JPH0799789B2 - エッチング処理のモニター方法 - Google Patents

エッチング処理のモニター方法

Info

Publication number
JPH0799789B2
JPH0799789B2 JP4323722A JP32372292A JPH0799789B2 JP H0799789 B2 JPH0799789 B2 JP H0799789B2 JP 4323722 A JP4323722 A JP 4323722A JP 32372292 A JP32372292 A JP 32372292A JP H0799789 B2 JPH0799789 B2 JP H0799789B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
monitor
etching
substrate
layer
film thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4323722A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0669630A (ja
Inventor
ホン ロー ヘンリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
AT&T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AT&T Corp filed Critical AT&T Corp
Publication of JPH0669630A publication Critical patent/JPH0669630A/ja
Publication of JPH0799789B2 publication Critical patent/JPH0799789B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0266Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09781Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/098Special shape of the cross-section of conductors, e.g. very thick plated conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0384Etch stop layer, i.e. a buried barrier layer for preventing etching of layers under the etch stop layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/163Monitoring a manufacturing process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は金属層をエッチング溶液
に暴露することによる金属層のエッチング処理に関す
る。更に詳細には、本発明は正味のエッチング速度を決
定するための、このようなエッチング処理のモニター方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】ハイブリッド回路またはプリント配線板
の製造に関する従来の製造工程は、パターン付けされた
導電層を形成するために、一般的に、銅層(または同等
な金属層)のエッチング工程を含む。このような加工の
結果が合格基準を満たし、かつ、再現性よく実施できる
ようにするため、従業者は特にエッチング速度を連続的
または定期的に測定しなければならない。そして、エッ
チング速度が所定の許容範囲から逸脱していることが確
認された場合、加工条件を調整しなければならない。所
定のエッチング加工を制御する方法は一般的に、その加
プロセスの化学作用に対し特有のものである。しか
し、エッチング速度を監視する一般的な方法は、既知の
均一な初期膜厚を有する銅層を準備し、この銅層をエッ
チング溶液に暴露し、エッチング加工処理が進むに応じ
て、銅層の膜厚を定期的に測定することからなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この方法はエッチング
溶液の化学的性質に左右されず、エッチング加工の物質
移動条件に応動しやすいという利点を有するが、幾つか
の欠点も有している。すなわち、満足のいく正確度を得
るためには、膜厚測定を多数回行わなければならない。
各測定は特別な測定装置を使用しなければならないの
で、この測定により比較的多大な時間が費やされる。こ
れはエッチング加工の作業性を劣化させ、加工時間の増
大により製造コストの増大をもたらす。
【0004】
【課題を解決するための手段】広い意味で、本発明は基
板を必要とする。この基板はエッチング加工すべき工作
物の基板と物理的に似ているものから選択される。しか
し、このような類似性は必須要件ではない。エッチング
すべき金属層を例えば、電気メッキにより基板の少なく
とも一方の主要面上に堆積させる。このような層を以下
「指示層」と呼ぶ。指示層の膜厚は均一ではなく、断面
は、概ね楔状のプロファイルを有する。このため、膜厚
は側面方向に向かって増大する。この方向を“縦”方向
と呼ぶ。(“側面方向”という用語は基板の表面に対し
て平行な方向を意味する。)
【0005】モニター基板を工作物と同じエッチング処
理にかける。工作物およびモニター基板から所定時間で
除去された金属の累積量は指示層の端部の位置により直
接的に示される。すなわち、累積的にエッチングされた
膜厚よりも薄い金属膜厚を有する指示層部分は概ね除去
され、下部の基板表面が露出されるか、または、エッチ
ング処理に対して比較的抵抗性のある下部金属層が露出
される。その結果、除去された指示層の部分の範囲を定
める端部は目視検査または例えば、反射計を用いる機械
検査により容易に観察することができる。オペレータは
予め作成されているスケールと端部の位置を容易に比較
することができる。このスケールは端部位置と除去され
た金属の累積量とを関係づけるものである。(あるい
は、所定のエッチング時間を参照することにより、正味
のエッチング速度と関係づける。)
【0006】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の方法を更
に詳細に説明する。
【0007】本発明のモニターは銅をエッチングするの
にアンモニア性塩化銅エッチング溶液と併用される。し
かし、本発明のモニターは、下部基板(または比較的耐
エッチング性の層)がエッチングされた金属層に視覚コ
ントラストを与える金属膜の化学的エッチング用の全て
のシステムについても同等に適用することができる。
【0008】エッチング速度モニターは例えば、横寸法
が3.75インチ×4.5インチ(=9.5cm×1
1.25cm)の標準的なセラミック基板上に一連の導
電性金属薄膜をスパッタデポジションすることにより作
製した。最上層は銅であり、銅の下部はセラミック基板
に対して優れた密着性を付与するために選択された一対
の層である。次いで、この基板をハル(Hull)電池
のカソードパネル10として組み込んだ(図1参照)。
そして、当業者に周知の方法により銅を電気メッキし
た。
【0009】ハル電池のカソード10とアノード20を
非平行に配列させた結果として、電気メッキにより長さ
方向に厚さが変化する楔状銅膜厚プロファイルが得られ
た。(ハル電池は電気メッキ分野では周知であり、電気
メッキ浴の評価に広く使用されている。この電池は米国
特許第2149344号明細書に開示されている。)
【0010】図2は5インチ(=12.5cm)のカソ
ードパネルに3アンペアの電流を流したときの、容量1
リットルのハル電池のカソードにおける予想電流分布を
示す。セラミック基板の長さは僅か4.5インチ(=1
1.25cm)しかないので、殆ど変性することなく、
前記のような標準的な1リットルハル電池内で容易に処
理されてしまった。再度実験するために、電気メッキ銅
層の中間膜厚として10μmを選定した。メッキ時間は
15分間であった。以下、アノードに対向する主要モニ
ター表面を“前面”と呼び、ハル電池で上方に向けられ
た端部を“上端”と呼び、下方に向けられた端部を“下
端”と呼ぶ。ハル電池内に配向されたような、モニター
前面に沿った平面位置は“縦位置”と呼ぶ。従って、堆
積銅層の膜厚が変化する方向に沿った基本的方向縦方
向である。
【0011】膜厚プロフィルの再現性を決定するため、
135個のエッチング速度モニターを作製し、これらの
うちの6個をランダムに選択し、X線蛍光分析計(UP
Aモデル300)を用いて組織的に膜厚測定を行った。
選択されたモニターのそれぞれについて、中央矩形部分
を区別し、4mm×4mmの間隔を有する格子パターン
の頂点を測定した。測定された膜厚を等高線図として図
3に示す。この結果を統計的に分析した。特に、基板の
中央付近の膜厚は縦方向位置に対して直線的な変動を示
した。
【0012】図3に示した各モニターの下端から1.5
インチ(3.8cm)のラインに沿って測定された膜厚
は一群のサンプルで一まとめにした。各縦位置における
サンプル群の最大、中間および最小値をプロットし、図
4に示すグラフを得た。この図から明らかなように、中
央部付近の測定値は最小の変動幅を示した。縦方向位置
の関数として測定値の標準偏差を表1に示す。
【0013】モニターの中央部分の80%以上は、測定
膜厚の標準偏差が7%未満であった。最大および最小測
定値の差(平均膜厚の百分率で表される)は20%未満
であった。加工処理の進行具合を監視するために、一般
的に、エッチング速度を約10%の正確度で知る必要が
ある。従って、前記のエッチング速度モニターの製造方
法は、モニターの製造を更に改良することなしでも、有
用なモニターをもたらす。既知の中間膜厚を使用すれ
ば、エッチングされた金属の累積量の判読を容易にする
スケールを簡単に作成することができる。
【0014】図5にこのようなスケールを示す。このス
ケールは図4のデータから作成した。例えば、このよう
なスケールを透明な高分子材料のシート上に作成すれ
ば、エッチングされたモニター上にオーバーレイとして
重ね、次いで、指示層のエッチバックされた端部の位置
をオーバーレイを通して視認し、スケールに応じた位置
を突き止めることができる。対応する累積エッチング膜
厚は端部の位置に対応するスケールから容易に読み出す
ことができる。
【0015】別のスケールは、指示層の下部に存在し、
基板上に形成された比較的耐エッチング性の金属のパタ
ーン(例えば、格子パターン)からなる。指示層がエッ
チングされるにつれて、このようなパターン部分は段々
露出してくる。このようなパターンは、上部および下
部の材料の両方に対して視覚的コントラストを与える金
属から作成することが好ましい。このようなパターンは
例えば、適当なマスクを通して金を蒸着するか、また
は、指示層の下部に存在する金属層にパターンをエッチ
ングすることにより作成される。
【0016】本発明のモニターの用途の一例は、エッチ
ング処理における変性を評価することである。例えば、
本発明のモニターを使用し、様々なデザインのエッチン
グ溶液噴霧ノズルの性能を評価することができる。エッ
チング速度モニターが前記のようなノズルから噴霧され
るエッチング溶液に暴露された後の、指示層のエッチバ
ック端部の外観を図6に示す。モニターを支持クランプ
から垂直に懸垂させた。従って、モニターは図示されて
いるように配向された。端部内のノッチ様の凹み40
は、支持クランプからエッチング溶液が続いて滴り落ち
ることにより生じた。図6に示されるように、モニター
上端は電気メッキ中の下端に対応し、下端は上端に対
応する。指示層は図6のモニターの下端までは延びな
い。なぜなら、電気メッキ中、メッキ浴は端部にまで達
しないからである。
【0017】始めから均一な膜厚を有する銅層を備えた
サンプルから同等の情報を常法通りに得るために、比較
例として、エッチングサンプルについて多数の膜厚測定
を行う必要がある。例えば、基板全体をカバーする1m
m×1mmの分解能を有する地図を作成するには937
5個の測定値が必要である。
【0018】本発明のモニターの用途の一例はハイブリ
ッド回路またはプリント回路の製造ラインにおけるプロ
セスコントロールに使用することである。このような回
路は基板(例えば、セラミック材料基板)とパターン付
金属層(例えば、銅層)を含む。製造過程の或る段階
で、概ね均一な膜厚の銅層を有し、パターン付レジスト
層が上塗りされた基板を準備する。レジストにより保護
されていない金属部分を除去するために、基板をエッチ
ング溶液浴に浸漬するかまたはエッチング溶液を噴霧す
る。これは一殿的に、コンベヤベルトに沿って所定の間
隔で基板または基板群を配置することにより、大量生産
的に実施される。各基板または基板群は、基板がエッチ
ング処理ステーションを通過するにつれて、エッチング
される。
【0019】オペレータによりコントロールされるよう
な特定のプロセスパラメータは金属が除去される速度に
影響を及ぼす。このようなパラメータは例えば、エッチ
ング溶液温度およびエッチング工程の時間などである。
プロセスパラメータを所望の設定値に確実に維持するた
めに、適当な時間間隔でエッチング速度を測定する必要
がある。本発明のモニターは、加工すべき少なくとも1
個の基板に隣接して、または、基板の適所に少なくとも
1個のモニターを設けることにより、この目的に好都合
に使用される。
【0020】エッチング後にモニターを単に目視検査す
ることによりエッチング速度を知ることができる。この
ような検査は前記の透明オーバーレイを用いて実施する
ことが好ましい。別法として、モニター基板上に予めマ
ークされたスケールを用いて検査することもできる。こ
のような検査の結果により、オペレータはプロセスパラ
メータを必要な値に調整する。従って、エッチング速度
の測定に必要な時間は本発明のモニターの一つをエッチ
ングするのに必要な時間よりも短い。一般的に、モニタ
ーは、周期的間隔(例えば、各8時間シフト内に2回)
で、この処理にかけられる。
【0021】
【表1】
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
正味のエッチング速度を簡単に決定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明により指示層を堆積するのに有用な一般
的に“ハル電池”と呼ばれる種類の電気メッキ電池の模
式的平面図である。
【図2】図1のハル電池の代表的なカソードパネルの予
想電流分布を示すグラフ図である。
【図3】図1のハル電池に銅を堆積することにより形成
された代表的な指示層の銅膜厚(μm)の表面等高線図
である。
【図4】図1のハル電池に形成された銅支持層のバッチ
に関する、銅膜厚対縦方向位置のグラフ図である。各選
定位置における、一群のサンプルの最大、中間および最
小膜厚が示されている。
【図5】エッチングされた指示層の端部を除去された銅
の累積膜厚に関係づけるために使用することができる、
銅膜厚(μm)スケールの一例の平面図である。
【図6】エッチングされた代表的なエッチング速度モニ
ターの輪郭に図5のスケールのようなスケールを重ねた
状態の模式図である
【符号の説明】
10 カソードパネル 20 アノードパネル 30 指示層のエッチバック端部 40 凹み

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エッチング可能な金属層により被覆され
    た基板本体をエッチング溶液に暴露し、金属層の一部分
    をエッチングで除去する際、前記エッチングの速度が所
    定の範囲内に入るように前記エッチング条件を調整する
    為に、前記エッチング処理をモニターする方法におい
    て、 (a)モニター基板とその表面にエッチングが可能な指
    示層とを有するモニター本体を用意するステップと、 前記指示層は、前記モニタ本体の縦方向に沿って概ね楔
    状のプロファイルを有する膜厚を有し、 (b)前記モニター本体を前記基板本体と共に前記エッ
    チング溶液に暴露し、前記指示層の膜厚の薄い方の部分
    を完全に除去し、前記モニター基板の一部分を露出させ
    るステップと、 (c) 前記露出したモニター基板の縦方向の長さを参
    照することにより前記エッチングの速度を決定するステ
    ップと、 からなることを特徴とするエッチング処理のモニター方
    法。
  2. 【請求項2】 モニター基板は、比較的耐エッチング性
    の金属の格子パターンからなり、前記ステップ(b)の
    処理中に、前記格子パターンの一部を露出させ、前記ス
    テップ(c)は、露出したモニター基板の端部位置を前
    記格子パターンに関連づけて読みとることを特徴とする
    請求項1の方法。
JP4323722A 1991-12-31 1992-11-10 エッチング処理のモニター方法 Expired - Lifetime JPH0799789B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US816416 1991-12-31
US07/816,416 US5259920A (en) 1991-12-31 1991-12-31 Manufacturing method, including etch-rate monitoring

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0669630A JPH0669630A (ja) 1994-03-11
JPH0799789B2 true JPH0799789B2 (ja) 1995-10-25

Family

ID=25220536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4323722A Expired - Lifetime JPH0799789B2 (ja) 1991-12-31 1992-11-10 エッチング処理のモニター方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5259920A (ja)
EP (1) EP0550176A1 (ja)
JP (1) JPH0799789B2 (ja)
KR (1) KR930014830A (ja)
TW (1) TW203161B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19646841A1 (de) * 1996-11-13 1998-05-14 Eilenburger Elektrolyse & Umwelttechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Direktbestimmung der Abtragsgeschwindigkeit von Metallen in Ätz- und Beizlösungen
US6419754B1 (en) * 1999-08-18 2002-07-16 Chartered Semiconductor Manufacturting Ltd. Endpoint detection and novel chemicals in copper stripping
US20020125215A1 (en) * 2001-03-07 2002-09-12 Davis Brian Michael Chemical milling of gas turbine engine blisks
US9107302B2 (en) * 2013-02-12 2015-08-11 Raytheon Company Dummy structure for visual aid in printed wiring board etch inspection

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2149344A (en) * 1935-03-22 1939-03-07 Du Pont Apparatus and process for the study of plating solutions
SU485889A1 (ru) * 1971-11-01 1975-09-30 Московский Полиграфический Институт Способ изготовлени клиньев-датчиков
GB2088782B (en) * 1980-12-05 1985-01-09 Burroughs Corp Etching depth monitor and control
US4367044A (en) * 1980-12-31 1983-01-04 International Business Machines Corp. Situ rate and depth monitor for silicon etching
US4436579A (en) * 1981-01-29 1984-03-13 Intel Corporation Method of forming multiplexed magnetic bubble detectors
DE3273475D1 (en) * 1982-10-14 1986-10-30 Ibm Deutschland Method to measure the thickness of eroded layers at subtractive work treatment processes
JPS5994038A (ja) * 1982-11-22 1984-05-30 Toshiba Corp 腐食速度測定方法
JPH0669031B2 (ja) * 1984-07-17 1994-08-31 日本電気株式会社 半導体装置
JPS62158883A (ja) * 1985-12-28 1987-07-14 Ibiden Co Ltd エツチングの管理方法
JPH0682727B2 (ja) * 1986-02-18 1994-10-19 ホ−ヤ株式会社 検査用基板とその製造方法
US4717446A (en) * 1986-09-18 1988-01-05 Motorola Inc. Method of detecting the endpoint of the etch of epitaxially grown silicon
US4708765A (en) * 1986-10-06 1987-11-24 The Johns Hopkins University Regulation of the exposure of active surfaces
KR890004566B1 (ko) * 1987-03-21 1989-11-15 삼성전자 주식회사 반도체 제조공정중의 패턴의 씨디변화를 모니타링하기 위한 테스트 패턴
SU1585383A1 (ru) * 1988-12-05 1990-08-15 Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола Устройство дл контрол глубины травлени металлической пленки
US4935108A (en) * 1989-04-28 1990-06-19 Hewlett-Packard Company Apparatus for troubleshooting photoimage plating problems in printed circuit board manufacturing

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0669630A (ja) 1994-03-11
TW203161B (ja) 1993-04-01
EP0550176A1 (en) 1993-07-07
US5259920A (en) 1993-11-09
KR930014830A (ko) 1993-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1329946C (zh) 形成半导体器件的方法
US20080041726A1 (en) Metal plating apparatus and process
EP0253460A1 (en) Method and apparatus for controlling the throat height of batch fabricated thin film magnetic transducers
KR20210151245A (ko) 금속판, 금속판의 제조 방법, 및 금속판을 사용하여 증착 마스크를 제조하는 방법
EP0191538B1 (en) Chip resistor and method for the manufacture thereof
JPH0799789B2 (ja) エッチング処理のモニター方法
CN113423188B (zh) 线路板沉金处理方法及设备
JPH10130896A (ja) 電気めっき方法
US4053977A (en) Method for etching thin foils by electrochemical machining to produce electrical resistance elements
EP0395245B1 (en) Apparatus for troubleshooting photoimage plating problems in printed circuit board manufacturing
JPH07173700A (ja) 分割アノードめっき装置および電流値決定方法
JPH08272076A (ja) 印刷配線板の製造方法
US5501777A (en) Method for testing solder mask material
JPS60114703A (ja) 抵抗素子の抵抗値調整方法
Clay Plating hybrid microcircuits. Final report
CN118444023A (zh) 一种航发钛合金叶片材料电阻率的精确测量方法
JPH0319302A (ja) 薄膜抵抗体の製造方法
JPH03211296A (ja) 電鋳方法
SU1456768A2 (ru) Способ изготовлени датчиков методом гальванического меднени дл контрол циклических деформаций
CN117810108A (zh) 一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法及系统
JPS62158883A (ja) エツチングの管理方法
JPH0227258A (ja) レジスト膜の密着強度測定方法
JPH0743890A (ja) 密着性評価用フォトマスクおよびその使用方法
Law et al. Rate monitor for chemical etching of copper films
JPH0371410A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111025

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111025

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025

Year of fee payment: 17

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131025

Year of fee payment: 18

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131025

Year of fee payment: 18