JPH08160147A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
- Publication number
- JPH08160147A JPH08160147A JP6330928A JP33092894A JPH08160147A JP H08160147 A JPH08160147 A JP H08160147A JP 6330928 A JP6330928 A JP 6330928A JP 33092894 A JP33092894 A JP 33092894A JP H08160147 A JPH08160147 A JP H08160147A
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- JP
- Japan
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- radiation
- elements
- semiconductor radiation
- cdte
- semiconductor
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 複数のＣｄＴｅ放射線検出素子がアルミナ基
板を介して積層され、アルミナ基板上に形成された導電
パタ−ンと各ＣｄＴｅ放射線検出素子の電極とが電気的
に接続され、各導電パタ−ンと最上層のＣｄＴｅ放射線
検出素子の電極とから電極端子が取り出され、各ＣｄＴ
ｅ放射線検出素子に並列にバイアス電圧がかかるように
構成されたＣｄＴｅ放射線検出器。 【効果】 ５００ＫｅＶ以上の高エネルギ−の放射線を
効率良く吸収できる。
板を介して積層され、アルミナ基板上に形成された導電
パタ−ンと各ＣｄＴｅ放射線検出素子の電極とが電気的
に接続され、各導電パタ−ンと最上層のＣｄＴｅ放射線
検出素子の電極とから電極端子が取り出され、各ＣｄＴ
ｅ放射線検出素子に並列にバイアス電圧がかかるように
構成されたＣｄＴｅ放射線検出器。 【効果】 ５００ＫｅＶ以上の高エネルギ−の放射線を
効率良く吸収できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体放射線検出器に
関し、特にＣｄＴｅ放射線検出素子を用いた半導体放射
線検出器に関するものである。
関し、特にＣｄＴｅ放射線検出素子を用いた半導体放射
線検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＴｅ放射線検出素子などを用いた半
導体放射線検出器では、半導体放射線検出素子を絶縁性
基板上にダイボンドしたものが用いられている。例え
ば、ＣｄＴｅ放射線検出器では、ＣｄＴｅウェハの両面
に金や白金などの貴金属電極を形成し、ダイシングによ
り４ｍｍ角（厚さ２ｍｍ）のＣｄＴｅ放射線検出素子と
し、導電性パタ−ンを形成したアルミナ基板上にダイボ
ンドして作成されている。
導体放射線検出器では、半導体放射線検出素子を絶縁性
基板上にダイボンドしたものが用いられている。例え
ば、ＣｄＴｅ放射線検出器では、ＣｄＴｅウェハの両面
に金や白金などの貴金属電極を形成し、ダイシングによ
り４ｍｍ角（厚さ２ｍｍ）のＣｄＴｅ放射線検出素子と
し、導電性パタ−ンを形成したアルミナ基板上にダイボ
ンドして作成されている。
【０００３】しかし、このような従来のＣｄＴｅ放射線
検出器では、１００ＫｅＶ程度の低エネルギ−の放射線
を検出する場合には厚さ２ｍｍでも十分に放射線を吸収
できるが、５００ＫｅＶ以上の高エネルギ−の放射線を
検出する場合には厚さ２ｍｍでは十分に放射線を吸収で
きず、例えば５００ＫｅＶの場合の吸収効率は５％程度
と低いという問題があった。
検出器では、１００ＫｅＶ程度の低エネルギ−の放射線
を検出する場合には厚さ２ｍｍでも十分に放射線を吸収
できるが、５００ＫｅＶ以上の高エネルギ−の放射線を
検出する場合には厚さ２ｍｍでは十分に放射線を吸収で
きず、例えば５００ＫｅＶの場合の吸収効率は５％程度
と低いという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
解決したもので、本発明の目的は高エネルギ−の放射線
を効率良く吸収できる半導体放射線検出器を提供するこ
とにある。
解決したもので、本発明の目的は高エネルギ−の放射線
を効率良く吸収できる半導体放射線検出器を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記問題を解決するため検討した。先ず、単純にＣｄＴｅ
放射線検出素子の厚さを厚くする方法が考えられるが、
厚くするとバイアス電圧を高くしなければならず、その
ためにリ−ク電流が増えるという新たな問題が生じるこ
とがわかった。
記問題を解決するため検討した。先ず、単純にＣｄＴｅ
放射線検出素子の厚さを厚くする方法が考えられるが、
厚くするとバイアス電圧を高くしなければならず、その
ためにリ−ク電流が増えるという新たな問題が生じるこ
とがわかった。
【０００６】そこで、ＣｄＴｅ放射線検出素子の厚さを
そのままにして、複数のＣｄＴｅ放射線検出素子を両面
に導電性パタ−ンを形成したアルミナ基板を介して積層
することで、リ−ク電流の問題もなく、上記問題を解決
できるのではないかと考え、本発明に到った。
そのままにして、複数のＣｄＴｅ放射線検出素子を両面
に導電性パタ−ンを形成したアルミナ基板を介して積層
することで、リ−ク電流の問題もなく、上記問題を解決
できるのではないかと考え、本発明に到った。
【０００７】すなわち、本発明は、複数の半導体放射線
検出素子が絶縁性基板を介して積層され、該絶縁性基板
上に形成された導電層と該各半導体放射線検出素子の電
極とが電気的に接続され、該導電層と最上層の半導体放
射線検出素子の電極とから電極端子が取り出され、各半
導体放射線検出素子に並列にバイアス電圧がかかるよう
に構成されていることを特徴とする半導体放射線検出器
を提供するものである。さらに、上記半導体放射線検出
素子がＣｄＴｅ放射線検出素子である半導体放射線検出
器を提供するものである。
検出素子が絶縁性基板を介して積層され、該絶縁性基板
上に形成された導電層と該各半導体放射線検出素子の電
極とが電気的に接続され、該導電層と最上層の半導体放
射線検出素子の電極とから電極端子が取り出され、各半
導体放射線検出素子に並列にバイアス電圧がかかるよう
に構成されていることを特徴とする半導体放射線検出器
を提供するものである。さらに、上記半導体放射線検出
素子がＣｄＴｅ放射線検出素子である半導体放射線検出
器を提供するものである。
【０００８】本発明によれば、各半導体放射線検出素子
には積層しないときと同じバイアス電圧がかかっている
ので、リ−ク電流が大きくなるという問題もなく、また
半導体放射線検出素子が積層されていることによって高
エネルギ−の放射線を効率良く吸収できる。
には積層しないときと同じバイアス電圧がかかっている
ので、リ−ク電流が大きくなるという問題もなく、また
半導体放射線検出素子が積層されていることによって高
エネルギ−の放射線を効率良く吸収できる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例をＣｄＴｅ放射線検出検出器
を例にして、図１をもとに説明する。先ず、厚さ２ｍｍ
のＣｄＴｅウェハの両面に白金をめっきして電極を形成
した後、ダイシングにより４ｍｍ角に切り出し、ＣｄＴ
ｅ放射線検出検出素子１，２を得る。
を例にして、図１をもとに説明する。先ず、厚さ２ｍｍ
のＣｄＴｅウェハの両面に白金をめっきして電極を形成
した後、ダイシングにより４ｍｍ角に切り出し、ＣｄＴ
ｅ放射線検出検出素子１，２を得る。
【００１０】次に、長さ６ｍｍ、幅４ｍｍ、厚さ１ｍｍ
のアルミナ基板３，４を準備し、アルミナ基板３の片面
には導電性接着剤であるＡｇエポキシを全面に塗布し、
アルミナ基板４の両面にはＣｄＴｅ放射線検出検出素子
１，２の電極に対応した部分および電極端子となる部分
にＡｇエポキシを塗布し、アルミナ基板３の上にＣｄＴ
ｅ放射線検出素子１をダイボンドし、さらにＣｄＴｅ放
射線検出素子１の上にアルミナ基板４を介してＣｄＴｅ
放射線検出素子２をダイボンドした。
のアルミナ基板３，４を準備し、アルミナ基板３の片面
には導電性接着剤であるＡｇエポキシを全面に塗布し、
アルミナ基板４の両面にはＣｄＴｅ放射線検出検出素子
１，２の電極に対応した部分および電極端子となる部分
にＡｇエポキシを塗布し、アルミナ基板３の上にＣｄＴ
ｅ放射線検出素子１をダイボンドし、さらにＣｄＴｅ放
射線検出素子１の上にアルミナ基板４を介してＣｄＴｅ
放射線検出素子２をダイボンドした。
【００１１】さらに、アルミナ基板３の上面から導線
５、アルミナ基板４の上面から導線６、アルミナ基板４
の下面から導線７、ＣｄＴｅ放射線検出素子２の上面か
ら導線８で取り出し、バイアス電源のプラス側に導線
５，６を、またマイナス極に導線７，８を接続した。
５、アルミナ基板４の上面から導線６、アルミナ基板４
の下面から導線７、ＣｄＴｅ放射線検出素子２の上面か
ら導線８で取り出し、バイアス電源のプラス側に導線
５，６を、またマイナス極に導線７，８を接続した。
【００１２】このようにして作成したＣｄＴｅ放射線検
出検出器は、Ｃｓ−１３７放射線源を用いて測定した検
出特性は５１１ＫｅＶのγ線ピ−クの計数が従来の積層
しないタイプのＣｄＴｅ放射線検出検出器に比較し約２
倍となり、放射線の吸収効率が向上したことがわかっ
た。
出検出器は、Ｃｓ−１３７放射線源を用いて測定した検
出特性は５１１ＫｅＶのγ線ピ−クの計数が従来の積層
しないタイプのＣｄＴｅ放射線検出検出器に比較し約２
倍となり、放射線の吸収効率が向上したことがわかっ
た。
【００１３】上記実施例では、ＣｄＴｅ放射線検出素子
２枚を積層した例を示したが、必要に応じ３枚以上積層
しても良い。
２枚を積層した例を示したが、必要に応じ３枚以上積層
しても良い。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体放
射線検出器によれば５００ＫｅＶ以上の高エネルギ−の
放射線を効率良く吸収できる。
射線検出器によれば５００ＫｅＶ以上の高エネルギ−の
放射線を効率良く吸収できる。
【図１】 本発明による半導体放射線検出器を示す概略
図である。
図である。
１，２ 半導体放射線検出素子 ３，４ 絶縁性基板 ５，６，７，８ 導線
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の半導体放射線検出素子が絶縁性基
板を介して積層され、該絶縁性基板上に形成された導電
層と該各半導体放射線検出素子の電極とが電気的に接続
され、該導電層と最上層の半導体放射線検出素子の電極
とから電極端子が取り出され、各半導体放射線検出素子
に並列にバイアス電圧がかかるように構成されているこ
とを特徴とする半導体放射線検出器。 - 【請求項２】 上記半導体放射線検出素子がＣｄＴｅ放
射線検出素子であることを特徴とする請求項１記載の半
導体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6330928A JPH08160147A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6330928A JPH08160147A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08160147A true JPH08160147A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=18238018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6330928A Pending JPH08160147A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08160147A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001326376A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体エネルギー検出素子 |
| WO2003041175A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Capteur d'images et son procede de fabrication |
| US7297958B2 (en) | 2001-12-03 | 2007-11-20 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP6330928A patent/JPH08160147A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001326376A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体エネルギー検出素子 |
| WO2003041175A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Capteur d'images et son procede de fabrication |
| US7042008B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-05-09 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Image sensor and method of manufacturing the same |
| US7297958B2 (en) | 2001-12-03 | 2007-11-20 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US7627082B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-12-01 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US7634048B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-12-15 | Hitachi Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US7986763B2 (en) | 2001-12-03 | 2011-07-26 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US8116427B2 (en) | 2001-12-03 | 2012-02-14 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
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