JPH08148536A - サンプリングカップおよびその製造方法 - Google Patents
サンプリングカップおよびその製造方法Info
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- JPH08148536A JPH08148536A JP30949594A JP30949594A JPH08148536A JP H08148536 A JPH08148536 A JP H08148536A JP 30949594 A JP30949594 A JP 30949594A JP 30949594 A JP30949594 A JP 30949594A JP H08148536 A JPH08148536 A JP H08148536A
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- sampling cup
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 汚染を容易に除去可能とし、ドライアップ時
にも試料を汚染することがないサンプリングカップおよ
びその製法を提供する。 【構成】 単結晶シリコン製のサンプリングカップに溶
液試料を採取し、加熱濃縮する。回収液で回収した濃縮
試料を原子吸光分析する。加熱濃縮時にカップから金属
等が溶出することがなく、溶出不純物による汚染のない
濃縮試料を分析することができる。試料分析後、試料に
よるカップの汚染を容易に除去することができる。正確
な分析が可能である。サンプリングカップはシリコンウ
ェーハをエッチングして製造する。エッチングには、Ｈ
Ｆ／ＨＮＯ3溶液等を使用する。
にも試料を汚染することがないサンプリングカップおよ
びその製法を提供する。 【構成】 単結晶シリコン製のサンプリングカップに溶
液試料を採取し、加熱濃縮する。回収液で回収した濃縮
試料を原子吸光分析する。加熱濃縮時にカップから金属
等が溶出することがなく、溶出不純物による汚染のない
濃縮試料を分析することができる。試料分析後、試料に
よるカップの汚染を容易に除去することができる。正確
な分析が可能である。サンプリングカップはシリコンウ
ェーハをエッチングして製造する。エッチングには、Ｈ
Ｆ／ＨＮＯ3溶液等を使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばシリコンウェー
ハの表面またはシリコン単結晶中の不純物の分析に使用
するサンプリングカップおよびその製造方法に関する。
ハの表面またはシリコン単結晶中の不純物の分析に使用
するサンプリングカップおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハの表面等の微量不純物
の分析は、試料採取後、加熱濃縮する手法が採られてい
る。この加熱濃縮後の試料は回収液により回収され、例
えば原子吸光分析（ＡＡＳ）により分析に供される。こ
の試料採取に使用されるサンプリングカップとしては、
従来より、例えばテフロン（登録商標）製のサンプリン
グカップが使用されている。
の分析は、試料採取後、加熱濃縮する手法が採られてい
る。この加熱濃縮後の試料は回収液により回収され、例
えば原子吸光分析（ＡＡＳ）により分析に供される。こ
の試料採取に使用されるサンプリングカップとしては、
従来より、例えばテフロン（登録商標）製のサンプリン
グカップが使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなテフロン製のサンプリングカップは、カップの汚
染を除去し難く、この汚染が測定時のバックグラウンド
ノイズの原因となっていた。また、試料をドライアッ
プ（加熱濃縮）した場合、テフロン製の容器から溶出し
た不純物（金属）によって試料が汚染されていた。
うなテフロン製のサンプリングカップは、カップの汚
染を除去し難く、この汚染が測定時のバックグラウンド
ノイズの原因となっていた。また、試料をドライアッ
プ（加熱濃縮）した場合、テフロン製の容器から溶出し
た不純物（金属）によって試料が汚染されていた。
【０００４】そこで、本発明は、サンプリングカップの
汚染を容易に除去可能とするとともに、ドライアップ時
にもカップから金属等が溶出せず、試料を汚染すること
がないサンプリングカップおよびその製法を提供するこ
とを、その目的としている。
汚染を容易に除去可能とするとともに、ドライアップ時
にもカップから金属等が溶出せず、試料を汚染すること
がないサンプリングカップおよびその製法を提供するこ
とを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
は、収容した溶液試料を加熱濃縮することができるサン
プリングカップであって、このサンプリングカップを単
結晶シリコン製としたサンプリングカップである。
は、収容した溶液試料を加熱濃縮することができるサン
プリングカップであって、このサンプリングカップを単
結晶シリコン製としたサンプリングカップである。
【０００６】請求項２に記載した発明は、単結晶シリコ
ンからなる基体を準備する工程と、この基体の表面をエ
ッチングして試料収容用の凹部を形成する工程とを含む
サンプリングカップの製造方法である。
ンからなる基体を準備する工程と、この基体の表面をエ
ッチングして試料収容用の凹部を形成する工程とを含む
サンプリングカップの製造方法である。
【０００７】
【作用】本発明にあっては、単結晶シリコン製のサンプ
リングカップに溶液試料を採取し、これを加熱濃縮す
る。回収液で回収したこの濃縮試料を例えば原子吸光分
析する。加熱濃縮時にカップから金属等が溶出すること
がなく、溶出不純物による汚染のない濃縮試料を分析す
ることができる。また、試料分析後、試料によるカップ
の汚染を容易に除去することが可能である。本発明に係
るサンプリングカップを用いると、カップによる試料の
汚染がなく、正確な分析が可能である。
リングカップに溶液試料を採取し、これを加熱濃縮す
る。回収液で回収したこの濃縮試料を例えば原子吸光分
析する。加熱濃縮時にカップから金属等が溶出すること
がなく、溶出不純物による汚染のない濃縮試料を分析す
ることができる。また、試料分析後、試料によるカップ
の汚染を容易に除去することが可能である。本発明に係
るサンプリングカップを用いると、カップによる試料の
汚染がなく、正確な分析が可能である。
【０００８】また、本発明に係るサンプリングカップは
単結晶シリコン基体（例えばシリコンウェーハ）をエッ
チングすることにより、容易に製造することができる。
シリコンのエッチングは、例えばＨＦ／ＨＮＯ3溶液等
を使用して行う。
単結晶シリコン基体（例えばシリコンウェーハ）をエッ
チングすることにより、容易に製造することができる。
シリコンのエッチングは、例えばＨＦ／ＨＮＯ3溶液等
を使用して行う。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１およ
び図２は本発明の一実施例に係るサンプリングカップを
示す図である。図３はこのサンプリングカップを用いて
試料溶液のドライアップを行った場合の試料の汚染を比
較するための工程の流れを示す図である。
び図２は本発明の一実施例に係るサンプリングカップを
示す図である。図３はこのサンプリングカップを用いて
試料溶液のドライアップを行った場合の試料の汚染を比
較するための工程の流れを示す図である。
【００１０】図１および図２に示すように、このサンプ
リングカップ１１は円板状の単結晶シリコンにより構成
されている。すなわち、単結晶シリコン製の円板１２の
表面に９個の円穴（凹部）１３を図示のように配設、形
成したものである。円板１２の直径Ｄを例えば２００ｍ
ｍとした場合、１個の円穴１３の直径ｄは２０ｍｍ、深
さｔは１５ｍｍ程度（円板１２の厚さの略１／２）に形
成してある。
リングカップ１１は円板状の単結晶シリコンにより構成
されている。すなわち、単結晶シリコン製の円板１２の
表面に９個の円穴（凹部）１３を図示のように配設、形
成したものである。円板１２の直径Ｄを例えば２００ｍ
ｍとした場合、１個の円穴１３の直径ｄは２０ｍｍ、深
さｔは１５ｍｍ程度（円板１２の厚さの略１／２）に形
成してある。
【００１１】このサンプリングカップ１１は９個の円穴
１３がそれぞれ試料溶液の収容のための凹部として使用
される、マルチビーカとして構成されている。したがっ
て、各円穴１３に試料溶液が注入、収容され、ビーカ全
体として例えば加熱濃縮等されることとなる。
１３がそれぞれ試料溶液の収容のための凹部として使用
される、マルチビーカとして構成されている。したがっ
て、各円穴１３に試料溶液が注入、収容され、ビーカ全
体として例えば加熱濃縮等されることとなる。
【００１２】このマルチビーカ１１の製造は、例えばＣ
Ｚ法による高純度単結晶シリコン棒を所定の厚さにスラ
イスして単結晶シリコン製の円板１２をまず作製する。
次に、この円板１２の表面を選択的にエッチングして９
個の円穴１３を形成する。例えばレジスト等をマスクと
してＨＦ／ＨＮＯ3溶液で所定のエッチングを行う。な
お、ＣＺ単結晶棒の純度は、その単結晶棒から各種デバ
イス形成用のシリコンウェーハを作製することができる
程度としている。
Ｚ法による高純度単結晶シリコン棒を所定の厚さにスラ
イスして単結晶シリコン製の円板１２をまず作製する。
次に、この円板１２の表面を選択的にエッチングして９
個の円穴１３を形成する。例えばレジスト等をマスクと
してＨＦ／ＨＮＯ3溶液で所定のエッチングを行う。な
お、ＣＺ単結晶棒の純度は、その単結晶棒から各種デバ
イス形成用のシリコンウェーハを作製することができる
程度としている。
【００１３】そして、このサンプリングカップ１１を使
用する場合、試料溶液を例えばＨＦ洗浄によりその表面
酸化膜とともに除去することで、酸化膜中の不純物を完
全に除去することができる。すなわち、サンプリングカ
ップ１１の洗浄を高清浄度を保って、かつ、容易に行う
ことができる。
用する場合、試料溶液を例えばＨＦ洗浄によりその表面
酸化膜とともに除去することで、酸化膜中の不純物を完
全に除去することができる。すなわち、サンプリングカ
ップ１１の洗浄を高清浄度を保って、かつ、容易に行う
ことができる。
【００１４】図３は従来のテフロンビーカを使用して試
料溶液の加熱濃縮を行った場合と、本発明に係るマルチ
ビーカを使用した場合とのその容器の汚染度の比較を行
う工程を説明するものである。容器汚染度の比較は、ま
ず、ブランク値の測定を行い、次に、ＨＮＯ3（６８
％）を１ｍｌから１００μｌへの加熱濃縮を行った場合
を測定した。すなわち、図３に示すように、テフロンビ
ーカとマルチビーカとをヒータの上に載置し、加熱濃縮
する。この後、これらのビーカに純水１００μｌを添加
して濃縮試料を溶液として回収する。この回収液を原子
吸光分析（ＡＡＳ）により分析した。この分析結果を表
１に示す。
料溶液の加熱濃縮を行った場合と、本発明に係るマルチ
ビーカを使用した場合とのその容器の汚染度の比較を行
う工程を説明するものである。容器汚染度の比較は、ま
ず、ブランク値の測定を行い、次に、ＨＮＯ3（６８
％）を１ｍｌから１００μｌへの加熱濃縮を行った場合
を測定した。すなわち、図３に示すように、テフロンビ
ーカとマルチビーカとをヒータの上に載置し、加熱濃縮
する。この後、これらのビーカに純水１００μｌを添加
して濃縮試料を溶液として回収する。この回収液を原子
吸光分析（ＡＡＳ）により分析した。この分析結果を表
１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】具体的には、テフロンビーカ１，２および
マルチビーカ１，２の各々に純水を注入してＡＡＳ分析
を行い、測定値をブランク値とする。次に、各ビーカに
ＨＮＯ3（６８％）を１ｍｌ注入して、加熱を行い、全
ての溶液を蒸発、乾固させる。この後、２％の希ＨＦ溶
液を１００μｌだけ各ビーカに注入して、ドライアップ
時に溶出した不純物の回収を行う。この回収液をＡＡＳ
分析する。
マルチビーカ１，２の各々に純水を注入してＡＡＳ分析
を行い、測定値をブランク値とする。次に、各ビーカに
ＨＮＯ3（６８％）を１ｍｌ注入して、加熱を行い、全
ての溶液を蒸発、乾固させる。この後、２％の希ＨＦ溶
液を１００μｌだけ各ビーカに注入して、ドライアップ
時に溶出した不純物の回収を行う。この回収液をＡＡＳ
分析する。
【００１７】以上の結果、本発明によれば１ｍｌ→１０
０μｌのドライアップにより１桁程度の検出下限の向上
を期待することができる。また、従来のテフロンビーカ
ではドライアップ時のテフロンビーカからの不純物（金
属等）の溶出により試料が汚染されていることが明かで
ある。
０μｌのドライアップにより１桁程度の検出下限の向上
を期待することができる。また、従来のテフロンビーカ
ではドライアップ時のテフロンビーカからの不純物（金
属等）の溶出により試料が汚染されていることが明かで
ある。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、ヒートアップによるカ
ップからの不純物の溶出がなく、試料の汚染を完全に防
ぐことができる。また、カップを容易に洗浄することが
でき、カップを清浄に保持することができる。汚染がカ
ップに蓄積することはない。したがって、不純物分析に
おけるバックグラウンドノイズを低減することができ、
正確な分析を行うことができる。また、シリコン製カッ
プはテフロン（フッソ樹脂）製のものに比べて熱容量が
小さいため、加熱、冷却を素早く行うことができる。さ
らに、これはテフロン製ビーカと同様に、耐熱性、耐酸
性に優れている。
ップからの不純物の溶出がなく、試料の汚染を完全に防
ぐことができる。また、カップを容易に洗浄することが
でき、カップを清浄に保持することができる。汚染がカ
ップに蓄積することはない。したがって、不純物分析に
おけるバックグラウンドノイズを低減することができ、
正確な分析を行うことができる。また、シリコン製カッ
プはテフロン（フッソ樹脂）製のものに比べて熱容量が
小さいため、加熱、冷却を素早く行うことができる。さ
らに、これはテフロン製ビーカと同様に、耐熱性、耐酸
性に優れている。
【図１】本発明の一実施例に係るサンプリングカップを
示すその平面図である。
示すその平面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るサンプリングカップの
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係るサンプリングカップの
汚染比較工程を説明するための流れ図である。
汚染比較工程を説明するための流れ図である。
１１ サンプリングカップ（マルチビーカ） １２ 単結晶シリコン製の円板 １３ 円穴（試料溶液収容用の凹部）
Claims (2)
- 【請求項１】 収容した溶液試料を加熱濃縮することが
できるサンプリングカップであって、このサンプリング
カップを単結晶シリコン製としたサンプリングカップ。 - 【請求項２】 単結晶シリコンからなる基体を準備する
工程と、この基体の表面をエッチングして試料収容用の
凹部を形成する工程とを含むサンプリングカップの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30949594A JP3292355B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | サンプリングカップおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30949594A JP3292355B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | サンプリングカップおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148536A true JPH08148536A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3292355B2 JP3292355B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=17993684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30949594A Expired - Fee Related JP3292355B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | サンプリングカップおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3292355B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007142058A1 (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Limited | 石英部材の分析方法 |
| JP2011257436A (ja) * | 2011-10-04 | 2011-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 石英部材 |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP30949594A patent/JP3292355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007142058A1 (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Limited | 石英部材の分析方法 |
| JP2007322333A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 石英部材の分析方法 |
| US8268185B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method for analyzing quartz member |
| JP2011257436A (ja) * | 2011-10-04 | 2011-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 石英部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3292355B2 (ja) | 2002-06-17 |
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