JPH08169732A - 光ファイバ線引装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 線引きの開始時の低速時から光ファイバ温度
を樹脂コーティングに適した温度に一定に制御して歩留
まり良く製造する。 【構成】 加熱炉で光ファイバプリフォームを加熱溶融
して線引きし所定径の光ファイバを引き出して一次冷却
機で冷却し、一次コーティングダイスで硬化性樹脂を被
覆して硬化炉で硬化した後二次冷却機で冷却し、二次コ
ーティングダイスで被覆樹脂の上に硬化性樹脂を被覆し
て硬化炉で硬化して光ファイバ心線を得る光ファイバ線
引装置において，一次冷却機と一次コーティングダイス
との間及び二次冷却機と二次コーティングダイスとの間
にそれぞれ光ファイバの表面温度を非接触で測定する光
ファイバ温度計を設けると共に、それぞれの光ファイバ
温度計で測定した光ファイバの表面温度と予め設定して
ある光ファイバの表面温度とから測定する光ファイバの
表面温度が設定値に一致するように一次冷却機、二次冷
却機のガス供給弁開度を制御するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバプリフォー
ムを電気炉等の加熱炉で加熱溶融して引き出し、細径化
した光ファイバの表面に均一にかつ安定的に樹脂をコー
ティングする光ファイバ線引装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバは、光ファイバプリフォーム
を電気炉等の加熱炉で加熱溶融して引き出し、細径化し
て製造されるが、従来の銅導体と比べ物理的な或いは機
械的な特性に著しい違いがあるため、１次被覆、２次被
覆等を施し、光ファイバ心線として機械的な特性、取扱
い易さの向上を図っている。光ファイバの紡糸は、例え
ば、特開平１−１６６００９号公報に示される図５に示
す如き光ファイバ線引装置１によって行われる。この光
ファイバ線引装置１においては、石英ガラス系の光ファ
イバプリフォーム２を加熱炉３等で加熱溶融させて引張
り（線引きと称する）光ファイバ４を作り、冷却機５に
おいて冷却する。加熱炉３は、電気炉等によって構成さ
れており、炉内には不活性ガスが充満されており、この
不活性ガス雰囲気内において光ファイバプリフォームを
加熱溶融する。また、冷却機５は、加熱炉３から線引き
され所定線径に紡糸された光ファイバ４を冷却する一次
被覆用の冷却機で、例えば、ヘリウムガス等の低温不活
性ガスを光ファイバ７に吹き付けて冷却している。この
冷却機５において、紡糸された光ファイバ４は冷却され
るが、このままの状態では表面に傷が付きやすく、機械
的強度も弱いのでコーティングダイス６において、アク
リル酸塩、アクリル酸エステル、アクリル酸樹脂などの
アクリレート樹脂（ＵＶ硬化樹脂）を一次被覆として塗
布し、硬化炉８において紫外線（光ファイバ４に被覆さ
れる樹脂が熱硬化性樹脂の場合には、熱）を照射して光
ファイバ４に被覆されたＵＶ硬化樹脂を硬化して光ファ
イバ７を得る。コーティングダイス６において被覆する
ＵＶ硬化樹脂は、紡糸された光ファイバ４の温度が高い
と、コーティングの際、光ファイバからコーティング樹
脂がスリップしてしまい、樹脂被覆が正常に行われない
ため、冷却機５によってコーティングに適した温度に冷
却している。

【０００３】光ファイバの表面に被覆したＵＶ硬化樹脂
を硬化して得た光ファイバ７は、冷却機９において冷却
する。この冷却機９は、ＵＶ硬化樹脂の被覆された光フ
ァイバ７を冷却する二次被覆用の冷却機で、例えば、ヘ
リウムガス等の低温不活性ガスを光ファイバ７に吹き付
けて冷却している。この冷却機９において、冷却された
光ファイバ７は、このままの状態では表面に傷が付きや
すく、機械的強度も弱いのでコーティングダイス１０に
おいて、シリコン系の樹脂あるいはＵＶ硬化樹脂を二次
被覆として塗布し、硬化炉１１において紫外線を照射し
て光ファイバ７に被覆されたＵＶ硬化樹脂を硬化して光
ファイバ心線１２を得る。コーティングダイス１０にお
いて一次被覆された光ファイバ７に被覆するシリコン系
の樹脂あるいはＵＶ硬化樹脂は、ＵＶ硬化樹脂が被覆さ
れた光ファイバ７の温度が高いと、前述と同様の問題が
発生するため、冷却機９によってコーティングに適した
温度に冷却している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の光フ
ァイバ線引装置にあっては、冷却機５、９で光ファイバ
を冷却する際、一定の温度のヘリウムガスを一定の流量
で光ファイバ（４、８）に吹き付けている。このため、
光ファイバを短時間で効率よく冷却することができると
いう利点を有する。しかし、光ファイバの走行速度は、
線引きの開始時に一気に安定速度（２００m ／min ）に
達するのではなく、線引きの開始時の低速（５０m ／mi
n ）から徐々に安定して走行する高速に達する。このと
きの線引速度と光ファイバ温度との関係は、図６に示す
如く、光ファイバの線速が上昇するほど光ファイバ温度
が上昇する傾向にある。母材径φ３６、ガス流量（常
温）１０リットル／min を供給して光ファイバを冷却し
たときの線引きの開始時の低速（５０m ／min ）時、線
引速度８０m ／min 時、さらに安定速度（２００m ／mi
n ）に達したときの一次ファイバ（光ファイバ４）温度
と二次ファイバ（光ファイバ７）温度をサンプリングし
たものが表１に示してある。

【０００５】表 １ このように線引きの開始時の低速から徐々に安定して走
行する高速に達する場合、従来のように光ファイバを冷
却する際、一定の温度のヘリウムガスを一定の流量で吹
き付けて冷却する方法では、線引速度の変化に対して一
次ファイバ（光ファイバ４）温度と二次ファイバ（光フ
ァイバ７）温度が変化するため、樹脂コーティング時の
温度がその都度異なり、安定したコーティングができな
い。

【０００６】また、光ファイバを冷却する際、従来のよ
うな一定の温度のヘリウムガスを一定の流量で吹き付け
て冷却する方法にあっては、線引きの開始時の低速の線
引き速度の場合も、安定して走行する標準の線引き速度
（２００m ／min ）の場合も、同一の温度・風量のヘリ
ウムガスが供給されるため、図７に示す如く、線引きの
開始時の低速領域から安定して走行する標準速度到達点
Ａまでの立上がり領域Ｂは、光ファイバが過度に冷却さ
れることになる。すなわち、光ファイバに被覆するＵＶ
硬化樹脂はコーティングダイス６、１０において一定温
度（約２５℃）に保温されており、光ファイバ（４、
８）が過冷却されることで光ファイバにコーティングし
た際のＵＶ硬化樹脂の温度が正常時の温度（約２５℃）
より低くなり、ＵＶ硬化後に被覆樹脂に歪み（残留応
力）が発生し、マイクロベンディングによる損失が増加
することがある。このため、図７に示す如き線引きの開
始時の低速領域から安定して走行する標準速度到達点Ａ
までの立上がり領域Ｂの光ファイバは、不良扱いで廃棄
することが行われている。

【０００７】本発明の目的は、線引きの開始時の低速時
から光ファイバ温度を樹脂コーティングに適した温度に
一定に制御して歩留まり良く製造することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、光ファイバプ
リフォームを不活性ガス雰囲気内で加熱溶融する加熱炉
と、前記加熱炉において加熱溶融した光ファイバプリフ
ォームを線引きして所定径の光ファイバを引き出してガ
ス冷却する一次冷却機と、前記一次冷却機によって冷却
した光ファイバに熱又は紫外線硬化性の樹脂を被覆する
一次コーティングダイスと、前記一次コーティングダイ
スにおいて一次樹脂被覆をした光ファイバの被覆樹脂に
熱又は紫外線を照射して硬化する硬化炉と、前記硬化炉
において被覆樹脂を硬化した光ファイバをガス冷却する
二次冷却機と、前記二次冷却機によって冷却した光ファ
イバの被覆樹脂の上に熱又は紫外線硬化性の樹脂を被覆
する二次コーティングダイスと、前記二次コーティング
ダイスにおいて二次樹脂被覆をした光ファイバの被覆樹
脂に熱又は紫外線を照射して硬化する硬化炉とを備えた
光ファイバ線引装置において，上記一次冷却機と上記一
次コーティングダイスとの間に，上記一次冷却機から引
き出される光ファイバの表面温度を非接触で測定する光
ファイバ温度計と，前記光ファイバ温度計において測定
した光ファイバの表面温度と予め設定してある光ファイ
バの表面温度とを比較し、上記一次冷却機から引き出さ
れる光ファイバの表面温度が予め設定してある光ファイ
バの表面温度に一致するように上記一次冷却機の冷却用
ガスの供給量及び／又は供給温度を制御する一次冷却機
制御装置を設けると共に，上記二次冷却機と上記二次コ
ーティングダイスとの間に，上記二次冷却機から引き出
される一次被覆を施した光ファイバの表面温度を非接触
で測定する一次被覆光ファイバ温度計と，前記一次被覆
光ファイバ温度計において測定した一次被覆を施した光
ファイバの表面温度と予め設定してある一次被覆を施し
た光ファイバの表面温度とを比較し、上記一次冷却機か
ら引き出される一次被覆を施した光ファイバの表面温度
が予め設定してある一次被覆を施した光ファイバの表面
温度に一致するように上記一次冷却機の冷却用ガスの供
給量及び／又は供給温度を制御する二次冷却機制御装置
を設けたものである。

【０００９】

【作用】一次冷却機と一次コーティングダイスとの間に
設けた光ファイバ温度計で一次冷却機から引き出される
光ファイバの表面温度を非接触で常時測定し、この測定
温度を基に一次冷却機制御装置において一次冷却機から
引き出される光ファイバの表面温度が予め設定してある
光ファイバの表面温度に一致するように一次冷却機制御
装置によって一次冷却機に供給するヘリウムガスのＭＦ
Ｃ（マスフローコントローラ）の開度を調整して供給流
量を制御し、一次冷却機から引き出される光ファイバの
表面温度を一定の温度に保つことにより、製造開始時か
ら全長に渡って良好な光ファイバ素線を得る。また、二
次冷却機と二次コーティングダイスとの間に設けた一次
被覆光ファイバ温度計で二次冷却機から引き出される一
次被覆を施した光ファイバの表面温度を非接触で常時測
定し、この測定温度を基に二次冷却機制御装置において
二次冷却機から引き出される一次被覆を施した光ファイ
バの表面温度が予め設定してある光ファイバの表面温度
に一致するように二次冷却機制御装置によって二次冷却
機に供給するヘリウムガスのＭＦＣ（マスフローコント
ローラ）の開度を調整して供給流量を制御、二次冷却機
から引き出される一次被覆を施した光ファイバの表面温
度を一定の温度に保つことにより、光ファイバに被覆さ
れた樹脂に歪みのない光ファイバ心線を得る。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１には、本発明に係る光ファイバ線引装置の一実施例が
示されている。図中、図５に図示の従来例と同一の符号
の付されているものは同一の部材・同一の機能を有する
ものである。図において、１３は光ファイバ温度計で一
次冷却機５と一次コーティングダイス６の間に設けられ
ている。この光ファイバ温度計１３は、市販されている
（例えば、帝人エンジニアリング株式会社製の走行ファ
イバ温度測定装置ＮＣＴ−７０００）非接触で走行物体
の表面温度を測定するもので、一次冷却機５から引き出
される光ファイバ４の表面温度を非接触で測定してい
る。この光ファイバ温度計１３による光ファイバ４の表
面温度は、連続的に測定されている。

【００１１】１４は一次冷却機制御装置で、光ファイバ
温度計１３において測定した光ファイバ４の表面温度と
予め設定した光ファイバにＵＶ硬化樹脂（又は熱硬化樹
脂）を被覆するに適した表面温度とを比較し、一次冷却
機５から引き出される光ファイバ４の表面温度が予め設
定してある光ファイバの表面温度（約２５℃）に一致す
るように、一次冷却機５の冷却用ガス（ヘリウムガス）
を制御するものである。この一次冷却機制御装置１４に
よる一次冷却機５の冷却用ガスの制御には、冷却用ガス
の供給量を増減する方法、光ファイバの表面に吹き付け
る冷却用ガスの温度を昇降制御する方法、冷却用ガスの
供給量の増減と供給温度の昇降の両方を同時に行う方法
のいずれかの方法がある。この内、制御が比較的簡単な
のは、冷却用ガスの供給量を増減制御する方法で、本実
施例で採用している。この一次冷却機制御装置１４によ
る光ファイバ４の表面温度の光ファイバ温度計１３から
の読み込みは、一次冷却機制御装置１４によるフィード
バック制御を十分ならしめる時間間隔である。

【００１２】１５は一次被覆光ファイバ温度計で、二次
冷却機９と二次コーティングダイス１０との間に設けら
れている。この一次被覆光ファイバ温度計１５は、光フ
ァイバ温度計１３と同一のものが用いられている。この
一次被覆光ファイバ温度計１５による光ファイバ７の表
面温度は、連続的に測定されている。１６は二次冷却機
制御装置で、一次被覆光ファイバ温度計１５において測
定した一次被覆を施した光ファイバ７の表面温度と、予
め設定した一次被覆を施した光ファイバに更にＵＶ硬化
樹脂を被覆するに適した表面温度（約２５℃）とを比較
し、二次冷却機９から引き出される光ファイバ７の表面
温度が予め設定してある光ファイバの表面温度（約２５
℃）に一致するように、二次冷却機９の冷却用ガス（ヘ
リウムガス）を制御するものである。この二次冷却機制
御装置１６による二次冷却機９の冷却用ガスの制御に
は、一次冷却機制御装置１４同様、冷却用ガスの供給量
を増減する方法、光ファイバの表面に吹き付ける冷却用
ガスの温度を昇降制御する方法、冷却用ガスの供給量の
増減と供給温度の昇降の両方を同時に行う方法のいずれ
かの方法がある。この内、制御が比較的簡単なのは、冷
却用ガスの供給量を増減制御する方法で、本実施例で採
用している。この二次冷却機制御装置１６による光ファ
イバ７の表面温度の一次被覆光ファイバ温度計１５から
の読み込みは、二次冷却機制御装置１６によるフィード
バック制御を十分ならしめる時間間隔である。

【００１３】次に、本実施例の動作について説明する。
不活性ガスが充満した加熱炉３内において石英ガラス系
の光ファイバプリフォーム２を加熱溶融し、線引きして
所定線径の光ファイバ４を得る。線引きして得た光ファ
イバ４を一次冷却機５においてガス冷却する。一次冷却
機５において冷却された光ファイバ４は、光ファイバ温
度計１３によって非接触で光ファイバ４の表面温度を測
定する。この光ファイバ温度計１３によって連続的に測
定されている光ファイバ４の表面温度は、一次冷却機制
御装置１４によって一定時間毎に読み込まれる。

【００１４】この一次冷却機制御装置１４の処理は、図
２に示す如きフローチャートによって行われる。一次冷
却機制御装置１４に電源が投入され、一次冷却機制御装
置１４が動作を開始すると、まず、ステップ２０におい
て、光ファイバ温度計１３において検出されている光フ
ァイバ４の表面温度を取込む。この光ファイバ４の表面
温度を取込むと、ステップ２１において、今取込んだ光
ファイバ４の表面温度が予め設定されている光ファイバ
４の表面にＵＶ硬化樹脂（又は、熱硬化樹脂）を被覆す
るに適した表面温度（約２５℃）になっているか否かを
判定する。このステップ２１において取込んだ光ファイ
バ４の表面温度が設定値と等しくないと判定すると、ス
テップ２２において、今取込んだ光ファイバ４の表面温
度が設定値より大きいか否かを判定する。このステップ
２２において今取込んだ光ファイバ４の表面温度が設定
値より大きいと判定すると、ステップ２３において、一
次冷却機５内における光ファイバ４の表面温度が下がり
設定値に近づくように一次冷却機５内に供給されるヘリ
ウムガスの流量を上げるか、一次冷却機５内に供給され
るヘリウムガスの温度を下げる。本実施例においては、
一次冷却機５内に供給されるヘリウムガスの流量を上げ
る方法が採られている。このステップ２３において処理
した後は、ステップ２０に戻る。

【００１５】また、ステップ２２において今取込んだ光
ファイバ４の表面温度が設定値より大きくない、すなわ
ち、取込んだ光ファイバ４の表面温度が設定値より小さ
いと判定すると、ステップ２４において、一次冷却機５
内における光ファイバ４の表面温度が上がり設定値に近
づくように一次冷却機５内に供給されるヘリウムガスの
流量を下げるか、一次冷却機５内に供給されるヘリウム
ガスの温度を上げる。本実施例においては、一次冷却機
５内に供給されるヘリウムガスの流量を下げる方法が採
られている。このステップ２４において処理した後は、
ステップ２０に戻る。一方、ステップ２１において、今
取込んだ光ファイバ４の表面温度が予め設定されている
光ファイバ４の表面にＵＶ硬化樹脂（又は、熱硬化樹
脂）を被覆するに適した表面温度（約２５℃）と等しい
と判定すると、ステップ２５において、光ファイバ４の
線引きが終了か否かを判定する。この光ファイバ４の線
引きの終了は、光ファイバ温度計１３を光ファイバ４が
通過しなくなったこと、すなわち、光ファイバ温度計１
３によって温度検出がなくなったことによって容易に検
知することができる。このステップ２５において光ファ
イバ４の線引きが終了であると判定すると、一次冷却機
制御装置１４の制御動作は終了する。また、このステッ
プ２５において、光ファイバ４の線引きが終了でないと
判定すると、すなわち、光ファイバ温度計１３による温
度検出がある場合には、ステップ２０に戻る。このよう
にして、光ファイバ４の表面温度は、一次冷却機５内に
供給されるヘリウムガスの流量の制御によって予め設定
されている光ファイバ４の表面にＵＶ硬化樹脂（又は、
熱硬化樹脂）を被覆するに適した表面温度（約２５℃）
に制御される。

【００１６】この制御フロールーチンは、フィードバッ
ク制御による光ファイバ４の表面温度の設定温度への収
束を短時間で行えるだけの時間間隔で繰り返し走るよう
になっている。この制御フロールーチンは、例えば、１
〜１０msecで処理される。このように一次冷却機５にお
いて冷却された後、光ファイバ温度計１３によって表面
温度を測定された光ファイバ４は、一次コーティングダ
イス６において、熱硬化性の樹脂又は紫外線硬化性の樹
脂を被覆し、硬化炉８（熱硬化炉又は紫外線硬化炉）に
おいて光ファイバ４の表面に被覆された樹脂を硬化す
る。この硬化炉８において、光ファイバ４の表面に被覆
された樹脂を硬化する際に行われる熱又は紫外線の照射
によって、一次樹脂被覆をした光ファイバ７の表面温度
は、樹脂硬化する前よりも上昇する。そこで、再度、一
次樹脂被覆し硬化した光ファイバ７の表面温度を、二次
冷却機９において冷却する。この二次冷却機９において
冷却された一次樹脂被覆した光ファイバ７は、一次被覆
光ファイバ温度計１５によって非接触で光ファイバ７の
表面温度を測定する。この一次被覆光ファイバ温度計１
５によって連続的に測定されている光ファイバ７の表面
温度は、二次冷却機制御装置１６によって一定時間毎に
読み込まれる。

【００１７】この二次冷却機制御装置１６の処理は、図
３に示す如きフローチャートによって行われる。二次冷
却機制御装置１６に電源が投入され、二次冷却機制御装
置１６が動作を開始すると、まず、ステップ３０におい
て、一次被覆光ファイバ温度計１５において検出されて
いる光ファイバ７の表面温度を取込む。この光ファイバ
７の表面温度を取込むと、ステップ３１において、今取
込んだ光ファイバ７の表面温度が予め設定されている光
ファイバ７の表面にＵＶ硬化樹脂（又は、熱硬化樹脂）
を被覆するに適した表面温度（約２５℃）になっている
か否かを判定する。このステップ３１において取込んだ
光ファイバ７の表面温度が設定値と等しくないと判定す
ると、ステップ３２において、今取込んだ光ファイバ７
の表面温度が設定値より大きいか否かを判定する。この
ステップ３２において今取込んだ光ファイバ７の表面温
度が設定値より大きいと判定すると、ステップ３３にお
いて、二次冷却機９内における光ファイバ４の表面温度
が下がり設定値に近づくように二次冷却機９内に供給さ
れるヘリウムガスの流量を上げるか、二次冷却機９内に
供給されるヘリウムガスの温度を下げる。本実施例にお
いては、二次冷却機９内に供給されるヘリウムガスの流
量を上げる方法が採られている。このステップ３３にお
いて処理した後は、ステップ３０に戻る。

【００１８】また、ステップ３２において今取込んだ光
ファイバ７の表面温度が設定値より大きくない、すなわ
ち、取込んだ光ファイバ７の表面温度が設定値より小さ
いと判定すると、ステップ３４において、二次冷却機９
内における光ファイバ７の表面温度が上がり設定値に近
づくように二次冷却機９内に供給されるヘリウムガスの
流量を下げるか、二次冷却機９内に供給されるヘリウム
ガスの温度を上げる。本実施例においては、二次冷却機
９内に供給されるヘリウムガスの流量を下げる方法が採
られている。このステップ３４において処理した後は、
ステップ３０に戻る。一方、ステップ３１において、今
取込んだ光ファイバ７の表面温度が予め設定されている
光ファイバ７の表面にＵＶ硬化樹脂（又は、熱硬化樹
脂）を被覆するに適した表面温度（約２５℃）と等しい
と判定すると、ステップ３５において、光ファイバ７の
線引きが終了か否かを判定する。この光ファイバ７の線
引きの終了は、一次被覆光ファイバ温度計１５を光ファ
イバ７が通過しなくなったこと、すなわち、一次被覆光
ファイバ温度計１５によって温度検出がなくなったこと
によって容易に検知することができる。このステップ３
５において光ファイバ７の線引きが終了であると判定す
ると、二次冷却機制御装置１４の制御動作は終了する。
また、このステップ３５において、光ファイバ７の線引
きが終了でないと判定すると、すなわち、一次被覆光フ
ァイバ温度計１５による温度検出がある場合には、ステ
ップ３０に戻る。このようにして、光ファイバ７の表面
温度は、二次冷却機９内に供給されるヘリウムガスの流
量の制御によって予め設定されている光ファイバ７の表
面にＵＶ硬化樹脂（又は、熱硬化樹脂）を被覆するに適
した表面温度（約２５℃）に制御される。この制御フロ
ールーチンは、フィードバック制御による光ファイバ７
の表面温度の設定温度への収束を短時間で行えるだけの
時間間隔で繰り返し走るようになっている。この制御フ
ロールーチンは、例えば、１〜１０msecで処理される。

【００１９】このように二次冷却機９において冷却され
た後、一次被覆光ファイバ温度計１５によって表面温度
を測定された光ファイバ７は、二次コーティングダイス
１０において、熱硬化性の樹脂又は紫外線硬化性の樹脂
を被覆し、硬化炉１１（熱硬化炉又は紫外線硬化炉）に
おいて光ファイバ７の表面に被覆された樹脂を硬化す
る。このように一次冷却機５から引き出される光ファイ
バ４の表面温度は一次冷却機制御装置１４によって、一
次被覆を施した光ファイバ７の表面温度は二次冷却機制
御装置１６によって、それぞれ図４に示す如く、線引き
の開始時の低速から徐々に安定して走行する高速に達す
る場合でも、線引速度の変化に拘らず光ファイバ表面温
度をほぼ一定に保つことができる。

【００２０】

【発明の効果】本発明によれば、線引きの開始時の低速
時から光ファイバ温度を樹脂コーティングに適した温度
に一定に制御して光ファイバの表面にＵＶ硬化樹脂を安
定的にコーティングでき、歩留まり良く光ファイバ心線
を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ファイバ線引装置の実施例を示
す全体模式図である。

【図２】図１に図示の一次冷却機制御装置の制御フロー
チャートである。

【図３】図１に図示の二次冷却機制御装置の制御フロー
チャートである。

【図４】図１に図示の光ファイバ線引装置における線引
速度と光ファイバ温度との特性図である。

【図５】従来の光ファイバ線引装置の実施例を示す全体
模式図である。

【図６】図５に図示の従来の光ファイバ線引装置の線引
速度と光ファイバ温度との特性図である。

【図７】図５に図示の従来の光ファイバ線引装置の製造
時間に対する光ファイバ温度との関係を示す図である。

【符号の説明】

１………………………………………………光ファイバ線
引装置 ２………………………………………………光ファイバプ
リフォーム ３………………………………………………加熱炉 ４………………………………………………光ファイバ ５………………………………………………冷却機 ６………………………………………………一次コーティ
ングダイス ７………………………………………………光ファイバ ８………………………………………………硬化炉 ９………………………………………………冷却機 １０……………………………………………二次コーティ
ングダイス １１……………………………………………硬化炉 １２……………………………………………光ファイバ心
線 １３……………………………………………光ファイバ温
度計 １４……………………………………………一次冷却機制
御装置 １５……………………………………………一次被覆光フ
ァイバ温度計 １６……………………………………………二次冷却機制
御装置

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光ファイバプリフォームを不活性ガス雰
   囲気内で加熱溶融する加熱炉と、前記加熱炉において加
   熱溶融した光ファイバプリフォームを線引きして所定径
   の光ファイバを引き出してガス冷却する一次冷却機と、
   前記一次冷却機によって冷却した光ファイバに熱又は紫
   外線硬化性の樹脂を被覆する一次コーティングダイス
   と、前記一次コーティングダイスにおいて一次樹脂被覆
   をした光ファイバの被覆樹脂に熱又は紫外線を照射して
   硬化する硬化炉と、前記硬化炉において被覆樹脂を硬化
   した光ファイバをガス冷却する二次冷却機と、前記二次
   冷却機によって冷却した光ファイバの被覆樹脂の上に熱
   又は紫外線硬化性の樹脂を被覆する二次コーティングダ
   イスと、前記二次コーティングダイスにおいて二次樹脂
   被覆をした光ファイバの被覆樹脂に熱又は紫外線を照射
   して硬化する硬化炉とを備えた光ファイバ線引装置にお
   いて，上記一次冷却機と上記一次コーティングダイスと
   の間に，上記一次冷却機から引き出される光ファイバの
   表面温度を非接触で測定する光ファイバ温度計と，前記
   光ファイバ温度計において測定した光ファイバの表面温
   度と予め設定してある光ファイバの表面温度とを比較
   し、上記一次冷却機から引き出される光ファイバの表面
   温度が予め設定してある光ファイバの表面温度に一致す
   るように上記一次冷却機の冷却用ガスの供給量及び／又
   は供給温度を制御する一次冷却機制御装置を設けると共
   に，上記二次冷却機と上記二次コーティングダイスとの
   間に，上記二次冷却機から引き出される一次被覆を施し
   た光ファイバの表面温度を非接触で測定する一次被覆光
   ファイバ温度計と，前記一次被覆光ファイバ温度計にお
   いて測定した一次被覆を施した光ファイバの表面温度と
   予め設定してある一次被覆を施した光ファイバの表面温
   度とを比較し、上記一次冷却機から引き出される一次被
   覆を施した光ファイバの表面温度が予め設定してある一
   次被覆を施した光ファイバの表面温度に一致するように
   上記一次冷却機の冷却用ガスの供給量及び／又は供給温
   度を制御する二次冷却機制御装置を設けたことを特徴と
   する光ファイバ線引装置。