JPH08129719A - 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録装置Info
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- JPH08129719A JPH08129719A JP26654994A JP26654994A JPH08129719A JP H08129719 A JPH08129719 A JP H08129719A JP 26654994 A JP26654994 A JP 26654994A JP 26654994 A JP26654994 A JP 26654994A JP H08129719 A JPH08129719 A JP H08129719A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】バルクハウゼンノイズの少ない安定な動作特性
と十分な再生出力の確保の両立が可能な磁気抵抗効果型
ヘッドを提供する。 【構成】磁気抵抗効果型ヘッドにおいて軟磁性薄膜にＮ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｂ系合金を用いることにより、前記
軟磁性薄膜の異方性磁界を１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下に
することができ、比較的容易に軟磁性薄膜における多磁
区構造の形成が抑制でき、バルクハウゼンノイズの少な
い安定な動作特性と十分な再生出力の確保の両立が可能
な磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。さらに前記磁気抵
抗効果型ヘッドを搭載することにより、記録密度を大幅
に向上した磁気記録装置の実現が可能となる。
と十分な再生出力の確保の両立が可能な磁気抵抗効果型
ヘッドを提供する。 【構成】磁気抵抗効果型ヘッドにおいて軟磁性薄膜にＮ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｂ系合金を用いることにより、前記
軟磁性薄膜の異方性磁界を１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下に
することができ、比較的容易に軟磁性薄膜における多磁
区構造の形成が抑制でき、バルクハウゼンノイズの少な
い安定な動作特性と十分な再生出力の確保の両立が可能
な磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。さらに前記磁気抵
抗効果型ヘッドを搭載することにより、記録密度を大幅
に向上した磁気記録装置の実現が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド
及びそれを搭載した磁気記録装置に関するものである。
及びそれを搭載した磁気記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）は、動作特性が不安定で、バルクハウゼンノイズが
発生することがある。これらの問題は、一般に磁化に２
つ以上の安定状態、つまり多磁区構造を形成する減磁作
用があるために生じる。この多磁区構造における不規則
な変化が、上記の不安定な動作特性と、バルクハウゼン
ノイズの原因となる。これらの問題の解決は、米国特許
第４６３９８０６号、米国特許第４６６３６８５号に記
載されている。この発明は、磁気抵抗効果膜の端部領域
のみに、縦方向のバイアスを形成して、端部領域を単一
磁区状態に維持し、これらの単一磁区状態が、磁気抵抗
効果膜の中央領域に単一磁区状態を誘導するというもの
である。
ド）は、動作特性が不安定で、バルクハウゼンノイズが
発生することがある。これらの問題は、一般に磁化に２
つ以上の安定状態、つまり多磁区構造を形成する減磁作
用があるために生じる。この多磁区構造における不規則
な変化が、上記の不安定な動作特性と、バルクハウゼン
ノイズの原因となる。これらの問題の解決は、米国特許
第４６３９８０６号、米国特許第４６６３６８５号に記
載されている。この発明は、磁気抵抗効果膜の端部領域
のみに、縦方向のバイアスを形成して、端部領域を単一
磁区状態に維持し、これらの単一磁区状態が、磁気抵抗
効果膜の中央領域に単一磁区状態を誘導するというもの
である。
【０００３】また一般に、ＭＲヘッドは、磁気記録媒体
からの漏洩磁界に対する応答を線形にするために、記録
媒体と対抗する面に垂直な方向（以下素子高さ方向と呼
ぶ）にバイアス磁界を印加して用いる。このバイアス磁
界は、上述の磁気抵抗効果素子の磁区構造を制御するた
めの縦バイアス磁界と区別するために、しばしば横方向
バイアス磁界と呼ばれる。代表的な横方向バイアス磁界
の印加方法の一つとして、特開昭５０−６５２１３号記
載のソフト膜バイアス法がある。これは、磁気抵抗効果
膜の近傍に磁気分離膜を介して軟磁性薄膜（ソフト膜）
を設け、磁気抵抗効果膜に流れるセンス電流が作る磁界
によって軟磁性膜を磁化し、磁化された軟磁性薄膜から
発生する磁界によって磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を
印加するものである。
からの漏洩磁界に対する応答を線形にするために、記録
媒体と対抗する面に垂直な方向（以下素子高さ方向と呼
ぶ）にバイアス磁界を印加して用いる。このバイアス磁
界は、上述の磁気抵抗効果素子の磁区構造を制御するた
めの縦バイアス磁界と区別するために、しばしば横方向
バイアス磁界と呼ばれる。代表的な横方向バイアス磁界
の印加方法の一つとして、特開昭５０−６５２１３号記
載のソフト膜バイアス法がある。これは、磁気抵抗効果
膜の近傍に磁気分離膜を介して軟磁性薄膜（ソフト膜）
を設け、磁気抵抗効果膜に流れるセンス電流が作る磁界
によって軟磁性膜を磁化し、磁化された軟磁性薄膜から
発生する磁界によって磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を
印加するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例における
軟磁性膜の導入は、他の磁気的な問題を起こすことがあ
る。特に、上記の従来例では磁気抵抗効果膜の端部領域
のみに単一磁区を形成し、磁気抵抗効果膜の中央領域に
単一磁区状態を誘導しているが、前記軟磁性薄膜にはそ
のような磁区制御は施されておらず、軟磁性薄膜が多磁
区構造を形成することがある。この軟磁性薄膜の多磁区
構造における不規則な変化が、上記ＭＲヘッドの不安定
な動作特性と、バルクハウゼンノイズの原因となる。
軟磁性膜の導入は、他の磁気的な問題を起こすことがあ
る。特に、上記の従来例では磁気抵抗効果膜の端部領域
のみに単一磁区を形成し、磁気抵抗効果膜の中央領域に
単一磁区状態を誘導しているが、前記軟磁性薄膜にはそ
のような磁区制御は施されておらず、軟磁性薄膜が多磁
区構造を形成することがある。この軟磁性薄膜の多磁区
構造における不規則な変化が、上記ＭＲヘッドの不安定
な動作特性と、バルクハウゼンノイズの原因となる。
【０００５】そこで本発明の目的は、軟磁性薄膜の多磁
区構造の形成を十分抑え、かつ再生出力が十分確保出来
る範囲の一軸異方性を有するＮｉ−Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃｏ系
軟磁性薄膜をＭＲヘッドに適用し、バルクハウゼンノイ
ズの少ない安定な動作特性と、十分な再生出力の確保の
両立が可能なＭＲヘッドを実現することにある。
区構造の形成を十分抑え、かつ再生出力が十分確保出来
る範囲の一軸異方性を有するＮｉ−Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃｏ系
軟磁性薄膜をＭＲヘッドに適用し、バルクハウゼンノイ
ズの少ない安定な動作特性と、十分な再生出力の確保の
両立が可能なＭＲヘッドを実現することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成すべく、上記軟磁性薄膜の組成が重量で５５〜７５％
のＮｉ、１０〜１５％のＦｅ、１０〜３０％のＣｏ、０
〜５％のＮｂからなる合金薄膜を用いることを特徴とす
る。このとき、異方性磁界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下
の範囲にあることが望ましい。
成すべく、上記軟磁性薄膜の組成が重量で５５〜７５％
のＮｉ、１０〜１５％のＦｅ、１０〜３０％のＣｏ、０
〜５％のＮｂからなる合金薄膜を用いることを特徴とす
る。このとき、異方性磁界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下
の範囲にあることが望ましい。
【０００７】
【作用】上記手段による作用を図１、２、３に示す。
【０００８】（作用１）図１は、磁気抵抗効果膜、磁気
分離膜、軟磁性薄膜及び前記磁気抵抗効果膜に縦方向バ
イアス磁界を与える磁区制御膜からなるＭＲヘッドの概
略図である。このＭＲヘッドに媒体からの漏洩磁界を検
出するための電流（センス電流）を通電し、ＭＲヘッド
に外部から素子高さ方向へ、記録媒体への記録時に記録
ヘッドから発生する磁界に相当する大きさの磁界を与え
た場合の、前記磁気抵抗効果膜及び前記軟磁性薄膜の磁
化状態のシミュレ−ション結果を図２に示す。シミュレ
−ションは、前記軟磁性薄膜の異方性磁界が５Ｏｅの場
合と、１０Ｏｅの場合で行った。
分離膜、軟磁性薄膜及び前記磁気抵抗効果膜に縦方向バ
イアス磁界を与える磁区制御膜からなるＭＲヘッドの概
略図である。このＭＲヘッドに媒体からの漏洩磁界を検
出するための電流（センス電流）を通電し、ＭＲヘッド
に外部から素子高さ方向へ、記録媒体への記録時に記録
ヘッドから発生する磁界に相当する大きさの磁界を与え
た場合の、前記磁気抵抗効果膜及び前記軟磁性薄膜の磁
化状態のシミュレ−ション結果を図２に示す。シミュレ
−ションは、前記軟磁性薄膜の異方性磁界が５Ｏｅの場
合と、１０Ｏｅの場合で行った。
【０００９】図２において、外部磁界に対し、前記磁気
抵抗効果膜は、端部１０ｂで、磁区制御膜により縦方向
バイアス磁界を与えられ、単一磁区状態が維持され、さ
らに中央領域１０ａに単一磁区状態が誘導されている。
しかし、前記軟磁性薄膜においては、センス電流が作り
出す磁界、及び前記磁気抵抗効果膜が発生する横方向バ
イアス磁界により外部磁界の影響を受けにくい中央領域
１２ａと、そのような横方向バイアス磁界がほとんどな
く外部磁界の影響を受けやすい端部１２ｂの存在してい
るため、前記軟磁性薄膜の異方性磁界が５Ｏｅと低い場
合には、前記軟磁性薄膜の中央領域１２ａと端部１２ｂ
の境界に渦状の磁化分布が発生する。この渦上の磁化分
布が外部磁界除去後も残存し、前記軟磁性薄膜内に多磁
区構造が形成される。そこで、前記軟磁性薄膜の異方性
磁界を１０Ｏｅまで上げた場合、前記軟磁性薄膜におけ
る端部１２ｂの外部磁界に対する感度が下がり、前記軟
磁性薄膜の多磁区構造の原因となる、渦上の磁化分布の
発生が抑えられ、前記軟磁性薄膜内は、単一磁区状態に
維持される。
抵抗効果膜は、端部１０ｂで、磁区制御膜により縦方向
バイアス磁界を与えられ、単一磁区状態が維持され、さ
らに中央領域１０ａに単一磁区状態が誘導されている。
しかし、前記軟磁性薄膜においては、センス電流が作り
出す磁界、及び前記磁気抵抗効果膜が発生する横方向バ
イアス磁界により外部磁界の影響を受けにくい中央領域
１２ａと、そのような横方向バイアス磁界がほとんどな
く外部磁界の影響を受けやすい端部１２ｂの存在してい
るため、前記軟磁性薄膜の異方性磁界が５Ｏｅと低い場
合には、前記軟磁性薄膜の中央領域１２ａと端部１２ｂ
の境界に渦状の磁化分布が発生する。この渦上の磁化分
布が外部磁界除去後も残存し、前記軟磁性薄膜内に多磁
区構造が形成される。そこで、前記軟磁性薄膜の異方性
磁界を１０Ｏｅまで上げた場合、前記軟磁性薄膜におけ
る端部１２ｂの外部磁界に対する感度が下がり、前記軟
磁性薄膜の多磁区構造の原因となる、渦上の磁化分布の
発生が抑えられ、前記軟磁性薄膜内は、単一磁区状態に
維持される。
【００１０】さらに、近年の磁気ディスク装置の高記録
密度化に伴い、記録媒体の高保持力化が進み、高保持力
媒体に十分記録しうるために、記録時に記録ヘッドから
発生する磁界は増々強くなる。記録ヘッドから発生する
磁界という前記軟磁性薄膜に多磁区構造を誘発する因子
が大きくなればなるほど、前記軟磁性薄膜の多磁区構造
形成を抑えるために前記軟磁性薄膜の異方性磁界は大き
くする必要があり、前記軟磁性薄膜の異方性を１０Ｏｅ
以上にすることが、安定な動作特性と、バルクハウゼン
ノイズの少ないＭＲヘッドを実現する上で増々重要とな
る。
密度化に伴い、記録媒体の高保持力化が進み、高保持力
媒体に十分記録しうるために、記録時に記録ヘッドから
発生する磁界は増々強くなる。記録ヘッドから発生する
磁界という前記軟磁性薄膜に多磁区構造を誘発する因子
が大きくなればなるほど、前記軟磁性薄膜の多磁区構造
形成を抑えるために前記軟磁性薄膜の異方性磁界は大き
くする必要があり、前記軟磁性薄膜の異方性を１０Ｏｅ
以上にすることが、安定な動作特性と、バルクハウゼン
ノイズの少ないＭＲヘッドを実現する上で増々重要とな
る。
【００１１】（作用２）図３に前記軟磁性薄膜の異方性
磁界に対するＭＲヘッドの再生出力の変化をシミュレ−
ションした結果を示す。図３の縦軸は、前記軟磁性薄膜
の異方性磁界が５Ｏｅの場合の再生出力値で規格化した
ものである。図３において前記軟磁性薄膜の異方性磁界
が１６Ｏｅを越えたところで再生出力は急に減少しはじ
め、前記軟磁性薄膜の異方性磁界が５Ｏｅの時の再生出
力と比較して、１６Ｏｅにおいて５％減少、２０Ｏｅに
おいて１５％減少した再生出力となる。これは、前記軟
磁性薄膜の異方性磁界の増加に伴い、前記軟磁性薄膜の
磁化が素子高さ方向に十分向かずに未飽和の状態となり
易く、前記軟磁性薄膜の磁化が素子高さ方向に十分に向
いた飽和状態と比べ、前記軟磁性薄膜は磁化回転しやす
い状態となり、記録媒体からの漏洩磁界の一部が前記軟
磁性薄膜の磁化回転に使用され、結果として前記磁気抵
抗効果膜へ作用する記録媒体からの漏洩磁界の割合が減
少することによる。
磁界に対するＭＲヘッドの再生出力の変化をシミュレ−
ションした結果を示す。図３の縦軸は、前記軟磁性薄膜
の異方性磁界が５Ｏｅの場合の再生出力値で規格化した
ものである。図３において前記軟磁性薄膜の異方性磁界
が１６Ｏｅを越えたところで再生出力は急に減少しはじ
め、前記軟磁性薄膜の異方性磁界が５Ｏｅの時の再生出
力と比較して、１６Ｏｅにおいて５％減少、２０Ｏｅに
おいて１５％減少した再生出力となる。これは、前記軟
磁性薄膜の異方性磁界の増加に伴い、前記軟磁性薄膜の
磁化が素子高さ方向に十分向かずに未飽和の状態となり
易く、前記軟磁性薄膜の磁化が素子高さ方向に十分に向
いた飽和状態と比べ、前記軟磁性薄膜は磁化回転しやす
い状態となり、記録媒体からの漏洩磁界の一部が前記軟
磁性薄膜の磁化回転に使用され、結果として前記磁気抵
抗効果膜へ作用する記録媒体からの漏洩磁界の割合が減
少することによる。
【００１２】図３より、作用１で述べたように安定な動
作特性と、バルクハウゼンノイズの少ないＭＲヘッドを
実現するために、前記軟磁性薄膜の異方性磁界は１０Ｏ
ｅ以上にした場合、前記軟磁性薄膜の異方性磁界の上限
を１６Ｏｅ以下にすることにより、出力低下は５％以下
に抑えられ、十分な再生出力を確保することが出来る。
作特性と、バルクハウゼンノイズの少ないＭＲヘッドを
実現するために、前記軟磁性薄膜の異方性磁界は１０Ｏ
ｅ以上にした場合、前記軟磁性薄膜の異方性磁界の上限
を１６Ｏｅ以下にすることにより、出力低下は５％以下
に抑えられ、十分な再生出力を確保することが出来る。
【００１３】
【実施例】以下に、実施例により本発明を説明する。な
お、各種実施例を説明するにつき、同一の部位について
は、同一の符号で示し、重複した説明を省略した。
お、各種実施例を説明するにつき、同一の部位について
は、同一の符号で示し、重複した説明を省略した。
【００１４】（実施例１）図４に本発明の一実施例であ
るＭＲヘッドの記録媒体に対抗する面から見た構成概略
図を示す。アルミナなどの絶縁層を薄膜形成し精密研磨
を施した非磁性基板上に、下部シ−ルド膜２１としてス
パッタリングによりパ−マロイを形成し、フォトリソグ
ラフィ−技術により所定の形状にパタ−ン化し、その上
にアルミナ絶縁膜２２を成膜する。磁区制御膜として絶
縁性反強磁性膜であるＮｉＯ２３を積層し所定の形状に
パタ−ン化した後、リフトオフ法により高抵抗薄膜２４
であるアルミナを所定の形状に作成した。その上に、磁
気抵抗効果膜２５であるパ−マロイ、非磁性導電性薄膜
２６であるＴａ及び軟磁性薄膜２７をスパッタリングに
より形成する。なお、軟磁性薄膜２７については、異方
性磁界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下を有するものとして
表１に示す組成の薄膜合金を用いた。電極２８をリフト
オフ法によって作成し、その上にアルミナ絶縁膜２９を
成膜し、パタ−ン化する。その上にパ−マロイからなる
上部シ−ルド／下部磁極兼用膜３０を成膜、パタ−ン化
する。アルミナ絶縁膜２９及び上部シ−ルド膜３０のパ
タ−ン化には、フォトリソグラフィ−技術を用いる。更
にその上に、ギャップ膜３１、コイル、絶縁膜及びパ−
マロイからなる上部磁極膜３２を成膜及び形成した後
に、所定の大きさのＭＲヘッドに加工する。
るＭＲヘッドの記録媒体に対抗する面から見た構成概略
図を示す。アルミナなどの絶縁層を薄膜形成し精密研磨
を施した非磁性基板上に、下部シ−ルド膜２１としてス
パッタリングによりパ−マロイを形成し、フォトリソグ
ラフィ−技術により所定の形状にパタ−ン化し、その上
にアルミナ絶縁膜２２を成膜する。磁区制御膜として絶
縁性反強磁性膜であるＮｉＯ２３を積層し所定の形状に
パタ−ン化した後、リフトオフ法により高抵抗薄膜２４
であるアルミナを所定の形状に作成した。その上に、磁
気抵抗効果膜２５であるパ−マロイ、非磁性導電性薄膜
２６であるＴａ及び軟磁性薄膜２７をスパッタリングに
より形成する。なお、軟磁性薄膜２７については、異方
性磁界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下を有するものとして
表１に示す組成の薄膜合金を用いた。電極２８をリフト
オフ法によって作成し、その上にアルミナ絶縁膜２９を
成膜し、パタ−ン化する。その上にパ−マロイからなる
上部シ−ルド／下部磁極兼用膜３０を成膜、パタ−ン化
する。アルミナ絶縁膜２９及び上部シ−ルド膜３０のパ
タ−ン化には、フォトリソグラフィ−技術を用いる。更
にその上に、ギャップ膜３１、コイル、絶縁膜及びパ−
マロイからなる上部磁極膜３２を成膜及び形成した後
に、所定の大きさのＭＲヘッドに加工する。
【００１５】本実施例において、磁気抵抗効果膜２５
は、端部において磁区制御膜２３により単一磁区状態が
維持され、中央部において単一磁区状態が誘導される。
さらに、磁区制御が施されていない軟磁性薄膜２７にお
いても異方性磁界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下の材料を
用いているので、多磁区構造の形成が抑制され単一磁区
状態が維持され、また、再生出力の低下は５％以下に抑
えられる。これらより、安定な動作特性と、バルクハウ
ゼンノイズの少なく、十分な再生出力を得ることが可能
なＭＲヘッドが実現される。
は、端部において磁区制御膜２３により単一磁区状態が
維持され、中央部において単一磁区状態が誘導される。
さらに、磁区制御が施されていない軟磁性薄膜２７にお
いても異方性磁界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下の材料を
用いているので、多磁区構造の形成が抑制され単一磁区
状態が維持され、また、再生出力の低下は５％以下に抑
えられる。これらより、安定な動作特性と、バルクハウ
ゼンノイズの少なく、十分な再生出力を得ることが可能
なＭＲヘッドが実現される。
【００１６】
【表１】
【００１７】（実施例２）図５に本発明の他の実施例で
あるＭＲヘッドの記録媒体に対抗する面から見た構成概
略図を示す。アルミナなどの絶縁層を薄膜形成し精密研
磨を施した非磁性基板上に、下部シ−ルド膜２１として
スパッタリングによりパ−マロイを形成し、フォトリソ
グラフィ−技術により所定の形状にパタ−ン化し、その
上にアルミナ絶縁膜２２を成膜する。その上に、軟磁性
薄膜２７、非磁性導電性薄膜２６であるＴａ及び磁気抵
抗効果膜２５であるパ−マロイをスパッタリングにより
形成する。なお、軟磁性薄膜２７については、異方性磁
界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下を有するものとして表１
に示す組成の薄膜合金を用いた。磁区制御膜３３として
導電性反強磁性膜であるＦｅＭｎあるいは導電性硬磁性
膜ＣｏＰｔを、そして電極２８をリフトオフ法によって
作成し、その上にアルミナ絶縁膜２９を成膜し、パタ−
ン化する。その上にパ−マロイからなる上部シ−ルド／
下部磁極兼用膜３０を成膜、パタ−ン化する。アルミナ
絶縁膜２９及び上部シ−ルド膜３０のパタ−ン化には、
フォトリソグラフィ−技術を用いる。更にその上に、ギ
ャップ膜３１、コイル、絶縁膜及びパ−マロイからなる
上部磁極膜３２を成膜及び形成した後に、所定の大きさ
のＭＲヘッドに加工する。
あるＭＲヘッドの記録媒体に対抗する面から見た構成概
略図を示す。アルミナなどの絶縁層を薄膜形成し精密研
磨を施した非磁性基板上に、下部シ−ルド膜２１として
スパッタリングによりパ−マロイを形成し、フォトリソ
グラフィ−技術により所定の形状にパタ−ン化し、その
上にアルミナ絶縁膜２２を成膜する。その上に、軟磁性
薄膜２７、非磁性導電性薄膜２６であるＴａ及び磁気抵
抗効果膜２５であるパ−マロイをスパッタリングにより
形成する。なお、軟磁性薄膜２７については、異方性磁
界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下を有するものとして表１
に示す組成の薄膜合金を用いた。磁区制御膜３３として
導電性反強磁性膜であるＦｅＭｎあるいは導電性硬磁性
膜ＣｏＰｔを、そして電極２８をリフトオフ法によって
作成し、その上にアルミナ絶縁膜２９を成膜し、パタ−
ン化する。その上にパ−マロイからなる上部シ−ルド／
下部磁極兼用膜３０を成膜、パタ−ン化する。アルミナ
絶縁膜２９及び上部シ−ルド膜３０のパタ−ン化には、
フォトリソグラフィ−技術を用いる。更にその上に、ギ
ャップ膜３１、コイル、絶縁膜及びパ−マロイからなる
上部磁極膜３２を成膜及び形成した後に、所定の大きさ
のＭＲヘッドに加工する。
【００１８】本実施例において、磁気抵抗効果膜２５
は、端部において磁区制御膜３３により単一磁区状態が
維持され、中央部において単一磁区状態が誘導される。
さらに、磁区制御が施されていない軟磁性薄膜２７にお
いても異方性磁界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下の材料を
用いているので、多磁区構造の形成が抑制され単一磁区
状態が維持され、また、再生出力の低下は５％以下に抑
えられる。これらより、安定な動作特性と、バルクハウ
ゼンノイズの少なく、十分な再生出力を得ることが可能
なＭＲヘッドが実現される。
は、端部において磁区制御膜３３により単一磁区状態が
維持され、中央部において単一磁区状態が誘導される。
さらに、磁区制御が施されていない軟磁性薄膜２７にお
いても異方性磁界が１０Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下の材料を
用いているので、多磁区構造の形成が抑制され単一磁区
状態が維持され、また、再生出力の低下は５％以下に抑
えられる。これらより、安定な動作特性と、バルクハウ
ゼンノイズの少なく、十分な再生出力を得ることが可能
なＭＲヘッドが実現される。
【００１９】（実施例３）図６に実施例１、２で示した
ＭＲヘッドを搭載した磁気ディスク装置の構成概略図を
示す。これは、ヘッド−ディスクアッセンブリであり、
情報を記録再生する前記ＭＲヘッドを形成したヘッドス
ライダ４０、表面に情報が記録される磁気媒体が形成さ
れた磁気ディスク４１、複数の前記磁気ディスクを同一
軸に固定するハブ４２、固定された前記磁気ディスクを
回転させるスピンドルモ−タ４３、前記ヘッドスライダ
が取り付けられ、前記磁気ディスクとのスペ−スを安定
に維持するためのバネ部材、及びヘッドアッセンブリ４
４、前記バネ部材、及びヘッドアッセンブリを固定し、
位置決め機構に連結されるガイドア−ムからなるヘッド
キャリッジ部４５及びその制御機構４６から構成され
る。
ＭＲヘッドを搭載した磁気ディスク装置の構成概略図を
示す。これは、ヘッド−ディスクアッセンブリであり、
情報を記録再生する前記ＭＲヘッドを形成したヘッドス
ライダ４０、表面に情報が記録される磁気媒体が形成さ
れた磁気ディスク４１、複数の前記磁気ディスクを同一
軸に固定するハブ４２、固定された前記磁気ディスクを
回転させるスピンドルモ−タ４３、前記ヘッドスライダ
が取り付けられ、前記磁気ディスクとのスペ−スを安定
に維持するためのバネ部材、及びヘッドアッセンブリ４
４、前記バネ部材、及びヘッドアッセンブリを固定し、
位置決め機構に連結されるガイドア−ムからなるヘッド
キャリッジ部４５及びその制御機構４６から構成され
る。
【００２０】本実施例において、例えばヘッド浮上量
０．１μｍ、媒体のＨｃ１６００Ｏｅ、トラック密度
２．５ｋＴＰＩ、線記録密度６０ｋＢＰＩ、面記録密度
１５０Ｍｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ2で十分動作可能な磁気記
録装置を実現することが可能となる。
０．１μｍ、媒体のＨｃ１６００Ｏｅ、トラック密度
２．５ｋＴＰＩ、線記録密度６０ｋＢＰＩ、面記録密度
１５０Ｍｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ2で十分動作可能な磁気記
録装置を実現することが可能となる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗効果型ヘッド
において軟磁性薄膜にＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｂ系合金を
用いることにより、前記軟磁性薄膜の異方性磁界を１０
Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下にすることができ、比較的容易に
軟磁性薄膜における多磁区構造の形成が抑制でき、バル
クハウゼンノイズの少ない安定な動作特性と十分な再生
出力の確保の両立が可能な磁気抵抗効果型ヘッドが得ら
れる。さらに前記磁気抵抗効果型ヘッドを搭載すること
により、記録密度を大幅に向上した磁気記録装置の実現
が可能となる。
において軟磁性薄膜にＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｂ系合金を
用いることにより、前記軟磁性薄膜の異方性磁界を１０
Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下にすることができ、比較的容易に
軟磁性薄膜における多磁区構造の形成が抑制でき、バル
クハウゼンノイズの少ない安定な動作特性と十分な再生
出力の確保の両立が可能な磁気抵抗効果型ヘッドが得ら
れる。さらに前記磁気抵抗効果型ヘッドを搭載すること
により、記録密度を大幅に向上した磁気記録装置の実現
が可能となる。
【図１】シミュレ−ションに用いた磁気抵抗効果型ヘッ
ドの概略図
ドの概略図
【図２】磁気抵抗効果膜と軟磁性薄膜の磁化状態のシミ
ュレ−ション結果を示す図
ュレ−ション結果を示す図
【図３】磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力のシミュレ−
ション結果を示す図
ション結果を示す図
【図４】本発明の一実施例を示す磁気抵抗効果型ヘッド
の概略構成図
の概略構成図
【図５】本発明の一実施例を示す磁気抵抗効果型ヘッド
の概略構成図
の概略構成図
【図６】本発明の一実施例を示す磁気ディスク装置の概
略構成図
略構成図
１０ａ、１０ｂ、２５・・・磁気抵抗効果膜、 １１、
２６・・・磁気分離膜、１２ａ、１２ｂ、２７・・・軟磁性薄
膜、 １３、２３、３３・・・磁区制御膜
２６・・・磁気分離膜、１２ａ、１２ｂ、２７・・・軟磁性薄
膜、 １３、２３、３３・・・磁区制御膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須田 三雄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 福岡 弘継 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 小林 哲夫 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵
抗効果膜の近傍に位置し磁気分離膜によって前記磁気抵
抗効果膜と磁気的に分離された軟磁性薄膜と、前記磁気
抵抗効果膜に電流を流す電極を有する磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、前記軟磁性薄膜が重量で５５〜７５％の
Ｎｉ、１０〜１５％のＦｅ、１０〜３０％のＣｏ、０〜
５％のＮｂからなる合金薄膜であることを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】請求項１において、前記軟磁性薄膜が１０
Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下の異方性磁界を有することを特徴
とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】請求項１、２のいずれかのヘッドを搭載し
た磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26654994A JPH08129719A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26654994A JPH08129719A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129719A true JPH08129719A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17432401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26654994A Pending JPH08129719A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08129719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100293861B1 (ko) * | 1996-07-31 | 2001-09-17 | 가네꼬 히사시 | 교환바이어스자이언트자기저항소자를이용한자기저항센서 |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26654994A patent/JPH08129719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100293861B1 (ko) * | 1996-07-31 | 2001-09-17 | 가네꼬 히사시 | 교환바이어스자이언트자기저항소자를이용한자기저항센서 |
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