JPH0799262A - ワイヤボンディング方法及びその方法に用いるワイヤボンディング台及びワイヤボンディング基板 - Google Patents
ワイヤボンディング方法及びその方法に用いるワイヤボンディング台及びワイヤボンディング基板Info
- Publication number
- JPH0799262A JPH0799262A JP5242490A JP24249093A JPH0799262A JP H0799262 A JPH0799262 A JP H0799262A JP 5242490 A JP5242490 A JP 5242490A JP 24249093 A JP24249093 A JP 24249093A JP H0799262 A JPH0799262 A JP H0799262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire bonding
- wire
- pad
- bonding
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装密度の向上を図る。
【構成】 基台１２と、基台１２の上面に形成されたワ
イヤボンディングパッド１３ａと、基台１２の底面に形
成され、ワイヤボンディングパッド１３ａと電気的に接
続された下面電極１３ｂ（図示省略）とを具備したワイ
ヤボンディング台１１を回路基板１上に配設し、導体パ
ターン６と下面電極１３ｂを接合した後、ベアチップ２
に形成された電極パッド５とワイヤボンディングパッド
１３ａをボンディングワイヤ７により電気的に接続し
た。 【効果】 ワイヤボンダのツールが回路基板１上の実装
部品８と接触せず、ワイヤボンディングが可能となる。
イヤボンディングパッド１３ａと、基台１２の底面に形
成され、ワイヤボンディングパッド１３ａと電気的に接
続された下面電極１３ｂ（図示省略）とを具備したワイ
ヤボンディング台１１を回路基板１上に配設し、導体パ
ターン６と下面電極１３ｂを接合した後、ベアチップ２
に形成された電極パッド５とワイヤボンディングパッド
１３ａをボンディングワイヤ７により電気的に接続し
た。 【効果】 ワイヤボンダのツールが回路基板１上の実装
部品８と接触せず、ワイヤボンディングが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のベアチッ
プと回路基板を電気的に接続するワイヤボンディング方
法及びそれに用いるワイヤボンディング台及びワイヤボ
ンディング基板に関するものである。
プと回路基板を電気的に接続するワイヤボンディング方
法及びそれに用いるワイヤボンディング台及びワイヤボ
ンディング基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のベアチップを、直接、回路
基板に実装した一例を図７に示す。図において、ベアチ
ップ２を回路基板１のダイパッド３に半田４を介してダ
イボンドした後、ベアチップ２の上面にAl等で形成され
た電極用パッド５と、回路基板１上に形成された導体パ
ターン６のランド部６ａを加熱し、電極用パッド５を第
１ボンド、ランド部６ａを第２ボンドとしてボンディン
グワイヤ７により電気的に接続していた。また、８は、
ベアチップ２に近接した位置に表面実装された抵抗等の
実装部品である。
基板に実装した一例を図７に示す。図において、ベアチ
ップ２を回路基板１のダイパッド３に半田４を介してダ
イボンドした後、ベアチップ２の上面にAl等で形成され
た電極用パッド５と、回路基板１上に形成された導体パ
ターン６のランド部６ａを加熱し、電極用パッド５を第
１ボンド、ランド部６ａを第２ボンドとしてボンディン
グワイヤ７により電気的に接続していた。また、８は、
ベアチップ２に近接した位置に表面実装された抵抗等の
実装部品である。
【０００３】上記に示したワイヤボンディングは、ワイ
ヤボンダと呼ばれる自動機械を用いて行われる。図８に
基づいて、ワイヤボンダを用いたワイヤボンディング行
程の一例について説明する。図は図７に示した実装例の
ワイヤボンディング行程を説明するための正面図であ
る。ワイヤボンダには、ワイヤクランプ９とウェッジツ
ール１０と呼ばれるツールが取り付けられており、ワイ
ヤクランプ９の軸心に形成された貫通穴を通して供給さ
れたボンディングワイヤ７の先端部をウェッジツール１
０により電極用パッド５に圧接し、加熱して接合した
後、ワイヤクランプ９からボンディングワイヤ７を引き
出して、導体パターン６のランド部６ａに同様に接合し
た後、ボンディングワイヤ７を切断してワイヤボンディ
ングを行っていた。
ヤボンダと呼ばれる自動機械を用いて行われる。図８に
基づいて、ワイヤボンダを用いたワイヤボンディング行
程の一例について説明する。図は図７に示した実装例の
ワイヤボンディング行程を説明するための正面図であ
る。ワイヤボンダには、ワイヤクランプ９とウェッジツ
ール１０と呼ばれるツールが取り付けられており、ワイ
ヤクランプ９の軸心に形成された貫通穴を通して供給さ
れたボンディングワイヤ７の先端部をウェッジツール１
０により電極用パッド５に圧接し、加熱して接合した
後、ワイヤクランプ９からボンディングワイヤ７を引き
出して、導体パターン６のランド部６ａに同様に接合し
た後、ボンディングワイヤ７を切断してワイヤボンディ
ングを行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ワイヤ
ボンディング行程において、回路基板１上に形成された
導体パターン６のランド部６ａと実装部品８が近接して
いる場合、図８に示すように、ランド部６ａに第２ボン
ディングする際、ワイヤボンダのワイヤクランプ９がそ
の実装部品８と干渉するため、ワイヤボンディングが不
可能となったり、ワイヤボンダが故障するといった問題
点があった。
ボンディング行程において、回路基板１上に形成された
導体パターン６のランド部６ａと実装部品８が近接して
いる場合、図８に示すように、ランド部６ａに第２ボン
ディングする際、ワイヤボンダのワイヤクランプ９がそ
の実装部品８と干渉するため、ワイヤボンディングが不
可能となったり、ワイヤボンダが故障するといった問題
点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、ワイヤボンダのツールが
回路基板上の他の実装部品と干渉することにより、ワイ
ヤボンディングが不可能となることを防止することがで
き、実装密度の向上を図ることができるワイヤボンディ
ング方法及びそれに用いるワイヤボンディング台及びワ
イヤボンディング基板の構造を提供することにある。
で、その目的とするところは、ワイヤボンダのツールが
回路基板上の他の実装部品と干渉することにより、ワイ
ヤボンディングが不可能となることを防止することがで
き、実装密度の向上を図ることができるワイヤボンディ
ング方法及びそれに用いるワイヤボンディング台及びワ
イヤボンディング基板の構造を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載のワイヤボンディング方法は、回路基
板にダイボンドするベアチップに形成された電極パッド
と前記回路基板に形成された導体パターンを電気的に接
続するワイヤボンディング方法において、平板状の基台
と、その基台の上面に形成されたワイヤボンディングパ
ッドと、前記基台の底面に形成され、前記ワイヤボンデ
ィングパッドと電気的に接続された下面電極とを具備し
たワイヤボンディング台を、前記回路基板上に配設し
て、前記回路基板に形成された前記導体パターンと前記
下面電極を接合した後、前記ベアチップに形成された前
記電極パッドと前記ワイヤボンディングパッドをボンデ
ィングワイヤにより電気的に接続することを特徴とする
ものである。
め、請求項１記載のワイヤボンディング方法は、回路基
板にダイボンドするベアチップに形成された電極パッド
と前記回路基板に形成された導体パターンを電気的に接
続するワイヤボンディング方法において、平板状の基台
と、その基台の上面に形成されたワイヤボンディングパ
ッドと、前記基台の底面に形成され、前記ワイヤボンデ
ィングパッドと電気的に接続された下面電極とを具備し
たワイヤボンディング台を、前記回路基板上に配設し
て、前記回路基板に形成された前記導体パターンと前記
下面電極を接合した後、前記ベアチップに形成された前
記電極パッドと前記ワイヤボンディングパッドをボンデ
ィングワイヤにより電気的に接続することを特徴とする
ものである。
【０００７】請求項２記載のワイヤボンディング台は、
平板状の基台と、その基台の上面に形成されたワイヤボ
ンディングパッドと、前記基台の底面に形成され、前記
ワイヤボンディングパッドと電気的に接続された下面電
極とを具備したことを特徴とするものである。
平板状の基台と、その基台の上面に形成されたワイヤボ
ンディングパッドと、前記基台の底面に形成され、前記
ワイヤボンディングパッドと電気的に接続された下面電
極とを具備したことを特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載のワイヤボンディング方法
は、回路基板にダイボンドするベアチップに形成された
電極パッドと前記回路基板に形成された導体パターンを
電気的に接続するワイヤボンディング方法において、平
板状の基板と、その基板の上面に形成された、ワイヤボ
ンディング用のパッド部を有する導電層と、スルーホー
ルとを具備したワイヤボンディング基板を、前記回路基
板上に配設して、前記回路基板に形成された前記導体パ
ターンと前記ワイヤボンディング基板に形成された前記
導電層を前記スルーホールを介して電気的に接続すると
共に、前記ベアチップに形成された前記電極パッドと前
記ワイヤボンディング基板に形成された前記パッド部を
ボンディングワイヤにより電気的に接続することを特徴
とするものである。
は、回路基板にダイボンドするベアチップに形成された
電極パッドと前記回路基板に形成された導体パターンを
電気的に接続するワイヤボンディング方法において、平
板状の基板と、その基板の上面に形成された、ワイヤボ
ンディング用のパッド部を有する導電層と、スルーホー
ルとを具備したワイヤボンディング基板を、前記回路基
板上に配設して、前記回路基板に形成された前記導体パ
ターンと前記ワイヤボンディング基板に形成された前記
導電層を前記スルーホールを介して電気的に接続すると
共に、前記ベアチップに形成された前記電極パッドと前
記ワイヤボンディング基板に形成された前記パッド部を
ボンディングワイヤにより電気的に接続することを特徴
とするものである。
【０００９】請求項４記載のワイヤボンディング基板
は、平板状の基板と、その基板の上面に形成された、ワ
イヤボンディング用のパッド部を有する導電層と、スル
ーホールとを具備したことを特徴とするものである。
は、平板状の基板と、その基板の上面に形成された、ワ
イヤボンディング用のパッド部を有する導電層と、スル
ーホールとを具備したことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】請求項２記載のワイヤボンディング台は、平板
状の耐熱性を有する基台の上面に第２ボンド箇所とし
て、ワイヤボンディングパッドを形成し、底面にワイヤ
ボンディングパッドと電気的に接続された下面電極を形
成したものであり、回路基板上に形成された導体パター
ンの電極用パッドと下面電極を対応させ、半田又はAgペ
ースト等を介して、回路基板上にワイヤボンディング台
を実装することにより、第２ボンド位置が、ワイヤボン
ディング台の高さ寸法だけ高くなり、ワイヤボンディン
グ時、ワイヤボンダのツールをベアチップに近接した実
装部品に接触させずに、ベアチップに形成された電極パ
ッドとワイヤボンディング台上面に形成されたワイヤボ
ンディングパッドとをボンディングワイヤにより電気的
に接続することができる。
状の耐熱性を有する基台の上面に第２ボンド箇所とし
て、ワイヤボンディングパッドを形成し、底面にワイヤ
ボンディングパッドと電気的に接続された下面電極を形
成したものであり、回路基板上に形成された導体パター
ンの電極用パッドと下面電極を対応させ、半田又はAgペ
ースト等を介して、回路基板上にワイヤボンディング台
を実装することにより、第２ボンド位置が、ワイヤボン
ディング台の高さ寸法だけ高くなり、ワイヤボンディン
グ時、ワイヤボンダのツールをベアチップに近接した実
装部品に接触させずに、ベアチップに形成された電極パ
ッドとワイヤボンディング台上面に形成されたワイヤボ
ンディングパッドとをボンディングワイヤにより電気的
に接続することができる。
【００１１】請求項４記載のワイヤボンディング基板
は、平板状の耐熱性を有する基板の上面に、第２ボンド
箇所となるワイヤボンディング用のパッド部を有する導
電層を形成すると共に、上面から底面に貫通するスルー
ホールを形成したものであり、回路基板上に形成された
導体パターンの第２ボンド用のランド部上にスルーホー
ルが位置するように、ワイヤボンディング基板を回路基
板上に固着し、メッキ等により導電層と導体パターンを
スルーホールを介して電気的に接続することにより、第
２ボンド位置が、ワイヤボンディング基板の厚さ寸法だ
け高くなり、ワイヤボンディング時、ワイヤボンダのツ
ールをベアチップに近接した実装部品に接触させずに、
ベアチップに形成された電極パッドとワイヤボンディン
グ基板上面に形成されたパッド部とを電気的に接続する
ことができる。
は、平板状の耐熱性を有する基板の上面に、第２ボンド
箇所となるワイヤボンディング用のパッド部を有する導
電層を形成すると共に、上面から底面に貫通するスルー
ホールを形成したものであり、回路基板上に形成された
導体パターンの第２ボンド用のランド部上にスルーホー
ルが位置するように、ワイヤボンディング基板を回路基
板上に固着し、メッキ等により導電層と導体パターンを
スルーホールを介して電気的に接続することにより、第
２ボンド位置が、ワイヤボンディング基板の厚さ寸法だ
け高くなり、ワイヤボンディング時、ワイヤボンダのツ
ールをベアチップに近接した実装部品に接触させずに、
ベアチップに形成された電極パッドとワイヤボンディン
グ基板上面に形成されたパッド部とを電気的に接続する
ことができる。
【００１２】
【実施例】図２に基づき、まず、本発明のワイヤボンデ
ィング方法に用いるワイヤボンディング台の一実施例に
ついて説明する。図において、（ａ）は斜視図、（ｂ）
はＡ−Ａ断面図である。図２に示すワイヤボンディング
台１１は、平面視略ロ字平板状の基台１２の上面から外
側側面及び底面にかけて、断面略コ字状の導電体１３を
複数設けたものである。基台１２は、ガラスエポキシ基
板、ポリイミド樹脂等の耐熱性に優れ、ワイヤボンダか
ら加えられる圧力に耐えられる材料で構成されている。
導電体１３のワイヤボンディング台１１の上面に位置す
る部分は、ワイヤボンディングパッド１３ａとなると共
に、ワイヤボンディング台１１の底面に位置する部分
は、そのワイヤボンディングパッド１３ａと電気的に接
続された下面電極１３ｂとなる。導電体１３はCu等の材
料で、ワイヤボンディングにより形成する回路数分形成
される。
ィング方法に用いるワイヤボンディング台の一実施例に
ついて説明する。図において、（ａ）は斜視図、（ｂ）
はＡ−Ａ断面図である。図２に示すワイヤボンディング
台１１は、平面視略ロ字平板状の基台１２の上面から外
側側面及び底面にかけて、断面略コ字状の導電体１３を
複数設けたものである。基台１２は、ガラスエポキシ基
板、ポリイミド樹脂等の耐熱性に優れ、ワイヤボンダか
ら加えられる圧力に耐えられる材料で構成されている。
導電体１３のワイヤボンディング台１１の上面に位置す
る部分は、ワイヤボンディングパッド１３ａとなると共
に、ワイヤボンディング台１１の底面に位置する部分
は、そのワイヤボンディングパッド１３ａと電気的に接
続された下面電極１３ｂとなる。導電体１３はCu等の材
料で、ワイヤボンディングにより形成する回路数分形成
される。
【００１３】次に、上記のように構成されたワイヤボン
ディング台１１を用いて、半導体装置のベアチップを回
路基板に実装した一実施例を図１の斜視図に示す。従来
例と同構成については同符号を付すこととする。図にお
いて、回路基板１上には、導体パターン６が形成され、
半導体装置のベアチップ２がダイパッド３（図示省略）
上に半田４等を介して実装されている。また、ベアチッ
プ２の上面には電極パッド５が形成されており、Au、A
l、Cu等の線材であるボンディングワイヤ７により、ワ
イヤボンディング台１１上面に形成されたワイヤボンデ
ィングパッド１３ａと電気的に接続されている。さら
に、ワイヤボンディングパッド１３ａは下面電極１３ｂ
（図示省略）及び半田４を介して導体パターン６のラン
ド部６ａと電気的に接続されている。８は導体パターン
６のランド部６ａに近接して実装された実装部品であ
る。
ディング台１１を用いて、半導体装置のベアチップを回
路基板に実装した一実施例を図１の斜視図に示す。従来
例と同構成については同符号を付すこととする。図にお
いて、回路基板１上には、導体パターン６が形成され、
半導体装置のベアチップ２がダイパッド３（図示省略）
上に半田４等を介して実装されている。また、ベアチッ
プ２の上面には電極パッド５が形成されており、Au、A
l、Cu等の線材であるボンディングワイヤ７により、ワ
イヤボンディング台１１上面に形成されたワイヤボンデ
ィングパッド１３ａと電気的に接続されている。さら
に、ワイヤボンディングパッド１３ａは下面電極１３ｂ
（図示省略）及び半田４を介して導体パターン６のラン
ド部６ａと電気的に接続されている。８は導体パターン
６のランド部６ａに近接して実装された実装部品であ
る。
【００１４】以下、図３に基づいて、ワイヤボンディン
グ台１１を用いたワイヤボンディング方法について説明
する。従来例と同等構成については、同符号を付すこと
とする。図に示すように、回路基板１上に抵抗等の実装
部品８を表面実装する場合、クリーム状の半田４を介し
て、実装部品８を回路基板１上に形成した導体パターン
６のランド部６ａ上に配置するが、この時、ワイヤボン
ディング台１１も、導通体１３の各下面電極３ｂが対応
するランド部６ａ上にくるように回路基板１上にクリー
ム状の半田４を介して配置する。その後、リフロー行程
により加熱しクリーム状の半田４を溶解させ、各部品を
回路基板１に接合する。この時、ワイヤボンディング台
１１に形成された下面電極１３ｂは、回路基板１上に形
成された導体パターン６のランド部６ａと電気的に接続
される。
グ台１１を用いたワイヤボンディング方法について説明
する。従来例と同等構成については、同符号を付すこと
とする。図に示すように、回路基板１上に抵抗等の実装
部品８を表面実装する場合、クリーム状の半田４を介し
て、実装部品８を回路基板１上に形成した導体パターン
６のランド部６ａ上に配置するが、この時、ワイヤボン
ディング台１１も、導通体１３の各下面電極３ｂが対応
するランド部６ａ上にくるように回路基板１上にクリー
ム状の半田４を介して配置する。その後、リフロー行程
により加熱しクリーム状の半田４を溶解させ、各部品を
回路基板１に接合する。この時、ワイヤボンディング台
１１に形成された下面電極１３ｂは、回路基板１上に形
成された導体パターン６のランド部６ａと電気的に接続
される。
【００１５】次に、ワイヤボンダを用いて、ベアチップ
２の上面に形成された各電極パッド５とワイヤボンディ
ング台１１の上面に形成されたワイヤボンディングパッ
ド１３ａとをボンディングワイヤ７により接続する。こ
の時、従来、ワイヤボンダのワイヤクランプ９が、近接
する実装部品８に接触して、ワイヤボンディングが不可
能であった場合でも、第２ボンド位置がワイヤボンディ
ング台１１の高さ寸法だけ高くなったことにより、ワイ
ヤボンダのワイヤクランプ９等のツールが、近接する実
装部品８に接触しなくなり、ワイヤボンディングが可能
となる。ワイヤボンディング台１１の高さ寸法は、実装
部品８の大きさ及び位置等を考慮して、ワイヤボンディ
ング時、ワイヤボンダのツールが実装部品８に接触しな
いような値に設定されている。
２の上面に形成された各電極パッド５とワイヤボンディ
ング台１１の上面に形成されたワイヤボンディングパッ
ド１３ａとをボンディングワイヤ７により接続する。こ
の時、従来、ワイヤボンダのワイヤクランプ９が、近接
する実装部品８に接触して、ワイヤボンディングが不可
能であった場合でも、第２ボンド位置がワイヤボンディ
ング台１１の高さ寸法だけ高くなったことにより、ワイ
ヤボンダのワイヤクランプ９等のツールが、近接する実
装部品８に接触しなくなり、ワイヤボンディングが可能
となる。ワイヤボンディング台１１の高さ寸法は、実装
部品８の大きさ及び位置等を考慮して、ワイヤボンディ
ング時、ワイヤボンダのツールが実装部品８に接触しな
いような値に設定されている。
【００１６】なお、実施例において、ワイヤボンディン
グ台１１は、ベアチップ２の周囲を取り囲む平面視略ロ
字形平板状の台であったが、図４（ａ）の斜視図に示す
ように、一部を切り欠いた形状に形成してもよいし、図
４（ｂ）及び（ｃ）に示すように、１回路分の導電体１
３が形成された平板状の台としてもよい。図４（ｃ）に
示す例は、基台１２の全表面にわたって導電体１３を形
成したものである。また、回路基板上に形成された導体
パターン６のランド部６ａと、そのランド部６ａと接続
される下面電極１３ｂは１対１に対応している必要はな
く、複数のランド部６ａと下面電極１３ｂが電気的に接
続されるような構成にしてもよい。導電体１３の材質及
び形状も実施例に限定されない。
グ台１１は、ベアチップ２の周囲を取り囲む平面視略ロ
字形平板状の台であったが、図４（ａ）の斜視図に示す
ように、一部を切り欠いた形状に形成してもよいし、図
４（ｂ）及び（ｃ）に示すように、１回路分の導電体１
３が形成された平板状の台としてもよい。図４（ｃ）に
示す例は、基台１２の全表面にわたって導電体１３を形
成したものである。また、回路基板上に形成された導体
パターン６のランド部６ａと、そのランド部６ａと接続
される下面電極１３ｂは１対１に対応している必要はな
く、複数のランド部６ａと下面電極１３ｂが電気的に接
続されるような構成にしてもよい。導電体１３の材質及
び形状も実施例に限定されない。
【００１７】図５に基づき本発明のワイヤボンディング
方法の異なる実施例について説明する。図５に示す例
は、基板１５の上面にワイヤボンディング用のパッド部
１６ａを有する導電層１６をエッチング等により形成す
ると共に、基板１５の上面から底面に貫通するスルーホ
ール１７を形成したワイヤボンディング基板１４を用い
てワイヤボンディングを行ったものである。
方法の異なる実施例について説明する。図５に示す例
は、基板１５の上面にワイヤボンディング用のパッド部
１６ａを有する導電層１６をエッチング等により形成す
ると共に、基板１５の上面から底面に貫通するスルーホ
ール１７を形成したワイヤボンディング基板１４を用い
てワイヤボンディングを行ったものである。
【００１８】上記のように構成されたワイヤボンディン
グ基板１４を用いてワイヤボンディングを行う方法を図
５に基づいて説明する。ベアチップ２を実装するダイパ
ッド３及びランド部６ｂを有する導体パターン６が既に
形成された回路基板１上に、クリーム状の半田４を介し
てベアチップ２及び他の実装部品８を配置し、加熱して
ベアチップ２及び他の実装部品８を回路基板上に接合す
る。その後、ワイヤボンディング基板１４を回路基板１
上に接着剤等を用いて貼り付ける。この時、ワイヤボン
ディング基板１４に形成したスルーホール１７が、ワイ
ヤボンディング基板１４を介して接続しようとする導体
パターン６のランド部６ｂ上に位置するように貼り付け
る。さらに、メッキ等により導電材料をスルーホール１
７内部及びスルーホール１７とランド部６ｂ間に付着さ
せて、ワイヤボンディング基板１４の上面に形成された
導電層１６とランド部６ｂをスルーホール１７を介して
電気的に接続する。さらに、ボンディングワイヤ７によ
り、ベアチップ２の上面に形成された電極パッド５と、
ワイヤボンディング基板１４の上面に形成された導電層
１６のワイヤボンディング用のパッド部１６ａとを電気
的に接続する。
グ基板１４を用いてワイヤボンディングを行う方法を図
５に基づいて説明する。ベアチップ２を実装するダイパ
ッド３及びランド部６ｂを有する導体パターン６が既に
形成された回路基板１上に、クリーム状の半田４を介し
てベアチップ２及び他の実装部品８を配置し、加熱して
ベアチップ２及び他の実装部品８を回路基板上に接合す
る。その後、ワイヤボンディング基板１４を回路基板１
上に接着剤等を用いて貼り付ける。この時、ワイヤボン
ディング基板１４に形成したスルーホール１７が、ワイ
ヤボンディング基板１４を介して接続しようとする導体
パターン６のランド部６ｂ上に位置するように貼り付け
る。さらに、メッキ等により導電材料をスルーホール１
７内部及びスルーホール１７とランド部６ｂ間に付着さ
せて、ワイヤボンディング基板１４の上面に形成された
導電層１６とランド部６ｂをスルーホール１７を介して
電気的に接続する。さらに、ボンディングワイヤ７によ
り、ベアチップ２の上面に形成された電極パッド５と、
ワイヤボンディング基板１４の上面に形成された導電層
１６のワイヤボンディング用のパッド部１６ａとを電気
的に接続する。
【００１９】なお、図５に示した実施例では、ワイヤボ
ンディング基板１４は、ベアチップ２の近傍で、導体パ
ターン６と接続されたが、図６に示すように、長尺状に
形成してベアチップ２から離れた箇所で導体パターン６
と接続するように構成してもよい。また、ワイヤボンデ
ィング基板１４は、そのワイヤボンディング基板１４と
接続しない導体パターン６を跨ぐような形状に形成し
て、所定の導体パターン６と接続するように構成しても
よい。ワイヤボンディング基板１４の基板１５の材料及
び形状、導電層１６の材料及び形状及び形成方法は、実
施例に限定されるものではない。
ンディング基板１４は、ベアチップ２の近傍で、導体パ
ターン６と接続されたが、図６に示すように、長尺状に
形成してベアチップ２から離れた箇所で導体パターン６
と接続するように構成してもよい。また、ワイヤボンデ
ィング基板１４は、そのワイヤボンディング基板１４と
接続しない導体パターン６を跨ぐような形状に形成し
て、所定の導体パターン６と接続するように構成しても
よい。ワイヤボンディング基板１４の基板１５の材料及
び形状、導電層１６の材料及び形状及び形成方法は、実
施例に限定されるものではない。
【００２０】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のワイヤボ
ンディング台又はワイヤボンディング基板を用いたワイ
ヤボンディング方法によれば、回路基板上に形成された
導体パターンのランド部に他の実装部品が近接していて
も、ワイヤボンディングが可能となり、実装密度の向上
を図ることができる。
ンディング台又はワイヤボンディング基板を用いたワイ
ヤボンディング方法によれば、回路基板上に形成された
導体パターンのランド部に他の実装部品が近接していて
も、ワイヤボンディングが可能となり、実装密度の向上
を図ることができる。
【図１】本発明に係るワイヤボンディング方法の一実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図２】本発明に係るワイヤボンディング台の構造図
で、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
で、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明に係るワイヤボンディング方法を説明す
るための平面図である。
るための平面図である。
【図４】本発明に係るワイヤボンディング台の異なる実
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
【図５】本発明に係るワイヤボンディング方法の異なる
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図６】本発明に係るワイヤボンディング方法のさらに
異なる実施例を示す斜視図である。
異なる実施例を示す斜視図である。
【図７】従来のワイヤボンディング方法の一例を示す斜
視図である。
視図である。
【図８】従来のワイヤボンディング方法を説明するため
の平面図である。
の平面図である。
１ 回路基板 ２ ベアチップ ３ ダイパッド ４ 半田 ５ 電極パッド ６ 導体パターン ７ ボンディングワイヤ ８ 実装部品 ９ ワイヤクランプ １０ ウェッジツール １１ ワイヤボンディング台 １２ 基台 １３ 導電体 １３ｂ 下面電極 １４ ワイヤボンディング基板 １５ 基板 １６ 導電層 １６ａ パッド部 １７ スルーホール
Claims (4)
- 【請求項１】 回路基板にダイボンドするベアチップに
形成された電極パッドと前記回路基板に形成された導体
パターンを電気的に接続するワイヤボンディング方法に
おいて、平板状の基台と、その基台の上面に形成された
ワイヤボンディングパッドと、前記基台の底面に形成さ
れ、前記ワイヤボンディングパッドと電気的に接続され
た下面電極とを具備したワイヤボンディング台を、前記
回路基板上に配設して、前記回路基板に形成された前記
導体パターンと前記下面電極を接合した後、前記ベアチ
ップに形成された前記電極パッドと前記ワイヤボンディ
ングパッドをボンディングワイヤにより電気的に接続す
ることを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 【請求項２】 平板状の基台と、その基台の上面に形成
されたワイヤボンディングパッドと、前記基台の底面に
形成され、前記ワイヤボンディングパッドと電気的に接
続された下面電極とを具備したことを特徴とするワイヤ
ボンディング台。 - 【請求項３】 回路基板にダイボンドするベアチップに
形成された電極パッドと前記回路基板に形成された導体
パターンを電気的に接続するワイヤボンディング方法に
おいて、平板状の基板と、その基板の上面に形成され
た、ワイヤボンディング用のパッド部を有する導電層
と、スルーホールとを具備したワイヤボンディング基板
を、前記回路基板上に配設して、前記回路基板に形成さ
れた前記導体パターンと前記ワイヤボンディング基板に
形成された前記導電層を前記スルーホールを介して電気
的に接続すると共に、前記ベアチップに形成された前記
電極パッドと前記ワイヤボンディング基板に形成された
前記パッド部をボンディングワイヤにより電気的に接続
することを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 【請求項４】 平板状の基板と、その基板の上面に形成
された、ワイヤボンディング用のパッド部を有する導電
層と、スルーホールとを具備したことを特徴とするワイ
ヤボンディング基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5242490A JPH0799262A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ワイヤボンディング方法及びその方法に用いるワイヤボンディング台及びワイヤボンディング基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5242490A JPH0799262A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ワイヤボンディング方法及びその方法に用いるワイヤボンディング台及びワイヤボンディング基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799262A true JPH0799262A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17089866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5242490A Withdrawn JPH0799262A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ワイヤボンディング方法及びその方法に用いるワイヤボンディング台及びワイヤボンディング基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799262A (ja) |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP5242490A patent/JPH0799262A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6012224A (en) | Method of forming compliant microelectronic mounting device | |
| EP1605738B1 (en) | Method for production of semiconductor package | |
| JPH04338648A (ja) | 半導体装置のバンプ電極形成方法、表示装置及び電子印字装置 | |
| JPH11126795A (ja) | 実装基板およびその製造方法ならびに電子部品の実装方法 | |
| JPH09162230A (ja) | 電子回路装置及びその製造方法 | |
| JPH0799262A (ja) | ワイヤボンディング方法及びその方法に用いるワイヤボンディング台及びワイヤボンディング基板 | |
| JP3887993B2 (ja) | Ｉｃチップと回路基板との接続方法 | |
| JP3855532B2 (ja) | Ｉｃチップと回路基板との接続方法 | |
| JPH05326601A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2830221B2 (ja) | ハイブリッド集積回路のマウント構造 | |
| JPH06334059A (ja) | 半導体搭載用基板及びその製造方法 | |
| JP3627895B2 (ja) | 配線板 | |
| JP3251810B2 (ja) | 集積回路装置の実装方法 | |
| JPH07130937A (ja) | 表面実装型半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム | |
| JPH11317424A (ja) | 半導体装置の実装方法および実装構造 | |
| JPH05347473A (ja) | 配線基板 | |
| JP3003435B2 (ja) | 電子部品の製造方法および電子部品のボンディング方法 | |
| CN117712077A (zh) | 利用引线插入进行引线壁接合的引线框安装 | |
| JPH02252248A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100206965B1 (ko) | 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| JPH04359457A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH07201894A (ja) | 電子部品搭載装置の製造方法 | |
| JP3445687B2 (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
| JP2001237534A (ja) | 電子部品実装方法及び電子部品実装用基板 | |
| JP2001007142A (ja) | ワイヤボンディング用キャピラリおよび電子部品の接続方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001226 |