JPH0810199Y2 - 凹欠部形成用中子 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案は半導体素子等々の電子部品を収納し樹脂封
止するための凹欠部を有する回路基板を加熱・加圧して
成形する際に用いる凹欠部形成用の中子に関する。

［従来技術およびその問題点］ 回路基板の半導体素子等の電子部品を収納し樹脂封止
するための凹欠部は、一般に、底部にダイパッドを形成
しこのダイパッドの周囲に適数個の導体パターンによる
ボンディングパッドを整列形成し、これら各ボンディン
グパッドは同体の導電箔により外部接続端子に接続した
構造になっている。

近年、高密度化の要求によりボンディングパッドが多
段化され、このことにより凹欠部も階段状の凹欠部とな
り、而も各段のボンディングパッド共に高密度に導体パ
ターンが整列されることになるので、高寸法精度の加工
技術の開発が要求されている。

例えば、今日の要求として各段部のボンディングパッ
ドは幅が約0.15mm〜0.40mmで厚みが約0.03mm〜0.05mm程
度の導体箔パターンを約0.15mm〜0.40mm程度の間隔に整
列させ端部を約1.0mm〜2.0mm程度露出させる必要があ
る。

係る寸法精度上の要求や、更には構成材料の物性上の
要求を満たさんとして、電子部品収納用の凹欠部を有す
る回路基板の製法に、回路基板の上に大きさの異なる透
孔を形成した適数枚の回路基板を透孔の小さい順に間に
プリプレグを挟んで積み重ねて階段状の凹欠部を形成
し、この凹欠部に中子を入れ、上下より加熱・加圧して
回路基板間を一体に貼り合わせて後、前記中子を取り外
して半導体素子等の電子部品を収納し樹脂封止するため
の凹欠部を形成すると云う方法の提案がある。

しかし、この方法は加熱・加圧の際にプリプレグの樹
脂がボンディングパッド部に流出することの防止や中子
が回路基板に食い込むことの阻止に問題点がある。

考案者等はこのような問題を解決するために鋭意検討
し、中子に問題点の解決の端緒を見い出して本願考案を
完成するに到ったのである。

［問題点を解決するための手段］ この考案は、上記問題点を解決するために、電子部品
収納用の凹欠部を有する回路基板の製法に用いる凹欠部
形成用中子を、弾性率の異なる層を複数層有し複数層の
厚みが凹欠部の深さより大で外径が凹欠部の径より僅か
に小さい寸法に形成したのである。

この凹欠部形成用中子は厚みが凹欠部の深さより大で
外径が凹欠部の径より僅かに小さくした寸法に形成して
なり、必要により中を刳貫いた形状に形成することがで
きる。

［作用］ 凹欠部形成用中子は加熱・加圧の際の加圧力により、
弾性率の小さい層の変形量が大となる。加圧力の方向に
は圧縮され、この圧縮力が加圧力の方向に垂直な面内に
放射方向に伝達されて弾性率の小さい層の外周面がその
垂線方向に伸びる変形を生じる。

この弾性率の小さい層の外周面をプリプレグの層の透
孔面に対応させると、弾性率の小さい層の圧縮力が弾性
率の小さい層の外周面においてほぼ垂直方向に伝達して
プリプレグの樹脂の流れ出を押さえる力になる。

凹欠部形成用中子の厚みを一定として考えた場合に、
弾性率の異なる層を複数層設けるので弾性率の小さい層
の厚みが小となり、且つ弾性率の大きい層によって変形
を抑制しうるので、加圧・加熱の際の加圧力に対する弾
性率の小さい層の中心部から外周面部へ向かう変形量を
小さくでき、凹欠部形成用中子の回路基板内部への食い
込みを解消できる。

［実施例１］ 以下本考案の実施例を図面を用いて説明する。第２図
はこの考案の実施例の凹欠部形成用中子４の斜視図で、
弾性率の小さい層を１層と弾性率の大きい層を１層の二
層構造の場合を示し、第３図はこの考案の他の実施例の
凹欠部形成用中子４の斜視図で、弾性率の大きい層を１
層とその弾性率の大きい層を挟んで両側に弾性率の小さ
い層を２層形成した三層構造の場合を示す。第１図は回
路基板の要部立体断面図を示し、第１図（イ）は電子部
品収納用の凹欠部３の形状が略立方体形状の場合を例示
し、第１図（ロ）は電子部品収納用の凹欠部３の形状が
階段状の形状の場合を例示している。

以下第１図（イ）に示すように電子部品収納用の凹欠
部３の形状が略立方体形状でその大きさが14mm×14mm×
0.5mmを例にして説明する。

この考案に係る凹欠部形成用中子４は弾性率の小さい
層4aとして厚みが0.3mmのシリコンゴムシートに弾性率
の大きい層4bとして厚みが0.3mmのPET樹脂シートを積層
し13.5mm×13.5mmの大きさに裁断して形成してある。

回路基板用の材料として、電子部品搭載用のダイパッ
ド１及び回路パターン２を少なくとも設けた回路基板
Ａ、14mm×14mmの正方形の貫通孔３を形成した回路基板
Ｂ、14mm×14mmの正方形の貫通孔を形成した通常樹脂フ
ローのプリプレグシートＣを準備する。

先ず、ダイパッド１及び回路パターン２を形成した回
路基板Ａの上に中心に14mm×14mmの正方形の貫通孔を形
成したプリプレグシートＣ、中心に14mm×14mmの正方形
の貫通孔を形成した回路基板Ｂの順に積み重ねて、回路
基板Ａの上面とプリプレグシートＣの貫通孔壁面と回路
基板Ｂの貫通孔壁面とによって凹部を形成する。この凹
部の深さは、一般に、プリプレグシートＣの嵩高のため
凹欠部形成用中子の厚みより大になる。

次に、この凹部に13.5mm×13.5mm×0.6mmの大きさの
凹欠部形成用中子４を挿入して、上下より熱盤を介して
加圧・加熱する。加圧力に較べて熱の伝達が遅いため、
当初は加圧力が作用して嵩高のプリプレグシートＣを圧
縮し、或圧縮時点より凹欠部形成用中子にも加圧力が作
用して凹欠部形成用中子と共に圧縮する。熱が伝達しプ
リプレグ樹脂の軟化温度に達するとプリプレグ樹脂が軟
化し溶けて粘度が一旦下がる。プリプレグ樹脂の粘度が
下がった際にも押圧力が作用しているのでプリプレグ樹
脂が流動し凹部の方向にも流動しようとするが、凹欠部
形成用中子５に作用している加圧力が低弾性であるシリ
コンゴムシート4aの外周面の垂線方向に作用するのでプ
リプレグ樹脂の凹部の方向への流動を阻止する。この流
動阻止の状態を保ちながらプリプレグ樹脂を熱硬化反応
をさせて後、凹欠部形成用中子４を取り去ると凹欠部３
を形成した電子部品搭載用の回路基板を得ることができ
る。このようにして得られた回路基板の凹欠部５にはプ
リプレグ樹脂の流出は発生しないし、また凹欠部形成用
中子３の回路基板への食い込みも発生しなかった。

尚、凹欠部形成用中子３として第２図（ロ）に示すよ
うに中を刳貫いた形状に形成したものを用いても同様の
結果が得られた。

［考案の効果］ この考案の凹欠部形成用中子は、半導体素子等々の電
子部品を収納し樹脂封止するための凹欠部を有する回路
基板を加熱・加圧して成形する際に凹欠部形成用の中子
として用いて、電子部品を収納用の凹欠部にプリプレグ
樹脂の流出を皆無にし、且つ凹欠部形成用中子の回路基
板への食い込みをなくすることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は電子部品収納用の凹欠部を有する回路基板の要
部の立体断面図、第２図，第３図はそれぞれ実施例の凹
欠部形成用中子を説明する斜視図である。 A,B,B₁,B₂……それぞれ回路基板、C,C₁,C₂……それぞれ
プリフレグシート部、１……ダイパット、2,……,2……
回路パターン、３……凹欠部、4a……シリコンゴムシー
ト、4b……PET樹脂シート、４……凹欠部形成用中子。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】回路基板の上に透孔を形成したＮ（但しＮ
   は１以上の整数）枚の回路基板を間にプリプレグを挟ん
   で積み重ねて階段状の凹部を形成し、上下より加熱・加
   圧して回路基板間を一体に貼り合わせて電子部品収納用
   の凹欠部を有する回路基板を得る製法に用いる凹欠部形
   成用中子であって、弾性率の異なる層を複数層有し全体
   の厚みが凹欠部の深さより大で外径が凹欠部の径より僅
   かに小さい寸法に形成してなることを特徴とする凹欠部
   形成用中子。