JPH043484A - 光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール - Google Patents
光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュールInfo
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- JPH043484A JPH043484A JP2102998A JP10299890A JPH043484A JP H043484 A JPH043484 A JP H043484A JP 2102998 A JP2102998 A JP 2102998A JP 10299890 A JP10299890 A JP 10299890A JP H043484 A JPH043484 A JP H043484A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、光通信用の送信光源として好適な光アイソレ
ータ内蔵形半導体レーザモジュールに関する。
ータ内蔵形半導体レーザモジュールに関する。
［従来の技術］
従来の光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュールは
、第１の技術として、例えば特開昭６３−１８２６１７
号公報に記載のようにファラデー回転子からの反射を防
止するため、ファラデー回転子の光入射面を凸面として
いた。また、第２の技術として、特開昭６３−２５２４
９７号公報に記載のように光アイソレータ通過光を集光
し光ファイバへ結合する第２レンズは、光アイソレータ
通過光に対して位置調整後固定し、第２レンズに対し光
ファイバを位置調整後固定する構造となっていた。
、第１の技術として、例えば特開昭６３−１８２６１７
号公報に記載のようにファラデー回転子からの反射を防
止するため、ファラデー回転子の光入射面を凸面として
いた。また、第２の技術として、特開昭６３−２５２４
９７号公報に記載のように光アイソレータ通過光を集光
し光ファイバへ結合する第２レンズは、光アイソレータ
通過光に対して位置調整後固定し、第２レンズに対し光
ファイバを位置調整後固定する構造となっていた。
［発明が解決しようとする課題］
上記第１の従来技術は、ファラデー回転子に液相成長に
よるＬＰＥ膜を使用し、ファラデー回転子を厚さ方向に
小型化した場合１反射を防止するために必要な凸面形状
の加工が不可能となる点につき配慮がされておらず、光
アイソレータ自身の反射を低減できないという問題があ
った。
よるＬＰＥ膜を使用し、ファラデー回転子を厚さ方向に
小型化した場合１反射を防止するために必要な凸面形状
の加工が不可能となる点につき配慮がされておらず、光
アイソレータ自身の反射を低減できないという問題があ
った。
また、上記第２の従来技術は、光アイソレータに対する
第２レンズの調整固定、第２レンズに対する光ファイバ
ーの調整固定が必要であり、組立工数の低減、調整固定
箇所の低減の点につき配慮されておらず、加工費の増加
、調整固定部の位置ずれによる結合効率の変動要因の増
加の問題等があった。
第２レンズの調整固定、第２レンズに対する光ファイバ
ーの調整固定が必要であり、組立工数の低減、調整固定
箇所の低減の点につき配慮されておらず、加工費の増加
、調整固定部の位置ずれによる結合効率の変動要因の増
加の問題等があった。
本発明の目的は、上記従来の問題点を解消することにあ
り、偏光子、ファラデー回転子、偏光子の光入出射面が
平行に設定された光アイソレータにおいても、各光入出
射面からの反射光が半導体レーザへ戻ることを防止し、
さらに光アイソレータに対する第２レンズの調整固定を
不要とする改良された光アイソレータ内蔵形半導体レー
ザモジュールを提供することにある。
り、偏光子、ファラデー回転子、偏光子の光入出射面が
平行に設定された光アイソレータにおいても、各光入出
射面からの反射光が半導体レーザへ戻ることを防止し、
さらに光アイソレータに対する第２レンズの調整固定を
不要とする改良された光アイソレータ内蔵形半導体レー
ザモジュールを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明においては、偏光子と
ファラデー回転子と検光子とから成る光アイソレータを
内蔵する光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール
において、前記偏光子の光入射側にくさび形断面形状を
有する光学ガラス板を設けることにより、半導体レーザ
の光軸に対し光アイソレータの機械的中心軸が平行、す
なわち偏光子、ファラデー回転子、検光子の光入出射面
が光アイソレータに入射する平行光と垂直に設置された
場合においても、前記くさび形断面形状を有する光学ガ
ラス板により光アイソレータに入射する平行光が屈折す
ることで偏光子、ファラデー回転子、検光子の光入出射
面に対し通過する平行光は垂直に通過しないため反射光
の半導体レーザへの戻りが低減される構成としたもので
ある。
ファラデー回転子と検光子とから成る光アイソレータを
内蔵する光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール
において、前記偏光子の光入射側にくさび形断面形状を
有する光学ガラス板を設けることにより、半導体レーザ
の光軸に対し光アイソレータの機械的中心軸が平行、す
なわち偏光子、ファラデー回転子、検光子の光入出射面
が光アイソレータに入射する平行光と垂直に設置された
場合においても、前記くさび形断面形状を有する光学ガ
ラス板により光アイソレータに入射する平行光が屈折す
ることで偏光子、ファラデー回転子、検光子の光入出射
面に対し通過する平行光は垂直に通過しないため反射光
の半導体レーザへの戻りが低減される構成としたもので
ある。
また、従来の第２レンズの調整を伴う位置合わせ固定作
業を削減するため、光アイソレータの検光子の光出射側
に結合用第２レンズを光アイソレータの光軸上にあらか
じめ設置したものである。
業を削減するため、光アイソレータの検光子の光出射側
に結合用第２レンズを光アイソレータの光軸上にあらか
じめ設置したものである。
［作用］
偏光子の光入出射側に設けられたくさび形断面形状を有
する光学ガラス板は、偏光子の光入射面と対向する面が
偏光子の光入射面と平行に設置され、一方の面はくさび
形断面形状で決まる傾斜角度θ１で傾斜して設置される
。光アイソレータの機械的中心軸を平行、すなわち偏光
子、ファラデー回転子、検光子の光入出射面に対し垂直
に入射する第１レンズにより平行光とされた半導体レー
ザ出射光は、くさび形断面形状光学ガラス板により屈折
し、偏光子、ファラデー回転子、検光子の光入出射面に
対し垂直ではなく、くさび形断面形状の傾斜角度θ、と
ガラス板の屈折率により決まる角度で通過する。それに
よって、偏光子、ファラデー回転子、検光子の光入出射
面で生ずる反射光は半導体レーザへ戻ることが大幅に低
減される。
する光学ガラス板は、偏光子の光入射面と対向する面が
偏光子の光入射面と平行に設置され、一方の面はくさび
形断面形状で決まる傾斜角度θ１で傾斜して設置される
。光アイソレータの機械的中心軸を平行、すなわち偏光
子、ファラデー回転子、検光子の光入出射面に対し垂直
に入射する第１レンズにより平行光とされた半導体レー
ザ出射光は、くさび形断面形状光学ガラス板により屈折
し、偏光子、ファラデー回転子、検光子の光入出射面に
対し垂直ではなく、くさび形断面形状の傾斜角度θ、と
ガラス板の屈折率により決まる角度で通過する。それに
よって、偏光子、ファラデー回転子、検光子の光入出射
面で生ずる反射光は半導体レーザへ戻ることが大幅に低
減される。
なお、このくさび形断面形状を有する光学ガラス板の傾
斜角度θ、は、基本的にわずかでも傾斜していればそれ
なりの効果が認められるが、実用的には１°〜ｌＯ°が
、さらに好ましくは４°〜５°が望ましい。
斜角度θ、は、基本的にわずかでも傾斜していればそれ
なりの効果が認められるが、実用的には１°〜ｌＯ°が
、さらに好ましくは４°〜５°が望ましい。
また、光アイソレータの光軸上に第２レンズをあらかじ
・め設置することで、光アイソレータを通過した平行光
に対し、第２レンズを位置調整固定する必要がなくなり
１組立工数の低減、位置調整を伴う固定部の削減が可能
となり、光結合系の安定化が可能となる。
・め設置することで、光アイソレータを通過した平行光
に対し、第２レンズを位置調整固定する必要がなくなり
１組立工数の低減、位置調整を伴う固定部の削減が可能
となり、光結合系の安定化が可能となる。
［実施例］
以下、図面により本発明の一実施例を説明する。
実施例１゜
先ず、第１の実施例として第１図及び第２図により説明
する。
する。
第１図は、本発明光アイソレータ内蔵形半導体レーザモ
ジュールの光学系を示す図である。
ジュールの光学系を示す図である。
半導体レーザ１より出射したビームは、第１レンズ２に
より平行ビーム３に変換される。平行ビーム３は、この
平行ビームに対しその垂直面が角度θ１だけ傾斜したく
さび形断面形状を有する屈折率ｎのガラス板４を通過後
、偏光子５と、ファラデー回転子６と、検光子７と、永
久磁石８とより成る光アイソレータ９（−点鎖線で囲ん
だ領域）を通過し、集光用第２レンズ１０により集光さ
れ、光ファイバ１１に光結合される。ここで第１レンズ
２により変換された平行ビーム３は、ガラス板４に角度
θ□の傾斜角で入射する。このため平行ビーム３は屈折
によりガラス板４より角度θ２で出射し、偏光子５、フ
ァラデー回転子６、検光子７に角度θ２で入射する。こ
のため偏光子５、ファラデー回転子６、検光子７の各光
入出射面で生ずる反射光の半導体レーザ１への戻りが防
止できる。
より平行ビーム３に変換される。平行ビーム３は、この
平行ビームに対しその垂直面が角度θ１だけ傾斜したく
さび形断面形状を有する屈折率ｎのガラス板４を通過後
、偏光子５と、ファラデー回転子６と、検光子７と、永
久磁石８とより成る光アイソレータ９（−点鎖線で囲ん
だ領域）を通過し、集光用第２レンズ１０により集光さ
れ、光ファイバ１１に光結合される。ここで第１レンズ
２により変換された平行ビーム３は、ガラス板４に角度
θ□の傾斜角で入射する。このため平行ビーム３は屈折
によりガラス板４より角度θ２で出射し、偏光子５、フ
ァラデー回転子６、検光子７に角度θ２で入射する。こ
のため偏光子５、ファラデー回転子６、検光子７の各光
入出射面で生ずる反射光の半導体レーザ１への戻りが防
止できる。
第２図は、第１図で示した光学系を用いた光アイソレー
タ内蔵形半導体レーザモジュールの全体構成を示す縦断
面図である。
タ内蔵形半導体レーザモジュールの全体構成を示す縦断
面図である。
半導体レーザ１は、球レンズから成る第１レンズ２と、
モニタ用フォトダイオード１２、温度検出用サーミスタ
１３と共にステム１４に搭載され、ステム１４は、温度
制御用熱電子冷却素子１５に搭載されている。偏光ガラ
スから成る偏光子５、検光子７と、液相成長により生成
されたＬＰＥ厚膜から成るファラデー回転子６と、その
周囲に配設されたリング状のＳｍ −Ｃｏ系永久磁石８
とが保持部材２２．２２′に保持されて成る光アイソレ
ータ９には、傾斜角度θ、＝４°のくさび形断面形状光
学ガラス板４を偏光子５の光入射側に固定している。
モニタ用フォトダイオード１２、温度検出用サーミスタ
１３と共にステム１４に搭載され、ステム１４は、温度
制御用熱電子冷却素子１５に搭載されている。偏光ガラ
スから成る偏光子５、検光子７と、液相成長により生成
されたＬＰＥ厚膜から成るファラデー回転子６と、その
周囲に配設されたリング状のＳｍ −Ｃｏ系永久磁石８
とが保持部材２２．２２′に保持されて成る光アイソレ
ータ９には、傾斜角度θ、＝４°のくさび形断面形状光
学ガラス板４を偏光子５の光入射側に固定している。
デュアルインライン形気密パッケージの壁面に設けた第
１の保持部品１６に上記光アイソレータ９を固定し、光
アイソレータ９を平行ビーム３が通過する位置にステム
１４を搭載した熱電子冷却素子１５を固定している。集
束形ロッドレンズから成る第２レンズＩＯは、第２の保
持部品１８に気密封止固定されており、気密パッケージ
１７に銀ロウ付された第１の保持部品１６に対し保持部
品１８を摺動させ。
１の保持部品１６に上記光アイソレータ９を固定し、光
アイソレータ９を平行ビーム３が通過する位置にステム
１４を搭載した熱電子冷却素子１５を固定している。集
束形ロッドレンズから成る第２レンズＩＯは、第２の保
持部品１８に気密封止固定されており、気密パッケージ
１７に銀ロウ付された第１の保持部品１６に対し保持部
品１８を摺動させ。
光アイソレータ９を通過した平行ビームに対し第２レン
ズ１０を位置調整し、第１の保持部品１６に第２の保持
部品１８を例えばレーザビームで溶接固定する。光ファ
イバ１１は、フェルール１９に気密封止固定されており
、第３の保持部品２０を第２の保持部品１８に対し摺動
させて位置合わせし、フェルール１９を第２の保持部品
１８に対し光軸方向に位置合わせし、最適結合状態で各
々をハンダ付は固定して組立られる。なお、上記光アイ
ソレータ９及び気密パッケージ１７内の空間には、乾燥
した例えば窒素ガスのごとき不活性ガスが気密に充填さ
れている。
ズ１０を位置調整し、第１の保持部品１６に第２の保持
部品１８を例えばレーザビームで溶接固定する。光ファ
イバ１１は、フェルール１９に気密封止固定されており
、第３の保持部品２０を第２の保持部品１８に対し摺動
させて位置合わせし、フェルール１９を第２の保持部品
１８に対し光軸方向に位置合わせし、最適結合状態で各
々をハンダ付は固定して組立られる。なお、上記光アイ
ソレータ９及び気密パッケージ１７内の空間には、乾燥
した例えば窒素ガスのごとき不活性ガスが気密に充填さ
れている。
実施例２゜
第３図に本発明の第２の実施例を示す。
コバール又はセラミックから成る保持部材２２ハ、くさ
び形断面形状光学ガラス板４とリング状永久磁石８と接
する面にメタライズが施されており、偏光ガラスから成
る偏光子５は保持部材２２にＰｂＯ１Ｂ２０３から成る
低融点ガラスにより気密封止固定される。ファラデー回
転子６は、Ｓｍ−Ｃｏ系のリング状永久磁石８に同じ＜
ｐｂｏ、Ｂ２０．から成る低融点ガラスにより固定さ
れている。コバール又はセラミンクから成る保持部材２
３は、リング状永久磁石８と第２レンズである外周面が
メタライズされた集束形ロンドレンズ１０と接する面に
メタライズが施されており、偏光ガラスから成る検光子
７が、ＰｂＯ１Ｂ２０□から成る低融点ガラスにより固
定されている。上記の保持部材２２と永久磁石８と保持
部材２３を光アイソレータの機能を有するよう調整した
後、保持部材２２と接する面にメタライズを施したくさ
び形断面形状光学ガラス板４と集束形ロンドレンズ１０
を所定の位置に装着し、上記低融点ガラスの融点より低
い溶融温度を存するハンダ材。
び形断面形状光学ガラス板４とリング状永久磁石８と接
する面にメタライズが施されており、偏光ガラスから成
る偏光子５は保持部材２２にＰｂＯ１Ｂ２０３から成る
低融点ガラスにより気密封止固定される。ファラデー回
転子６は、Ｓｍ−Ｃｏ系のリング状永久磁石８に同じ＜
ｐｂｏ、Ｂ２０．から成る低融点ガラスにより固定さ
れている。コバール又はセラミンクから成る保持部材２
３は、リング状永久磁石８と第２レンズである外周面が
メタライズされた集束形ロンドレンズ１０と接する面に
メタライズが施されており、偏光ガラスから成る検光子
７が、ＰｂＯ１Ｂ２０□から成る低融点ガラスにより固
定されている。上記の保持部材２２と永久磁石８と保持
部材２３を光アイソレータの機能を有するよう調整した
後、保持部材２２と接する面にメタライズを施したくさ
び形断面形状光学ガラス板４と集束形ロンドレンズ１０
を所定の位置に装着し、上記低融点ガラスの融点より低
い溶融温度を存するハンダ材。
本実施例の場合は、 Ａｕ−５ｎハンダを用いてくさび
形断面形状光学ガラス板４と保持部材２２、保持部材２
２と永久磁石８と保持部材２３、保持部材２３と集束形
ロンドレンズ１０とをハンダ付は固定する。
形断面形状光学ガラス板４と保持部材２２、保持部材２
２と永久磁石８と保持部材２３、保持部材２３と集束形
ロンドレンズ１０とをハンダ付は固定する。
上記の方法により組立られた光アイソレータ９をデュア
ルインライン形気密パッケージ１７に、銀ロウ付された
第１の保持部品２４に装着し、光アイソレータの組立に
用いたハンダ材の融点より低い溶融温度を有するハンダ
材、本実施例の場合はｐｂＳｎ共品ハンダを用いてハン
ダ付固定する。半導体レーザ１、球レンズから成る第１
レンズ２．モニタ用フォトダイオード１２．温度検出用
サーミスタ１３の搭載されたステム１４を搭載した熱電
子冷却素子１５を、第１レンズ２により平行ビームに変
換された半導体レーザ光が光アイソレータ９を通過し、
第２レンズ１０によりほぼ光軸上に集光される位置に気
密パッケージ１７の内壁面上にハンダ付は固定する。光
ファイバ１１の気密封止固定されたフェルール１９を保
持部品２０に対し光軸方向に、第３の保持部品２０を第
１の保持部品２４に対し摺動させて光軸に対し垂直方向
に位置合わせし、最適結合状態でフェルール１９と第３
の保持部品２０をハンダ付は固定し、保持部品２０を保
持部品２４に対して例えばレーザビームにより溶接固定
して組立られている。
ルインライン形気密パッケージ１７に、銀ロウ付された
第１の保持部品２４に装着し、光アイソレータの組立に
用いたハンダ材の融点より低い溶融温度を有するハンダ
材、本実施例の場合はｐｂＳｎ共品ハンダを用いてハン
ダ付固定する。半導体レーザ１、球レンズから成る第１
レンズ２．モニタ用フォトダイオード１２．温度検出用
サーミスタ１３の搭載されたステム１４を搭載した熱電
子冷却素子１５を、第１レンズ２により平行ビームに変
換された半導体レーザ光が光アイソレータ９を通過し、
第２レンズ１０によりほぼ光軸上に集光される位置に気
密パッケージ１７の内壁面上にハンダ付は固定する。光
ファイバ１１の気密封止固定されたフェルール１９を保
持部品２０に対し光軸方向に、第３の保持部品２０を第
１の保持部品２４に対し摺動させて光軸に対し垂直方向
に位置合わせし、最適結合状態でフェルール１９と第３
の保持部品２０をハンダ付は固定し、保持部品２０を保
持部品２４に対して例えばレーザビームにより溶接固定
して組立られている。
この場合、第２レンズ１０があらかじめ光アイソレータ
９と一体に組立済であるため、光アイソレータ通過光に
対する第２レンズ１０の位置調整を伴う固定が不要とな
る。
９と一体に組立済であるため、光アイソレータ通過光に
対する第２レンズ１０の位置調整を伴う固定が不要とな
る。
第４図は、くさび形断面形状光学ガラス板４の傾斜角θ
、を半導体レーザ１の活性層２５の水平方向Ｘに対し設
定した場合の拡大図である。
、を半導体レーザ１の活性層２５の水平方向Ｘに対し設
定した場合の拡大図である。
活性層２５より出射した半導体レーザ光の遠視野像２６
は、同図に示すように活性層２５の水平方向Ｘに短軸、
垂直方向Ｙに長軸を持つ楕円パターンとなる。これは水
平方向Ｘの方が垂直方向Ｙより出射角が小さいことを示
している。くさび形断面形状光学ガラス板４の傾斜角θ
、をＸ方向に対し傾斜させ、Ｙ方向に平行となる向きに
設けることで反射防止の効果が大となる。
は、同図に示すように活性層２５の水平方向Ｘに短軸、
垂直方向Ｙに長軸を持つ楕円パターンとなる。これは水
平方向Ｘの方が垂直方向Ｙより出射角が小さいことを示
している。くさび形断面形状光学ガラス板４の傾斜角θ
、をＸ方向に対し傾斜させ、Ｙ方向に平行となる向きに
設けることで反射防止の効果が大となる。
本実施例によれば、比較例としてのくさび形断面形状光
学ガラス板の無い場合の半導体レーザの相対雑音強度−
９０〜−１１０ｄＢ／Ｈｚに対し、−１４０〜−１５０
ｄＢ／Ｈｚと良好な近端反射雑音低減の効果が得られた
。
学ガラス板の無い場合の半導体レーザの相対雑音強度−
９０〜−１１０ｄＢ／Ｈｚに対し、−１４０〜−１５０
ｄＢ／Ｈｚと良好な近端反射雑音低減の効果が得られた
。
また、第２レンズをあらかじめ光アイソレータと一体に
組立る例においては、第２レンズの光アイソレータに対
する位置調整が不要となり、組立工数の低減と位置合わ
せを伴う固定部を１ケ所削除できるため９位置調整固定
部の経時的位置ずれによる結合損失変動の低減が可能と
なる。
組立る例においては、第２レンズの光アイソレータに対
する位置調整が不要となり、組立工数の低減と位置合わ
せを伴う固定部を１ケ所削除できるため９位置調整固定
部の経時的位置ずれによる結合損失変動の低減が可能と
なる。
なお、本実施例では、第１レンズに球レンズ、第２レン
ズに集束形ロッドレンズを用いた例を示したが、本発明
においてはこれらの実施例に限らず、同様の光学的機能
を有するレンズも使用可能であり、また１部品を接続固
定する低融点ガラスについてもＰｂＯ１８□０．から成
るガラスは一例でありこれに限定されるものではない。
ズに集束形ロッドレンズを用いた例を示したが、本発明
においてはこれらの実施例に限らず、同様の光学的機能
を有するレンズも使用可能であり、また１部品を接続固
定する低融点ガラスについてもＰｂＯ１８□０．から成
るガラスは一例でありこれに限定されるものではない。
［発明の効果コ
本発明によれば上述の通り、くさび形断面形状光学ガラ
ス板の屈折により、ガラス板の光入出射面、偏光子、フ
ァラデー回転子、検光子の光入出射面で生ずる反射光の
半導体レーザへの戻り光を。
ス板の屈折により、ガラス板の光入出射面、偏光子、フ
ァラデー回転子、検光子の光入出射面で生ずる反射光の
半導体レーザへの戻り光を。
半導体レーザの光軸に対し、光アイソレータ自体の機械
的中心軸を傾けることなく防止することが可能であり、
組立性を損なうことなく光アイソレータからの近端反射
を防止した光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュー
ルを実現することができる。
的中心軸を傾けることなく防止することが可能であり、
組立性を損なうことなく光アイソレータからの近端反射
を防止した光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュー
ルを実現することができる。
また、光アイソレータ自身の組立から、接着剤等の有機
物が使用されず、光アイソレータ自身を気密封止構造と
出来るため、耐環境性が増し、信頼性が大きく向上可能
である。また、組立に有機物が使用されていないため、
有機物の半導体レーザへの悪影響がなく、半導体レーザ
と同一の気密パッケージに光アイソレータを内蔵するこ
とが可能となり小型化の達成が容易となる。
物が使用されず、光アイソレータ自身を気密封止構造と
出来るため、耐環境性が増し、信頼性が大きく向上可能
である。また、組立に有機物が使用されていないため、
有機物の半導体レーザへの悪影響がなく、半導体レーザ
と同一の気密パッケージに光アイソレータを内蔵するこ
とが可能となり小型化の達成が容易となる。
第１図は、本発明光アイソレータ内蔵形半導体レーザモ
ジュールの光学系を示す構成図、第２図は１本発明の一
実施例を示す光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュ
ールの縦断面図、そして第３図及び第４図は、本発明の
異なる他の実施例を示す光アイソレータ内蔵形半導体レ
ーザモジュールの縦断面図及び光学系を示す斜射図であ
る。 〈符号の説明〉 １・・・半導体レーザ、 ２・・第１レンズ、３・・・
平行光（平行ビーム）、 ４・・・くさび形断面形状光学ガラス板、５・偏光子、
６・・・ファラデー回転子、７ ・検光子、
８ ・永久磁石。 ９・・光アイソレータ、１０・・・第２レンズ。 １１ 光ファイバ、 １２・・・モニタ用フォトダ
イオード、 １３・・温度検出用サーミ
スタ。 １４ ステム、１５・・・熱電子冷却素子、１６．１
８．２０・・・保持部品、 １７・・デュアルインライン形気密パッケージ、１９・
・・フェルール、 ２１・・・キャップ、２２．２２
′・・保持部材、２３・・・保持部材、２４・・・保持
部品、 ２５・・半導体レーザ活性層、２６・・半
導体レーザ遠視野像、 ２７・・平行ビームパターン。
ジュールの光学系を示す構成図、第２図は１本発明の一
実施例を示す光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュ
ールの縦断面図、そして第３図及び第４図は、本発明の
異なる他の実施例を示す光アイソレータ内蔵形半導体レ
ーザモジュールの縦断面図及び光学系を示す斜射図であ
る。 〈符号の説明〉 １・・・半導体レーザ、 ２・・第１レンズ、３・・・
平行光（平行ビーム）、 ４・・・くさび形断面形状光学ガラス板、５・偏光子、
６・・・ファラデー回転子、７ ・検光子、
８ ・永久磁石。 ９・・光アイソレータ、１０・・・第２レンズ。 １１ 光ファイバ、 １２・・・モニタ用フォトダ
イオード、 １３・・温度検出用サーミ
スタ。 １４ ステム、１５・・・熱電子冷却素子、１６．１
８．２０・・・保持部品、 １７・・デュアルインライン形気密パッケージ、１９・
・・フェルール、 ２１・・・キャップ、２２．２２
′・・保持部材、２３・・・保持部材、２４・・・保持
部品、 ２５・・半導体レーザ活性層、２６・・半
導体レーザ遠視野像、 ２７・・平行ビームパターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、偏光子と、ファラデー回転子と、検光子とから成る
光アイソレータと半導体レーザとを少なくとも気密パッ
ケージ内に収納して成る光アイソレータ内蔵形半導体レ
ーザモジュールにおいて、前記光アイソレータを構成す
る偏光子の光入射側に断面形状がくさび形状を有する光
学ガラス板を配設すると共に、前記半導体レーザと前記
半導体レーザ出射光を平行光とする第１レンズと前記光
アイソレータを通過した平行光を集光し光ファイバへ光
結合する第２レンズと光ファイバとを収納する前記気密
パッケージ内の前記第１レンズと第２レンズとの間に、
前記光アイソレータを配設して成る光アイソレータ内蔵
形半導体レーザモジュール。 ２、上記光アイソレータが、上記検光子の光出射側に第
２レンズを具備し、上記第１レンズと上記光ファイバと
の間に前記光アイソレータを配設して成る請求項１記載
の光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール。 ３、上記光アイソレータの偏光子を保持する保持部材の
光入射側に配設されたくさび形断面形状を有する光学ガ
ラス板が、前記偏光子を保持する保持部材に気密封止固
定されて成る請求項１記載の光アイソレータ内蔵形半導
体レーザモジュール。 ４、上記光アイソレータの検光子を保持する保持部材の
光出射側に配設された第２レンズが、前記検光子の保持
部材に気密封止固定されて成る請求項２記載の光アイソ
レータ内蔵形半導体レーザモジュール。 ５、上記光アイソレータを構成する偏光子と検光子とフ
ァラデー回転子が、各々を保持する保持部材に低融点ガ
ラスにより固定されて成る請求項１記載の光アイソレー
タ内蔵形半導体モジュール。 ６、上記くさび形断面形状を有する光学ガラス板が半導
体レーザの活性層の水平方向に対し傾斜し、前記活性層
の垂直方向に対し平行となる向きに配設されて成る請求
項１もしくは２記載の光アイソレータ内蔵形半導体レー
ザモジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102998A JP2628774B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール |
| US07/683,615 US5128956A (en) | 1990-04-20 | 1991-04-11 | Semiconductor laser module with built-in optical isolator |
| GB9107739A GB2245378B (en) | 1990-04-20 | 1991-04-11 | Semiconductor laser module with built-in optical isolator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102998A JP2628774B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043484A true JPH043484A (ja) | 1992-01-08 |
| JP2628774B2 JP2628774B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=14342356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2102998A Expired - Lifetime JP2628774B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5128956A (ja) |
| JP (1) | JP2628774B2 (ja) |
| GB (1) | GB2245378B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521456U (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-19 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオードモジユール |
| JPH07113931A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-02 | Nec Corp | 半導体レーザモジュールおよびその製造方法 |
| CN113296201A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-08-24 | 福建中科光芯光电科技有限公司 | 一种光学组件及光模块及工作方法 |
Families Citing this family (16)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2763016B2 (ja) * | 1991-12-25 | 1998-06-11 | 日本電気株式会社 | 光学素子基板の実装構造 |
| JPH06265822A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光アイソレータ |
| JPH07202308A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体レーザーおよびその作製方法 |
| JPH07209603A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Fujitsu Ltd | 光アイソレータ |
| JP3439275B2 (ja) * | 1994-11-25 | 2003-08-25 | エヌイーシートーキン株式会社 | 光アイソレータの製造方法 |
| DE19517963A1 (de) * | 1995-05-16 | 1996-11-28 | Adlas Gmbh & Co Kg | Longitudinal gepumpter Laser |
| DE69631495D1 (de) * | 1995-12-18 | 2004-03-11 | Shinetsu Chemical Co | Optisches Element mit einer hitzebeständigen Antireflexionsschicht |
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| US6693922B1 (en) * | 2000-01-13 | 2004-02-17 | Raytheon Company | Reeder rod |
| US6381066B1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-04-30 | Axsun Technologies, Inc. | Integrated semiconductor optical amplifier system |
| JP2003014992A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザモジュールおよび光伝送システム |
| US7376291B1 (en) * | 2002-11-06 | 2008-05-20 | Finisar Corporation | Free space optical isolator with stacked parallel polarizers |
| US9563073B2 (en) * | 2014-06-27 | 2017-02-07 | Lumentum Operations Llc | Combined splitter, isolator and spot-size converter |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4686678A (en) * | 1984-03-27 | 1987-08-11 | Nec Corporation | Semiconductor laser apparatus with isolator |
| JPS6279213U (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-21 | ||
| DE3741455A1 (de) * | 1987-12-08 | 1989-06-22 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Optischer isolator |
| WO1989008278A1 (en) * | 1988-02-26 | 1989-09-08 | Fujitsu Limited | Polarizing isolation apparatus and optical isolator using the same |
| US5074682A (en) * | 1988-03-02 | 1991-12-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser module and positioning method thereof |
| JPH01292875A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光増幅モジュール |
| JPH02136819A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Fujitsu Ltd | 光アイソレータ内蔵型半導体レーザモジュールにおける光アイソレータの回転方向位置調整方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2102998A patent/JP2628774B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-11 US US07/683,615 patent/US5128956A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-11 GB GB9107739A patent/GB2245378B/en not_active Expired - Lifetime
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| CN113296201A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-08-24 | 福建中科光芯光电科技有限公司 | 一种光学组件及光模块及工作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2245378B (en) | 1994-01-26 |
| GB2245378A (en) | 1992-01-02 |
| US5128956A (en) | 1992-07-07 |
| GB9107739D0 (en) | 1991-05-29 |
| JP2628774B2 (ja) | 1997-07-09 |
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