JPH0810685B2 - 基板のウェット処理装置 - Google Patents
基板のウェット処理装置Info
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- JPH0810685B2 JPH0810685B2 JP2119900A JP11990090A JPH0810685B2 JP H0810685 B2 JPH0810685 B2 JP H0810685B2 JP 2119900 A JP2119900 A JP 2119900A JP 11990090 A JP11990090 A JP 11990090A JP H0810685 B2 JPH0810685 B2 JP H0810685B2
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- Japan
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- substrate
- processing
- wet
- liquid
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 基板のウェット処理装置の改良、特に、基板の全面を
均一にウェット処理することができるようにする基板の
ウェット処理装置の改良に関し、 基盤に接触する処理液の組成が面内において均一にな
るようにし、また、表面に付着する気泡等を除去するよ
うにして、全面を均一にウェット処理することができる
ように改良された基板のウェット処理装置を提供するこ
とを目的とし、 小さくとも被処理基板と同じ大きさの開口を有し、底
面に処理液送入口が形成されてなるカップ状の処理槽
と、この処理槽に充満された処理液と前記の被処理基板
の被処理面とが接触するように前記の被処理基板を保持
する被処理基板保持手段と、前記の被処理基板に僅かの
関隙を介して対接し、前記の処理槽内に配設されてなる
複数枚のフィンと、前記の被処理基板の中心に処理液を
噴射するノズルとを有する基板のウェット処理装置をも
って構成される。
均一にウェット処理することができるようにする基板の
ウェット処理装置の改良に関し、 基盤に接触する処理液の組成が面内において均一にな
るようにし、また、表面に付着する気泡等を除去するよ
うにして、全面を均一にウェット処理することができる
ように改良された基板のウェット処理装置を提供するこ
とを目的とし、 小さくとも被処理基板と同じ大きさの開口を有し、底
面に処理液送入口が形成されてなるカップ状の処理槽
と、この処理槽に充満された処理液と前記の被処理基板
の被処理面とが接触するように前記の被処理基板を保持
する被処理基板保持手段と、前記の被処理基板に僅かの
関隙を介して対接し、前記の処理槽内に配設されてなる
複数枚のフィンと、前記の被処理基板の中心に処理液を
噴射するノズルとを有する基板のウェット処理装置をも
って構成される。
本発明は、基板のウェット処理装置の改良、特に、基
板の全面を均一にウェット処理することができるように
する基板のウェット処理装置の改良に関する。
板の全面を均一にウェット処理することができるように
する基板のウェット処理装置の改良に関する。
基板のウェット処理装置は、半導体ウェーハ等の基板
のエッチング、洗浄等に使用される装置であり、従来技
術に係る基板のウェット処理装置の構成図を第２図に示
す。３は処理槽であり、５は処理液送入口であり、15は
処理槽３をオーバーフローした処理液を回収するタンク
であり、14は処理液を処理槽３内に送入するポンプであ
る。真空チャック等の基板保持手段２を使用して基板１
を保持し、ポンプ14を使用してエッチング液、洗浄液等
の処理液を処理液送入口５を介して処理槽３内に送入
し、基板１に接触させて、エッチング、洗浄等を実行す
る。
のエッチング、洗浄等に使用される装置であり、従来技
術に係る基板のウェット処理装置の構成図を第２図に示
す。３は処理槽であり、５は処理液送入口であり、15は
処理槽３をオーバーフローした処理液を回収するタンク
であり、14は処理液を処理槽３内に送入するポンプであ
る。真空チャック等の基板保持手段２を使用して基板１
を保持し、ポンプ14を使用してエッチング液、洗浄液等
の処理液を処理液送入口５を介して処理槽３内に送入
し、基板１に接触させて、エッチング、洗浄等を実行す
る。
半導体ウェーハ等の基板の面積が小さい場合は、全面
がほヾ均一にウェット処理されるが、基板の面積が大き
くなると、基板の周辺領域においては、中央領域におい
てすでに反応した処理液が混入するため、中央領域と周
辺領域とでは処理液の組成が異なり、また、基板の表面
に付着した気泡等も除去されにくゝなるため、ウェット
処理が基板の面内において均一になされなくなるという
欠点がある。
がほヾ均一にウェット処理されるが、基板の面積が大き
くなると、基板の周辺領域においては、中央領域におい
てすでに反応した処理液が混入するため、中央領域と周
辺領域とでは処理液の組成が異なり、また、基板の表面
に付着した気泡等も除去されにくゝなるため、ウェット
処理が基板の面内において均一になされなくなるという
欠点がある。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、基
板に接触する処理液の組成が面内において均一になるよ
うにし、また、表面に付着する気泡等を除去するように
して、全面を均一にウェット処理することができるよう
に改良された基板のウェット処理装置を提供することに
ある。
板に接触する処理液の組成が面内において均一になるよ
うにし、また、表面に付着する気泡等を除去するように
して、全面を均一にウェット処理することができるよう
に改良された基板のウェット処理装置を提供することに
ある。
上記の目的は、小さくとも被処理基板（１）と同じ大
きさの開口を有し、底面に処理搬送入口（５）が形成さ
れてなるカップ状の処理槽（３）と、この処理槽（３）
に充満された処理液と前記の被処理基板（１）の被処理
面とが接触するように前記の被処理基板（１）を保持す
る被処理基板保持手段（２）と、前記と被処理基板
（１）に僅かの間隙を介して対接し、前記の処理槽
（１）内に配設されてなる複数枚のフィン（６）と、前
記の被処理基板（１）の中心に処理液を噴射するノズル
（11）とを有する基板のウェット処理装置によって達成
される。なお、前記の複数枚のフィン（６）には、回転
手段（９）（12）（13）が具備されることが好適であ
り、また、前記のノズル（11）には、処理液の噴射を断
続する制御弁（18）が具備されることが好適である。
きさの開口を有し、底面に処理搬送入口（５）が形成さ
れてなるカップ状の処理槽（３）と、この処理槽（３）
に充満された処理液と前記の被処理基板（１）の被処理
面とが接触するように前記の被処理基板（１）を保持す
る被処理基板保持手段（２）と、前記と被処理基板
（１）に僅かの間隙を介して対接し、前記の処理槽
（１）内に配設されてなる複数枚のフィン（６）と、前
記の被処理基板（１）の中心に処理液を噴射するノズル
（11）とを有する基板のウェット処理装置によって達成
される。なお、前記の複数枚のフィン（６）には、回転
手段（９）（12）（13）が具備されることが好適であ
り、また、前記のノズル（11）には、処理液の噴射を断
続する制御弁（18）が具備されることが好適である。
ウェット処理が均一になされない理由は、基板の各領
域に接触する処理液の流量、流速、衝突角度及び組成が
不均一であることゝ、基板表面に気泡等が付着するため
であるから、基板の各領域に同一組成の処理液が同一の
角度をもって衝突・接触するようにし、また、気泡等を
制御的に除去するようにすればよいとの着想にもとづ
き、この着想を実現するために以下に説明する手段を使
用することゝした。
域に接触する処理液の流量、流速、衝突角度及び組成が
不均一であることゝ、基板表面に気泡等が付着するため
であるから、基板の各領域に同一組成の処理液が同一の
角度をもって衝突・接触するようにし、また、気泡等を
制御的に除去するようにすればよいとの着想にもとづ
き、この着想を実現するために以下に説明する手段を使
用することゝした。
まず、処理槽３の内部にウェット処理される基板１と
直交する方向、または、傾斜する方向に複数枚のフィン
６を配設して処理槽の内部を分割することによって、処
理液がフィン６の壁面に沿って同一の角度をもって基板
１の表面に接触するようにした。さらに、上記のフィン
６を回転させることによって、処理液を撹拌し、反応前
の処理液と反応後の処理液とを混合させて均一化した処
理液を基板１の表面に接触させるようにした。なお、処
理液はフィン６の壁面に沿って流れるため、フィン６を
回転させることによって、基板１のすべての領域に処理
液が均一に接触するようになる。
直交する方向、または、傾斜する方向に複数枚のフィン
６を配設して処理槽の内部を分割することによって、処
理液がフィン６の壁面に沿って同一の角度をもって基板
１の表面に接触するようにした。さらに、上記のフィン
６を回転させることによって、処理液を撹拌し、反応前
の処理液と反応後の処理液とを混合させて均一化した処
理液を基板１の表面に接触させるようにした。なお、処
理液はフィン６の壁面に沿って流れるため、フィン６を
回転させることによって、基板１のすべての領域に処理
液が均一に接触するようになる。
また、フィン６の端面と基板１との間隙を0.5mm程度
と小さくすることによって、基板１に付着した気泡、異
物等をフィン６による物理的な力によって除去するよう
にした。なお、基板１の中心部には気泡が特に付着し易
いので、ノズル11から基板１の中心部に処理液を噴射す
ることによって、気泡を周辺領域に押し流して除去する
ようにした。
と小さくすることによって、基板１に付着した気泡、異
物等をフィン６による物理的な力によって除去するよう
にした。なお、基板１の中心部には気泡が特に付着し易
いので、ノズル11から基板１の中心部に処理液を噴射す
ることによって、気泡を周辺領域に押し流して除去する
ようにした。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に係る基
板のウェット処理装置について説明する。
板のウェット処理装置について説明する。
第１図参照 第１図は、基板のウェット処理装置の構成を示す断面
図である。図において、１はウェット処理される基板で
あり、真空チェック等の基板保持手段２によって保持さ
れる。３は外槽４内に設けられたカップ状の処理槽であ
り、開口部の口径は基板１の直径と同一か、または、そ
れより大きく形成されている。なお、表面張力を利用し
て開口部の処理液面を盛り上らせて、基板１の背面に処
理液が付着しないようにするため、開口部の縁部は鋭角
をなしていることが望ましい。処理槽３の底面には処理
液挿入口５が形成されており、処理液が下から上へ通過
しうるようにしてある。６は基板１の面に直角、または
傾斜して配設されている複数枚のフィンであり、軸７の
上端部に固着されている。軸７は軸受８によって水平方
向及び垂直方向に支持され、軸７の下端部には、羽根車
９が固着されており、軸７の中心部には、処理液の流路
となる中心孔10が形成されている。ポンプ14を使用して
処理液をノズル12またはノズル13から羽根車９に噴射さ
せることによって軸７を回転することができる。二つの
ノズル12、13のうち、一方のノズルは軸７を正回転し、
他方のノズルは軸７を逆回転するように装着しておけ
ば、二つのバルブ16、17のいずれかを開くことによって
羽根車９をいずれの方向にも回転させることができる。
なお、回転手段としては、この他に電動機を使用するこ
とも可能であるが処理液のシール機構が複雑になるとい
う欠点を伴う。
図である。図において、１はウェット処理される基板で
あり、真空チェック等の基板保持手段２によって保持さ
れる。３は外槽４内に設けられたカップ状の処理槽であ
り、開口部の口径は基板１の直径と同一か、または、そ
れより大きく形成されている。なお、表面張力を利用し
て開口部の処理液面を盛り上らせて、基板１の背面に処
理液が付着しないようにするため、開口部の縁部は鋭角
をなしていることが望ましい。処理槽３の底面には処理
液挿入口５が形成されており、処理液が下から上へ通過
しうるようにしてある。６は基板１の面に直角、または
傾斜して配設されている複数枚のフィンであり、軸７の
上端部に固着されている。軸７は軸受８によって水平方
向及び垂直方向に支持され、軸７の下端部には、羽根車
９が固着されており、軸７の中心部には、処理液の流路
となる中心孔10が形成されている。ポンプ14を使用して
処理液をノズル12またはノズル13から羽根車９に噴射さ
せることによって軸７を回転することができる。二つの
ノズル12、13のうち、一方のノズルは軸７を正回転し、
他方のノズルは軸７を逆回転するように装着しておけ
ば、二つのバルブ16、17のいずれかを開くことによって
羽根車９をいずれの方向にも回転させることができる。
なお、回転手段としては、この他に電動機を使用するこ
とも可能であるが処理液のシール機構が複雑になるとい
う欠点を伴う。
ノズル12またはノズル13から噴射され、羽根車９の回
転に使用された処理液は処理液送入口５を通って上昇
し、回転するフィン６によって撹拌され、組成が均一化
されて基板１の表面に接触して基板１をウェット処理す
る。処理槽３からオーバーフローした処理液は外槽４の
底面に形成された開口を介してタンク15に回収され、再
びポンプ14によって処理槽３内に送入される。また、バ
ルブ18を周期的に開くことによって、処理液供給口19と
僅かな間隙を介して対接する軸７の下端から処理液が中
心孔10内に送入され、ノズル11から基板１の中心部に向
けて噴射されて、基板１の中心部に付着した気泡を強制
的に外周方向に移動させて除去する。なお、基板の中心
部に連続的に処理液を噴射すると、中心部のウェット処
理反応が他の領域より促進されて好ましくない。また、
軸７は外槽４を貫通していないので、回転部に対する処
理液シール機構を必要としない。
転に使用された処理液は処理液送入口５を通って上昇
し、回転するフィン６によって撹拌され、組成が均一化
されて基板１の表面に接触して基板１をウェット処理す
る。処理槽３からオーバーフローした処理液は外槽４の
底面に形成された開口を介してタンク15に回収され、再
びポンプ14によって処理槽３内に送入される。また、バ
ルブ18を周期的に開くことによって、処理液供給口19と
僅かな間隙を介して対接する軸７の下端から処理液が中
心孔10内に送入され、ノズル11から基板１の中心部に向
けて噴射されて、基板１の中心部に付着した気泡を強制
的に外周方向に移動させて除去する。なお、基板の中心
部に連続的に処理液を噴射すると、中心部のウェット処
理反応が他の領域より促進されて好ましくない。また、
軸７は外槽４を貫通していないので、回転部に対する処
理液シール機構を必要としない。
以上説明せるとおり、本発明の係る基板のウェット処
理装置においては、処理槽の内部に複数枚のフィンを配
設して処理槽内部を分割することによって、処理液が基
板の各領域に同一の角度をもって接触するようになり、
また、フィンを回転することによって、基板に接触する
処理液の組成が均一化して、基板のすべての領域に均一
に処理液が接触するようになり、さらに、基板とフィン
との間隙を僅かにすることゝ、基板中心に処理液を周期
的に噴射することゝにうよって、気泡、異物等が物理的
に除去されるようになり、基板の全面が均一にウェット
処理されるようになった。
理装置においては、処理槽の内部に複数枚のフィンを配
設して処理槽内部を分割することによって、処理液が基
板の各領域に同一の角度をもって接触するようになり、
また、フィンを回転することによって、基板に接触する
処理液の組成が均一化して、基板のすべての領域に均一
に処理液が接触するようになり、さらに、基板とフィン
との間隙を僅かにすることゝ、基板中心に処理液を周期
的に噴射することゝにうよって、気泡、異物等が物理的
に除去されるようになり、基板の全面が均一にウェット
処理されるようになった。
第１図は、本発明の一実施例に係る基板のウェット処理
装置の構成を示す断面図である。 第２図は、従来技術に係る基板のウェット処理装置の構
成を示す断面図である。 １……被処理基板、 ２……被処理基板保持手段、 ３……処理槽、 ４……外槽、 ５……処理液送入口、 ６……フィン、 ７……軸、 ８……軸受、 ９……フィン、 10……中心孔、 11、12、13……ノズル、 14……ポンプ、 15……回収タンク、 16、17、18……制御バルブ、 19……処理液供給口。
装置の構成を示す断面図である。 第２図は、従来技術に係る基板のウェット処理装置の構
成を示す断面図である。 １……被処理基板、 ２……被処理基板保持手段、 ３……処理槽、 ４……外槽、 ５……処理液送入口、 ６……フィン、 ７……軸、 ８……軸受、 ９……フィン、 10……中心孔、 11、12、13……ノズル、 14……ポンプ、 15……回収タンク、 16、17、18……制御バルブ、 19……処理液供給口。
Claims (3)
- 【請求項１】小さくとも被処理基板（１）と同じ大きさ
の開口を有し、底面に処理液送入口（５）が形成されて
なるカップ状の処理槽（３）と、 該処理槽（３）に充満された処理液と前記被処理基板
（１）の被処理面とが接触するように前記被処理基板
（１）を保持する被処理基板保持手段（２）と、 前記被処理基板（１）に僅かの間隙を介して対接し、前
記処理槽（３）内に配設されてなる複数枚のフィン
（６）と、 前記被処理基板（１）の中心に処理液を噴射するノズル
（11）とを有する ことを特徴とする基板のウェット処理装置。 - 【請求項２】前記複数舞のフィン（６）には、回転手段
（９）（12）（13）が具備されてなることを特徴とする
請求項［１］記載の基板のウェット処理装置。 - 【請求項３】前記ノズル（11）には、処理液の噴射を断
続する制御弁（18）が具備されてなることを特徴とする
請求項［１］または［２］記載の基板のウェット処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119900A JPH0810685B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 基板のウェット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119900A JPH0810685B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 基板のウェット処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417334A JPH0417334A (ja) | 1992-01-22 |
| JPH0810685B2 true JPH0810685B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=14773003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2119900A Expired - Fee Related JPH0810685B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 基板のウェット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810685B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489341A (en) * | 1993-08-23 | 1996-02-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
| TWI270626B (en) * | 2002-04-23 | 2007-01-11 | Display Mfg Service Co Ltd | Wet processing bath and fluid supplying system for liquid crystal display manufacturing equipment |
| US7998867B2 (en) * | 2007-11-08 | 2011-08-16 | Sumco Corporation | Method for manufacturing epitaxial wafer |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2119900A patent/JPH0810685B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0417334A (ja) | 1992-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |