JPH08111406A - 高密度集積回路の基板表面の再エッチング方法 - Google Patents
高密度集積回路の基板表面の再エッチング方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度集積回路の製造時のタングステン再エ
ッチング工程中に基板表面上にエッチング生成物が再堆
積することを回避する。 【解決手段】 再エッチング中に基板は基板の縁に配設
された保持リングにより冷却された試料受に押し付けら
れる。基板の縁は、ごく局部的に保持部で再エッチング
の際に遊離するエッチング生成物に対してせき止めを生
じないように形成された保持リングにより保持され、そ
の結果エッチング生成物は保持部を通過して流れ、基板
表面の外側に堆積するようにされる。
ッチング工程中に基板表面上にエッチング生成物が再堆
積することを回避する。 【解決手段】 再エッチング中に基板は基板の縁に配設
された保持リングにより冷却された試料受に押し付けら
れる。基板の縁は、ごく局部的に保持部で再エッチング
の際に遊離するエッチング生成物に対してせき止めを生
じないように形成された保持リングにより保持され、そ
の結果エッチング生成物は保持部を通過して流れ、基板
表面の外側に堆積するようにされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度集積回路を
製造する際に基板を再エッチング中に基板の縁部に配設
された保持リングにより冷却された試料受に押し付ける
ようにした、タングステンで被覆された基板表面の再エ
ッチング方法に関する。
製造する際に基板を再エッチング中に基板の縁部に配設
された保持リングにより冷却された試料受に押し付ける
ようにした、タングステンで被覆された基板表面の再エ
ッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスモジュールで
は例えばドープされたシリコン基板、ポリシリコン又は
金属導体路のような種々の導電層は絶縁体（例えばＳｉ
Ｏ2）により互いに分離されている。機能性のある回路
を得るために個々の導電層は適当な箇所で互いに接触化
されなければならない。通常それには絶縁体中に孔、い
わゆるコンタクトホール又はバイアホールをエッチング
し、次いでそれらの孔に同時に導電材料を入れる。サブ
μｍの技術分野では好適な方法としてこれらの孔を気相
から化学的に析出されたタングステンで満たすようにし
ている。１先行技術ではまずＷＦ6（六フッ化タングス
テン）及びＨ2又はＳｉＨ4からなる化学蒸着層の析出が
行われる。この層はＴｉＮ又はＴｉＷの基台（接着層、
障壁）上に析出され、基板表面全体及び孔の底面及び側
面上に成長させられる。その後の１工程（再エッチン
グ）で水平な基板表面上に前もって析出された導電層が
再び完全に除去され、その結果理想的には導電材料で完
全に満たされたコンタクトホール又はバイアホールが後
に残るようにする。
は例えばドープされたシリコン基板、ポリシリコン又は
金属導体路のような種々の導電層は絶縁体（例えばＳｉ
Ｏ2）により互いに分離されている。機能性のある回路
を得るために個々の導電層は適当な箇所で互いに接触化
されなければならない。通常それには絶縁体中に孔、い
わゆるコンタクトホール又はバイアホールをエッチング
し、次いでそれらの孔に同時に導電材料を入れる。サブ
μｍの技術分野では好適な方法としてこれらの孔を気相
から化学的に析出されたタングステンで満たすようにし
ている。１先行技術ではまずＷＦ6（六フッ化タングス
テン）及びＨ2又はＳｉＨ4からなる化学蒸着層の析出が
行われる。この層はＴｉＮ又はＴｉＷの基台（接着層、
障壁）上に析出され、基板表面全体及び孔の底面及び側
面上に成長させられる。その後の１工程（再エッチン
グ）で水平な基板表面上に前もって析出された導電層が
再び完全に除去され、その結果理想的には導電材料で完
全に満たされたコンタクトホール又はバイアホールが後
に残るようにする。
【０００３】タングステンの再エッチングに際して基板
は保持装置、即ち保持リング又はクランプリングにより
冷却された試料受（台座）に押圧される。加工上の許容
誤差及び表面の凹凸により台座と基板との間には微視的
な空洞又は亀裂が生じ、これは基板を良好に冷却するの
に障害となる。従って基板の冷却を改善するには基板と
台座との間の空間を台座を介して供給されるヘリウムで
満たす。基板の表側にヘリウムが達しないように、また
基板が供給されたヘリウムにより台座から押し退けられ
ないようにするため、保持リングで基板は試料受に押圧
される。この保持リングは従来は基板を完全に囲むよう
に構成されている。再エッチング工程は典型的にはフッ
素及び／又は塩素含有プラズマ中で行われ、その際目的
とするサイズに関するプロセスパラメータの最も重要な
作用は既にそれ自体公知である。
は保持装置、即ち保持リング又はクランプリングにより
冷却された試料受（台座）に押圧される。加工上の許容
誤差及び表面の凹凸により台座と基板との間には微視的
な空洞又は亀裂が生じ、これは基板を良好に冷却するの
に障害となる。従って基板の冷却を改善するには基板と
台座との間の空間を台座を介して供給されるヘリウムで
満たす。基板の表側にヘリウムが達しないように、また
基板が供給されたヘリウムにより台座から押し退けられ
ないようにするため、保持リングで基板は試料受に押圧
される。この保持リングは従来は基板を完全に囲むよう
に構成されている。再エッチング工程は典型的にはフッ
素及び／又は塩素含有プラズマ中で行われ、その際目的
とするサイズに関するプロセスパラメータの最も重要な
作用は既にそれ自体公知である。
【０００４】この公知方法では単にコンタクトホール又
はバイアホールを導電材料で満たすように努めるばかり
でなく、タングステンの再エッチング後タングステン残
分を有していない基板表面も得ようとするものである。
導電材料を完全に基板の表面から除去するための再エッ
チングに対する要求は後に形成される導体路間の短絡を
回避するのに重要である。このタングステン残分を含ま
ないようにするために再エッチング工程は時間的に延長
される。即ちＴｉＮ又はＴｉＷ層（接着層、障壁）の表
面まで過エッチングされてタングステン残分が除去され
る。この過エッチングによって接着層は薄層化され、時
には局部的に完全に、特に縁部の範囲で完全に除去され
る。その際遊離されたエッチング生成物は基板の縁部上
に堆積する。この堆積物は図１ｂ）から明らかなように
基板（ウェハ１）の保持装置（保持リング２）の範囲内
に集中し、基板と直接接触することになる。基板が再エ
ッチング工程の終了後大気に曝されると、堆積物４は大
気に含まれる酸素と混ざる。この混合物は他のプロセス
過程に含まれている以後の作業工程（例えば水による洗
浄）ではもはや除去できない。
はバイアホールを導電材料で満たすように努めるばかり
でなく、タングステンの再エッチング後タングステン残
分を有していない基板表面も得ようとするものである。
導電材料を完全に基板の表面から除去するための再エッ
チングに対する要求は後に形成される導体路間の短絡を
回避するのに重要である。このタングステン残分を含ま
ないようにするために再エッチング工程は時間的に延長
される。即ちＴｉＮ又はＴｉＷ層（接着層、障壁）の表
面まで過エッチングされてタングステン残分が除去され
る。この過エッチングによって接着層は薄層化され、時
には局部的に完全に、特に縁部の範囲で完全に除去され
る。その際遊離されたエッチング生成物は基板の縁部上
に堆積する。この堆積物は図１ｂ）から明らかなように
基板（ウェハ１）の保持装置（保持リング２）の範囲内
に集中し、基板と直接接触することになる。基板が再エ
ッチング工程の終了後大気に曝されると、堆積物４は大
気に含まれる酸素と混ざる。この混合物は他のプロセス
過程に含まれている以後の作業工程（例えば水による洗
浄）ではもはや除去できない。
【０００５】引続き図１ｃ）に示されているように他の
導電性層（アルミニウム層５）又は非導電性層が全面的
に施されると、“堆積物”即ちリデポジションの範囲内
に施された層の応力によって層の分離を来す。この不所
望かつ障害となる層分離は基板の表面に対する“粒子負
荷”である。この粒子負荷は歩留りの損失を来しまた基
板を反らせる原因になる。
導電性層（アルミニウム層５）又は非導電性層が全面的
に施されると、“堆積物”即ちリデポジションの範囲内
に施された層の応力によって層の分離を来す。この不所
望かつ障害となる層分離は基板の表面に対する“粒子負
荷”である。この粒子負荷は歩留りの損失を来しまた基
板を反らせる原因になる。
【０００６】タングステンの再エッチング後“堆積物”
（リデポジション）は従来は時間をかけた水による洗浄
により除去されてきた。しかしこの洗浄の結果は再現不
能であり、更に水による洗浄は金属層に対しては一般に
回避する必要があり、またその期間は制限しなければな
らなかった。過エッチング期間における堆積物を減らす
ためには、プロセスの変更もまたタングステン再エッチ
ングプロセスに続くその場でのプラズマ洗浄工程も成果
が上がらなかった。
（リデポジション）は従来は時間をかけた水による洗浄
により除去されてきた。しかしこの洗浄の結果は再現不
能であり、更に水による洗浄は金属層に対しては一般に
回避する必要があり、またその期間は制限しなければな
らなかった。過エッチング期間における堆積物を減らす
ためには、プロセスの変更もまたタングステン再エッチ
ングプロセスに続くその場でのプラズマ洗浄工程も成果
が上がらなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、上記の不所望のリデポジションを回避させるため冒
頭に記載した形式の方法を改良することにある。
は、上記の不所望のリデポジションを回避させるため冒
頭に記載した形式の方法を改良することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、基板の縁部が局部的に周囲に分散配置されている保
持部において保持リングにより保持され、この保持部は
再エッチングの際に遊離するエッチング生成物に対して
せき止めを生じないように形成されており、その結果エ
ッチング生成物は保持部を通過して流れ、基板表面の外
側に的確に堆積することにより解決される。
り、基板の縁部が局部的に周囲に分散配置されている保
持部において保持リングにより保持され、この保持部は
再エッチングの際に遊離するエッチング生成物に対して
せき止めを生じないように形成されており、その結果エ
ッチング生成物は保持部を通過して流れ、基板表面の外
側に的確に堆積することにより解決される。
【０００９】
【実施例】本発明を実施例及び図面に基づき以下に詳述
する。
する。
【００１０】本発明は、有害な堆積は専ら基板保持体に
よるものであると判断し、基板の保持リングの周囲に接
している基板表面上のエッチング生成物が上記のように
堆積するのを、エッチング生成物が基板表面の外側に的
確に堆積するように基板の保持リングを形成することに
より完全に回避できるとの認識に基づくものである。こ
のことは基板がごく局部的に又は点状に基板保持体によ
り保持されるように保持リングを形成することにより達
成される。基板は本発明によれば個々の“指”によって
のみ保持されているとも云える。不所望なエッチング生
成物を確実に基板の外側に堆積するには、指及び保持リ
ングの形状及び寸法が決定的な要素となる。
よるものであると判断し、基板の保持リングの周囲に接
している基板表面上のエッチング生成物が上記のように
堆積するのを、エッチング生成物が基板表面の外側に的
確に堆積するように基板の保持リングを形成することに
より完全に回避できるとの認識に基づくものである。こ
のことは基板がごく局部的に又は点状に基板保持体によ
り保持されるように保持リングを形成することにより達
成される。基板は本発明によれば個々の“指”によって
のみ保持されているとも云える。不所望なエッチング生
成物を確実に基板の外側に堆積するには、指及び保持リ
ングの形状及び寸法が決定的な要素となる。
【００１１】保持リング２には基板１の縁部にまで達す
る少なくとも３つの指形の保持部が備えられるようにす
る。多数の例えば２４個の保持部を周囲に分散配置する
と有利である。カム状に形成された多数の保持部も有効
である。図２の断面図は分かり易くするために指形の保
持部の基板（ウェハ１）の縁部にまで達する前側端部を
単に長方形の空所によって示したものである。保持部を
通過又はその間を流れていくエッチングガス／エッチン
グ生成物は図示のように基板１の表面の外側に的確に堆
積する。この工程は図２に丸印をつけて強調されてい
る。保持部にエッチング生成物の不所望の堆積を来す恐
れのあるせき止め作用は、図３に示されているように、
基板側の端部が先細に尖っているか又は弓形に丸みをつ
けられている保持部の形状により回避することができ
る。指形の保持部は最大で数ｍｍの幅、高さ及び長さを
有するように選ばれ、特に幅及び高さは約２ｍｍ以内で
ある。保持部が狭すぎると局部的に過大な保持力がウェ
ハに働き、その結果損傷の危険が生じることになる。ま
た長過ぎるとガスが過剰に流れる。またガスが妨げられ
ずに通流するためには最小高さが必要となる。せき止め
を回避するには指形の保持部をその基板側の端部に向か
って平坦化すると有利である。
る少なくとも３つの指形の保持部が備えられるようにす
る。多数の例えば２４個の保持部を周囲に分散配置する
と有利である。カム状に形成された多数の保持部も有効
である。図２の断面図は分かり易くするために指形の保
持部の基板（ウェハ１）の縁部にまで達する前側端部を
単に長方形の空所によって示したものである。保持部を
通過又はその間を流れていくエッチングガス／エッチン
グ生成物は図示のように基板１の表面の外側に的確に堆
積する。この工程は図２に丸印をつけて強調されてい
る。保持部にエッチング生成物の不所望の堆積を来す恐
れのあるせき止め作用は、図３に示されているように、
基板側の端部が先細に尖っているか又は弓形に丸みをつ
けられている保持部の形状により回避することができ
る。指形の保持部は最大で数ｍｍの幅、高さ及び長さを
有するように選ばれ、特に幅及び高さは約２ｍｍ以内で
ある。保持部が狭すぎると局部的に過大な保持力がウェ
ハに働き、その結果損傷の危険が生じることになる。ま
た長過ぎるとガスが過剰に流れる。またガスが妨げられ
ずに通流するためには最小高さが必要となる。せき止め
を回避するには指形の保持部をその基板側の端部に向か
って平坦化すると有利である。
【００１２】図２にはまた保持リング２上に載っている
補助的なカバーリング６が示されており、これは基板１
の縁部を間隔をおいて覆っている。この摩耗部分はプラ
ズマの作用から保持リング２又は台座３を保護する。
補助的なカバーリング６が示されており、これは基板１
の縁部を間隔をおいて覆っている。この摩耗部分はプラ
ズマの作用から保持リング２又は台座３を保護する。
【００１３】保持リングを形成するための重要な要素で
ある寸法及び形状（指の幅、高さ、半径、角度、長さ及
び深さ）は図３に示されている。
ある寸法及び形状（指の幅、高さ、半径、角度、長さ及
び深さ）は図３に示されている。
【００１４】基板の保持リングの製造用材料としては酸
化アルミニウムセラミックスが有利であり、またプラズ
マエッチングに使用されている典型的な材料である限
り、例えばプラズマに耐性のあるプラスチック又はアル
ミニウムのような他の材料を使用してもよい。しかしこ
の求められる結果にとって重要なことは、専ら基板の保
持リングの形態、上述の寸法及び形状の組み合せ、及び
指の相互間隔である。本発明による基板の保持リングは
例えばアプライド・マテリアルズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ）社のＡＭＴＰ５０００の型式の化学
蒸着及び再エッチング装置内で使用されると有利であ
る。
化アルミニウムセラミックスが有利であり、またプラズ
マエッチングに使用されている典型的な材料である限
り、例えばプラズマに耐性のあるプラスチック又はアル
ミニウムのような他の材料を使用してもよい。しかしこ
の求められる結果にとって重要なことは、専ら基板の保
持リングの形態、上述の寸法及び形状の組み合せ、及び
指の相互間隔である。本発明による基板の保持リングは
例えばアプライド・マテリアルズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ）社のＡＭＴＰ５０００の型式の化学
蒸着及び再エッチング装置内で使用されると有利であ
る。
【００１５】以下に記載するパラメータ及び処理条件が
有効である。 ａ）実際のウェハ温度がプラズマエッチングプロセス中
も７０℃を上回らず、理想的には４０℃以下であるよう
にした効果的なウェハ冷却の保証。その際本発明が成功
するかどうかはウェハの冷却そのものの仕方に依存する
ものではない。ウェハと冷却された台座との間には５〜
５０トルのヘリウムの静圧が形成されるか又はヘリウム
の動的な流れを調整することができる。 ｂ）エッチングガスの適切な選択による混合。その場合
ＳＦ6又はＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6及び１種又は数種の
Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2の不活性ガスからなる混合物が有効で
ある。酸素をエッチングガス混合物に添加してもよい
が、しかしＳＦ6を使用する場合には不要である。 ｃ）移送又は拡散を制御された運動力学体系内でエッチ
ング反応が起こるように“全圧力”及び“全ガス流量”
のパラメータの適切な選択。 ｄ）アルミニウム又はセラミックス、従ってエッチング
遊離基と結合しないか又は消費しない材料からエッチン
グ室内の周辺の表面を有利に形成すること。
有効である。 ａ）実際のウェハ温度がプラズマエッチングプロセス中
も７０℃を上回らず、理想的には４０℃以下であるよう
にした効果的なウェハ冷却の保証。その際本発明が成功
するかどうかはウェハの冷却そのものの仕方に依存する
ものではない。ウェハと冷却された台座との間には５〜
５０トルのヘリウムの静圧が形成されるか又はヘリウム
の動的な流れを調整することができる。 ｂ）エッチングガスの適切な選択による混合。その場合
ＳＦ6又はＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6及び１種又は数種の
Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2の不活性ガスからなる混合物が有効で
ある。酸素をエッチングガス混合物に添加してもよい
が、しかしＳＦ6を使用する場合には不要である。 ｃ）移送又は拡散を制御された運動力学体系内でエッチ
ング反応が起こるように“全圧力”及び“全ガス流量”
のパラメータの適切な選択。 ｄ）アルミニウム又はセラミックス、従ってエッチング
遊離基と結合しないか又は消費しない材料からエッチン
グ室内の周辺の表面を有利に形成すること。
【００１６】タングステンのＭＥＲＩＥエッチング（Ｍ
ａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｒｅａｃ
ｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ＝磁気を高めた反応
性イオンエッチング）の典型的な例として以下のパラメ
ータを呈示する。 典型的範囲 理想的範囲 プラズマパワー（Ｗ） ５０〜１０００ １５０〜６００ 圧力（ｍトル） ５〜５００ ５０〜３００ ＳＦ6流量（ｓｃｃｍ） １０〜５００ ５０〜２５０ 不活性ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2） （ｓｃｃｍ） ０〜５００ ２０〜２００ 台座温度（℃） ５〜７０ １５〜４０ Ｈｅ冷却ガス流量（ｓｃｃｍ） ５〜１００ １０〜５０ 磁場（ガウス） ０〜３００ ０〜１０００
ａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｒｅａｃ
ｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ＝磁気を高めた反応
性イオンエッチング）の典型的な例として以下のパラメ
ータを呈示する。 典型的範囲 理想的範囲 プラズマパワー（Ｗ） ５０〜１０００ １５０〜６００ 圧力（ｍトル） ５〜５００ ５０〜３００ ＳＦ6流量（ｓｃｃｍ） １０〜５００ ５０〜２５０ 不活性ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2） （ｓｃｃｍ） ０〜５００ ２０〜２００ 台座温度（℃） ５〜７０ １５〜４０ Ｈｅ冷却ガス流量（ｓｃｃｍ） ５〜１００ １０〜５０ 磁場（ガウス） ０〜３００ ０〜１０００
【図１】従来の集積回路製造時の各工程の概略断面図
で、ａ）はタングステン析出、ｂ）は再エッチング、
ｃ）はアルミニウム金属化工程を示す。
で、ａ）はタングステン析出、ｂ）は再エッチング、
ｃ）はアルミニウム金属化工程を示す。
【図２】本発明により保持リングにより保持された基板
の概略側断面図。
の概略側断面図。
【図３】保持リングの保持部の詳細図。
１ 基板（ウェハ） ２ 保持リング ３ 台座 ４ 堆積物 ５ アルミニウム層 ６ カバーリング
Claims (6)
- 【請求項１】 高密度集積回路を製造する際に基板を再
エッチング中に基板の縁部に配設された保持リングによ
り冷却された試料受に押し付けるようにしたタングステ
ンで被覆された基板表面の再エッチング方法において、
基板の縁部が局部的に周囲に分散配置されている保持部
において保持リングにより保持され、この保持部は再エ
ッチングの際に遊離するエッチング生成物のせき止めを
生じないように形成されており、その結果エッチング生
成物は保持部を通過して流れ、基板表面の外側に堆積す
るようにしたことを特徴とする高密度集積回路の基板表
面の再エッチング方法。 - 【請求項２】 保持リングに指形に基板の縁部まで延び
ている少なくとも３個の保持部が備えられていることを
特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 保持部がその基板側の端部で尖っている
か又は弓形に丸みをつけて形成されていることを特徴と
する請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 指形の保持部を最大で数ｍｍの幅、高さ
及び長さに選択し、その幅及び高さは特に約２ｍｍの範
囲内に選択することを特徴とする請求項２又は３記載の
方法。 - 【請求項５】 指形の保持部がその基板側の端部に向か
って平坦化されていることを特徴とする請求項１ないし
４の１つに記載の方法。 - 【請求項６】 保持リング上に載っている基板の縁部を
間隔をおいて覆う補助的なカバーリングが備えられてい
ることを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4433538.5 | 1994-09-20 | ||
| DE4433538A DE4433538A1 (de) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | Verfahren zur Vermeidung der Re-Deposition von Ätzprodukten auf Substratoberflächen während des Wolfram-Rückätzprozesses bei der Herstellung hochintegrierter Schaltungen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111406A true JPH08111406A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=6528717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26474995A Pending JPH08111406A (ja) | 1994-09-20 | 1995-09-19 | 高密度集積回路の基板表面の再エッチング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6380094B1 (ja) |
| EP (1) | EP0703606A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08111406A (ja) |
| DE (1) | DE4433538A1 (ja) |
| TW (1) | TW317964U (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1117127A1 (en) * | 2000-01-17 | 2001-07-18 | Infineon Technologies AG | Arrangement for supporting disklike objects in a processing system |
| US7074298B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-07-11 | Applied Materials | High density plasma CVD chamber |
| KR101141577B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2012-06-08 | (주)세미머티리얼즈 | 태양전지의 플라즈마 텍스처링 장치 및 방법 |
| US9040432B2 (en) | 2013-02-22 | 2015-05-26 | International Business Machines Corporation | Method for facilitating crack initiation during controlled substrate spalling |
| CN104051293A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 稳懋半导体股份有限公司 | 晶圆边缘保护装置 |
| US9502278B2 (en) | 2013-04-22 | 2016-11-22 | International Business Machines Corporation | Substrate holder assembly for controlled layer transfer |
| GB201419210D0 (en) * | 2014-10-29 | 2014-12-10 | Spts Technologies Ltd | Clamp assembly |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4306731A (en) * | 1979-12-21 | 1981-12-22 | Varian Associates, Inc. | Wafer support assembly |
| US5024747A (en) * | 1979-12-21 | 1991-06-18 | Varian Associates, Inc. | Wafer coating system |
| US5215619A (en) * | 1986-12-19 | 1993-06-01 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
| EP0312986A1 (de) | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Rückätzen von Wolfram mit Titannitrid als Unterlage in Kontaktlöchern von höchstintegrierten Halbleiterschaltungen |
| JPH0231420A (ja) | 1988-05-20 | 1990-02-01 | Tegal Corp | プラズマリアクタ用ウエハークランプ装置 |
| US4898639A (en) * | 1989-04-14 | 1990-02-06 | Bjorne Enterprises, Inc. | Wafer retention device |
| US5292399A (en) | 1990-04-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing |
| US5292558A (en) * | 1991-08-08 | 1994-03-08 | University Of Texas At Austin, Texas | Process for metal deposition for microelectronic interconnections |
-
1994
- 1994-09-20 DE DE4433538A patent/DE4433538A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-08-12 TW TW085214353U patent/TW317964U/zh unknown
- 1995-09-18 US US08/529,322 patent/US6380094B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-19 JP JP26474995A patent/JPH08111406A/ja active Pending
- 1995-09-19 EP EP95114752A patent/EP0703606A3/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6380094B1 (en) | 2002-04-30 |
| TW317964U (en) | 1997-10-11 |
| EP0703606A3 (de) | 1998-03-11 |
| EP0703606A2 (de) | 1996-03-27 |
| DE4433538A1 (de) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031002 |