JPH08139188A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不純物拡散層へのコンタクト形成において、
精度の高い製品が得られるように改良された半導体装置
を得ることを主要な特徴とする。 【構成】 半導体基板１０１の表面に形成された不純物
拡散層１０２を覆うように、第１のシリコン酸化膜１０
４が形成される。第１のシリコン酸化膜１０４中に設け
られた第１のコンタクトホール１０５を通って、不純物
拡散層１０５に接触するように、チタンポリサイド配線
層１１０が設けられる。第２のシリコン酸化膜１１３中
に、チタンポリサイド配線層１１０の表面を露出させる
第４のコンタクトホール１１５が設けられている。第４
のコンタクトホール１１５を通って、チタンポリサイド
配線層１１０に、導電性膜１１９が接触している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は一般に半導体装置に関
するものであり、より特定的には、不純物拡散層へのコ
ンタクト形成において、精度の高い製品が得られるよう
に改良された半導体装置に関する。この発明は、さらに
そのような半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１３は、従来の半導体装置の断面図で
ある。半導体基板１の表面中にフィールド酸化膜１ａが
設けられている。半導体基板１の活性領域には、Ｎ型不
純物領域２とＰ型不純物領域３が、電気的に離されて形
成されている。フィールド酸化膜１ａ、Ｎ型不純物領域
２、およびＰ型不純物領域３に接触するように、半導体
基板１の上に第１のシリコン酸化膜４が形成されてい
る。第１のシリコン酸化膜４の上であって、フィールド
酸化膜１ａの上方に、ポリシリコン５および珪化チタン
（ＴｉＳｉ₂ ）６よりなるチタンポリサイド配線層７が
設けられる。チタンポリサイド配線層７は、所望の形状
にパターニングされている。チタンポリサイド配線層７
を覆うように、第１のシリコン酸化膜４の上に、第２の
シリコン酸化膜８が形成されている。第１のシリコン酸
化膜４と第２のシリコン酸化膜８中を貫通するように、
Ｎ型不純物領域２の表面を露出させるためのコンタクト
ホール９が形成されている。第１のシリコン酸化膜４お
よび第２のシリコン酸化膜８を貫通するように、Ｐ型不
純物領域３の表面を露出させるためのコンタクトホール
１０が設けられている。さらに、第２のシリコン酸化膜
８中には、チタンポリサイド配線層７の表面の一部を露
出させるための第３のコンタクトホール１１が形成され
ている。第１のコンタクトホール９を通って、Ｎ型不純
物領域２に接続されるように、第２のシリコン酸化膜８
の上に、チタンおよび窒化チタン１２およびアルミニウ
ム合金１３からなる導電性膜１４が設けられている。第
２のコンタクトホール１０を通って、Ｐ型不純物領域３
に接続されるように第２のシリコン酸化膜８の上に、チ
タンおよび窒化チタン１２およびアルミニウム合金１３
からなる導電性膜１４が設けられている。第３のコンタ
クトホール１１を通って、チタンポリサイド配線層７に
接続されるように、第２のシリコン酸化膜８の上にチタ
ンおよび窒化チタン１２およびアルミニウム合金１３か
らなる導電性膜１４が設けられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法においては、図１３を参照して、第１のコンタク
トホール９、第２のコンタクトホール１０および第３の
コンタクトホール１１を第１のシリコン酸化膜４および
第２のシリコン酸化膜８中に形成した後、第１のコンタ
クトホール９および第２のコンタクトホール１０の底面
に付着した自然酸化膜を除去するために、沸酸溶液で、
半導体基板１の表面全面を処理していた。この沸酸溶液
の処理は、たとえば沸酸（ＨＦ）の溶液を用いて、３０
秒の処理時間で行なわれる。このとき、沸酸処理を施す
と、第３のコンタクトホール１１によって露出する珪化
チタン６が沸酸溶液に溶解してしまう。これによって、
第３のコンタクトホール１１の下部において、珪化チタ
ン６が横方向に浸食され、その結果、導電性膜１４を形
成する場合に、空洞が生じ、導電性膜１４とチタンポリ
サイド配線層７との電気的接続の信頼性が低下するとい
う問題点があった。

【０００４】また、自然酸化膜を除去する他の方法とし
て、Ａｒガスを用いたスパッタエッチング法が知られて
いる。しかし、この方法では、チタンポリサイド配線層
７と導電性膜１４とのコンタクトは良好になるが、不純
物拡散層（２，３）の上では、スパッタエッチングのダ
メージによるｐ−ｎ接合が問題となり、導電性膜１４と
不純物拡散層（２，３）とのコンタクトを良好に形成で
きなかった。

【０００５】いずれの方法によっても、従来の構造を有
する半導体装置では、チタンポリサイド配線層７上およ
び不純物拡散層２，３上に、同時に良好なコンタクトを
形成することができないという問題点があった。

【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、スパッタエッチングにより自然
酸化膜を除去し、良好なＡｌコンタクトを形成できるよ
うに改良された半導体装置を提供することにある。

【０００７】この発明の他の目的は、そのような半導体
装置の製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
従った半導体装置は、半導体基板を備える。上記半導体
基板の主表面中に不純物拡散層が設けられている。上記
不純物拡散層を覆うように上記半導体基板の上に第１の
シリコン酸化膜が設けられている。上記第１のシリコン
酸化膜中に、上記不純物拡散層の表面を露出させるため
の第１のコンタクトホールが設けられている。上記第１
のコンタクトホールを通って上記不純物拡散層に接触す
るように、上記第１のシリコン酸化膜の上にチタンポリ
サイド配線層が設けられている。上記チタンポリサイド
配線層を覆うように上記半導体基板の上に第２のシリコ
ン酸化膜が設けられている。上記第２のシリコン酸化膜
中に、上記チタンポリサイド配線層の表面を露出させる
第２のコンタクトホールが設けられている。上記第２の
コンタクトホールを通って上記チタンポリサイド配線層
に接触するように前記半導体基板の上に導電性膜が設け
られている。

【０００９】この発明の第２の局面に従った半導体装置
は、半導体基板を備える。上記半導体基板の主表面中
に、不純物拡散層が設けられている。上記不純物拡散層
を覆うように上記半導体基板の上に設けられた第１のシ
リコン酸化膜が設けられている。上記第１のシリコン酸
化膜中に、上記不純物拡散層の表面を露出させるための
第１のコンタクトホールが設けられている。上記第１の
コンタクトホールを通って上記不純物拡散層に接触する
ように、上記第１のシリコン酸化膜の上にポリシリコン
パッドが設けられている。上記ポリシリコンパッドを覆
うように上記半導体基板の上に第２のシリコン酸化膜が
設けられている。上記第２のシリコン酸化膜中に、上記
ポリシリコンパッドの表面を露出させるための第２のコ
ンタクトホールが設けられている。上記第２のコンタク
トホールを通って上記ポリシリコンパッドに接触するよ
うに上記半導体基板の上に導電性膜が設けられている。

【００１０】この発明の第３の局面に従った半導体装置
の製造方法においては、まず半導体基板の表面中に不純
物拡散層を形成する。上記不純物拡散層を覆うように上
記半導体基板の上に第１のシリコン酸化膜を形成する。
上記第１のシリコン酸化膜中に上記不純物拡散層の表面
を露出させるための第１のコンタクトホールを形成す
る。上記第１のコンタクトホールを通って、上記不純物
拡散層に接続されるように上記第１のシリコン酸化膜の
上にチタンポリサイド配線層を形成する。上記チタンポ
リサイド配線層を覆うように上記第１の酸化膜の上に第
２の酸化膜を形成する。上記第２の酸化膜中に上記チタ
ンポリサイド配線層の表面を露出させるための第２のコ
ンタクトホールを形成する。上記チタンポリサイド配線
層の、上記第２のコンタクトホールによって露出した部
分の表面上に存在する自然酸化膜をスパッタエッチング
により除去する。上記第２のコンタクトホールを通って
上記チタンポリサイド配線層に接続される導電性膜を上
記第２のシリコン酸化膜の上に形成する。

【００１１】この発明の第４の局面に従う半導体装置の
製造方法においては、まず半導体基板の表面中に不純物
拡散層を形成する。上記不純物拡散層を覆うように半導
体導体基板の上に第１のシリコン酸化膜を形成する。上
記第１のシリコン酸化膜中に上記不純物拡散層の表面を
露出させるための第１のコンタクトホールを形成する。
上記第１のコンタクトホールを通って上記不純物拡散層
に接続されるように上記第１のシリコン酸化膜の上にポ
リシリコンパッドを形成する。上記ポリシリコンパッド
を覆うように上記第１の酸化膜の上に第２の酸化膜を形
成する。第２の酸化膜中に上記ポリシリコンパッドの表
面を露出させるため第２のコンタクトホールを形成す
る。上記ポリシリコンパッドの、上記第２のコンタクト
ホールにより露出した部分の表面上に存在する自然酸化
膜をスパッタエッチングにより除去する。上記第２のコ
ンタクトホールを通って、上記チタンポリサイド配線層
に接続される導電性膜を上記第２のシリコン酸化膜の上
に形成する。

【００１２】

【作用】この発明の第１の局面に従う半導体装置および
第３の局面に従う半導体装置の製造方法によれば、不純
物拡散層が、チタンポリサイド配線層で保護されている
ので、チタンポリサイド配線層の表面に付着している自
然酸化膜を、アルゴンガスによるスパッタエッチングに
より除去できる。

【００１３】この発明の第２の局面に従う半導体装置お
よび第４の局面に従う半導体装置の製造方法によれば、
不純物拡散層の表面上に付着している自然酸化膜を、フ
ッ酸処理によって除去できる。したがって、不純物拡散
層と後に形成されるポリシリコンパッドとの電気的接続
は良好となる。また、不純物拡散層はポリシリコンパッ
ドによって保護されているので、ポリシリコンパッドの
表面に付着している自然酸化膜を、スパッタエッチング
により除去できる。

【００１４】

【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。

【００１５】実施例１ 図１は、実施例１に係る半導体装置の断面図である。

【００１６】シリコン等よりなる半導体基板１０１の主
表面中に、フィールド酸化膜１ａが形成されている。半
導体基板１０１の活性領域には、Ｎ型不純物領域１０２
とＰ型不純物領域１０３が、電気的に分離されて形成さ
れている。半導体基板１０１の表面を、第１のシリコン
酸化膜１０４が被覆している。

【００１７】第１のシリコン酸化膜１０４中に、Ｎ型不
純物領域１０２の表面を露出させるための第１のコンタ
クトホール１０５が形成されている。第１のシリコン酸
化膜１０４中に、Ｐ型不純物領域１０３の表面を露出さ
せるための第２のコンタクトホール１０６が形成されて
いる。第１のコンタクトホール１０５と、Ｎ型不純物領
域１０２に接触するように、ポリシリコン１０８および
珪化チタン（ＴｉＳｉ ₂ ）１０９よりなる第１のチタン
ポリサイド配線層１１０が、第１のシリコン酸化膜１０
４の上に設けられている。

【００１８】第２のコンタクトホール１０６を通って、
Ｐ型不純物領域１０３に接触するように、第１のシリコ
ン酸化膜１０４の上に、ポリシリコン１０８および珪化
チタン１０９よりなる第２のチタンポリサイド配線層１
１１が設けられている。

【００１９】第１のシリコン酸化膜１０４の上であっ
て、フィールド酸化膜１ａの上方には、ポリシリコン１
０８および珪化チタン１０９よりなる第３のチタンポリ
サイド配線層１１２が設けられている。第１、第２およ
び第３のチタンポリサイド配線層１１０、１１１、１１
２は、所望の形状にパターニングされている。第１、第
２および第３のチタンポリサイド配線層１１０、１１
１、１１２を被覆するように、第１のシリコン酸化膜１
０４の上に第２のシリコン酸化膜１１３が形成されてい
る。

【００２０】第２のシリコン酸化膜１１３中には、第２
のチタンポリサイド配線層１１２の表面を露出させるた
めの第３のコンタクトホール１１４と、第２のチタンポ
リサイド配線層１１０の表面を露出させるための第４の
コンタクトホール１１５と、第３のチタンポリサイド配
線層１１１の表面を露出させるための第５のコンタクト
ホール１１６が設けられている。

【００２１】第３のコンタクトホール１１４を通って第
３のチタンポリサイド配線層１１２に接続されるよう
に、第２のシリコン酸化膜１１３の上に、チタンおよび
窒化チタン１１７およびアルミニウム合金１１８からな
る導電性膜１１９が設けられている。第４のコンタクト
ホール１１５を通って、第１のチタンポリサイド配線層
１１０に接続されるように、第２のシリコン酸化膜１１
３の上に、チタンおよび窒化チタン１１７およびアルミ
ニウム合金１１８からなる導電性膜１１９が設けられて
いる。第５のコンタクトホール１１６を通って、第２の
チタンポリサイド配線層１１１に接続されるように、チ
タンおよび窒化チタン１１７およびアルミニウム合金１
１８からなる導電性膜１１９が設けられている。

【００２２】次に、図１に示す半導体装置の製造方法に
ついて説明する。図２を参照して、半導体基板１０１の
表面中にフィールド酸化膜１ａを形成する。半導体基板
１０１の活性領域に、Ｎ型不純物領域１０２とＰ型不純
物領域１０３を、酸化膜１ｂにより分離して形成する。
図３を参照して、半導体基板１０１の表面上に、化学気
相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、第１のシリコン酸化
膜１０４を堆積する。

【００２３】図４を参照して、第１のシリコン酸化膜１
０４の表面上に所望の形状にパターニングされたレジス
トパターンを形成し（図示せず）、このレジストパター
ンをマスクにして、第１のシリコン酸化膜をエッチング
し、第１のシリコン酸化膜１０４中に、Ｎ型不純物領域
１０２の表面を露出する第１のコンタクトホール１０５
と、Ｐ型不純物領域１０３の表面を露出する第２のコン
タクトホール１０６を形成する。

【００２４】図５を参照して、第１のコンタクトホール
１０５および第２のコンタクトホール１０６を埋めるよ
うに、半導体基板１０１の上に、ＣＶＤ法等によりポリ
シリコン膜１０８を堆積する。次に、スパッタ法等によ
り、ポリシリコン膜１０８の上に、珪化チタン膜１０９
を堆積する。図５と図６を参照して、ポリシリコン膜１
０８および珪化チタン膜１０９を、フォトリソグラフィ
技術等によりパターニングし、第１のチタンポリサイド
配線層１１０、第２のチタンポリサイド配線層１１１お
よび第３のチタンポリサイド配線層１１２を形成する。

【００２５】図７を参照して、第１のチタンポリサイド
配線層１１０と第３のチタンポリサイド配線層１１２を
覆う、レジストパターン１３０を形成する。レジストパ
ターン１３０をマスクにして、第２のチタンポリサイド
配線層１１１のポリシリコン層１０８の抵抗を減少させ
るための、ボロンなどのＰ型不純物をイオン注入する。
その後、レジストパターン１３０を除去する。

【００２６】図８を参照して、第２のチタンポリサイド
配線層１１１を覆う、レジストパターン１３１をマスク
にして、リンなどのＰ型不純物をイオン注入し、第１お
よび第３のチタンポリサイド配線層１１０，１１２のポ
リシリコン層１０８，１０８の抵抗を減少させる。その
後、レジストパターン１３１を除去する。

【００２７】図９を参照して、第１、第２および第３の
チタンポリサイド配線層１１０，１１１，１１２を被覆
するように、第１のシリコン酸化膜１０４の上に、第２
のシリコン酸化膜１１３をＣＶＤ法等により堆積する。
リソグラフィ法により、第２のシリコン酸化膜１１３中
に、第１のチタンポリサイド配線層１１０の表面を露出
させる第４のコンタクトホール１１５と、第２のチタン
ポリサイド配線層１１１の表面を露出させる第５のコン
タクトホール１１６と、第３のチタンポリサイド配線層
１１２の表面を露出させる第３のコンタクトホール１１
４を、形成する。

【００２８】図９と図１０を参照して、第３、第４およ
び第５のコンタクトホール１１４，１１５，１１６によ
って露出する、第１、第２および第３のチタンポリサイ
ド配線層１１０，１１１，１１２の表面に付着した自然
酸化膜を除去するため、アルゴンガス雰囲気中で、スパ
ッタエッチングを行なう。

【００２９】その後、第３のコンタクトホール１１４を
通じて、第３のチタンポリサイド配線層１１２に接触す
るように、また第４のコンタクトホール１１５を通じて
第１のチタンポリサイド配線層１１０に接触するよう
に、さらに第５のコンタクトホール１１６を通じて第２
のチタンポリサイド配線層１１１に接触するように、第
２のシリコン酸化膜１１３の表面上に、それぞれ、チタ
ンおよび窒化チタン１１７およびアルミニウム合金１１
８からなる導電性膜１１９を形成する。導電性膜１１９
は、第２のシリコン酸化膜１１３の表面全面に設けられ
た、チタンおよび窒化チタン１１７およびアルミニウム
合金１１８からなる導電性膜を、フォトリソグラフィ技
術等によりパターニングすることによって形成される。

【００３０】本実施例に係る方法によれば、Ｎ型不純物
領域１０２およびＰ型不純物領域１０３が、第１のチタ
ンポリサイド配線層１１０または第２のチタンポリサイ
ド配線層１１１で保護されているので、第１、第２およ
び第３のチタンポリサイド配線層１１０，１１１，１１
２の表面に付着している自然酸化膜を、アルゴンガスに
よるスパッタエッチングにより除去できる。沸酸処理に
よって、自然酸化膜を除去する方法ではないので、第
１、第２および第３のチタンポリサイド配線層１１０，
１１１，１１２は浸食されない。

【００３１】その結果、第３のチタンポリサイド配線層
１１２は導電性膜１１９との間で良好に電気的接続す
る。またＮ型不純物領域１０２は、第２のチタンポリサ
イド配線層１１０を間に介在させて、導電性膜１１９と
良好に電気的接続する。同様に、Ｐ型不純物領域１０３
は、第３のチタンポリサイド配線層１１１を介在させ
て、導電性膜１１９と良好に電気的接続する。

【００３２】実施例２ 図１１は、実施例２に係る半導体装置の断面図である。
半導体基板１０１の表面中にフィールド酸化膜１ａが形
成されている。半導体基板１０１の表面中に、Ｎ型不純
物領域１０２とＰ型不純物領域１０３が、電気的に分離
されて形成されている。

【００３３】半導体基板１０１の上に、第１のシリコン
酸化膜１０４が設けられている。第１のシリコン酸化膜
１０４の上であって、フィールド酸化膜１ａの上方に、
ポリシリコン１０８および珪化チタン（ＴｉＳｉ₂ ）１
０９よりなる第４のチタンポリサイド配線層２２０が形
成されている。第４のチタンポリサイド配線層２２０は
所望の形状にパターニングされている。

【００３４】第４のチタンポリサイド配線層２２０を覆
うように、第１のシリコン酸化膜１０４の上に第３のシ
リコン酸化膜２２１が形成されている。第１のシリコン
酸化膜１０４および第３のシリコン酸化膜２２１中に
は、この２層を貫通する、Ｎ型不純物領域１０２および
Ｐ型不純物領域１０３の表面を露出させるための、第６
のコンタクトホール２２２と第７のコンタクトホール２
２３が設けられている。第６のコンタクトホール２２２
を通って、Ｎ型不純物領域１０２に接続されるポリシリ
コンパッド２２４が、第３のシリコン酸化膜２２１の上
に設けられている。また、第７のコンタクトホール２２
３を通って、Ｐ型不純物領域１０３に接続されるポリシ
リコンパッド２２５が、第３のシリコン酸化膜２２１の
上に設けられている。

【００３５】第１および第２のポリシリコンパッド２２
４，２２５を覆うように、第３のシリコン酸化膜２２１
の上に第４のシリコン酸化膜２２６が設けられている。
第４のシリコン酸化膜２２６と第３のシリコン酸化膜２
２１を貫通するように、第４のチタンポリサイド配線層
２２０の表面を露出させるための第８のコンタクトホー
ル２２７が設けられている。また、第４のシリコン酸化
膜２２６中には、ポリシリコンパッド２２４の表面を露
出させるための第９のコンタクトホール２２８が設けら
れている。さらに、第４のシリコン酸化膜２２６中に
は、ポリシリコンパッド２２５の表面を露出させるため
の第１０のコンタクトホール２２９が設けられている。

【００３６】第８のコンタクトホール２２７を通じて、
第４のチタンポリサイド配線層２２０に接続される、チ
タンおよび窒化チタン２３０およびアルミニウム合金２
３１からなる導電性膜２３２が第４のシリコン酸化膜２
２６の上に設けられている。また、第９のコンタクトホ
ール２２８を通じて、第１のポリシリコンパッド２２４
に接続される、チタンおよび窒化チタン２３０およびア
ルミニウム合金２３１からなる導電性膜２３２が設けら
れている。さらに、第１０のコンタクトホール２２９を
通じて、第２のポリシリコンパッド２２５の表面に接続
される、チタンおよび窒化チタン２３０およびアルミニ
ウム合金２３１からなる導電性膜２３２が設けられてい
る。

【００３７】なお第１のポリシリコンパッド２２４に
は、Ｎ型不純物が注入され、第２のポリシリコンパッド
２２５にはＰ型の不純物が注入され、それぞれ導電化さ
れている。

【００３８】また、第４のチタンポリサイド配線層２２
０の下層膜であるポリシリコン１０８には、Ｎ型または
Ｐ型不純物がドーピングされていてもよい。

【００３９】実施例２に係る構造を有する半導体装置に
よると、Ｎ型不純物拡散領域１０２およびＰ型不純物拡
散領域１０３の表面上に付着している自然酸化膜を、沸
酸処理によって除去できる。したがって、Ｎ型不純物拡
散領域１０２と第１のポリシリコンパッド２２４との電
気的接続は良好となり、Ｐ型不純物拡散領域１０３と第
２のポリシリコンパッド２２５との電気的接続は良好と
なる。

【００４０】また、Ｎ型不純物拡散領域１０２は、第１
のポリシリコンパッド２２４に保護され、かつＰ型不純
物拡散領域１０３は、第２のポリシリコンパッド２２５
で保護されているので、チタンポリサイド配線層２２
０、第１のポリシリコンパッド２２４および第２のポリ
シリコンパッド２２５の表面に付着している自然酸化膜
を、スパッタエッチングにより除去できる。その結果、
Ｎ型不純物拡散領域１０２およびＰ型不純物拡散領域１
０３にダメージは与えられない。

【００４１】実施例３ 図１２は、実施例３に係る半導体装置の断面図である。

【００４２】実施例３に係る半導体装置は、以下の点を
除いて、実施例１に係る半導体装置と同様であるので、
同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、そ
の説明を繰返さない。

【００４３】実施例１では、図１を参照して、導電性膜
１１９を、チタンおよび窒化チタン１１７とアルミニウ
ム合金１１８から形成したが、本実施例では、図１２を
参照して、導電性膜１３１を、窒化チタン１３０とアル
ミニウム合金１１８から形成している点である。本実施
例に係る装置によると、第１、第２および第３のチタン
ポリサイド配線層１１０，１１１，１１２の表面に付着
した自然酸化膜を除去するために、まず、アルゴンガス
雰囲気中で、スパッタエッチングを行なう。その後、大
気解放せずに、窒化チタン１３０を堆積する。大気解放
しないために、珪化チタン膜１０９の表面に酸化膜はで
きない。その結果、酸化膜を還元するためのチタンが必
要ない。

【００４４】なお、この窒化チタン膜のみでコンタクト
を形成するという方法は、実施例２に係る装置を製造す
る場合においても適用できる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の第１の
局面に従う半導体装置および第３の局面に従う半導体装
置の製造方法によれば、不純物拡散層がチタンポリサイ
ド配線層で保護されているので、チタンポリサイド配線
層の表面に付着している自然酸化膜を、アルゴンガスに
よるスパッタエッチングにより除去できる。フッ酸によ
って、自然酸化膜を除去する方法でないので、チタンポ
リサイド配線層は浸食されない。その結果、チタンポリ
サイド配線層は、その上に形成される導電性膜と良好に
電気的接続される。

【００４６】この発明の第２の局面に従う半導体装置お
よび第４の局面に従う半導体装置の製造方法によれば、
不純物拡散層の表面上に付着している自然酸化膜を、フ
ッ酸処理によって除去できる。したがって、不純物拡散
層と、その後に形成されるポリシリコンパッドとの電気
的接続は良好となり、不純物拡散層とポリシリコンパッ
ドとの電気的接続は良好となる。また、不純物拡散層が
ポリシリコンパッドで保護されているので、ポリシリコ
ンパッドの表面に付着している自然酸化膜を、スパッタ
エッチングにより除去できる。その結果、不純物拡散層
にダメージは与えられない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１に係る半導体装置の断面図である。

【図２】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第１
の工程における断面図である。

【図３】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第２
の工程における半導体装置の断面図である。

【図４】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第３
の工程における半導体装置の断面図である。

【図５】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第４
の工程における半導体装置の断面図である。

【図６】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第５
の工程における半導体装置の断面図である。

【図７】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第６
の工程における半導体装置の断面図である。

【図８】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第７
の工程における半導体装置の断面図である。

【図９】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第８
の工程における半導体装置の断面図である。

【図１０】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の第
９の工程における半導体装置の断面図である。

【図１１】 実施例２に係る半導体装置の断面図であ
る。

【図１２】 実施例３に係る半導体装置の断面図であ
る。

【図１３】 従来の半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１０１ 半導体基板、１０２ Ｎ型不純物領域、１０４
第１のシリコン酸化膜、１０５ 第１のコンタクトホ
ール、１１０ チタンポリサイド配線層、１１５ 第４
のコンタクトホール、１１９ 導電性膜。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板の主表面中に設けられた不純物拡散層
   と、 前記不純物拡散層を覆うように前記半導体基板の上に設
   けられた第１のシリコン酸化膜と、 前記第１のシリコン酸化膜中に設けられ、前記不純物拡
   散層の表面を露出させるための第１のコンタクトホール
   と、 前記第１のコンタクトホールを通って、前記不純物拡散
   層に接触するように、前記第１のシリコン酸化膜の上に
   設けられたチタンポリサイド配線層と、 前記チタンポリサイド配線層を覆うように前記半導体基
   板の上に設けられた第２のシリコン酸化膜と、 前記第２のシリコン酸化膜中に設けられ、前記チタンポ
   リサイド配線層の表面を露出させる第２のコンタクトホ
   ールと、 前記第２のコンタクトホールを通って、前記チタンポリ
   サイド配線層に接触するように前記半導体基板の上に設
   けられた導電性膜と、 を備えた半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体基板と、 前記半導体基板の主表面中に設けられた不純物拡散層
   と、 前記不純物拡散層を覆うように前記半導体基板の上に設
   けられた第１のシリコン酸化膜と、 前記第１のシリコン酸化膜中に設けられ、前記不純物拡
   散層の表面を露出させるための第１のコンタクトホール
   と、 前記第１のコンタクトホールを通って前記不純物拡散層
   に接触するように、前記第１のシリコン酸化膜の上に設
   けられたポリシリコンパッドと、 前記ポリシリコンパッドを覆うように前記半導体基板の
   上に設けられた第２のシリコン酸化膜と、 前記第２のシリコン酸化膜中に設けられ、前記ポリシリ
   コンパッドの表面を露出させる第２のコンタクトホール
   と、 前記第２のコンタクトホールを通って前記ポリシリコン
   パッドに接触するように前記半導体基板の上に設けられ
   た導電性膜と、 を備えた半導体装置。
3. 【請求項３】 前記導電性膜は窒化チタンのみで形成さ
   れる、請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 半導体基板の表面中に不純物拡散層を形
   成する工程と、 前記不純物拡散層を覆うように前記半導体基板の上に第
   １のシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記第１のシリコン酸化膜中に前記不純物拡散層の表面
   を露出させるための第１のコンタクトホールを形成する
   工程と、 前記第１のコンタクトホールを通って、前記不純物拡散
   層に接続されるように前記第１のシリコン酸化膜の上に
   チタンポリサイド配線層を形成する工程と、 前記チタンポリサイド配線層を覆うように、前記第１の
   酸化膜の上に第２の酸化膜を形成する工程と、 前記第２の酸化膜中に前記チタンポリサイド配線層の表
   面を露出させるための第２のコンタクトホールを形成す
   る工程と、 前記チタンポリサイド配線層の、前記第２のコンタクト
   ホールによって露出した部分の表面上に存在する自然酸
   化膜をスパッタエッチングにより除去する工程と、 前記第２のコンタクトホールを通って、前記チタンポリ
   サイド配線層に接続される導電性膜を前記第２のシリコ
   ン酸化膜の上に備える半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 半導体基板の表面中に不純物拡散層を形
   成する工程と、 前記不純物拡散層を覆うように前記半導体基板の上に第
   １のシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記第１のシリコン酸化膜中に前記不純物拡散層の表面
   を露出させるための第１のコンタクトホールを形成する
   工程と、 前記第１のコンタクトホールを通って前記不純物拡散層
   に接続されるように前記第１のシリコン酸化膜の上にポ
   リシリコンパッドを形成する工程と、 前記ポリシリコンパッドを覆うように前記第１の酸化膜
   の上に第２の酸化膜を形成する工程と、 前記第２の酸化膜中に前記ポリシリコンパッドの表面を
   露出させるため第２のコンタクトホールを形成する工程
   と、 前記ポリシリコンパッドの、前記第２のコンタクトホー
   ルにより露出した部分の表面上に存在する自然酸化膜を
   スパッタエッチングにより除去する工程と、 前記第２のコンタクトホールを通って前記チタンポリサ
   イド配線層に接続される導電性膜を前記第２のシリコン
   酸化膜の上に形成する工程と、 を備えた半導体装置の製造方法。