JPH08130320A - 光半導体素子モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
光半導体素子モジュールおよびその製造方法Info
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- JPH08130320A JPH08130320A JP26670994A JP26670994A JPH08130320A JP H08130320 A JPH08130320 A JP H08130320A JP 26670994 A JP26670994 A JP 26670994A JP 26670994 A JP26670994 A JP 26670994A JP H08130320 A JPH08130320 A JP H08130320A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 結合効率が高く、レンズの実装精度が緩く、
安価な光半導体素子モジュールを提供する。 【構成】 光ファイバ10と光結合される光半導体レー
ザダイオード1と、前記レーザダイオード1を搭載する
ステム6と、前記レーザダイオード1と前記光ファイバ
10との間に光通過穴を有し、前記ステム6に固定され
たキャップ8と、前記キャップ8の光通過穴部に低融点
硝子16で取り付けられ、直径が0.8mm以上、屈折
率が1.9以上であって、かつ表面に反射防止膜を施し
た、重ランタンフリント硝子からなる球レンズ7bとを
備えた光半導体素子モジュール。
安価な光半導体素子モジュールを提供する。 【構成】 光ファイバ10と光結合される光半導体レー
ザダイオード1と、前記レーザダイオード1を搭載する
ステム6と、前記レーザダイオード1と前記光ファイバ
10との間に光通過穴を有し、前記ステム6に固定され
たキャップ8と、前記キャップ8の光通過穴部に低融点
硝子16で取り付けられ、直径が0.8mm以上、屈折
率が1.9以上であって、かつ表面に反射防止膜を施し
た、重ランタンフリント硝子からなる球レンズ7bとを
備えた光半導体素子モジュール。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光半導体素子と光フ
ァイバとをレンズを介して結合する光半導体素子モジュ
ールおよびその製造方法に関するものである。
ァイバとをレンズを介して結合する光半導体素子モジュ
ールおよびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光ファイバ通信において、半導体レーザ
ダイオードから出射する光を効率よく光ファイバに結合
させる光半導体素子モジュールと、光ファイバから出射
する光を半導体ホトダイオードと結合する光半導体素子
モジュールとが必要である。前記2種類の光半導体素子
モジュールは光半導体素子が異なるが、光学部品と機構
部品とはほぼ同様の構造を有するので、以下、半導体レ
ーザダイオードを搭載した光半導体素子モジュールを示
す。なお、半導体レーザダイオードの前面側光出力に対
する単一モード光ファイバへの光入力の比を結合効率と
いう。現在、電話局間の光ファイバ通信の光源として使
用されている光半導体素子モジュールは、波長1.3μ
mの光を発振するファブリペロー型の半導体レーザダイ
オードと単一モード光ファイバとを備え、結合効率が3
0%程度で光ファイバ端の光出力が1.5mWのものと
4%程度で光ファイバ端の光出力が0.2mWのものが
多い。従来、結合効率が高いものは、高価なレンズと、
前記レンズを3軸方向に位置調整できる機構とを有して
いるため高価であり、結合効率が低いものは安価なレン
ズと、前記レンズを位置調整する機構を簡略化している
ため安価に供給されていた。しかし、現在では高い結合
効率であっても安価に提供できる光半導体素子モジュー
ルの需要が高まっている。図6は例えば特開平5−77
964号公報に示された従来の結合効率4%程度の光半
導体素子モジュールを示す断面図であり、1は半導体レ
ーザダイオード、2は半導体レーザダイオード1をハン
ダ付けした第1のマウント、3は第一のマウント2をハ
ンダ付けしたヒートシンク、4は半導体ホトダイオー
ド、5は半導体ホトダイオード4をハンダ付けした第二
のマウント、6はヒートシンク3と第二のマウント5と
をハンダ付けしたステム、7aは屈折率が1.48のほ
う珪酸クラウン硝子を一旦融解したあと表面張力で両側
に凸面を形作ったまま凝固させたレンズ、8はレンズ7
aが固定され、かつステム6とプロジェクション溶接し
て半導体レーザダイオード1と半導体ホトダイオード4
とを気密するキャップ、9はステム6をプロジェクショ
ン溶接して固定する第1の筐体、10は光ファイバ、1
1は光ファイバ10を接着固定するフェルール、12は
ネジ、13はフェルール11をネジ12で固定し、かつ
第一の筐体9とYAGレーザ溶接で固定する第二の筐
体、14は半導体レーザダイオード1から出射してレン
ズ7aで収束され光ファイバ10に入射する光線軌跡で
ある。
ダイオードから出射する光を効率よく光ファイバに結合
させる光半導体素子モジュールと、光ファイバから出射
する光を半導体ホトダイオードと結合する光半導体素子
モジュールとが必要である。前記2種類の光半導体素子
モジュールは光半導体素子が異なるが、光学部品と機構
部品とはほぼ同様の構造を有するので、以下、半導体レ
ーザダイオードを搭載した光半導体素子モジュールを示
す。なお、半導体レーザダイオードの前面側光出力に対
する単一モード光ファイバへの光入力の比を結合効率と
いう。現在、電話局間の光ファイバ通信の光源として使
用されている光半導体素子モジュールは、波長1.3μ
mの光を発振するファブリペロー型の半導体レーザダイ
オードと単一モード光ファイバとを備え、結合効率が3
0%程度で光ファイバ端の光出力が1.5mWのものと
4%程度で光ファイバ端の光出力が0.2mWのものが
多い。従来、結合効率が高いものは、高価なレンズと、
前記レンズを3軸方向に位置調整できる機構とを有して
いるため高価であり、結合効率が低いものは安価なレン
ズと、前記レンズを位置調整する機構を簡略化している
ため安価に供給されていた。しかし、現在では高い結合
効率であっても安価に提供できる光半導体素子モジュー
ルの需要が高まっている。図6は例えば特開平5−77
964号公報に示された従来の結合効率4%程度の光半
導体素子モジュールを示す断面図であり、1は半導体レ
ーザダイオード、2は半導体レーザダイオード1をハン
ダ付けした第1のマウント、3は第一のマウント2をハ
ンダ付けしたヒートシンク、4は半導体ホトダイオー
ド、5は半導体ホトダイオード4をハンダ付けした第二
のマウント、6はヒートシンク3と第二のマウント5と
をハンダ付けしたステム、7aは屈折率が1.48のほ
う珪酸クラウン硝子を一旦融解したあと表面張力で両側
に凸面を形作ったまま凝固させたレンズ、8はレンズ7
aが固定され、かつステム6とプロジェクション溶接し
て半導体レーザダイオード1と半導体ホトダイオード4
とを気密するキャップ、9はステム6をプロジェクショ
ン溶接して固定する第1の筐体、10は光ファイバ、1
1は光ファイバ10を接着固定するフェルール、12は
ネジ、13はフェルール11をネジ12で固定し、かつ
第一の筐体9とYAGレーザ溶接で固定する第二の筐
体、14は半導体レーザダイオード1から出射してレン
ズ7aで収束され光ファイバ10に入射する光線軌跡で
ある。
【0003】次に動作と結合効率について説明する。波
長1.3μm帯の半導体レーザダイオード1から出射す
る光14は、レンズ7aで収束され、モードフィールド
径が10μmの光ファイバ10に入射される。半導体レ
ーザダイオード1から出射する光14の半値全角が活性
層に対する水平方向、垂直方向とも30°程度である場
合、例えばこの種の代表的なレンズ7aであるショット
社製の03タイプのレンズは、横倍率を最適にした場合
でも結合効率は約15%である。この種のレンズ7aは
形状が表面張力によって形作られるので、面の形状や面
間隔がある程度ばらつくことは当然であり、焦点距離は
設計値に対し±0.2mm程度の幅をもつ。半導体レー
ザダイオード1から光ファイバ10までの間隔のばらつ
きが大きすぎると、第二の筐体13にフェルール11が
固定できなくなるため、横倍率を2倍程度にしている。
この横倍率でも平均で約10%の結合効率が得られる
が、半導体レーザダイオード1ごとに異なる微分効率を
なるべく一定にするように、光ファイバ位置を光軸方向
にデフォーカスする方法で、4%前後の値で結合効率を
調整して使用されている。この種のレンズ付キャップを
使用した光半導体素子モジュールは、レンズ7aの成形
工程でレンズ7aがキャップ8に隙間なく固定されるこ
と、キャップ8をステム6にプロジェクション溶接する
工程でレンズ7aの位置合わせと半導体素子の気密封止
が同時に行われることから非常に安価なものが得られる
特徴があり、低い結合効率かつ安価なものには適したも
のである。なお、半導体レーザダイオード1の背面から
出射した光は、半導体ホトダイオード4でモニタされ、
半導体レーザダイオード1の光出力調整制御に使用され
る。
長1.3μm帯の半導体レーザダイオード1から出射す
る光14は、レンズ7aで収束され、モードフィールド
径が10μmの光ファイバ10に入射される。半導体レ
ーザダイオード1から出射する光14の半値全角が活性
層に対する水平方向、垂直方向とも30°程度である場
合、例えばこの種の代表的なレンズ7aであるショット
社製の03タイプのレンズは、横倍率を最適にした場合
でも結合効率は約15%である。この種のレンズ7aは
形状が表面張力によって形作られるので、面の形状や面
間隔がある程度ばらつくことは当然であり、焦点距離は
設計値に対し±0.2mm程度の幅をもつ。半導体レー
ザダイオード1から光ファイバ10までの間隔のばらつ
きが大きすぎると、第二の筐体13にフェルール11が
固定できなくなるため、横倍率を2倍程度にしている。
この横倍率でも平均で約10%の結合効率が得られる
が、半導体レーザダイオード1ごとに異なる微分効率を
なるべく一定にするように、光ファイバ位置を光軸方向
にデフォーカスする方法で、4%前後の値で結合効率を
調整して使用されている。この種のレンズ付キャップを
使用した光半導体素子モジュールは、レンズ7aの成形
工程でレンズ7aがキャップ8に隙間なく固定されるこ
と、キャップ8をステム6にプロジェクション溶接する
工程でレンズ7aの位置合わせと半導体素子の気密封止
が同時に行われることから非常に安価なものが得られる
特徴があり、低い結合効率かつ安価なものには適したも
のである。なお、半導体レーザダイオード1の背面から
出射した光は、半導体ホトダイオード4でモニタされ、
半導体レーザダイオード1の光出力調整制御に使用され
る。
【0004】また、特公平3−61927号公報には球
レンズをメタライズした後でキャップにハンダ付けした
ものが示され、かつサファイアを使用することにより結
合効率を高くできることが示されている。一方、この球
レンズはメタライズされた後にハンダ付け固定するの
で、工程数が多い。特公平3−61927号公報では、
多モード光ファイバへの適用について説明されている
が、現在最も多く使用されている単一モード光ファイバ
への適用を考えた場合にも、球レンズは研磨による直径
のばらつきが±10μm程度と小さく安定した焦点距離
のものが得られ、横倍率を3倍から5倍程度にしても光
ファイバの位置のばらつきはあまり大きくならないなど
の利点がある。なお、サファイアは結晶の方向により屈
折率が異なる複屈折率が大きいことと、半導体レーザダ
イオードの光がほぼ直線偏波であることにより偏波によ
る収差の影響が発生するので、これを防ぐためにサファ
イアの複屈折率の方向を制御して組み立てる必要があ
る。その他、特公平3−61927号公報には、一般論
として球レンズ直径を大きくすると結合効率が劣化する
代わりに実装精度が緩くなることが示されている。高い
結合効率と緩い実装精度を得るためには屈折率がなるべ
く高くて直径の大きな球レンズが良く、従来タンタルフ
リント硝子の中でも生産量が比較的多く入手性が良いH
OYA製のTaF3が多く使われており、その他の研究
例としては重ランタンフリント硝子LaSF9を使用し
たものがある。なお、屈折率は波長1.3μmにおいて
それぞれ1.78、1.81である。
レンズをメタライズした後でキャップにハンダ付けした
ものが示され、かつサファイアを使用することにより結
合効率を高くできることが示されている。一方、この球
レンズはメタライズされた後にハンダ付け固定するの
で、工程数が多い。特公平3−61927号公報では、
多モード光ファイバへの適用について説明されている
が、現在最も多く使用されている単一モード光ファイバ
への適用を考えた場合にも、球レンズは研磨による直径
のばらつきが±10μm程度と小さく安定した焦点距離
のものが得られ、横倍率を3倍から5倍程度にしても光
ファイバの位置のばらつきはあまり大きくならないなど
の利点がある。なお、サファイアは結晶の方向により屈
折率が異なる複屈折率が大きいことと、半導体レーザダ
イオードの光がほぼ直線偏波であることにより偏波によ
る収差の影響が発生するので、これを防ぐためにサファ
イアの複屈折率の方向を制御して組み立てる必要があ
る。その他、特公平3−61927号公報には、一般論
として球レンズ直径を大きくすると結合効率が劣化する
代わりに実装精度が緩くなることが示されている。高い
結合効率と緩い実装精度を得るためには屈折率がなるべ
く高くて直径の大きな球レンズが良く、従来タンタルフ
リント硝子の中でも生産量が比較的多く入手性が良いH
OYA製のTaF3が多く使われており、その他の研究
例としては重ランタンフリント硝子LaSF9を使用し
たものがある。なお、屈折率は波長1.3μmにおいて
それぞれ1.78、1.81である。
【0005】次に、タンタルフリント硝子TaF3の球
レンズを使用する場合の結合効率を説明する。図7はT
aF3の球レンズを使用して、波長1.3μmの光を活
性層に垂直方向、水平方向ともに半値全角30°のガウ
スビームの光を出射する半導体レーザダイオードと、モ
ードフィールド径が10μmの単一モード光ファイバと
を結合させた場合の結合効率を示す図であり、横倍率を
4倍にして計算したものである。図において、15a、
15b、15c、15d、15eはそれぞれ直径が0.
6mm、0.8mm、1.0mm、1.2mm、1.4
mmの球レンズを使用した場合を示している。なお、上
記の計算では反射防止膜が施され、フレネル反射が十分
に小さいと仮定している。タンタルフリント硝子TaF
3の屈折率は波長1.3μmにおいて1.78であり、
半導体レーザダイオードと単一モードファイバーとを3
0%を越える結合をさせた光半導体素子モジュールを得
るためには、組立による過剰損失を0.5dBとすると
結合効率は約34%必要である。図より、直径が0.6
mmの球レンズで結合効率が約35%得られるが、球レ
ンズ径が小さくて取扱いが難しく、特公平3−6192
7号公報に示されている構造で光通過穴の開いたキャッ
プにレンズの側面を利用して取りつけることは困難であ
る。
レンズを使用する場合の結合効率を説明する。図7はT
aF3の球レンズを使用して、波長1.3μmの光を活
性層に垂直方向、水平方向ともに半値全角30°のガウ
スビームの光を出射する半導体レーザダイオードと、モ
ードフィールド径が10μmの単一モード光ファイバと
を結合させた場合の結合効率を示す図であり、横倍率を
4倍にして計算したものである。図において、15a、
15b、15c、15d、15eはそれぞれ直径が0.
6mm、0.8mm、1.0mm、1.2mm、1.4
mmの球レンズを使用した場合を示している。なお、上
記の計算では反射防止膜が施され、フレネル反射が十分
に小さいと仮定している。タンタルフリント硝子TaF
3の屈折率は波長1.3μmにおいて1.78であり、
半導体レーザダイオードと単一モードファイバーとを3
0%を越える結合をさせた光半導体素子モジュールを得
るためには、組立による過剰損失を0.5dBとすると
結合効率は約34%必要である。図より、直径が0.6
mmの球レンズで結合効率が約35%得られるが、球レ
ンズ径が小さくて取扱いが難しく、特公平3−6192
7号公報に示されている構造で光通過穴の開いたキャッ
プにレンズの側面を利用して取りつけることは困難であ
る。
【0006】また、従来の結合効率が30%程度の単一
モード光ファイバ付きの光半導体素子モジュールには、
円筒形の分布屈折率型レンズ、前記分布屈折率型レンズ
の一方の面を半球加工したもの、非球面モールドレンズ
を使用したものなどがあるが、一般的に特開平5−77
964号公報に示されたレンズや特公平3−61927
号公報に示された球レンズに比較するとレンズが高価で
あり、レンズを保持する機構部品も複雑であることから
光半導体素子モジュールが高価なものになっている。
モード光ファイバ付きの光半導体素子モジュールには、
円筒形の分布屈折率型レンズ、前記分布屈折率型レンズ
の一方の面を半球加工したもの、非球面モールドレンズ
を使用したものなどがあるが、一般的に特開平5−77
964号公報に示されたレンズや特公平3−61927
号公報に示された球レンズに比較するとレンズが高価で
あり、レンズを保持する機構部品も複雑であることから
光半導体素子モジュールが高価なものになっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体素子モ
ジュールは以上のように構成されているので、特開平5
−77964号公報に示されたものは、安価なものが得
られるが、一方半導体レーザダイオードと光ファイバと
の結合効率が低いという問題があった。また、特公平3
−61927号公報に示されたものは球レンズを固定す
るためにメタライズ工程とハンダ付け工程が必要であ
り、製造工程が複雑であるという問題があった。また、
サファイアの球レンズでは屈折率による収差が発生して
組立性が悪いという問題があった。さらに、タンタルフ
リント硝子TaF3の球レンズでは高い結合が得られる
が、球レンズ径が約0.6mmと小さくなり取扱いが難
しく、光通過穴の開いたキャップに側面で取りつけるこ
とは困難であるなどの問題があった。一方、円筒形の分
布屈折率型レンズ、および分布屈折率型レンズの一方の
面を半球加工したもの、および非球面モールドレンズは
高価であるなどの問題があった。
ジュールは以上のように構成されているので、特開平5
−77964号公報に示されたものは、安価なものが得
られるが、一方半導体レーザダイオードと光ファイバと
の結合効率が低いという問題があった。また、特公平3
−61927号公報に示されたものは球レンズを固定す
るためにメタライズ工程とハンダ付け工程が必要であ
り、製造工程が複雑であるという問題があった。また、
サファイアの球レンズでは屈折率による収差が発生して
組立性が悪いという問題があった。さらに、タンタルフ
リント硝子TaF3の球レンズでは高い結合が得られる
が、球レンズ径が約0.6mmと小さくなり取扱いが難
しく、光通過穴の開いたキャップに側面で取りつけるこ
とは困難であるなどの問題があった。一方、円筒形の分
布屈折率型レンズ、および分布屈折率型レンズの一方の
面を半球加工したもの、および非球面モールドレンズは
高価であるなどの問題があった。
【0008】この発明は上記のような課題点を解消する
ためになされたもので、気密封止用の窓を兼ねた比較的
外径寸法の大きな球レンズを備えたキャップを使用し
て、高い結合効率が得られ、製造方法が簡単で、安価な
光半導体素子モジュール、およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
ためになされたもので、気密封止用の窓を兼ねた比較的
外径寸法の大きな球レンズを備えたキャップを使用し
て、高い結合効率が得られ、製造方法が簡単で、安価な
光半導体素子モジュール、およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光半導体
素子モジュールは、波長1.3μmにおける屈折率が約
1.98で直径が0.8mm以上の重ランタンフリント
硝子の球レンズに反射防止膜を施すとともに、前記球レ
ンズをキャップの光通過穴に低融点硝子で取りつけ、キ
ャップはステムより小さい外径を有し、前記ステムにプ
ロジェクション溶接したものである。
素子モジュールは、波長1.3μmにおける屈折率が約
1.98で直径が0.8mm以上の重ランタンフリント
硝子の球レンズに反射防止膜を施すとともに、前記球レ
ンズをキャップの光通過穴に低融点硝子で取りつけ、キ
ャップはステムより小さい外径を有し、前記ステムにプ
ロジェクション溶接したものである。
【0010】また、この発明に係る光半導体素子モジュ
ールは、反射防止膜として二酸化珪素の表面層を有する
誘電体多層膜、または二酸化珪素の単層膜としたもので
ある。
ールは、反射防止膜として二酸化珪素の表面層を有する
誘電体多層膜、または二酸化珪素の単層膜としたもので
ある。
【0011】この発明に係る製造方法は、球レンズは貫
通穴を有する治具に取りつけられて反射防止膜を施さ
れ、治具の貫通穴とキャップの光通過穴を密着させて移
動して取り付けられるものである。
通穴を有する治具に取りつけられて反射防止膜を施さ
れ、治具の貫通穴とキャップの光通過穴を密着させて移
動して取り付けられるものである。
【0012】また、この発明に係る製造方法は、キャッ
プの光通過穴の直径が球レンズの外径よりもわずかに小
さく、光通過穴に球レンズを圧入し、球レンズの周囲に
低融点硝子を配置して加熱溶解し、隙間なく取り付ける
ものである。
プの光通過穴の直径が球レンズの外径よりもわずかに小
さく、光通過穴に球レンズを圧入し、球レンズの周囲に
低融点硝子を配置して加熱溶解し、隙間なく取り付ける
ものである。
【0013】
【作用】この発明は、研磨装置にもよるが一般的に一回
の工程で三千個から一万個程度の生産ができ、安価な球
レンズを使用するので、部品コストが削減される。ま
た、屈折率が1.9以上であるので球面収差と波面収差
とが小さくでき、かつ重ランタンフリント硝子であるの
で硬くて球レンズ加工の際の傷が付きにくく、ランダム
波面収差による結合損失も小さいので、比較的大きな直
径にしても、半導体レーザダイオードと光ファイバとの
高い結合効率を得ることができる。また、重ランタンフ
リント硝子であるので、軟化温度が高く低融点硝子で取
りつける工程での形状変化や、屈折率の変化も少ない。
さらに、球レンズの直径を0.8mm以上としたので、
低融点硝子でキャップの光通過穴に取り付ける際に低融
点硝子の付く面積が広く気密構造が得られやすく、かつ
光学的な有効面に低融点硝子が回り込む不具合を少なく
することができる。また、反射防止膜を施すのでフレネ
ル反射を少なくすることができる。また、キャップはス
テムより小さい外径であるので、ステム上面にプロジェ
クション溶接することができる。
の工程で三千個から一万個程度の生産ができ、安価な球
レンズを使用するので、部品コストが削減される。ま
た、屈折率が1.9以上であるので球面収差と波面収差
とが小さくでき、かつ重ランタンフリント硝子であるの
で硬くて球レンズ加工の際の傷が付きにくく、ランダム
波面収差による結合損失も小さいので、比較的大きな直
径にしても、半導体レーザダイオードと光ファイバとの
高い結合効率を得ることができる。また、重ランタンフ
リント硝子であるので、軟化温度が高く低融点硝子で取
りつける工程での形状変化や、屈折率の変化も少ない。
さらに、球レンズの直径を0.8mm以上としたので、
低融点硝子でキャップの光通過穴に取り付ける際に低融
点硝子の付く面積が広く気密構造が得られやすく、かつ
光学的な有効面に低融点硝子が回り込む不具合を少なく
することができる。また、反射防止膜を施すのでフレネ
ル反射を少なくすることができる。また、キャップはス
テムより小さい外径であるので、ステム上面にプロジェ
クション溶接することができる。
【0014】また、この発明は、蒸着された膜の分子構
造がアモルファス状になる二酸化珪素膜を表面層とする
誘電体多層膜、または二酸化珪素膜の単層膜からなる反
射防止膜を使用するので、水分が浸透しにくく、空気中
の水分が二酸化炭素を吸着して酸性となり、この酸性の
水分が反射防止膜を浸透し硝子面に触れて白いやけをつ
くる現象を防ぐことができる。
造がアモルファス状になる二酸化珪素膜を表面層とする
誘電体多層膜、または二酸化珪素膜の単層膜からなる反
射防止膜を使用するので、水分が浸透しにくく、空気中
の水分が二酸化炭素を吸着して酸性となり、この酸性の
水分が反射防止膜を浸透し硝子面に触れて白いやけをつ
くる現象を防ぐことができる。
【0015】この発明は貫通穴を設けた治具に球レンズ
を取り付け、前記球レンズに反射防止膜を施し、治具の
貫通穴とキャップの光通過穴とを密着させ、前記球レン
ズを前面キャップの光通過穴に移動して取り付けるよう
にしたので、移動するときに発生する球レンズの回転を
小さくでき、光学的な有効面に反射防止膜が施されてい
ない部分が出てくる頻度を少なくできる。
を取り付け、前記球レンズに反射防止膜を施し、治具の
貫通穴とキャップの光通過穴とを密着させ、前記球レン
ズを前面キャップの光通過穴に移動して取り付けるよう
にしたので、移動するときに発生する球レンズの回転を
小さくでき、光学的な有効面に反射防止膜が施されてい
ない部分が出てくる頻度を少なくできる。
【0016】また、この発明は、重ランタンフリント硝
子の球レンズが硬いので、キャップの光通過穴に球レン
ズを圧入したときの歪みが小さく、レンズがキャップの
光通過穴に圧入されているので、低融点硝子の配置が簡
単で、また低融点硝子がキャップの反対側への回り込む
ことを防ぐことができる。
子の球レンズが硬いので、キャップの光通過穴に球レン
ズを圧入したときの歪みが小さく、レンズがキャップの
光通過穴に圧入されているので、低融点硝子の配置が簡
単で、また低融点硝子がキャップの反対側への回り込む
ことを防ぐことができる。
【0017】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1において、波長1.3μmの光を発振するフ
ァブリペロー型の半導体レーザダイオード1は炭化珪素
にメタライズした第一のマウント2と、メッキをした銅
のヒートシンク3とを介して、メッキをした鉄のステム
6に金錫ハンダで固定されている。一方、半導体ホトダ
イオード4はメタライズしたアルミナの第二のマウント
5を介して円板型のステム6に金錫ハンダで固定されて
おり、この部分は従来例と同一である。7bはショット
社が市販する重ランタンフリント硝子なかで屈折率が最
も高いLaSF35の表面に反射防止膜を有する球レン
ズ、16はキャップ8の光通過穴に球レンズ7bを固定
し、かつ気密シールをする低融点硝子であり、この部分
がこの発明の特徴的な部分である。ステム6と第一の筐
体9はプロジェクション溶接により固定される。光ファ
イバ10は波長1.3μmで零分散となる単一モードフ
ァイバーであり、ナイロンジャケットとシリコーン被覆
を除去したのちフェルール11と接着固定される。第二
の筐体13はフェルール11を貫通させ、第一の筐体9
と平面で接するので、半導体レーザダイオード1から出
て球レンズ7bで集光した位置に3次元的に調整され、
まずフェルール11が第二の筐体13にネジ12で固定
され、つぎに、第一の筐体9と第二の筐体13とがYA
Gレーザ溶接で固定される。なお、この部分も従来例と
同一である。
する。図1において、波長1.3μmの光を発振するフ
ァブリペロー型の半導体レーザダイオード1は炭化珪素
にメタライズした第一のマウント2と、メッキをした銅
のヒートシンク3とを介して、メッキをした鉄のステム
6に金錫ハンダで固定されている。一方、半導体ホトダ
イオード4はメタライズしたアルミナの第二のマウント
5を介して円板型のステム6に金錫ハンダで固定されて
おり、この部分は従来例と同一である。7bはショット
社が市販する重ランタンフリント硝子なかで屈折率が最
も高いLaSF35の表面に反射防止膜を有する球レン
ズ、16はキャップ8の光通過穴に球レンズ7bを固定
し、かつ気密シールをする低融点硝子であり、この部分
がこの発明の特徴的な部分である。ステム6と第一の筐
体9はプロジェクション溶接により固定される。光ファ
イバ10は波長1.3μmで零分散となる単一モードフ
ァイバーであり、ナイロンジャケットとシリコーン被覆
を除去したのちフェルール11と接着固定される。第二
の筐体13はフェルール11を貫通させ、第一の筐体9
と平面で接するので、半導体レーザダイオード1から出
て球レンズ7bで集光した位置に3次元的に調整され、
まずフェルール11が第二の筐体13にネジ12で固定
され、つぎに、第一の筐体9と第二の筐体13とがYA
Gレーザ溶接で固定される。なお、この部分も従来例と
同一である。
【0018】つぎに、構造の詳細を説明する。この球レ
ンズ7bの屈折率は1.3μm帯では1.98、直径は
1.2mm、ヤング率が1.32×105 N/mm2 、
ポアソン比が0.303、ヌープ硬度がISO9385
の測定方法で810である。この重ランタンフリント硝
子LaSF35は、硝子のなかでも比較的硬いものであ
るが通常の研磨装置で研磨できる範囲である。球レンズ
7bは研磨加工のあと、ザイゴ干渉計で波面収差や物像
点間距離を確認し、貫通穴の開いた治具に取り付けら
れ、中性洗剤と純水とで洗浄して、電子線ビーム蒸着装
置に装着され、半導体レーザダイオードと対向する面と
光ファイバと対向する面の両面にフッ化マグネシウムの
反射防止膜を施される。次に、この球レンズ7bは、キ
ャップ8の光通過穴に配置され、鉛硝子からなる低融点
硝子16で取りつけられる。ここで、球レンズ7bの直
径が0.8mm以下のものは光学的有効径を0.5mm
程度確保したまま低融点硝子16のフィレットを形成す
ることが難しく、また接着面積が少ないので気密試験に
よる歩留まりが悪くなる。なお、重ランタンフリント硝
子LaSF35の転移点は774°Cと高いので、低融
点硝子16を取り付けるときの400°C程度の作業温
度では屈折率の変化などの問題は少ない。
ンズ7bの屈折率は1.3μm帯では1.98、直径は
1.2mm、ヤング率が1.32×105 N/mm2 、
ポアソン比が0.303、ヌープ硬度がISO9385
の測定方法で810である。この重ランタンフリント硝
子LaSF35は、硝子のなかでも比較的硬いものであ
るが通常の研磨装置で研磨できる範囲である。球レンズ
7bは研磨加工のあと、ザイゴ干渉計で波面収差や物像
点間距離を確認し、貫通穴の開いた治具に取り付けら
れ、中性洗剤と純水とで洗浄して、電子線ビーム蒸着装
置に装着され、半導体レーザダイオードと対向する面と
光ファイバと対向する面の両面にフッ化マグネシウムの
反射防止膜を施される。次に、この球レンズ7bは、キ
ャップ8の光通過穴に配置され、鉛硝子からなる低融点
硝子16で取りつけられる。ここで、球レンズ7bの直
径が0.8mm以下のものは光学的有効径を0.5mm
程度確保したまま低融点硝子16のフィレットを形成す
ることが難しく、また接着面積が少ないので気密試験に
よる歩留まりが悪くなる。なお、重ランタンフリント硝
子LaSF35の転移点は774°Cと高いので、低融
点硝子16を取り付けるときの400°C程度の作業温
度では屈折率の変化などの問題は少ない。
【0019】キャップ8の材質は、温度ストレスによる
低融点硝子16の割れを防止するため、球レンズ7bの
熱膨張係数7.4×10-6/°Cと熱膨張係数がほぼ等
しい鉄ニッケル合金を使用している。さらに、キャップ
8は厚さ0.25mmの板材をプレス加工により筒の外
形が約3.5mmで、プロジェクション溶接に使用され
る底の部分の外形が約4.2mmとして作られており、
直径5.6mmのステム6上面にプロジェクション溶接
することができる。なお、プロジェクション溶接用にキ
ャップの底の部分に円周状に設けられる突起は、断面が
三角で高さが50μm程度のものをプレス加工時に成形
すればよく、プロジェクション溶接時に突起の部分がほ
とんどつぶされるので、半導体レーザダイオード1端面
と球レンズ7b端面との間隔のばらつきを少なくでき
る。
低融点硝子16の割れを防止するため、球レンズ7bの
熱膨張係数7.4×10-6/°Cと熱膨張係数がほぼ等
しい鉄ニッケル合金を使用している。さらに、キャップ
8は厚さ0.25mmの板材をプレス加工により筒の外
形が約3.5mmで、プロジェクション溶接に使用され
る底の部分の外形が約4.2mmとして作られており、
直径5.6mmのステム6上面にプロジェクション溶接
することができる。なお、プロジェクション溶接用にキ
ャップの底の部分に円周状に設けられる突起は、断面が
三角で高さが50μm程度のものをプレス加工時に成形
すればよく、プロジェクション溶接時に突起の部分がほ
とんどつぶされるので、半導体レーザダイオード1端面
と球レンズ7b端面との間隔のばらつきを少なくでき
る。
【0020】図2は、半導体レーザダイオード1端面と
球レンズ7b端面との間隔を横倍率に対して示したもの
である。図において、17a、17b、17c、17
d、17eはそれぞれそれぞれ直径が0.6mm、0.
8mm、1.0mm、1.2mm、1.4mmの球レン
ズ7bを使用した場合を示しており、横倍率を4倍で設
計すると直径が0.8mmの球レンズ7bで半導体レー
ザダイオード1端面と球レンズ7b端面との間隔が約1
10μmとなり、これ以上半径の小さい球レンズ7bで
は個々の部品の位置精度ばらつき、キャップの溶接工程
における溶接用突起のつぶれ量のばらつきにより半導体
レーザダイオード1端面と球レンズ7b端面をぶつけて
しまう可能性が出てくること、また球レンズ7b端面か
らの反射が半導体レーザダイオード1に影響しやすくな
ることなどから直径を0.8mm以上とすることが好ま
しい。また、屈折率が2.1と2.2で、直径が1.2
mmの球レンズ7bを横倍率4倍として使用する場合
は、半導体レーザダイオード1端面と球レンズ7b端面
との間隔はそれぞれ約120μm、約90μmとなるこ
とから、球レンズ7bの屈折率は2.1以下とすること
が好ましい。なお、直径1.2mmの球レンズを使用す
るこの実施例では半導体レーザダイオード1端面と球レ
ンズ7b端面の間隔は約170μmとなる。また、レン
ズ7b表面からのフレネル反射による戻り光が多いと半
導体レーザダイオード1の微分効率の直線性やスペクト
ラムに悪影響がでるので、上記の反射防止膜はできる限
り反射率を低くしておく必要がある。
球レンズ7b端面との間隔を横倍率に対して示したもの
である。図において、17a、17b、17c、17
d、17eはそれぞれそれぞれ直径が0.6mm、0.
8mm、1.0mm、1.2mm、1.4mmの球レン
ズ7bを使用した場合を示しており、横倍率を4倍で設
計すると直径が0.8mmの球レンズ7bで半導体レー
ザダイオード1端面と球レンズ7b端面との間隔が約1
10μmとなり、これ以上半径の小さい球レンズ7bで
は個々の部品の位置精度ばらつき、キャップの溶接工程
における溶接用突起のつぶれ量のばらつきにより半導体
レーザダイオード1端面と球レンズ7b端面をぶつけて
しまう可能性が出てくること、また球レンズ7b端面か
らの反射が半導体レーザダイオード1に影響しやすくな
ることなどから直径を0.8mm以上とすることが好ま
しい。また、屈折率が2.1と2.2で、直径が1.2
mmの球レンズ7bを横倍率4倍として使用する場合
は、半導体レーザダイオード1端面と球レンズ7b端面
との間隔はそれぞれ約120μm、約90μmとなるこ
とから、球レンズ7bの屈折率は2.1以下とすること
が好ましい。なお、直径1.2mmの球レンズを使用す
るこの実施例では半導体レーザダイオード1端面と球レ
ンズ7b端面の間隔は約170μmとなる。また、レン
ズ7b表面からのフレネル反射による戻り光が多いと半
導体レーザダイオード1の微分効率の直線性やスペクト
ラムに悪影響がでるので、上記の反射防止膜はできる限
り反射率を低くしておく必要がある。
【0021】次に、結合効率について説明する。波長
1.3μmで発光する半導体レーザダイオード1のモー
ドフィールド径は2μm程度であり、一方単一モード光
ファイバ10のモードフィールド径は10μmであるの
で、高い結合効率を得るためには横倍率を3倍から5倍
にすることが好ましい。図3は重ランタンフリント硝子
LaSF35の球レンズ7bを使用して、波長1.3μ
mの光を活性層に垂直方向、水平方向ともに半値全角が
30°のガウスビームを発光する半導体レーザダイオー
ド1と、モードフィールド径が10μmの単一モード光
ファイバ10と結合する場合の結合効率を示す図であ
り、横倍率は4倍にして計算したものである。図におい
て、15f、15g、15h、15i、15jはそれぞ
れ直径が0.6mm、0.8mm、1.0mm、1.2
mm、1.4mmの球レンズ7bを使用した場合を示し
ており、直径が1.2mmの球レンズ7bでも結合効率
が約34%あり、組立てによる過剰損失を0.5dBと
しても結合効率30%のものが得られる。なお、この計
算では反射防止膜が設けられ、フレネル反射は十分に小
さいとものとしている。したがって、屈折率の高い重ラ
ンタンフリント硝子LaSF35を利用することによ
り、従来のタンタルフリント硝子TaF3を使用した球
レンズと比較して、同程度の結合効率に対して、球レン
ズの直径が約2倍にすることができ、高い結合効率で球
レンズの実装精度が緩いものが得られた。これはキャッ
プ8をステム6に固定する際のプロジェクション溶接の
固定精度が±10μm程度ある現状の技術を考えると好
ましい設計である。
1.3μmで発光する半導体レーザダイオード1のモー
ドフィールド径は2μm程度であり、一方単一モード光
ファイバ10のモードフィールド径は10μmであるの
で、高い結合効率を得るためには横倍率を3倍から5倍
にすることが好ましい。図3は重ランタンフリント硝子
LaSF35の球レンズ7bを使用して、波長1.3μ
mの光を活性層に垂直方向、水平方向ともに半値全角が
30°のガウスビームを発光する半導体レーザダイオー
ド1と、モードフィールド径が10μmの単一モード光
ファイバ10と結合する場合の結合効率を示す図であ
り、横倍率は4倍にして計算したものである。図におい
て、15f、15g、15h、15i、15jはそれぞ
れ直径が0.6mm、0.8mm、1.0mm、1.2
mm、1.4mmの球レンズ7bを使用した場合を示し
ており、直径が1.2mmの球レンズ7bでも結合効率
が約34%あり、組立てによる過剰損失を0.5dBと
しても結合効率30%のものが得られる。なお、この計
算では反射防止膜が設けられ、フレネル反射は十分に小
さいとものとしている。したがって、屈折率の高い重ラ
ンタンフリント硝子LaSF35を利用することによ
り、従来のタンタルフリント硝子TaF3を使用した球
レンズと比較して、同程度の結合効率に対して、球レン
ズの直径が約2倍にすることができ、高い結合効率で球
レンズの実装精度が緩いものが得られた。これはキャッ
プ8をステム6に固定する際のプロジェクション溶接の
固定精度が±10μm程度ある現状の技術を考えると好
ましい設計である。
【0022】実施例2.なお、上記実施例では波長1.
3μmの半導体レーザダイオード1を搭載したものにつ
いて示したが、光ファイバ通信に使用されているその他
の代表的な波長帯のものでもよく、重ランタンフリント
硝子LaSF35の屈折率は0.78μm帯から0.8
5μm帯では約2.00、0.98μm帯では約1.9
9、1.48μm帯では約1.98、1.55μm帯で
は約1.97であり、いずれの波長帯でもほぼ同様の効
果が期待できる。
3μmの半導体レーザダイオード1を搭載したものにつ
いて示したが、光ファイバ通信に使用されているその他
の代表的な波長帯のものでもよく、重ランタンフリント
硝子LaSF35の屈折率は0.78μm帯から0.8
5μm帯では約2.00、0.98μm帯では約1.9
9、1.48μm帯では約1.98、1.55μm帯で
は約1.97であり、いずれの波長帯でもほぼ同様の効
果が期待できる。
【0023】実施例3.また、上記実施例では、半導体
レーザダイオード1を搭載したものについて示したが、
半導体ホトダイオードを搭載したものでもよく、例えば
コア径50μmのグレーテッド型多モード光ファイバか
ら出射した光を受光径50μmのホトダイオードにこの
球レンズを使用し、横倍率を約1倍として入射させる場
合でも、重ランタンフリント硝子からなる球レンズ7b
の屈折率が高いので、屈折率の低い硝子と同様の屈折力
を大きな直径の球レンズで達成できる。したがって、球
面収差の発生が少なく、半導体ホトダイオードの受光面
以外に漏れる光が少なくでき、光ファイバからの出射光
を効率よく半導体ホトダイオードの受光面に入射させる
ことができる。
レーザダイオード1を搭載したものについて示したが、
半導体ホトダイオードを搭載したものでもよく、例えば
コア径50μmのグレーテッド型多モード光ファイバか
ら出射した光を受光径50μmのホトダイオードにこの
球レンズを使用し、横倍率を約1倍として入射させる場
合でも、重ランタンフリント硝子からなる球レンズ7b
の屈折率が高いので、屈折率の低い硝子と同様の屈折力
を大きな直径の球レンズで達成できる。したがって、球
面収差の発生が少なく、半導体ホトダイオードの受光面
以外に漏れる光が少なくでき、光ファイバからの出射光
を効率よく半導体ホトダイオードの受光面に入射させる
ことができる。
【0024】実施例4.なお、上記実施例では反射防止
膜としてフッ化マグネシウムの単層膜を施す例を示した
が、二酸化珪素の炭素膜や、二酸化珪素の単層膜を表面
層として二酸化珪素と二酸化チタンを交互に重ねる多層
膜や、二酸化珪素を表面層とし二酸化チタン、アルミナ
を重ねる3層多層膜でもよく、膜厚と屈折率とを最適に
することで上記実施例と同様にフレネル反射を防ぐこと
ができる。例えば、二酸化珪素の単層膜を使用した場
合、フレネル反射は一面あたり軸上光線で0.14%程
度となる。電子線ビーム蒸着された二酸化珪素の分子構
造はアモルファス状になるので、分子構造が櫛形となる
フッ化マグネシウムと比較すると水分を通しにくい利点
があり、空気中の水分が二酸化炭素を吸着して酸性にな
り球レンズの硝子表面まで浸透して白くやける現象を少
なくすることができる。
膜としてフッ化マグネシウムの単層膜を施す例を示した
が、二酸化珪素の炭素膜や、二酸化珪素の単層膜を表面
層として二酸化珪素と二酸化チタンを交互に重ねる多層
膜や、二酸化珪素を表面層とし二酸化チタン、アルミナ
を重ねる3層多層膜でもよく、膜厚と屈折率とを最適に
することで上記実施例と同様にフレネル反射を防ぐこと
ができる。例えば、二酸化珪素の単層膜を使用した場
合、フレネル反射は一面あたり軸上光線で0.14%程
度となる。電子線ビーム蒸着された二酸化珪素の分子構
造はアモルファス状になるので、分子構造が櫛形となる
フッ化マグネシウムと比較すると水分を通しにくい利点
があり、空気中の水分が二酸化炭素を吸着して酸性にな
り球レンズの硝子表面まで浸透して白くやける現象を少
なくすることができる。
【0025】実施例5.つぎに、この発明の半導体素子
モジュールの製造方法の一実施例を図について説明す
る。図4において、18はキャップ8と外径を同じくし
た蒸着用の治具であり、治具18の貫通穴に球レンズ7
bが取り付けられ光半導体素子に対向する面と光ファイ
バに対向する面との両面に反射防止膜が施されている。
キャップ8は球レンズ直径よりわずかに小さい光通過穴
を有し、19はキャップ8の内側と蒸着用治具18の外
周を使用して治具18の貫通穴とキャップ8の光通過穴
とを位置精度よく配置し、かつ球レンズ7bの挿入深さ
を制御する当たり面のある第一のレンズ取り付け治具、
20は治具18の貫通穴に取り付けられた球レンズ7b
を押すための第二のレンズ取り付け治具であり、この治
具17を押すことにより球レンズ7bがキャップ8の光
通過穴に圧入される。この方法によれば、キャップ8の
光通過穴に球レンズ7bを移送する際の球レンズ7bの
回転を少なくでき、従来実施していたように球レンズの
反射防止膜が施されていない面を見ながらキャップの光
通過穴に注意深く配置する必要がなく、作業が簡単にな
る。
モジュールの製造方法の一実施例を図について説明す
る。図4において、18はキャップ8と外径を同じくし
た蒸着用の治具であり、治具18の貫通穴に球レンズ7
bが取り付けられ光半導体素子に対向する面と光ファイ
バに対向する面との両面に反射防止膜が施されている。
キャップ8は球レンズ直径よりわずかに小さい光通過穴
を有し、19はキャップ8の内側と蒸着用治具18の外
周を使用して治具18の貫通穴とキャップ8の光通過穴
とを位置精度よく配置し、かつ球レンズ7bの挿入深さ
を制御する当たり面のある第一のレンズ取り付け治具、
20は治具18の貫通穴に取り付けられた球レンズ7b
を押すための第二のレンズ取り付け治具であり、この治
具17を押すことにより球レンズ7bがキャップ8の光
通過穴に圧入される。この方法によれば、キャップ8の
光通過穴に球レンズ7bを移送する際の球レンズ7bの
回転を少なくでき、従来実施していたように球レンズの
反射防止膜が施されていない面を見ながらキャップの光
通過穴に注意深く配置する必要がなく、作業が簡単にな
る。
【0026】実施例6.つぎに、この発明の半導体素子
モジュールの製造方法の一実施例を図について説明す
る。図5において、キャップ8は球レンズ7b直径より
わずかに小さい光通過穴を有しており、球レンズをキャ
ップの光通過穴に圧入固定される。16は鉛硝子からな
る低融点硝子であり、キャップ8の内側を上向きにし
て、球レンズ7bの周囲に低融点硝子16を配置して加
熱溶解し、前記球レンズ7bを前記キャップ8の光通過
穴に隙間なく取り付ける。この方法によれば、従来の球
レンズ7bの反射防止膜が施されていない部分を見なが
らの回転方向の調整し、低融点硝子16を球レンズ7b
ぶつけて回転させないよう注意して配置し、加熱融解、
冷却凝固させ固定する工程が非常に簡単になる。
モジュールの製造方法の一実施例を図について説明す
る。図5において、キャップ8は球レンズ7b直径より
わずかに小さい光通過穴を有しており、球レンズをキャ
ップの光通過穴に圧入固定される。16は鉛硝子からな
る低融点硝子であり、キャップ8の内側を上向きにし
て、球レンズ7bの周囲に低融点硝子16を配置して加
熱溶解し、前記球レンズ7bを前記キャップ8の光通過
穴に隙間なく取り付ける。この方法によれば、従来の球
レンズ7bの反射防止膜が施されていない部分を見なが
らの回転方向の調整し、低融点硝子16を球レンズ7b
ぶつけて回転させないよう注意して配置し、加熱融解、
冷却凝固させ固定する工程が非常に簡単になる。
【0027】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば屈折率
が1.9以上で直径が0.8mm以上の重ランタンフリ
ント硝子からなる球レンズを光通過穴のあるキャップに
低融点硝子で取りつけたので、光半導体素子と光ファイ
バとの高い結合が得られる効果がある。さらに、球レン
ズの実装精度が緩くなり、キャップのプロジェクション
工程でレンズの位置合わせすると同時に光半導体素子を
簡単に気密構造が得られるので光半導体素子モジュール
の製造工程が非常に簡単になる。さらに、球レンズの製
造コストが安いこと、球レンズが比較的大きいのでキャ
ップの光通過穴に低融点硝子で簡単に取りつけられるな
どにより安価なものが得られる効果がある。
が1.9以上で直径が0.8mm以上の重ランタンフリ
ント硝子からなる球レンズを光通過穴のあるキャップに
低融点硝子で取りつけたので、光半導体素子と光ファイ
バとの高い結合が得られる効果がある。さらに、球レン
ズの実装精度が緩くなり、キャップのプロジェクション
工程でレンズの位置合わせすると同時に光半導体素子を
簡単に気密構造が得られるので光半導体素子モジュール
の製造工程が非常に簡単になる。さらに、球レンズの製
造コストが安いこと、球レンズが比較的大きいのでキャ
ップの光通過穴に低融点硝子で簡単に取りつけられるな
どにより安価なものが得られる効果がある。
【0028】また、この発明は、反射防止膜として二酸
化珪素の表面層を有する誘電体多層膜、又は二酸化珪素
からなる単層膜を施したので、水分の浸透を防ぐことが
でき、酸による重ランタンフリント硝子の白やけを防止
する効果がある。
化珪素の表面層を有する誘電体多層膜、又は二酸化珪素
からなる単層膜を施したので、水分の浸透を防ぐことが
でき、酸による重ランタンフリント硝子の白やけを防止
する効果がある。
【0029】この発明によれば、蒸着用の治具の貫通穴
とキャップの光通過穴とを密着し、反射防止膜を蒸着し
た球レンズを移動するので、球レンズの反射防止膜の回
転方向の位置合わせが簡単にできる製造方法が得られる
効果がある。
とキャップの光通過穴とを密着し、反射防止膜を蒸着し
た球レンズを移動するので、球レンズの反射防止膜の回
転方向の位置合わせが簡単にできる製造方法が得られる
効果がある。
【0030】この発明は、球レンズをキャップの光通過
穴に圧入して仮止めしているので、球レンズをキャップ
に低融点硝子で取り付ける工程が簡単になる効果があ
る。
穴に圧入して仮止めしているので、球レンズをキャップ
に低融点硝子で取り付ける工程が簡単になる効果があ
る。
【図1】 この発明の実施例1による光半導体素子モジ
ュールを示す断面側面図である。
ュールを示す断面側面図である。
【図2】 この発明の実施例1による半導体レーザダイ
オード端面と球レンズ端面との間隔と横倍率との関係を
示す図である。
オード端面と球レンズ端面との間隔と横倍率との関係を
示す図である。
【図3】 この発明の実施例1による光半導体素子モジ
ュールの球レンズによる半導体レーザダイオードと単一
モードファイバーとの結合効率を示す図である。
ュールの球レンズによる半導体レーザダイオードと単一
モードファイバーとの結合効率を示す図である。
【図4】 この発明の実施例5による光半導体素子モジ
ュールに使用するキャップに球レンズを移動する製造工
程を示す断面側面図である。
ュールに使用するキャップに球レンズを移動する製造工
程を示す断面側面図である。
【図5】 この発明の実施例6による光半導体素子モジ
ュールに使用するキャップに球レンズを低融点硝子で取
りつける製造工程を示す断面側面図である。
ュールに使用するキャップに球レンズを低融点硝子で取
りつける製造工程を示す断面側面図である。
【図6】 従来の光半導体素子モジュールを示す断面側
面図である。
面図である。
【図7】 従来の光半導体素子モジュールの球レンズに
よる半導体レーザダイオードと単一モードファイバーと
の結合効率を示す図である。
よる半導体レーザダイオードと単一モードファイバーと
の結合効率を示す図である。
1 半導体レーザダイオード、2 第一のマウント、3
ヒートシンク、4半導体ホトダイオード、5 第二の
マウント、6 ステム、7a レンズ、7b球レンズ、
8 キャップ、9 第一の筐体、10 光ファイバ、1
1 フェルール、12 ネジ、13 第二の筐体、14
光線軌跡、15 結合効率、16低融点硝子、17
半導体レーザダイオードと球レンズ端面との間隔、18
蒸着用の治具、19 第一のレンズ取り付け用治具、2
0 第二のレンズ取り付け用治具。
ヒートシンク、4半導体ホトダイオード、5 第二の
マウント、6 ステム、7a レンズ、7b球レンズ、
8 キャップ、9 第一の筐体、10 光ファイバ、1
1 フェルール、12 ネジ、13 第二の筐体、14
光線軌跡、15 結合効率、16低融点硝子、17
半導体レーザダイオードと球レンズ端面との間隔、18
蒸着用の治具、19 第一のレンズ取り付け用治具、2
0 第二のレンズ取り付け用治具。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/18 33/00 M
Claims (4)
- 【請求項1】 光ファイバと光結合される光半導体素子
と、前記光半導体素子を搭載するステムと、前記光半導
体素子と前記光ファイバとの間に光通過穴を有し、前記
ステムに固定されたキャップと、前記キャップの光通過
穴部に低融点硝子により取り付けられ、直径が0.8m
m以上、屈折率が1.9以上であって、かつ表面に反射
防止膜を施した、重ランタンフリント硝子からなる球レ
ンズとを備えたことを特徴とする光半導体素子モジュー
ル。 - 【請求項2】 反射防止膜は二酸化珪素の表面層を有す
る誘電体多層膜、または二酸化珪素の単層膜であること
を特徴とする請求項1記載の光半導体素子モジュール。 - 【請求項3】 球レンズを保持するための貫通穴が形成
された治具に球レンズを取り付け、前記治具と前記球レ
ンズの径よりも小さい径の光通過穴を有するキャップと
を、その貫通穴と光通過穴が合うようにし、位置調整し
対接させる工程、前記治具とキャップとを対接させた状
態で前記球レンズをキャップの光通過穴に圧入固定させ
る工程を含む請求項1又は2記載の光半導体素子モジュ
ールの製造方法。 - 【請求項4】 キャップの光通過穴径よりもわずかに大
きい径を有する球レンズが前記光通過穴に圧入される工
程、球レンズの周囲に配置された低融点硝子が加熱溶解
され、前記球レンズと前記キャップとが気密構造を持ち
取り付けられる工程とを含む請求項1又は2記載の光半
導体素子モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26670994A JPH08130320A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 光半導体素子モジュールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26670994A JPH08130320A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 光半導体素子モジュールおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08130320A true JPH08130320A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17434597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26670994A Pending JPH08130320A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 光半導体素子モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08130320A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005338782A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | レンズ付き光レセプタクルとこれを用いた光モジュール |
US7266139B2 (en) | 2004-06-09 | 2007-09-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device module and bidirectional module |
US7782915B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-24 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Optical transmitting module including laser diode mounted on driver circuit |
JP2012220835A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Mitsubishi Pencil Co Ltd | 光コリメータ |
CN107404064A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-28 | 广东格斯泰气密元件有限公司 | 一种用于5g通讯高速激光器to封装管帽的制备方法 |
JP2018063350A (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体受光モジュール |
CN110265490A (zh) * | 2018-03-07 | 2019-09-20 | 肖特股份有限公司 | 透镜盖、具有透镜盖的光电二极管及其制造方法 |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26670994A patent/JPH08130320A/ja active Pending
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