する本実施例による強誘電体薄膜素子は、Ｍ
ｎイオンを含有しない薄膜素子に比べて焦電係数が１．
７倍に向上し、比誘電率が２０％低下したことによって
性能評価指数Ｆｖが２倍に向上した。また、本実施例に
よる強誘電体薄膜素子は、分極処理を行っていなくても
既に残留分極が１．５倍に向上し、抗電界が２０ｋＶ／
ｃｍ程度に低下しているため、不揮発性メモリ用強誘電
体材料として優れた効果を発揮することができる。
オンを含有する本実施例による強誘電体薄膜素子は、Ｍ
ｎイオンを含有しない薄膜素子に比べて焦電係数が１．
７倍に向上し、比誘電率が２０％低下したことによって
性能評価指数Ｆｖが２倍に向上した。また、本実施例に
よる強誘電体薄膜素子は、分極処理を行っていなくても
既に残留分極が１．５倍に向上し、抗電界が２０ｋＶ／
ｃｍ程度に低下しているため、不揮発性メモリ用強誘電
体材料として優れた効果を発揮することができる。
【００２５】以上のように本実施例２によっても、下部
電極２と上部電極４との間に少量のマンガンを含有する
ＡＢＯ3型ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜層
を設けることにより、誘電率の周波数分散が少なく焦電
特性および強誘電特性に優れた強誘電体薄膜素子を実現
することができた。
電極２と上部電極４との間に少量のマンガンを含有する
ＡＢＯ3型ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜層
を設けることにより、誘電率の周波数分散が少なく焦電
特性および強誘電特性に優れた強誘電体薄膜素子を実現
することができた。
【００２６】（その他の例）上記各実施例においては、
強誘電体薄膜３のＡサイト金属として鉛を用いている
が、必ずしもこの構成に限定されるものではなく、その
一部をアルカリ土類金属であるマグネシウム、カルシウ
ム等に置換したものであっても同様の効果を得ることが
できる。
強誘電体薄膜３のＡサイト金属として鉛を用いている
が、必ずしもこの構成に限定されるものではなく、その
一部をアルカリ土類金属であるマグネシウム、カルシウ
ム等に置換したものであっても同様の効果を得ることが
できる。
【００２７】また、上記各実施例においては、強誘電体
薄膜３としてＰＬＺＴを主成分とする薄膜を用いている
が、必ずしもこの構成に限定されるものではなく、チタ
ン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムを主成分とする
強誘電体薄膜を用いたものであっても同様の効果を得る
ことができる。
薄膜３としてＰＬＺＴを主成分とする薄膜を用いている
が、必ずしもこの構成に限定されるものではなく、チタ
ン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムを主成分とする
強誘電体薄膜を用いたものであっても同様の効果を得る
ことができる。
【００２８】また、上記各実施例においては、強誘電体
薄膜３のＢサイト金属としてチタンおよびジルコニウム
を用いているが、必ずしもこの構成に限定されるもので
はなく、その一部をニオブ、タンタル、ハフニウム、
鉄、のうち少なくともいずれか１つで置換したものであ
っても同様の効果を得ることができる。
薄膜３のＢサイト金属としてチタンおよびジルコニウム
を用いているが、必ずしもこの構成に限定されるもので
はなく、その一部をニオブ、タンタル、ハフニウム、
鉄、のうち少なくともいずれか１つで置換したものであ
っても同様の効果を得ることができる。
【００２９】また、上記各実施例においては、前記構成
において基板としてマグネシア単結晶を用いているが、
必ずしもこの構成に限定されるものではなく、基板とし
てアルミナ単結晶、チタン酸ストロンチウム単結晶、シ
リコン単結晶、石英ガラスを用いたものであっても同様
の効果を得ることができる。
において基板としてマグネシア単結晶を用いているが、
必ずしもこの構成に限定されるものではなく、基板とし
てアルミナ単結晶、チタン酸ストロンチウム単結晶、シ
リコン単結晶、石英ガラスを用いたものであっても同様
の効果を得ることができる。
【００３０】また、上記各実施例においては、前記構成
において第１の電極として白金を用いているが、必ずし
もこの構成に限定されるものではなく、第１の電極とし
て白金、ロジウム、ニッケルのうち少なくとも２つを主
成分とする合金、金または酸化ルテニウムを用いたもの
であっても同様の効果を得ることができる。
において第１の電極として白金を用いているが、必ずし
もこの構成に限定されるものではなく、第１の電極とし
て白金、ロジウム、ニッケルのうち少なくとも２つを主
成分とする合金、金または酸化ルテニウムを用いたもの
であっても同様の効果を得ることができる。
【００３１】また、上記各実施例においては、前記構成
において第２の電極として白金を用いているが、必ずし
もこの構成に限定されるものではなく、第２の電極とし
てニッケル、クロムのうち少なくとも何れか１つを主成
分とする合金、金又はアルミニウムを用いたものであっ
ても同様の効果を得ることができる。
において第２の電極として白金を用いているが、必ずし
もこの構成に限定されるものではなく、第２の電極とし
てニッケル、クロムのうち少なくとも何れか１つを主成
分とする合金、金又はアルミニウムを用いたものであっ
ても同様の効果を得ることができる。
【００３２】また、上記各実施例においては、前記構成
において強誘電体薄膜としてスパッタリング法によって
作製した薄膜を用いているが、必ずしもこの構成に限定
されるものではなく、ＣＶＤ法、ゾルーゲル法、電子ビ
ーム加熱真空蒸着法によって作製した薄膜を用いたもの
であっても同様の効果を得ることができる。
において強誘電体薄膜としてスパッタリング法によって
作製した薄膜を用いているが、必ずしもこの構成に限定
されるものではなく、ＣＶＤ法、ゾルーゲル法、電子ビ
ーム加熱真空蒸着法によって作製した薄膜を用いたもの
であっても同様の効果を得ることができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る強誘
電体薄膜素子によれば、欠陥を補償する金属イオンの存
在により、Ｂサイト金属に対するＡサイト金属の組成比
が化学量論比よりも過剰に含まれる薄膜を使用するもの
となり、Ａサイト金属がＢサイト金属に対して化学量論
組成比以下の薄膜を使用した場合と異なり、強誘電体薄
膜が格子欠陥の極めて少ないペロブスカイト型の結晶構
造を有することとなり、その結果、薄膜が緻密化するた
めに自発分極が大きくなり、また同時に、リークが減少
することにより焦電特性に優れた強誘電体薄膜素子を実
現できる。
電体薄膜素子によれば、欠陥を補償する金属イオンの存
在により、Ｂサイト金属に対するＡサイト金属の組成比
が化学量論比よりも過剰に含まれる薄膜を使用するもの
となり、Ａサイト金属がＢサイト金属に対して化学量論
組成比以下の薄膜を使用した場合と異なり、強誘電体薄
膜が格子欠陥の極めて少ないペロブスカイト型の結晶構
造を有することとなり、その結果、薄膜が緻密化するた
めに自発分極が大きくなり、また同時に、リークが減少
することにより焦電特性に優れた強誘電体薄膜素子を実
現できる。
【図１】実施例における強誘電体薄膜素子を示す断面図
１ ＭｇＯ基板 ２ 白金下部電極 ３ 強誘電体薄膜 ４ 白金上部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/8247 29/788 29/792 // Ｇ０１Ｊ 1/02 Ｙ 9309−2Ｇ 5/02 Ｐ
Claims (15)
- 【請求項１】基板上に形成された第１の電極と、前記第
１の電極上に形成された強誘電体薄膜と、前記強誘電体
薄膜上に形成された第２の電極とを少なくとも備えた強
誘電体薄膜素子であって、前記強誘電体薄膜が、Ａサイ
ト金属の一部が他の金属で置換されたことによって格子
欠陥を有するＡＢＯ３型ペロブスカイト構造を成し、か
つその欠陥を補償する金属のイオンを含有することを特
徴とする強誘電体薄膜素子。 - 【請求項２】欠陥を補償する金属のイオンが、２種類以
上の価数をもつ金属のイオンである請求項１に記載の強
誘電体薄膜素子。 - 【請求項３】欠陥を補償する金属のイオンが、Ｍｎイオ
ンである請求項１に記載の強誘電体薄膜素子。 - 【請求項４】強誘電体薄膜の組成が、組成式 Ｐｂ(1-x)LａxZｒyTｉ(1-y)O3 におけるｘ−ｙ平面上でＡ点（ｘ＝０．００，ｙ＝０．
００）、Ｂ点（ｘ＝０．００，ｙ＝０．２６）、Ｃ点
（ｘ＝０．５３，ｙ＝０．００）、Ｄ点（ｘ＝０．６
５，ｙ＝０．０９）の四点を頂点とする四角形の範囲内
にあることを特徴とする請求項１記載の強誘電体薄膜素
子。 - 【請求項５】強誘電体薄膜の組成が、組成式 Ｐｂ(1-x)LａxZｒyTｉ(1-y)O3 におけるｘ−ｙ平面上でＥ点（ｘ＝０．５５，ｙ＝０．
００）、Ｆ点（ｘ＝０．６７，ｙ＝０．１０）、Ｇ点
（ｘ＝０．９３，ｙ＝０．００）の三点を頂点とする三
角形の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の強
誘電体薄膜素子。 - 【請求項６】Ａサイト金属の一部と置換される他の金属
が、少なくとも一種類以上のアルカリ土類金属である請
求項１から５のいずれかに記載の強誘電体薄膜素子。 - 【請求項７】Ａサイト金属の主成分がバリウム及びスト
ロンチウムのうちから選ばれる１種以上であり、Ｂサイ
ト金属の主成分がチタンである請求項１から６のいずれ
かに記載の強誘電体薄膜素子。 - 【請求項８】Ｂサイト金属の一部をニオブ、タンタル、
ハフニウム、鉄のうち少なくともいずれか１つで置換し
た請求項１から７のいずれかに記載の強誘電体薄膜素
子。 - 【請求項９】強誘電体薄膜中の結晶の分極軸が基板面に
対し垂直に配向している請求項１から８のいずれかに記
載の強誘電体薄膜素子。 - 【請求項１０】基板としてマグネシア単結晶を用いるこ
とを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の強誘
電体薄膜素子。 - 【請求項１１】基板としてアルミナ単結晶、チタン酸ス
トロンチウム単結晶、シリコン単結晶、石英ガラスのう
ちから選ばれる１種以上を用いることを特徴とする請求
項１から９のいずれかに記載の強誘電体薄膜素子。 - 【請求項１２】第１の電極として白金を用いることを特
徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の強誘電体
薄膜素子。 - 【請求項１３】第１の電極として白金、ロジウム、ニッ
ケルのうち少なくとも２つを主成分とする合金、酸化ル
テニウム又は金を用いる請求項１から１１のいずれかに
記載の強誘電体薄膜素子。 - 【請求項１４】第２の電極として白金を用いることを特
徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の強誘電体
薄膜素子。 - 【請求項１５】第２の電極としてニッケル、クロムのう
ち少なくとも何れか１つを主成分とする合金、金又はア
ルミニウムを用いることを特徴とする請求項１から１３
のいずれかに記載の強誘電体薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6314484A JPH08172224A (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 強誘電体薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6314484A JPH08172224A (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 強誘電体薄膜素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08172224A true JPH08172224A (ja) | 1996-07-02 |
Family
ID=18053868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6314484A Withdrawn JPH08172224A (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 強誘電体薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08172224A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10150157A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-02 | Rohm Co Ltd | 半導体記憶装置およびそのインプリント状態制御方法 |
| WO2004051760A1 (ja) * | 2002-12-05 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 焦電体素子及びその製造方法並びに赤外線センサ |
| EP2784459A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | Seiko Epson Corporation | Infrared sensor and heat sensing element |
-
1994
- 1994-12-19 JP JP6314484A patent/JPH08172224A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10150157A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-02 | Rohm Co Ltd | 半導体記憶装置およびそのインプリント状態制御方法 |
| WO2004051760A1 (ja) * | 2002-12-05 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 焦電体素子及びその製造方法並びに赤外線センサ |
| EP2784459A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | Seiko Epson Corporation | Infrared sensor and heat sensing element |
| CN104075813A (zh) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | 精工爱普生株式会社 | 红外线传感器和热检测元件 |
| US9274004B2 (en) | 2013-03-25 | 2016-03-01 | Seiko Epson Corporation | Infrared sensor and heat sensing element |
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|---|---|---|---|
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