JPH0812430A - 圧電性磁器及びその製造方法 - Google Patents

圧電性磁器及びその製造方法

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JPH0812430A
JPH0812430A JP6173644A JP17364494A JPH0812430A JP H0812430 A JPH0812430 A JP H0812430A JP 6173644 A JP6173644 A JP 6173644A JP 17364494 A JP17364494 A JP 17364494A JP H0812430 A JPH0812430 A JP H0812430A
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JP
Japan
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fiber
zro
tetragonal zro
tetragonal
piezoelectric ceramic
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JP6173644A
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Makoto Yamamoto
山本  誠
Osamu Nishisato
修 西里
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 機械的性質(特に破壊靱性)に優れ、かつ、
従来の圧電性磁器と同等の電気的性質を有する圧電性磁
器及びその製造方法を提供する。 【構成】 チタン酸ジルコン酸鉛系圧電性磁器材料に正
方晶ZrO2ファイバーを添加して焼成する。正方晶Z
rO2ファイバーの添加量を、2〜20vol%の割合とす
る。さらに、正方晶ZrO2ファイバーとして、その繊
維径が2〜100μm、繊維長が0.01〜30mmの範
囲にあるものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電性磁器に関し、詳
しくは、セラミックフィルタ、圧電ブザー、圧電アクチ
ュエータなどに用いられるチタン酸ジルコン酸鉛系圧電
性磁器に関する。
【0002】
【関連技術及び発明が解決しようとする課題】チタン酸
ジルコン酸鉛系(以下PZT系と略称する)圧電性磁器
は、優れた圧電特性を有しており、セラミックフィル
タ、圧電ブザー、圧電アクチュエータなどの種々の電子
部品に広く用いられている。
【0003】ところが、このPZT系圧電性磁器は、優
れた圧電特性を有している半面、機械的性質は必ずしも
十分ではなく、特に、破壊靱性値は0.8MPa・m
1/2程度と小さい。
【0004】そのため、従来のPZT系圧電性磁器で
は、苛酷な機械加工条件や使用環境条件に耐えることが
できない場合が生じ、さらに破壊靱性などの機械的性質
に優れたPZT系圧電性磁器が要求されるに至ってい
る。
【0005】そこで、上記の要求に応えるべく、本願の
出願人は、単斜晶ZrO2ファイバーが添加されたPZ
T系圧電性磁器材料の焼結体からなる圧電性磁器を提案
している(特願平5−331665号)。この圧電性磁
器は、PZT系圧電性磁器材料に単斜晶ZrO2ファイ
バーを添加して焼成することにより、PZT系圧電性磁
器と単斜晶ZrO2ファイバーの複合体(コンポジッ
ト)を形成することにより、破壊靱性を向上させたもの
であり、単斜晶ZrO2ファイバーを5vol%添加するこ
とにより、破壊靱性値を最大値1.4MPa・m1/2
まで向上させた実施例などが示されている。
【0006】ところが、上記のPZT系圧電性磁器にお
いては、単斜晶ZrO2ファイバーの添加量を10vol%
以上にすると、単斜晶ZrO2ファイバーを添加しない
場合よりも破壊靱性値が小さくなってしまうため、単斜
晶ZrO2ファイバーを添加することにより機械的性質
を向上させるにも限界があり、また、単斜晶ZrO2
ァイバーの添加量が増加するにともない電気的性質が劣
化するため、単斜晶ZrO2ファイバーの添加が制約さ
れるという問題点がある。
【0007】本発明は、上記の問題点を解決するもので
あり、機械的性質(特に破壊靱性)に優れ、かつ、従来
の圧電性磁器と同等の電気的性質を有する圧電性磁器及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の圧電性磁器は、正方晶ZrO2ファイバー
が添加されたチタン酸ジルコン酸鉛系圧電性磁器材料の
焼結体からなることを特徴としている。
【0009】また、前記正方晶ZrO2ファイバーが、
2〜20vol%の割合で添加されていることを特徴とし
ている。
【0010】さらに、前記正方晶ZrO2ファイバーの
繊維径、及び繊維長が、それぞれ、繊維径:2〜100
μm、繊維長:0.01〜30mmの範囲にあることを特
徴としている。
【0011】また、本願発明の圧電性磁器は、チタン酸
ジルコン酸鉛系圧電性磁器材料に正方晶ZrO2ファイ
バーを添加、混合した後、所定の形状に成形して焼成す
ることを特徴としている。
【0012】
【作用】PZT系圧電性磁器材料に正方晶ZrO2ファ
イバーを添加して焼成することにより、PZT系圧電性
磁器と正方晶ZrO2ファイバーの複合体(コンポジッ
ト)が形成される。そして、この複合体の形成により、
破壊靱性が向上する。
【0013】本発明のPZT系圧電性磁器においては、
破面のXRDプロファイルからはt→m変態は認められ
ず、応力誘起変態による強靭化が特に認められないこと
から、本発明のPZT系圧電性磁器における機械的性質
改善の主たる機構は、前述の関連技術の、単斜晶ZrO
2ファイバーを添加したPZT系圧電性磁器(単斜晶Z
rO2ファイバー/PZT系)のように、機械的破壊モ
ードが脆性的なものから延性的なものに変化することに
よるものではなく、複合体化による強度の向上ならびに
高靱性繊維による荷重分担によるものと考えられる。
【0014】また、正方晶ZrO2ファイバーとして
は、繊維径が2〜100μm、繊維長が0.01〜30m
mの範囲のものを用いることが好ましいが、これは、繊
維径が2μm未満のものを用いると破壊靱性などの特性
改善の効果が不十分となり、100μmを越えるものを
用いると焼結性が低下してしまうからであり、また、繊
維長が0.01mm未満のものを用いると破壊靱性などの
特性改善の効果が不十分となり、30mmを越えるものを
用いてもスラリーの分散混合時に粉砕され、繊維長が短
くなってしまうからである。
【0015】また、正方晶ZrO2ファイバーの添加量
は、2〜20vol%の割合とすることが好ましいが、こ
れは、添加量が2vol%未満になると破壊靱性などの特
性改善の効果が不十分になり、20vol%を越えると電
気的性質の劣化などが発生することによる。
【0016】したがって、正方晶ZrO2ファイバーと
して、繊維径、繊維長が上記範囲のものを用い、その添
加量を2〜20vol%の割合とすることにより、正方晶
ZrO2ファイバーとPZT系圧電性磁器の複合化を確
実なものとし、各種の電気的性質や機械的性質のバラン
スのとれた良好な圧電性磁器を得ることが可能になる。
【0017】また、本発明の圧電性磁器は、チタン酸ジ
ルコン酸鉛系圧電性磁器材料に正方晶ZrO2ファイバ
ーを添加、混合した後、これを所定の形状に成形して焼
成する方法によって容易かつ確実に製造することができ
る。
【0018】
【実施例】以下、本発明の実施例を示して、その特徴と
するところをさらに具体的に説明する。この実施例で
は、PZT系圧電性磁器材料として、PbO,Zr
2、TiO2、及びSrCO3の粉末を準備し、これら
の粉末を、汎用kHz帯セラミックフィルタに用いられ
る(Pb0.92Sr0.08)(Ti0.48Zr0.52)O3の組
成になるように配合したものを用いた。なお、このPZ
T系圧電性磁器材料(配合粉末)の平均粒径は1.16
μm、真密度は7740kg/m3である。
【0019】また、添加する正方晶ZrO2ファイバー
としては、繊維径が約5μm、繊維長が約20〜30mm
で、Y23を7重量%含有するものを用いた。なお、こ
の正方晶ZrO2ファイバーの真密度は5800kg/
3である。
【0020】そして、水に上記正方晶ZrO2ファイバ
ーを加えてZrO2ボールとともにポリエチレンポット
に入れ、1時間予備分散した後、上記PZT系圧電性磁
器材料(配合粉末)を投入して3時間分散混合した。そ
れから、これをさらに均一に分散させるため、アンモニ
アとLアスコルビン酸でpHを9.0に調整した後、ホ
モジナイザーで5分間分散して成形用のスラリーを得
た。なお、この実施例においては、スラリーとして、固
体濃度が35vol%で、正方晶ZrO2ファイバーの添加
量が0〜30vol%の範囲の種々のスラリーを調製し
た。
【0021】そして、これらのスラリーを真空脱泡した
後、石膏型に鋳込み、成形体(70mm×10mm×5mm)
を得た。
【0022】得られた成形体を110℃で乾燥した後、
600℃で1時間脱脂し、所定の鉛雰囲気に調節したア
ルミナ質の気密性匣内で、1250℃、2時間の条件で
焼成を行った。
【0023】焼成後の成形体(焼結体)について、種々
の試験及び測定を行った。その結果を以下に説明する。
【0024】図1は、上記のようにして得られた成形体
についての、正方晶ZrO2ファイバー添加量と、成形
密度(焼成前の密度)ならびに焼成密度(焼成後の密度
(対理論密度))の関係を示す図である。なお、図1に
おいて、成形密度は乾燥成形体の寸法と重量から求めた
値であり、焼成密度はアルキメデス法により求めた値で
ある。
【0025】図1より、正方晶ZrO2ファイバーの添
加量が増すと成形密度が増加し、添加量が20vol%に
なると、無添加の場合の57%から63%に増加してい
ることがわかる。
【0026】一方、正方晶ZrO2ファイバーの添加量
が増すと焼成密度が減少し、添加量が20vol%では無
添加の場合の98%から89.5%に低下していること
がわかる。
【0027】また、表1に正方晶ZrO2ファイバー添
加量と焼成体の気孔率の関係を示す。
【0028】
【表1】
【0029】表1より、正方晶ZrO2ファイバーの添
加量が10vol%を越えると全気孔率の増加が顕著にな
ることがわかる。そして、そのほとんどが開気孔による
ものであることがわかる。
【0030】図2は、成形体の長さL、幅W、厚みD方
向の線収縮率を示す線図である。
【0031】図2より、正方晶ZrO2ファイバー添加
量の増加が収縮率の減少をもたらすことがわかる。これ
は、焼成密度の減少に対応するものである。
【0032】ただし、収縮率は、異方性を示しており、
D方向及びW方向よりもL方向の収縮率は小さく、D及
びW方向の収縮率はほぼ同じである。また、正方晶Zr
2ファイバーの添加量の増加は、異方性を強めること
がわかる。すなわち、W方向とL方向の間の収縮率の差
異は、無添加の場合が約1%であるのに対して、添加量
が20vol%の場合には4%になっている。
【0033】図3は、正方晶ZrO2ファイバー添加量
と焼結体の3点曲げ強度ならびに破壊靱性値の関係を示
す線図である。3点曲げ強度は、下部スパン20mm、ク
ロスヘッド速度0.5mm/minで測定した。また、破壊
靱性値は、下部スパン20mm、クロスヘッド速度0.0
05mm/minの条件による3点曲げ下のシェブロンノッ
チ法により求めた値である。なお、3点曲げ強度及び破
壊靱性値はそれぞれ10以上の試料について測定した値
の平均値である。
【0034】図3に示すように、正方晶ZrO2ファイ
バー添加量に対して、3点曲げ強度はほぼ一定値を示し
た。一方、破壊靱性値は、正方晶ZrO2ファイバーの
添加量が10vol%になるまでは添加量の増加にともな
って増加し、無添加の場合よりも約40%増加したが、
添加量が10〜20vol%の範囲では、その増加割合は
わずかである。
【0035】図4は、正方晶ZrO2ファイバー/PZ
T系の熱膨張収縮曲線を示す線図である。この系におい
ては、正方晶ZrO2ファイバーの添加量が20vol%の
場合にも、前述の関連技術の単斜晶ZrO2ファイバー
/PZT系で生じるような、1回目昇降温時の0.1%
にも及ぶ大きな膨張歪は観測されなかった。また、2回
目以降の測定においても1回目と同様の熱膨張収縮曲線
を示した。
【0036】図5は、比誘電率と正方晶ZrO2ファイ
バー添加量の関係を示す線図である。なお、図5には、
比較のため、単斜晶ZrO2ファイバー/PZT系につ
いての比誘電率と単斜晶ZrO2ファイバー添加量の関
係を併せて示している。
【0037】図5に示すように、正方晶ZrO2ファイ
バーの添加量の増加にともなって、比誘電率は指数的に
減少し、正方晶ZrO2ファイバー添加量が20vol%で
は、無添加の場合に比べて、比誘電率が半減することが
わかった。なお、正方晶ZrO2ファイバーの添加によ
り比誘電率が減少する傾向は、単斜晶ZrO2ファイバ
ーを添加した場合と同様であり、また、その減少割合の
正方晶ZrO2ファイバーへの依存度についても、単斜
晶ZrO2ファイバーへの依存度とほとんど差がなかっ
た。
【0038】また、正方晶ZrO2ファイバー添加量と
電気機械結合係数k31の関係について調べたところ、電
気機械結合係数k31は、正方晶ZrO2ファイバー添加
量に対して直線的に減少することがわかった。
【0039】なお、正方晶ZrO2ファイバーの添加に
より電気機械結合係数k31が減少する傾向は、単斜晶Z
rO2ファイバーを添加した場合と同様であり、また、
その減少割合の正方晶ZrO2ファイバーへの依存度に
ついても、単斜晶ZrO2ファイバーへの依存度とほと
んど差がなかった。
【0040】また、表2に、正方晶ZrO2ファイバー
を添加していないPZT系圧電性磁器と正方晶ZrO2
ファイバーを20vol%添加したPZT系圧電性磁器の
焼成密度(対理論密度)、気孔率、3点曲げ強度、及び
破壊靱性値をまとめて示す。
【0041】
【表2】
【0042】表2に示すように、正方晶ZrO2ファイ
バーを20vol%添加したPZT系圧電性磁器は、焼成
密度が低下し、気孔率が増大しているにもかかわらず、
3点曲げ強度は無添加の場合と同等であり、破壊靱性値
は44%増加していることがわかる。
【0043】なお、酸素雰囲気焼成や、ホットプレス焼
成などの方法を適用することにより、正方晶ZrO2
ァイバーの添加による焼成密度の低下や、気孔率の増
大、電気的性質などの劣化が少なく、破壊靱性値のさら
に大きい強靭なPZT系圧電性磁器を得ることができ
る。
【0044】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、正方晶ZrO2ファイバーの繊維径及び
繊維長、正方晶ZrO2ファイバー中の微量含有成分の
有無や含有割合、PZT系圧電性磁器材料の具体的な組
成、圧電性磁器の製造方法の細部の具体的な条件などに
関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形
を加えることが可能である。
【0045】
【発明の効果】上述のように、本発明の圧電性磁器は、
チタン酸ジルコン酸鉛系圧電性磁器材料に正方晶ZrO
2ファイバーを添加して焼成することにより得られる焼
結体であり、PZT系圧電性磁器と正方晶ZrO2ファ
イバーが複合体(コンポジット)化した組織構造を有し
ているため、機械的性質が向上し、破壊靱性値が増大す
るという効果が得られる。
【0046】なお、正方晶ZrO2ファイバーとして、
繊維径:2〜100μm、繊維長:0.01〜30mmの
ものを用い、これを、2〜20vol%の割合で添加する
ことにより、各種の電気的性質や機械的性質のバランス
のとれた良好な圧電性磁器を得ることができる。
【0047】また、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電性磁器
材料に正方晶ZrO2ファイバーを添加、混合した後、
これを所定の形状に成形して焼成する方法により、本発
明の圧電性磁器を容易かつ確実に製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】正方晶ZrO2ファイバー添加量と、成形密度
(焼成前の密度)ならびに焼成密度(焼成後の密度)の
関係を示す線図である。
【図2】成形体の長さL、幅W、厚みD方向の線収縮率
を示す線図である。
【図3】正方晶ZrO2ファイバー添加量と焼結体の3
点曲げ強度ならびに破壊靱性値の関係を示す線図であ
る。
【図4】正方晶ZrO2ファイバー/PZT系の熱膨張
収縮曲線を示す図である。
【図5】PZT系圧電性磁器の比誘電率と正方晶ZrO
2ファイバー、単斜晶ZrO2ファイバーの添加量の関係
を示す線図である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 正方晶ZrO2ファイバーが添加された
    チタン酸ジルコン酸鉛系圧電性磁器材料の焼結体からな
    ることを特徴とする圧電性磁器。
  2. 【請求項2】 前記正方晶ZrO2ファイバーが、2〜
    20vol%の割合で添加されていることを特徴とする請
    求項1記載の圧電性磁器。
  3. 【請求項3】 前記正方晶ZrO2ファイバーの繊維
    径、及び繊維長が、それぞれ、 繊維径 : 2〜100μm 繊維長 : 0.01〜30mm の範囲にあることを特徴とする請求項2記載の圧電性磁
    器。
  4. 【請求項4】 チタン酸ジルコン酸鉛系圧電性磁器材料
    に正方晶ZrO2ファイバーを添加、混合した後、所定
    の形状に成形して焼成することを特徴とする圧電性磁器
    の製造方法。
JP6173644A 1994-06-30 1994-06-30 圧電性磁器及びその製造方法 Pending JPH0812430A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8685543B2 (en) 2002-03-15 2014-04-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices made by using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8685543B2 (en) 2002-03-15 2014-04-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices made by using the same
US8911886B2 (en) 2002-03-15 2014-12-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices made by using the same
USRE46368E1 (en) 2002-03-15 2017-04-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices made by using the same

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Effective date: 20020326