JPH08130463A - 三値論理入力回路 - Google Patents

三値論理入力回路

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JPH08130463A
JPH08130463A JP6265566A JP26556694A JPH08130463A JP H08130463 A JPH08130463 A JP H08130463A JP 6265566 A JP6265566 A JP 6265566A JP 26556694 A JP26556694 A JP 26556694A JP H08130463 A JPH08130463 A JP H08130463A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】トライステートタイプの出力バッファと他の回
路に影響を与えることなく接続でき、さらに単電源で使
用でき、非動作時の消費電流を実質的に無くする三値論
理入力回路を提供する。 【構成】入力を固定するスイッチと、出力状態を保持す
るラッチ回路とを備え、これらのスイッチとラッチ回路
を時間差を付けて制御することにより、非動作時の消費
電流を実質的に無くする。また、入力を固定するスイッ
チを備えたことにより、消費電流について他の回路に影
響を与えることなくトライステートタイプの出力バッフ
ァと直接接続でき、また、単電源で使用できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は三値論理入力回路に関
し、特に三値論理入力回路における消費電流を低減した
三値論理入力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図5を参照すると、第1の従来の三値論
理回路は、しきい値が異なる2つのバッファ6およびバ
ッファ7を有し、さらに、入力端子3の入力電圧がハイ
ーインピーダンスであってもバッファ6およびバッファ
7の入力が不定にならないようにするためのプルアップ
抵抗R1とプルダウン抵抗2とを有している。
【0003】また、図6を参照すると、第2の従来の三
値論理回路は、ミラー比を所定値に調整したP−ch
MOSカレントミラー回路12およびカレントミラー回
路12と同様にミラー比を所望値に調整したN−ch
MOSカレントミラー回路13を有し、さらに電流制限
用の抵抗R1,R2を有している。
【0004】また、この種の技術は、例えば特開昭61
−181220号公報に開示されている。
【0005】図7を参照すると、この第3の従来の三値
論理回路は、正電源22と負電源23との間に入力部イ
ンバータ21に直列にスイッチング用P−ch MOS
トランジスタP4を接続する構成で、出力レベル保持の
ための論理回路を有している。
【0006】次に動作について説明する。
【0007】図5に示す第1の従来の三値論理回路は、
2つのバッファ6およびバッファ7の論理しきい値VT
1およびVT2が、それぞれ異なるためプルアップ抵抗
R1、プルダウン抵抗R2の抵抗値を適切に設定する
と、出力端子4および出力端子5の出力電圧は、入力端
子3の入力電圧が高電位VDDの場合は双方とも高電位
VDDとなり、入力端子3の入力電圧が高電位VDDと
接地電位VND間の中間電位またはハイーインピーダン
スの場合は、一方の出力端子が高電位VDD、他方の出
力端子が接地電位GNDとなり、入力端子3の入力電圧
が接地電位GNDの場合は双方とも接地電位GNDとな
る。以上の結果より入力端子3に印加される入力電圧に
より3通りの出力電圧の組み合せを出力出来る。
【0008】図6の第2の従来例はP−ch MOSト
ランジスタ(P1,P2,P3)およびN−ch MO
Sトランジスタ(N1,N2,N3)のそれぞれの電流
駆動能力をP−ch MOSトランジスタP1とN−c
h MOSトランジスタN1とを等しく設定し、P−c
h MOSトランジスタP2、P−ch MOSトラン
ジスタP1、P−ch MOSトランジスタP3の順に
設定し、さらにN−ch MOSトランジスタをトラン
ジスタN3,トランジスタN1,トランジスタN2の順
に設定すると、出力端子4、出力端子5の出力電圧は、
入力端子3の入力電圧が高電位VDDの場合は双方とも
高電位VDDとなり、入力端子3の入力電圧が高電位V
DDと接地電位GND間の中間電位またはハイーインピ
ーダンスの場合は出力端子5がVDD、出力端子4がG
NDとなり、入力端子3の入力電圧がGNDの場合は双
方ともGNDとなる。以上の結果より入力端子3に印加
される入力電圧により3通りの出力電圧を出力出来る。
【0009】図7の第3の従来例は、入力部インバータ
21とNORゲート18、インバータ19、ANDゲー
ト20からなる論理回路により出力端子4、出力端子5
の出力電圧は、入力端子3の入力電圧が高電位VDDの
場合は出力端子4が接地電位GND、出力端子5が高電
位VDDを出力し、入力端子3の入力電圧が接地電位G
NDの場合は双方とも高電位を出力し、入力端子3の入
力電圧が低電位(−VDD)の場合は出力端子4が高電
位VDD、出力端子5が接地電位GNDを出力する。以
上の結果より、入力端子3に印加される入力電圧により
3通りの出力電圧を出力することが出来る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図5に
示す第1の従来の三値論理入力回路は、入力端子3の入
力電圧が高電位VDDと接地電位GND間の中間電位も
しくは、ハイーインピーダンスの場合、バッファ6およ
びバッファ7のそれぞれの入力電圧は、入力端子3に印
加された中間電位または、プルアップ抵抗R1,プルダ
ウン抵抗R2により高電位VDDと接地電位GND間の
電圧を分圧した電圧が加わる。
【0011】通常、プルアップ抵抗R1とプルダウン抵
抗R2の抵抗値は等しい値にするため、バッファ6およ
びバッファ7の入力電圧は、どちらの場合でも高電位V
DDと接地電位GND間の中間電圧となり、そのためバ
ッファ6およびバッファ7に貫通電流が発生し、消費電
流が増えるという問題点があった。
【0012】また、常時プルアップ抵抗R1およびプル
ダウン抵抗R2のそれぞれを通して電流が流れ、この点
からも消費電流が増えるという問題点があった。
【0013】さらに、第2の従来の三値論理入力回路
は、入力端子3の入力電圧が高電位VDDと接地電位G
ND間の中間電位もしくは、ハイーインピーダンスの場
合、P−ch MOSトランジスタP1とN−ch M
OSトランジスタN1とが同時にオンする。そのため、
トランジスタP1→抵抗R1→抵抗R2→トランジスタ
N1の経路で貫通電流が発生し、かつP−ch MOS
カレントミラー回路12およびN−ch MOSカレン
トミラー回路13により、この貫通電流がさらに増幅さ
れ消費電流が増えるという問題点があった。
【0014】また、入力端子3の入力電圧が高電位VD
Dのときも、入力端子3→抵抗R2→トランジスタN1
の経路で電流が流れ、入力端子3の入力電圧が接地電位
GNDのときも、トランジスタP1→抵抗R1→入力端
子3の経路で電流が流れ、この点からも消費電流が増え
るという問題点もあった。
【0015】またさらに、第3の従来の三値論理回路
は、動作中に貫通電流は発生しないが、入力端子3の入
力電圧がハイーインピーダンスの場合、入力部インバー
タ21とNORゲート18の入力電圧が不定となるた
め、常に入力端子3に所定の電圧を印加しなければなら
ない。そのためトライステートタイプの出力バッファか
ら直接信号を受け取ることが不可能であった。
【0016】さらに、単電源で使用する場合、高電位V
DDと接地電位GNDの中点電位を安定して出力できる
出力バッファを必要とし、この出力バッファでの消費電
流が増加してしまう問題点があった。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の三値論理入力回
路は、高電位レベル、低電位レベルおよび前記高電位レ
ベルと前記低電位レベルとの中間電位レベルのそれぞれ
の入力信号を受ける入力端子と、異るしきい値を有し前
記入力信号に対応して出力信号を出力する入力信号電圧
判定手段と、第1の制御信号により制御され前記入力信
号電圧判定手段の出力状態を保持するラッチ回路と、前
記入力端子と前記入力信号電圧判定手段との間に設けら
れ第2の制御信号でオン/オフを制御され前記入力信号
のオン/オフをするスイッチとを備え、前記スイッチに
より前記入力信号をオン状態にするとき前記入力信号電
圧判定手段の前記出力状態を前記ラッチ回路に書込み、
前記スイッチにより前記入力信号をオフ状態にするとき
前記出力状態を前記ラッチ回路に保持するよう前記スイ
ッチと前記ラッチ回路とを時間差を付けて制御する構成
である。
【0018】また本発明の三値論理回路は、前記入力端
子にプルアップ抵抗の一端およびプルダウン抵抗の一端
を接続し、前記スイッチは前記プルアップ抵抗の他端と
高電位電源との間に挿入される第1のスイッチと前記プ
ルダウン抵抗の他端と低電位電源との間に挿入される第
2のスイッチと前記入力信号電圧判定手段と前記入力端
子との間に挿入される第3のスイッチと前記高電位電源
または前記低電位電源と前記入力信号電圧判定手段との
間に挿入される第4のスイッチとから成り前記第2の制
御信号で前記第1乃至第3のスイッチがオン状態のとき
前記第4のスイッチがオフし前記第1乃至第3のスイッ
チがオフ状態のとき前記第4のスイッチがオンする構成
とすることもできる。
【0019】さらにまた、本発明の三値論理入力回路は
前記入力端子に一端を接続するプルアップ抵抗と、前記
入力端子に一端を接続するプルダウン抵抗とを備え、前
記スイッチは、高電位電源から電源の供給を受ける第1
のカレントミラー回路とこの第1のカレントミラーの入
力側と前記プルアップ抵抗との間に挿入される第1のス
イッチと、低電位電源から電源の供給を受ける第2のカ
レントミラー回路とこの第2のカレントミラーの入力側
と前記プルダウン抵抗との間に挿入される第2のスイッ
チと、前記高電位電源と前記第1のカレントミラー回路
の入力側との間に並列挿入される第3のスイッチと、前
記低電位電源と前記第2のカレントミラー回路の入力側
との間に並列挿入される第4のスイッチとから成り、前
記第2の制御信号で前記第1および前記第のスイッチの
それぞれがオン状態のとき前記第3および前記第4のス
イッチのそれぞれがオフし前記第1および前記第2のス
イッチのそれぞれがオフ状態のとき前記第3および前記
第4のスイッチのそれぞれがオンする構成とすることも
できる。
【0020】また、本発明の三値論理入力回路の前記第
1のスイッチはゲートに前記第2の制御信号を受ける第
1のPチャネル型MOSトランジスタで構成され、前記
第2のスイッチはゲートに前記第2の制御信号を受ける
第2のPチャネル型MOSトランジスタで構成され、前
記第3のスイッチはゲートに前記第2の制御信号の反転
信号を受ける第3のPチャネル型MOSトランジスタで
構成され、前記第4のスイッチはゲートに前記第2の制
御信号を受けるNチャネル型MOSトランジスタで構成
することもできる。
【0021】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0022】図1は本発明の第1の実施例の三値論理入
力回路のブロック図である。
【0023】この第1の実施例の三値論理入力回路は、
動作時にオンするスイッチSW1を高電位電源1とプル
アップ抵抗R1の一端との間に接続しプルアップ抵抗R
1の他方の端子を入力端子3、プルアウン抵抗R2の一
端および動作時にオンするスイッチSW3に接続する構
成である。さらに、動作時にオンするスイッチSW2を
プルダウン抵抗R2の他方の端子と接地電位2との間に
接続し、動作時にオフするスイッチSW4の一方の端子
を高電位電源1に接続し、スイッチSW4の他方の端子
をスイッチSW3の他方の端子、バッファ6の入力およ
びバッファ7の入力のそれぞれに接続する構成である。
さらにまた、バッファ6の出力をラッチ回路8を介して
出力端子4に接続し、バッファ7の出力をラッチ回路9
を介して、出力端子5に接続する構成である。
【0024】スイッチSW1,SW2、SW3およびS
W4のそれぞれのオン/オフ動作は制御信号PS2によ
り制御され、ラッチ回路8およびラッチ回路9のスルー
/ラッチ動作は制御信号PS1により制御される。
【0025】次に、この第1の実施例の三値論理入力回
路の動作について説明する。
【0026】この第1の実施例の三値論理入力回路は、
動作時ではスイッチSW1、SW2およびSW3のそれ
ぞれがオンし、SW4がオフしており、また、ラッチ回
路8および9のそれぞれもスルー状態となっている。
【0027】この状態において、出力端子4および出力
端子5の出力電圧のそれぞれは、入力端子3の入力電圧
がHighレベルの場合には双方ともHighレベルが
出力される。入力端子3の入力電圧がLowレベルの場
合には、双方ともLowレベルが出力される。入力端子
3の入力電圧が高電位VDDと接地電位GND間の中間
電位またはハイーインピーダンスの場合には、一方の出
力端子にHighレベルが、他方の出力端子にLowレ
ベルが出力される。以上により、入力端子に印加される
入力電圧により3通りの出力電圧を出力出来る。
【0028】次に、出力設定が終了した後、制御信号P
S1を切り替えて出力端子4、出力端子5の出力レベル
をラッチする。その後、図3に示すように本発明の第1
の実施例の三値論理入力回路全体の入出力間遅延時間以
上の時間経過後に制御信号PS2を切り替えてスイッチ
SW1,SW2およびSW3のそれぞれをオフしスイッ
チSW4をオンしてバッファ6およびバッファ7の入力
をHighレベルにする非動作状態に入る。
【0029】これらの制御信号PS1および制御信号P
S2の切替信号を行うことにより貫通電流を皆無にする
ことが出来る。この結果、出力端子4、出力端子5の出
力レベルを設定するとき以外は入力端子3の入力電圧に
かかわらず、消費電流を皆無にすることが出来る。
【0030】スイッチSW1、SW2、SW3およびS
W4のそれぞれとラッチ回路8およびラッチ回路9のそ
れぞれの切替タイミングに時間差を付ける理由は、バッ
ファ6およびバッファ7と、ラッチ回路8およびラッチ
回路9とでの遅延時間によりラッチしないうちに非動作
状態になってしまい、設定した出力レベルが変化してし
まうことを防ぐためである。
【0031】図2は本発明の第2の実施例の三値論理入
力回路のブロック図である。
【0032】この第2の実施例の三値論理入力回路は、
高電位電源1に動作時にオフするスイッチSW3の一端
およびP−ch MOSトランジスタ(P1、P2、P
3)のソースのそれぞれを接続し、P−ch MOSト
ランジスタ(P1、P2、P3)のゲートを全てP−c
h MOSトランジスタP1のドレイン、スイッチSW
3の他方の端子および動作時にオンするスイッチSW1
の一方の端子のそれぞれに接続する構成である。また、
P−ch MOSトランジスタP2のドレインをN−c
h MOSトランジスタN2のドレインとNORゲート
14の片方の入力に接続する。さらに、P−ch MO
SトランジスタP3のドレインをN−ch MOSトラ
ンジスタN3のドレインとNORゲート15の片方の入
力に接続する。またさらに、このP−ch MOSトラ
ンジスタ(P1、P2、P3)でカレントミラー回路1
2を構成する。
【0033】さらに、この実施例の三値論理入力回路
は、抵抗R1の一方の端子をスイッチSW1の他方の端
子と接続し、抵抗R1の他方の端子を入力端子3、抵抗
Rの一方の端子と接続し、動作時にオンするスイッチS
W2の一方の端子を抵抗R2の他方の端子と接続し、他
方の端子を動作時にオフするスイッチSW4の一方の端
子、N−ch MOSトランジスタ(N1、N2、N
3)の全てのゲートおよびN−chトランジスタN1の
ドレインに接続する構成である。さらに、スイッチSW
4の他方の端子およびN−ch MOSトランジスタ
(N1、N2、N3)の全てのソースのそれぞれを接地
電位2に接続する。またさらに、このN−chMOSト
ランジスタ(N1、N2、N3)でカレントミラー回路
13を構成する。
【0034】さらに、この実施例の三値論理入力回路は
NORゲート14および、NORゲート15の出力をラ
ッチ回路8およびラッチ回路9を通して、それぞれ出力
端子4、出力端子5に接続する構成である。スイッチS
W1、SW2、SW3およびSW4のそれぞれのオフ/
オフならびに、NORゲート14およびNORゲート1
5のそれぞれの動作は制御信号PS2により制御され、
ラッチ回路8およびラッチ回路9のスルー/ラッチ動作
は制御信号PS1により制御される。
【0035】次に、この第2の実施例の三値論理入力回
路の動作について説明する。
【0036】第2の実施例の三値論理入力回路は、動作
時ではスイッチSW1、SW2がオンし、SW3、SW
4がオフしており、ラッチ回路8およびラッチ回路9の
それぞれもスルー状態となっている。また、NORゲー
ト14およびNORゲート15のそれぞれの出力も、カ
レントミラー回路12およびカレントミラー回路13の
出力の反転出力となっている。
【0037】この状態においてP−ch MOSトラン
ジスタ(P1、P2、P3)およびN−ch MOSト
ランジスタ(N1、N2、N3)の電流駆動能力をトラ
ンジスタP1とトランジスタN1を等しく、トランジス
タP2の電流駆動能力をトランジスタP1の電流駆動能
力よりも大きく、さらにトランジスタP1の電流駆動能
力をトランジスタP3の電流駆動能力より大きく設定
し、さらにトランジスタN3の電流駆動能力、トランジ
スタN1の電流駆動能力、トランジスタN2の電流駆動
能力の順に設定すると、出力端子4、出力端子5の出力
電圧は、入力端子3の入力電圧がHighレベルの場合
には双方ともHighレベルが出力される。また、入力
端子3の入力電圧がLowレベルの場合には双方ともL
owレベルが出力される。さらに、入力端子3の入力電
圧が高電位VDDと接地電位GND間の中間電位もしく
は、ハイーインピーダンスの場合には出力端子4にLo
wレベルが、出力端子5にHighレベルが出力され
る。
【0038】以上により、入力端子3に印加される入力
電圧により3通りの出力電圧を出力が出来る。
【0039】次に、出力設定が終了した後、制御信号P
S1を切り替えて出力端子4、出力端子5の出力レベル
をラッチする。その後、図3に示すように本発明の第2
の実施例の三値論理入力回路全体の入出力間遅延以上の
時間経過後に制御信号PS2を切り替えて非動作状態に
入る。
【0040】これらの制御信号の切替作業を行うことに
より、貫通電流を皆無にすることが出来る。この結果、
出力端子4、出力端子5の出力を設定するとき以外は入
力端子3の入力電圧にかかわらず、消費電流を皆無にす
ることが出来る。
【0041】スイッチSW1、SW2、SW3およびS
W4ならびに、NORゲート14およびNORゲート1
5ならびにラッチ回路8およびラッチ回路9のそれぞれ
の切替タイミングに時間差を付ける理由は、バッファ6
およびバッファ7とラッチ回路8およびラッチ回路9と
での遅延時間により、ラッチしないうちに非動作状態に
なってしまい、設定した出力レベルの変化を防止するた
めである。
【0042】次に、本発明の第3の実施例の三値論理入
力回路を説明する。
【0043】図3を参照すると、この実施例の三値論理
入力回路は、スイッチSW1をPチャネルMOSトラン
ジスタ26で構成し、スイッチSW2をPチャネルMO
Sトランジスタ27で構成し、スイッチSW3をインバ
ータ24とPチャネルMOSトランジスタ25で構成
し、スイッチSW4をNチャネルMOSトランジスタ2
8で構成する以外は第2の実施例の三値論理入力回路と
同じ構成で同一構成要素には同一参照符号を付して図示
するに留め、その構成および動作の詳細な説明のそれぞ
れは省略する。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、動作、非
動作によって切り替わるスイッチSW1、SW2、SW
3およびSW4のそれぞれを付加したことにより、回路
が非動作のときの消費電流を皆無にすることが出来ると
いう効果を有する。かつ、一旦設定した出力レベルを非
動作時にも保持するためのラッチ回路8およびラッチ回
路9を付加したため、トライステートタイプの出力バッ
ファと直接接続することを可能とし、他に影響を与える
こと無く単電源での使用を可能とする効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の三値論理入力回路のブ
ロック図である。
【図2】本発明の第2の実施例の三値論理入力回路のブ
ロック図である。
【図3】本発明の第3の実施例の三値論理入力回路のブ
ロック図である。
【図4】本発明の三値論理入力回路の動作、非動作の切
替タイミングチャートである。
【図5】第1の従来の三値論理入力回路のブロック図で
ある。
【図6】第2の従来の三値論理入力回路のブロック図で
ある。
【図7】第3の従来の三値論理入力回路のブロック図で
ある。
【符号の説明】
1 高電位電源 2 接地電位 3 入力端子 4,5 出力端子 6,7 バッファ 8,9 ラッチ回路 10 制御信号PS1 11 制御信号PS2 12 P−ch MOSカレントミラー 13 N−ch MOSカレントミラー 14,15 NORゲート 16,17,19,24 インバータ 18 NORゲート 20 ANDゲート 21 入力部インバータ 22 正電源 23 負電源 25,26,27,P1,P2,P3 Pチャネル型
MOSトランジスタ 28,N1,N2,N3 Nチャネル型MOSトラン
ジスタ SW1,SW2,SW3,SW4 スイッチ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高電位レベル、低電位レベルおよび前記
    高電位レベルと前記低電位レベルとの中間電位レベルの
    それぞれの入力信号を受ける入力端子と、異るしきい値
    を有し前記入力信号に対応して出力信号を出力する入力
    信号電圧判定手段と、第1の制御信号により制御され前
    記入力信号電圧判定手段の出力状態を保持するラッチ回
    路と、前記入力端子と前記入力信号電圧判定手段との間
    に設けられ第2の制御信号でオン/オフを制御され前記
    入力信号のオン/オフをするスイッチとを備え、前記ス
    イッチにより前記入力信号をオン状態にするとき前記入
    力信号電圧判定手段の前記出力状態を前記ラッチ回路に
    書込み、前記スイッチにより前記入力信号をオフ状態に
    するとき前記出力状態を前記ラッチ回路に保持するよう
    前記スイッチと前記ラッチ回路とを時間差を付けて制御
    することを特徴とする三値論理入力回路。
  2. 【請求項2】 前記入力端子にプルアップ抵抗の一端お
    よびプルダウン抵抗の一端を接続し、前記スイッチは前
    記プルアップ抵抗の他端と高電位電源との間に挿入され
    る第1のスイッチと前記プルダウン抵抗の他端と低電位
    電源との間に挿入される第2のスイッチと前記入力信号
    電圧判定手段と前記入力端子との間に挿入される第3の
    スイッチと前記高電位電源または前記低電位電源と前記
    入力信号電圧判定手段との間に挿入される第4のスイッ
    チとから成り前記第2の制御信号で前記第1乃至第3の
    スイッチがオン状態のとき前記第4のスイッチがオフし
    前記第1乃至第3のスイッチがオフ状態のとき前記第4
    のスイッチがオンすることを特徴とする請求項1記載の
    三値論理入力回路。
  3. 【請求項3】 前記入力端子に一端を接続するプルアッ
    プ抵抗と、前記入力端子に一端を接続するプルダウン抵
    抗とを備え、前記スイッチは、高電位電源から電源の供
    給を受ける第1のカレントミラー回路とこの第1のカレ
    ントミラーの入力側と前記プルアップ抵抗との間に挿入
    される第1のスイッチと、低電位電源から電源の供給を
    受ける第2のカレントミラー回路とこの第2のカレント
    ミラーの入力側と前記プルダウン抵抗との間に挿入され
    る第2のスイッチと、前記高電位電源と前記第1のカレ
    ントミラー回路の入力側との間に並列挿入される第3の
    スイッチと、前記低電位電源と前記第2のカレントミラ
    ー回路の入力側との間に並列挿入される第4のスイッチ
    とから成り、前記第2の制御信号で前記第1および前記
    第のスイッチのそれぞれがオン状態のとき前記第3およ
    び前記第4のスイッチのそれぞれがオフし前記第1およ
    び前記第2のスイッチのそれぞれがオフ状態のとき前記
    第3および前記第4のスイッチのそれぞれがオンするこ
    とを特徴とする請求項1記載の三値論理入力回路。
  4. 【請求項4】 前記第1のスイッチはゲートに前記第2
    の制御信号を受ける第1のPチャネル型MOSトランジ
    スタで構成され、前記第2のスイッチはゲートに前記第
    2の制御信号を受ける第2のPチャネル型MOSトラン
    ジスタで構成され、前記第3のスイッチはゲートに前記
    第2の制御信号の反転信号を受ける第3のPチャネル型
    MOSトランジスタで構成され、前記第4のスイッチは
    ゲートに前記第2の制御信号を受けるNチャネル型MO
    Sトランジスタで構成されることを特徴とする請求項3
    記載の三値論理入力回路。
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