JPH08107041A - ３端子コンデンサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】自己共振周波数以上のノイズ吸収性に優れた積
層セラミックコンデンサーを提供することを目的とす
る。 【構成】第１の積層セラミックコンデンサー２１は、内
部電極層２７と誘電体層２８とで構成され、第２の積層
セラミックコンデンサー２２は、内部電極層２９と誘電
体層３０とで構成される。金属板２３は並設された前記
第１の積層セラミックコンデンサー２１、第２の積層セ
ラミックコンデンサー２２の外側に平行に配置されてい
る。前記第１、第２の積層セラミックコンデンサー２
１、２２と金属板２３との間にできる空間部分に絶縁体
３１を挿入する。そして、金属板２３の一端と第１の積
層セラミックコンデンサー２１を接続し、金属板２３の
他端と第２の積層セラミックコンデンサー２２とを接続
することにより、高周波数領域において、一種のπ型Ｌ
Ｃフィルターを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ノイズ吸収性に優れ、
小型化された３端子コンデンサーに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、スイッチング電源の小型化、軽量
化、高効率化のためのスイッチング周波数の高周波化が
進み、さらにディジタル回路におけるクロック周波数の
高周波化も進み、この高周波化はますます加速される傾
向にある。

【０００３】積層セラミックコンデンサーは、小型、無
極性、高絶縁、低損失、高信頼であるという特徴を有す
ることから、この高周波化に伴ってスイッング電源の出
力側の平滑コンデンサーとして、あるいはディジタル回
路の電源ラインのノイズ吸収用として注目されている。

【０００４】しかし、前記積層セラミックコンデンサー
の一般構造は、図１１および図１２に示すように、表面
に一辺を外周辺まで延ばして内部電極１２０を設けたセ
ラミックグリーンシート１２１を用い、前記内部電極１
２０の外周辺まで延びた一辺が交互に反対になるように
前記セラミックグリーンシートー１２１を複数枚積層し
て焼成し、前記内部電極１２０が露出した両面側に外部
電極１２２を形成したものからなっている。

【０００５】しかしながら、このような積層セラミック
コンデンサーは、その形状に起因して自己共振周波数を
有しており、その周波数より高い成分を有するノイズに
対しては効果がなく、ノイズ除去ができないことにな
る。すなわち、コンデンサーは一般に、Ｌ、Ｃ、Ｒが直
列に接続された等価回路で表現され、そのインピーダン
スの絶対値｜Ｚ｜は、

【０００６】

【数１】

【０００７】となり、自己共振周波数より高い周波数に
対しては ωＬ、すなわちインダクタンス成分Ｌが無視
できなくなり、高周波ノイズに対するインピーダンスが
増大する。このインピーダンス成分Ｌの大きさを決定す
る要因は、コンデンサーのリード長さと電極端子間の長
さである。この要因のリード線長さに対しては、コンデ
ンサーの端子部からリード線をそれぞれ２本ずつ引き出
し、リード線部に起因するインダクタンス成分をキャン
セルでき、また、リードレス化してチップ構造とするこ
とによっても同様の効果を得ることができる。

【０００８】しかし、このような電極端子間の長さに起
因するインダクタンス成分は、高周波化になるほど無視
できなくなり、前述のようなスイッチング電源の高周波
化傾向下の中で、前記構成の積層セラミックコンデンサ
ーは、自己共振周波数以上のノイズ吸収が難しくなるこ
とより、その回路に用いるコンデンサーとして問題をか
かえる結果となっていた。

【０００９】そのため従来は、ＬＣフィルターを構成し
たり、コンデンサーを複数並列接続したりしてノイズ吸
収性を高めていたが、回路基板に実装する部品点数が多
くなり、機器の小型化ならびに軽量化指向に逆行し、か
つ低価格化を阻害することになり、改善が望まれてい
た。さらに特開平３−２０７０９号公報、特開平４−５
６２０７号公報に記載のコンデンサーでは、４端子構造
で電極間の長さに起因するインダクタンス成分を打ち消
す構造となっているが、自己共振周波数以上になったと
きには、やはり電極構成に起因するインダクタンス成分
が無視できなくなり、高周波での減衰特性が確保できな
くなる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来一
般化している積層セラミックコンデンサーは、自己共振
周波数以上のノイズ吸収性に劣るため、これらのコンデ
ンサーを用いるにはＬＣフィルターを構成したり、複数
のコンデンサーを並列接続化するなどの手段を講じなけ
ればならず、それだけ機器の大型化ならびに高価格化と
なり、昨今の機器の小型化並びに軽量化の要請に応える
上で解決すべき問題を有する結果となっていた。

【００１１】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
で、単一素子で、より広いノイズ吸収が可能な３端子コ
ンデンサーを提供することを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の３端子コンデンサーは、上下に金属板を有
する第１の積層セラミックコンデンサーと、上下に金属
板を有する第２の積層セラミックコンデンサーと、第１
の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と第２の積
層セラミックコンデンサーの上部金属板とを接続する手
段と、第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板
と第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板を接
続する手段と、前記第１、第２の積層セラミックコンデ
ンサーの間に形成される空間に挿入する絶縁体と、第１
の積層セラミックコンデンサーの上部金属板に接続する
外部電極であるＡ電極と、第２の積層セラミックコンデ
ンサー２の上部金属板とに接続する外部電極であるＢ電
極と、第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板
または第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板
または前記それらを接続する手段に接続する外部電極で
あるＣ電極とを備えた構成とする。

【００１３】また、本発明の３端子コンデンサーは、上
下に金属板を有する第１の積層セラミックコンデンサー
と、上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデ
ンサーと、これら並設された第１、第２の積層セラミッ
クコンデンサーの外側に位置する金属板と、第１の積層
セラミックコンデンサーの下部金属板と第２の積層セラ
ミックコンデンサーの下部金属板とを接続する手段と、
前記第１、第２の積層セラミックコンデンサーと前記金
属板との間に形成される空間に挿入する絶縁体と、第１
の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と前記金属
板の一部分とに接続する外部電極であるＡ電極と、第２
の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と前記金属
板の前記と異なる一部分とに接続する外部電極であるＢ
電極と、第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属
板または第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属
板または前記それらを接続する手段に接続する外部電極
であるＣ電極とを備えた構成とする。

【００１４】また、本発明の３端子コンデンサーは上下
に金属板を有する積層セラミックコンデンサーと、前記
積層セラミックコンデンサーの外側に位置する金属板
と、前記積層セラミックコンデンサーの上部金属板と前
記金属板とを接続する手段と、前記積層セラミックコン
デンサーと前記金属板との間に形成される空間に挿入す
る絶縁体と、前記金属板の前記と異なる一部分とに接続
する外部電極であるＡ電極と、前記金属板の前記２つの
接続点と異なる一部分とに接続する外部電極であるＢ電
極と、前記積層セラミックコンデンサーの下部金属板と
に接続する外部電極であるＣ電極とを備えた構成とす
る。

【００１５】また、本発明の３端子コンデンサーは上下
に金属板を有する第１の積層セラミックコンデンサーと
上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデンサ
ーと、第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属板
と第２の積層セラミックコンデンサーの上部金属板とを
接続する手段と、第１の積層セラミックコンデンサーの
下部金属板と第２の積層セラミックコンデンサーの下部
金属板とを接続する手段と、第１の積層セラミックコン
デンサーの上部金属板の一端部に接続する屈曲させた第
１の金属板と、第２の積層セラミックコンデンサーの上
部金属板の一端部に接続する屈曲させた第２の金属板
と、前記第１、第２の積層セラミックコンデンサーと前
記第１、第２の金属板との間に形成される空間に挿入す
る絶縁体と、第１の金属板に接続する外部電極であるＡ
電極と、第２の金属板に接続する外部電極であるＢ電極
と、第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板ま
たは第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板ま
たは前記それらを接続する手段に接続する外部電極であ
るＣ電極とを備えた構成とする。

【００１６】また、本発明の３端子コンデンサーは上下
に金属板を有する第１の積層セラミックコンデンサー
と、上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデ
ンサーと、並設した前記第１、第２の積層セラミックコ
ンデンサーの外側に位置するとともに両端を湾曲させた
金属板と、第１の積層セラミックコンデンサーの下部金
属板と第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板
とを接続する手段と、第１の積層セラミックコンデンサ
ーの上部金属板と前記金属板とを接続する手段と、第２
の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と前記金属
板の前記と異なる部分とを接続する手段と、前記第１、
第２の積層セラミックコンデンサーと前記金属板との間
に形成される空間に挿入する絶縁体と、前記金属板の一
端部に接続する外部電極であるＡ電極と、前記金属板の
前記と異なる他端部に接続する外部電極であるＢ電極
と、第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板ま
たは第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板ま
たは前記それらを接続する手段に接続する外部電極であ
るＣ電極とを備えた構成とする。

【００１７】また、本発明の３端子コンデンサーは上下
に金属板を有する第１の積層セラミックコンデンサー
と、上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデ
ンサーと、上下に金属板を有する第３の積層セラミック
コンデンサーと、並設した前記第１、第２、第３の積層
セラミックコンデンサーの外側に位置する金属板と、第
１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板と第２の
積層セラミックコンデンサーの下部金属板とを接続する
第１の手段と、第２の積層セラミックコンデンサーの下
部金属板と第３の積層セラミックコンデンサーの下部金
属板とを接続する第２の手段と、第２の積層セラミック
コンデンサーの上部金属板と前記金属板とを接続する手
段と、前記第１、第２、第３の積層セラミックコンデン
サーと前記金属板との間に形成される空間に挿入する絶
縁体と、第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属
板と前記金属板の一端部に接続する外部電極であるＡ電
極と、第３の積層セラミックコンデンサーの上部金属板
と前記金属板の前記と異なる他端部に接続する外部電極
であるＢ電極と、第１の積層セラミックコンデンサーの
下部金属板または第２の積層セラミックコンデンサーの
下部金属板または第３の積層セラミックコンデンサーの
下部金属板または前記第１の手段または前記第２の手段
に接続する外部電極であるＣ電極とを備えた構成とす
る。

【００１８】

【作用】前記構成によって、高周波数領域で、金属板の
持つインダクタンス成分が無視できなくなるから、積層
セラミックコンデンサー２個と金属板の持つインダクタ
ンス成分とで一種のπ型ＬＣフィルターまたは２段Ｔ型
ＬＣフィルターを形成できる。そして、１つの積層セラ
ミックコンデンサーと金属板の持つインダクタンス成分
とで一種のＴ型ＬＣフィルターを形成できる。さらに、
積層セラミックコンデンサー３個と金属板の持つインダ
クタンス成分とで一種の２段π型ＬＣフィルターを形成
できる。これにより、積層セラミックコンデンサーの自
己共振周波数以上においてもノイズ吸収が可能である３
端子コンデンサーを実現できる。

【００１９】

【実施例】

（実施例１）以下に、本発明の第１の実施例について図
面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例１の
３端子コンデンサーの構成図、図２は高周波数領域にお
ける等価回路図である。

【００２０】図１において、１は第１の積層セラミック
コンデンサーで、金属板３と金属板４の間に、特定の間
隔で垂直かつ、交互に金属板３と金属板４とに接続する
内部電極層５と、内部電極層５のそれぞれの間に挿入す
る誘電体層６とで構成される。２は第２の積層セラミッ
クコンデンサーで、金属板３と金属板４の間に、特定の
間隔で垂直かつ、交互に金属板３と金属板４とに接続す
る内部電極層７と、内部電極層７のそれぞれの間に挿入
する誘電体層８とで構成される。前記第１の積層セラミ
ックコンデンサー１と第２の積層セラミックコンデンサ
ー２は左右に特定の間隔をおいて形成する。９は絶縁体
で、前記２つの積層セラミックコンデンサー１，２の間
に形成される空間に挿入する。１０は外部電極であるＡ
電極で、金属板３の一端部に接続する手段である。１１
は外部電極であるＢ電極で、金属板３の前記と異なる他
端部分に接続する手段である。１２は外部電極であるＣ
電極で、金属板４の一部分に接続する手段である。

【００２１】上記構成において、第１の積層セラミック
コンデンサ１と第２の積層セラミックコンデンサ２の間
の空間部分に絶縁体９を挿入したのは、高周波数領域に
おいて、第１の積層セラミックコンデンサー１と第２の
積層セラミックコンデンサー２の間隔にあたる金属板３
の一部分がインダクタンス成分をもち、このインダクタ
ンス成分を十分に利用するためである。

【００２２】そして、外部電極であるＣ電極１２を設け
たのは、基板上の銅箔パターンに直接に接続することに
より、残留インダクタンス（抵抗成分とインダクタンス
成分）を低減し、高周波特性を改善するためである。

【００２３】以上の構成により、高周波数領域におい
て、金属板３のインダクタンス成分と第１の積層セラミ
ックコンデンサー１と第２の積層セラミックコンデンサ
ー２とで、一種のπ型ＬＣフィルターを構成することが
できる。この等価回路は図２に示す。すなわち図１３に
示す従来の等価回路は高周波数領域において、図２に示
す等価回路となる。この周波数特性は図１４のようにな
り、高周波特性が従来の積層セラミックコンデンサーよ
りも自己共振周波数以上で改善されている。

【００２４】したがって、従来の積層セラミックコンデ
ンサーに比べ、自己共振周波数以上のノイズ吸収性に優
れた３端子コンデンサーを簡潔な構成によって実現でき
るものである。 （実施例２）以下に、本発明の第２の実施例について図
面を参照しながら説明する。図３は本発明の実施例２の
３端子コンデンサーの構成図である。

【００２５】図３において、２１は第１の積層セラミッ
クコンデンサーで、金属板２４と金属板２５の間に、特
定の間隔で垂直かつ、交互に金属板２４と金属板２５に
接続する内部電極層２７と、内部電極層２７のそれぞれ
の間に挿入する誘電体層２８とで構成される。２２は第
２の積層セラミックコンデンサーで、金属板２４と金属
板２６の間に、特定の間隔で垂直かつ、交互に金属板２
４と金属板２６に接続する内部電極層２９と、内部電極
層２９のそれぞれの間に挿入する誘電体層３０とで構成
される。２３は金属板で、左右に配設される前記第１の
積層セラミックコンデンサ２１と第２の積層セラミック
コンデンサー２２の外側に平行に配置されている。３１
は絶縁体で、第１の積層セラミックコンデンサー２１と
第２の積層セラミックコンデンサー２２と金属板２３と
の間に形成される空間に挿入する。３２は外部電極であ
るＡ電極で、金属板２３と第１の積層セラミックコンデ
ンサー２１の金属板２５の各一端に接続する手段であ
る。３３は外部電極であるＢ電極で、金属板２３の前記
と異なる他端部分と第２の積層セラミックコンデンサー
２２の金属板２６の一端に接続する手段である。３４は
外部電極であるＣ電極で、金属板２４の一部分とに接続
する手段である。

【００２６】なお、第１の積層セラミックコンデンサー
２１と第２の積層セラミックコンデンサー２２と金属板
２３との空間部分に絶縁体３１を挿入したのは、高周波
数領域において、金属板２３のインダクタンス成分が増
加するので、このインダクタンス成分を十分に利用する
ためである。

【００２７】そして、外部電極であるＣ電極３４を設け
たのは、基板上の銅箔パターンに直接に接続することに
より残留インダクタンス（抵抗成分とインダクタンス成
分）を低減し、高周波特性を改善するためである。

【００２８】以上の構成により、高周波数領域におい
て、金属板２３のインダクタンス成分と第１の積層セラ
ミックコンデンサー２１と第２の積層セラミックコンデ
ンサー２２とで、一種のπ型ＬＣフィルターを構成する
ことができる。この等価回路は図２と同様である。

【００２９】したがって、従来の積層セラミックコンデ
ンサーに比べ、自己共振周波数以上のノイズ吸収性に優
れた３端子コンデンサーを簡潔な構成によって実現でき
るものである。さらに、特徴として実施例１記載の３端
子コンデンサーよりも高周波数領域において、金属板の
持つインダクタンス成分をより広い範囲で利用すること
ができる。 （実施例３）以下に本発明の第３の実施例を図面を参照
しながら説明する。図４は本発明の実施例３の３端子コ
ンデンサーの構成図、図５はその高周波数領域における
等価回路図である。

【００３０】図４において、４１は積層セラミックコン
デンサーで、金属板４２と金属板４３の間に、特定の間
隔で垂直かつ、交互に金属板４２と金属板４３に接続す
る内部電極層４５と、内部電極層４５のそれぞれの間に
挿入する誘電体層４６とで構成される。４４は金属板
で、積層セラミックコンデンサー４１の外側に平行に配
置されている。４７は絶縁体で、積層セラミックコンデ
ンサー４１と金属板４４との間に形成される空間に挿入
する。４８は外部電極であるＡ電極で、金属板４４の一
端部に接続する手段である。４９は外部電極であるＢ電
極で、金属板４４の前記と異なる他端部分に接続する手
段である。５０は外部電極であるＣ電極で、積層セラミ
ックコンデンサー４１の金属板４３とに接続する手段で
ある。５１は積層セラミックコンデンサー４１の金属板
４２と金属板４４の前記２つの接続点と異なる部分とに
接続する手段である。前記接続する手段５１により、高
周波数領域において、外部電極であるＡ電極４８と前記
接続する手段５１との間にある金属板４４のインダクタ
ンス成分と前記接続する手段５１と外部電極であるＢ電
極４９との間にある金属板４４のインダクタンス成分と
を直列接続した構成になる。

【００３１】なお、積層セラミックコンデンサー４１の
金属板４２と金属板４４との空間部分に絶縁体４７を挿
入したのは、高周波数領域において、金属板４４のイン
ダクタンス成分が増加するので、このインダクタンス成
分を十分に利用するためである。

【００３２】そして、外部電極であるＣ電極５０を設け
たのは、基板上の銅箔パターンに直接に接続することに
より残留インダクタンス（抵抗成分とインダクタンス成
分）を低減し、高周波特性を改善するためである。

【００３３】以上の構成により、高周波数領域おいて、
金属板４４のインダクタンス成分と積層セラミックコン
デンサー４１とで、一種のＴ型ＬＣフィルターを構成す
ることができる。この等価回路は図５に示す。この周波
数特性は図１６のようになり、高周波特性が図１５の等
価回路で示す従来の積層セラミックコンデンサーよりも
自己共振周波数以上で改善されている。

【００３４】したがって、従来の積層セラミックコンデ
ンサーに比べ、自己共振周波数以上のノイズ吸収性に優
れた３端子コンデンサーを簡潔な構成によって実現でき
るものである。 （実施例４）以下に本発明の第４の実施例を図面を参照
しながら説明する。図６は本発明の実施例４の３端子コ
ンデンサーの構成図、図７はその高周波数領域における
等価回路図である。

【００３５】図６において、６１は第１の積層セラミッ
クコンデンサーで、金属板６３と金属板６４の間に、特
定の間隔で垂直かつ、交互に金属板６３と金属板６４に
接続する内部電極層６５と、内部電極層６５のそれぞれ
の間に挿入する誘電体層６６とで構成される。６２は第
２の積層セラミックコンデンサーで、金属板６３と金属
板６４の間に、特定の間隔で垂直かつ、交互に金属板６
３と金属板６４に接続する内部電極層６７と、内部電極
層６７のそれぞれの間に挿入する誘電体層６８とで構成
される。前記第１の積層セラミックコンデンサー６１と
第２の積層セラミックコンデンサー６２は左右に特定の
間隔をおいて形成する。６９は屈曲させた第１の金属板
で、金属板６３の一端部に接続する。７０は屈曲させた
第２の金属板で、金属板６３の前記と異なる他端部に接
続する。７１は絶縁体で、前記２つの積層セラミックコ
ンデンサー６１、６２と前記２つの金属板６９、７０と
の間に形成される空間に挿入する。７２は外部電極であ
るＡ電極で、第１の金属板６９の一端部に接続する手段
である。７３は外部電極であるＢ電極で、第２の金属板
７０の一端部に接続する手段である。７４は外部電極で
あるＣ電極で、金属板６４の一部分に接続する手段であ
る。

【００３６】なお、第１の金属板６９と第２の金属板７
０を金属板６３に接続したのは、高周波数領域におい
て、金属板の持つインダクタンス成分を利用するため
で、実施例１記載の３端子コンデンサーより大きいイン
ダクタンス成分が得られる。

【００３７】そして、第１の積層セラミックコンデンサ
ー６１と第２の積層セラミックコンデンサー６２と第１
の金属板６９と第２の金属板７０との間に形成される空
間部分に絶縁体７１を挿入したのは、高周波数領域にお
いて、第１の積層セラミックコンデンサー６１と第２の
積層セラミックコンデンサー６２の間隔にあたる金属板
６３の一部分の持つインダクタンス成分と金属板６９、
７０の持つインダクタンス成分が増加するのでこのイン
ダクタンス成分を十分に利用するためである。

【００３８】さらに、外部電極であるＣ電極７４を設け
たのは、基板上の銅箔パターンに直接に接続することに
より残留インダクタンス（抵抗成分とインダクタンス成
分）を低減し、高周波特性を改善するためである。

【００３９】以上の構成により、高周波数領域におい
て、金属板６３のインダクタンス成分と第１の金属板６
９のインダクタンス成分と第２の金属板７０のインダク
タンス成分と第１の積層セラミックコンデンサー６１と
第２の積層セラミックコンデンサー６２とで、一種の２
段Ｔ型ＬＣフィルターを構成することができる。この等
価回路は図７に示す。すなわち図１３に示す従来の等価
回路は高周波数領域において、図７に示す等価回路とな
る。この周波数特性は図１７のようになり、高周波特性
が従来の積層セラミックコンデンサーよりも自己共振周
波数以上で改善されている。

【００４０】したがって、従来の積層セラミックコンデ
ンサーに比べ、自己共振周波数以上のノイズ吸収性に優
れた３端子コンデンサーを簡潔な構成によって実現でき
るものである。さらに、特徴として実施例１記載の３端
子コンデンサーよりもより急峻な減衰特性を得ることが
できる。 （実施例５）以下に本発明の第５の実施例を図面を参照
しながら説明する。図８は本発明の実施例５の３端子コ
ンデンサーの構成図である。

【００４１】図８において、８１は第１の積層セラミッ
クコンデンサーで、金属板８４と金属板８５の間に、特
定の間隔で垂直かつ、交互に金属板８４と金属板８５に
接続する内部電極層８７と、内部電極層８７のそれぞれ
の間に挿入する誘電体層８８とで構成される。８２は第
２の積層セラミックコンデンサーで、金属板８４と金属
板８６の間に、特定の間隔で垂直かつ、交互に金属板８
４と金属板８６に接続する内部電極層８９と、内部電極
層８９のそれぞれの間に挿入する誘電体層９０とで構成
される。前記第１の積層セラミックコンデンサー８１と
第２の積層セラミックコンデンサー８２は左右に特定の
間隔をおいて形成する。８３は金属板で、両端部が屈曲
した形状になっており、左右に配設される前記第１の積
層セラミックコンデンサー８１と第２の積層セラミック
コンデンサー８２の外側に平行に配置されている。９３
は絶縁体で、前記２つの積層セラミックコンデンサー８
１、８２と前記金属板８３との間に形成される空間に挿
入する。９４は外部電極であるＡ電極で、金属板８３の
一端部に接続する手段である。９５は外部電極であるＢ
電極で、金属板８３の前記と異なる他端部分に接続する
手段である。９６は外部電極であるＣ電極で、金属板６
４の一部分に接続する手段である。９１は第１の積層セ
ラミックコンデンサー８１の金属板８５と金属板８３の
前記２つの接続点と異なる部分とに接続する手段であ
る。９２は第２の積層セラミックコンデンサー８２の金
属板８６と金属板８３の前記３つの接続点と異なる部分
とに接続する手段である。前記接続する手段９１、９２
により、高周波数領域において、外部電極であるＡ電極
９４と前記接続する手段９１との間にある金属板８３の
インダクタンス成分と前記接続する手段９１と前記接続
する手段９２との間にある金属板８３のインダクタンス
成分と前記接続する手段９２と外部電極であるＢ電極９
５との間にある金属板８３のインダクタンス成分とを直
列接続した構成になる。

【００４２】なお、金属板８３の両端部を屈曲させた形
状にするのは、高周波数領域において、金属板の持つイ
ンダクタンス成分を利用するためで、より大きいインダ
クタンス成分を持たせるためである。

【００４３】そして、第１の積層セラミックコンデンサ
ー８１と第２の積層セラミックコンデンサー８２と金属
板８３との間に形成される空間部分に絶縁体９３を挿入
したのは、高周波数領域において、金属板８３の持つイ
ンダクタンス成分が増加するので、このインダクタンス
成分を十分に利用するためである。

【００４４】さらに、外部電極であるＣ電極９６を設け
たのは、基板上の銅箔パターンに直接に接続することに
より残留インダクタンス（抵抗成分とインダクタンス成
分）を低減し、高周波特性を改善するためである。

【００４５】以上の構成により、高周波数領域におい
て、金属板８３のインダクタンス成分と第１の積層セラ
ミックコンデンサー８１と第２の積層セラミックコンデ
ンサー８２とで、一種の２段Ｔ型ＬＣフィルターを構成
することができる。この等価回路は図７と同様である。

【００４６】したがって、従来の積層セラミックコンデ
ンサーに比べ、自己共振周波数以上のノイズ吸収性に優
れた３端子コンデンサーを簡潔な構成によって実現でき
るものである。さらに、特徴として実施例４記載の３端
子コンデンサーよりも高周波数領域において、金属板の
持つインダクタンス成分をより広い範囲で利用すること
ができる。 （実施例６）以下に本発明の第６の実施例を図面を参照
しながら説明する。図９は本発明の実施例６の３端子コ
ンデンサーの構成図、図１０は高周波数領域における等
価回路図である。

【００４７】図９において、１０１は第１の積層セラミ
ックコンデンサーで、金属板１０５と金属板１０６の間
に、特定の間隔で垂直かつ、交互に金属板１０５と金属
板１０６に接続する内部電極層１０９と、内部電極層１
０９のそれぞれの間に挿入する誘電体層１１０とで構成
される。１０２は第２の積層セラミックコンデンサー
で、金属板１０５と金属板１０７の間に、特定の間隔で
垂直かつ、交互に金属板８４と金属板８６に接続する内
部電極層１１１と、内部電極層１１１のそれぞれの間に
挿入する誘電体層１１２とで構成される。１０３は第３
の積層セラミックコンデンサーで、金属板１０５と金属
板１０８の間に、特定の間隔で垂直かつ、交互に金属板
１０５と金属板１０８に接続する内部電極層１１３と、
内部電極層１１３のそれぞれの間に挿入する誘電体層１
１４とで構成される。前記第１の積層セラミックコンデ
ンサー１０１と第２の積層セラミックコンデンサー１０
２と第３の積層セラミックコンデンサー１０３は左右に
特定の間隔をおいて形成する。１０４は金属板で、左右
に配設される前記第１の積層セラミックコンデンサー１
０１と第２の積層セラミックコンデンサー１０２と第３
の積層セラミックコンデンサー１０３の外側に平行に配
置されている。１１６は絶縁体で、前記第１の積層セラ
ミックコンデンサー１０１と第２の積層セラミックコン
デンサー１０２と第３の積層セラミックコンデンサー１
０３と金属板１０４との間に形成される空間に挿入す
る。１１７は外部電極であるＡ電極で、金属板１０４と
第１の積層セラミックコンデンサー１０１の金属板１０
６の各一端に接続する手段である。１１８は外部電極で
あるＢ電極で、金属板１０４の前記と異なる部分と積層
セラミックコンデンサー１０３の金属板１０８の各一端
に接続する手段である。１１９は外部電極であるＣ電極
で、金属板１０５の一部分とに接続する手段である。１
１５は第２の積層セラミックコンデンサー１０２の金属
板１０７と金属板１０４の前記２つの接続点と異なる部
分とに接続する手段である。前記接続する手段１１５に
より、高周波数領域において、外部電極であるＡ電極１
１７と前記接続する手段１１５との間にある金属板１０
４のインダクタンス成分と前記接続する手段１１５と外
部電極であるＢ電極１１８との間にある金属板１０４の
インダクタンス成分とを直列接続した構成になる。

【００４８】なお、前記第１の積層セラミックコンデン
サー１０１と第２の積層セラミックコンデンサー１０２
と第３の積層セラミックコンデンサー１０３と金属板１
０４との間に形成される空間部分に絶縁体を挿入したの
は、、高周波数領域において、金属板１０４の持つイン
ダクタンス成分が増加するので、このインダクタンス成
分を十分に利用するためである。

【００４９】そして、外部電極であるＣ電極１１９を設
けたのは、基板上の銅箔パターンに直接に接続すること
により残留インダクタンス（抵抗成分とインダクタンス
成分）を低減し、高周波特性を改善するためである。

【００５０】以上の構成により、高周波数領域におい
て、金属板１０４のインダクタンス成分と第１の積層セ
ラミックコンデンサー１０１と第２の積層セラミックコ
ンデンサー１０２と第３の積層セラミックコンデンサー
１０３とで、一種の２段π型ＬＣフィルターを構成する
ことができる。この等価回路は図１０に示す。この周波
数特性は図１９のようになり、高周波特性が図１８の等
価回路で示す従来の積層セラミックコンデンサー図１８
よりも自己共振周波数以上で改善されている。

【００５１】したがって、従来の積層セラミックコンデ
ンサーに比べ、自己共振周波数以上のノイズ吸収性に優
れた３端子コンデンサーを簡潔な構成によって実現でき
るものである。さらに、特徴として実施例３記載の３端
子コンデンサーよりもより急峻な減衰特性を得ることが
できる。

【００５２】

【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなよう
に、本発明によれば高周波数領域において、積層セラミ
ックコンデンサー２個とインダクタンス成分を持つ金属
板とで一種のπ型ＬＣフィルター、または一種の２段Ｔ
型ＬＣフィルターを形成することができる。そして、１
つの積層セラミックコンデンサーとインダクタンス成分
を持つ金属板とで、一種のＴ型ＬＣフィルターを形成す
ることができる。さらに、積層セラミックコンデンサー
３個とインダクタンス成分を持つ金属板とで一種の２段
π型ＬＣフィルターを形成できる。したがって、従来の
積層セラミックコンデンサーに比べ、自己共振周波数以
上のノイズ吸収性に優れた３端子コンデンサーを簡潔な
構成によって実現できるものである。

【００５３】また、従来ではＬＣフィルターを構成した
り、容量の大きいコンデンサーと容量の小さいコンデン
サーを基板上に実装し、低周波から高周波のノイズ低減
を図っていたが、本発明では３端子コンデンサー１つで
従来の特性が確保可能となり、実装コストの低減が可能
で、実装面積も小さくでき、基板コストも下げることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の３端子コンデンサーの構成
を示す斜視図

【図２】同３端子コンデンサーの等価回路図

【図３】本発明の実施例２の３端子コンデンサーの構成
を示す斜視図

【図４】本発明の実施例３の３端子コンデンサーの構成
を示す斜視図

【図５】同３端子コンデンサーの等価回路図

【図６】本発明の実施例４の３端子コンデンサーの構成
を示す斜視図

【図７】同３端子コンデンサーの等価回路図

【図８】本発明の実施例５の３端子コンデンサーの構成
を示す斜視図

【図９】本発明の実施例６の３端子コンデンサーの構成
を示す斜視図

【図10】同３端子コンデンサーの等価回路図

【図11】従来の積層セラミックコンデンサーの分解斜視
図

【図12】従来の積層セラミックコンデンサーの斜視図

【図13】従来の３端子コンデンサーの等価回路図

【図14】本発明の実施例１および従来の３端子コンデン
サーの周波数特性図

【図15】従来の３端子コンデンサーの等価回路図

【図16】本発明の実施例３および従来の３端子コンデン
サーの周波数特性図

【図17】本発明の実施例４および従来の３端子コンデン
サーの周波数特性図

【図18】従来の３端子コンデンサーの等価回路図

【図19】本発明の実施例６および従来の３端子コンデン
サーの周波数特性図

【符号の説明】

２１ 第１の積層セラミックコンデンサー ２２ 第２の積層セラミックコンデンサー ２３ 金属板 ２４ 金属板 ２５ 金属板 ２６ 金属板 ２７ 内部電極層 ２８ 誘電体層 ２９ 内部電極層 ３０ 誘電体層 ３１ 絶縁体 ３２ 外部電極Ａ ３３ 外部電極Ｂ ３４ 外部電極Ｃ ６１ 第１の積層セラミックコンデンサー ６２ 第２の積層セラミックコンデンサー ６３ 金属板 ６４ 金属板 ６５ 内部電極層 ６６ 誘電体層 ６７ 内部電極層 ６８ 誘電体層 ６９ 第１の金属板 ７０ 第２の金属板 ７１ 絶縁体 ７２ 外部電極Ａ ７３ 外部電極Ｂ ７４ 外部電極Ｃ ８１ 第１の積層セラミックコンデンサー ８２ 第２の積層セラミックコンデンサー ８３ 金属板 ８４ 金属板 ８５ 金属板 ８６ 金属板 ８７ 内部電極層 ８８ 誘電体層 ８９ 内部電極層 ９０ 誘電体層 ９１ 接続する手段 ９２ 接続する手段 ９３ 絶縁体 ９４ 外部電極Ａ ９５ 外部電極Ｂ ９６ 外部電極Ｃ １０１ 第１の積層セラミックコンデンサー １０２ 第２の積層セラミックコンデンサー １０３ 第３の積層セラミックコンデンサー １０４ 金属板 １０５ 金属板 １０６ 金属板 １０７ 金属板 １０８ 金属板 １０９ 内部電極層 １１０ 誘電体層 １１１ 内部電極層 １１２ 誘電体層 １１３ 内部電極層 １１４ 誘電体層 １１５ 接続する手段 １１６ 絶縁体 １１７ 外部電極Ａ １１８ 外部電極Ｂ １１９ 外部電極Ｃ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 7/075 Ａ 8321−5Ｊ // Ｈ０１Ｇ 4/35 (72)発明者 渡辺 力 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上下に金属板を有する第１の積層セラミ
   ックコンデンサーと、 上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデンサ
   ーと、 第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と第２
   の積層セラミックコンデンサーの上部金属板とを接続す
   る手段と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板と第２
   の積層セラミックコンデンサーの下部金属板とを接続す
   る手段と、 前記第１、第２の積層セラミックコンデンサーの間に形
   成される空間に挿入する絶縁体と、 第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属板に接続
   する外部電極であるＡ電極と、 第２の積層セラミックコンデンサーの上部金属板に接続
   する外部電極であるＢ電極と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   前記それらを接続する手段に接続する外部電極であるＣ
   電極とを備えた３端子コンデンサー。
2. 【請求項２】 上下に金属板を有する第１の積層セラミ
   ックコンデンサーと、 上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデンサ
   ーと、 並設した前記第１、第２の積層セラミックコンデンサー
   の外側に位置する金属板と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板と第２
   の積層セラミックコンデンサーの下部金属板とを接続す
   る手段と、 前記第１、第２の積層セラミックコンデンサーと前記金
   属板との間に形成される空間に挿入する絶縁体と、 第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と金属
   板の一端部に接続する外部電極であるＡ電極と、 第２の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と金属
   板の前記と異なる他端部分に接続する外部電極であるＢ
   電極と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   前記それらを接続する手段に接続する外部電極であるＣ
   電極とを備えた３端子コンデンサー。
3. 【請求項３】 上下に金属板を有する積層セラミックコ
   ンデンサーと、 前記積層セラミックコンデンサーの外側に位置する金属
   板と、 前記積層セラミックコンデンサーの上部金属板と金属板
   とを接続する手段と、 前記積層セラミックコンデンサーと金属板との間に形成
   される空間に挿入する絶縁体と、 前記金属板の一部分に接続する外部電極であるＡ電極
   と、 前記金属板の接続点と異なる一部分に接続する外部電極
   であるＢ電極と、 前記積層セラミックコンデンサーの下部金属板に接続す
   る外部電極であるＣ電極とを備えた３端子コンデンサ
   ー。
4. 【請求項４】 上下に金属板を有する第１の積層セラミ
   ックコンデンサーと、 上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデンサ
   ーと、 第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と第２
   の積層セラミックコンデンサーの上部金属板とを接続す
   る手段と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板と第２
   の積層セラミックコンデンサーの下部金属板とを接続す
   る手段と、 第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属板の一端
   部に接続する屈曲させた第１の金属板と、 第２の積層セラミックコンデンサーの上部金属板の一端
   部に接続する屈曲させた第２の金属板と、 前記第１、第２の積層セラミックコンデンサーと前記第
   １、第２の金属板との間に形成される空間に挿入する絶
   縁体と、 第１の金属板に接続する外部電極であるＡ電極と、 第２の金属板に接続する外部電極であるＢ電極と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   前記それらを接続する手段に接続する外部電極であるＣ
   電極とを備えた３端子コンデンサー。
5. 【請求項５】 上下に金属板を有する第１の積層セラミ
   ックコンデンサーと、 上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデンサ
   ーと、 並設した前記第１、第２の積層セラミックコンデンサー
   の外側に位置するとともに両端を屈曲させた金属板と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板と第２
   の積層セラミックコンデンサーの下部金属板とを接続す
   る手段と、 第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と前記
   金属板とを接続する手段と、 第２の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と前記
   金属板の前記と異なる部分とを接続する手段と、 前記第１、第２の積層セラミックコンデンサーと前記金
   属板との間に形成される空間に挿入する絶縁体と、 金属板の屈曲させた側の一端部に接続する外部電極であ
   るＡ電極と、 金属板の屈曲させた側の前記と異なる他端部に接続する
   外部電極であるＢ電極と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   前記それらを接続する手段に接続する外部電極であるＣ
   電極とを備えた３端子コンデンサー。
6. 【請求項６】 上下に金属板を有する第１の積層セラミ
   ックコンデンサーと、 上下に金属板を有する第２の積層セラミックコンデンサ
   ーと、 上下に金属板を有する第３の積層セラミックコンデンサ
   ーと、 並設した前記第１、第２、第３の積層セラミックコンデ
   ンサーの外側に位置する金属板と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板と第２
   の積層セラミックコンデンサーの下部金属板とを接続す
   る第１の手段と、 第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板と第３
   の積層セラミックコンデンサーの下部金属板とを接続す
   る第２の手段と、 第２の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と前記
   金属板とを接続する手段と、 前記第１、第２、第３の積層セラミックコンデンサーと
   前記金属板との間に形成される空間に挿入する絶縁体
   と、 第１の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と金属
   板の一端部に接続する外部電極であるＡ電極と、 第３の積層セラミックコンデンサーの上部金属板と金属
   板の前記と異なる他端部に接続する外部電極であるＢ電
   極と、 第１の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   第２の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   第３の積層セラミックコンデンサーの下部金属板または
   前記第１の手段または前記第２の手段に接続する外部電
   極であるＣ電極とを備えた３端子コンデンサー。