JPH0798458A - 液晶素子 - Google Patents
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- JPH0798458A JPH0798458A JP6202833A JP20283394A JPH0798458A JP H0798458 A JPH0798458 A JP H0798458A JP 6202833 A JP6202833 A JP 6202833A JP 20283394 A JP20283394 A JP 20283394A JP H0798458 A JPH0798458 A JP H0798458A
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K19/02—Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶分子の配向状態を改善することにより、
表示特性を改善した液晶素子を提供する。 【構成】 液晶５として、Ｃｈ相を持たず、かつＳｍＡ
相からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が減少する第
１の変移点における層間隔（ｄA ）と、その第１の変移
点からの温度降下に従って上記層間隔が減少から再び増
加に変化する第２の変移点における層間隔（ｄmin ）と
の関係が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものを用い
る。さらにその液晶５の、上下基板３のそれぞれの界面
でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度に差を生じさせるように
構成する。これにより、層法線方向の面内均一性が良く
なり、しかも見かけのチルト角が大きくなってユニホー
ム配向が得られる。その結果、輝度，コントラストのよ
り大きな液晶素子を実現することができる。
表示特性を改善した液晶素子を提供する。 【構成】 液晶５として、Ｃｈ相を持たず、かつＳｍＡ
相からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が減少する第
１の変移点における層間隔（ｄA ）と、その第１の変移
点からの温度降下に従って上記層間隔が減少から再び増
加に変化する第２の変移点における層間隔（ｄmin ）と
の関係が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものを用い
る。さらにその液晶５の、上下基板３のそれぞれの界面
でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度に差を生じさせるように
構成する。これにより、層法線方向の面内均一性が良く
なり、しかも見かけのチルト角が大きくなってユニホー
ム配向が得られる。その結果、輝度，コントラストのよ
り大きな液晶素子を実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイや液
晶シャッター等で用いる液晶素子に係り、詳しくは、液
晶分子の配向状態を改善することにより、表示特性およ
び駆動特性を改善した液晶素子に関するものである。
晶シャッター等で用いる液晶素子に係り、詳しくは、液
晶分子の配向状態を改善することにより、表示特性およ
び駆動特性を改善した液晶素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】強誘電
性液晶分子の屈折率異方性を利用し、偏光素子との組み
合わせによって透過光線を制御する型の表示素子がクラ
ーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウォール（Ｌａｇｅｒｗａ
ｌｌ）により提案されている。（特開昭５６−１０７２
１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。
この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域において、非
らせん構造のカイラルスメクティックＣ相（Ｓｍ＊Ｃ）
またはＨ相（Ｓｍ＊Ｈ）を有し、この状態において、印
加される電界に応答して第１の光学的安定状態と第２の
光学的安定状態とのいずれかを取り、かつ電界の印加の
ないときはその状態を維持する性質、すなわち双安定性
を有する。また電界の変化に対する応答も速やかであ
り、高速ならびに記憶型の表示素子用としての広い利用
が期待され、特にその機能から大画面で高精細なディス
プレイへの応用が期待される。
性液晶分子の屈折率異方性を利用し、偏光素子との組み
合わせによって透過光線を制御する型の表示素子がクラ
ーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウォール（Ｌａｇｅｒｗａ
ｌｌ）により提案されている。（特開昭５６−１０７２
１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。
この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域において、非
らせん構造のカイラルスメクティックＣ相（Ｓｍ＊Ｃ）
またはＨ相（Ｓｍ＊Ｈ）を有し、この状態において、印
加される電界に応答して第１の光学的安定状態と第２の
光学的安定状態とのいずれかを取り、かつ電界の印加の
ないときはその状態を維持する性質、すなわち双安定性
を有する。また電界の変化に対する応答も速やかであ
り、高速ならびに記憶型の表示素子用としての広い利用
が期待され、特にその機能から大画面で高精細なディス
プレイへの応用が期待される。
【０００３】この双安定性を有するカイラルスメクティ
ック（強誘電性）液晶を用いた光学変調素子が所定の駆
動特性を発揮するためには、一対の平行な基板間に配列
される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記２つ
の安定状態の間での交換が効率的に起こるような分子配
列状態にあることが必要である。 ［層法線方向の面内均一性とユニホーム配向の実現］Ｘ
線解析の結果、スメクティック液晶の素子内における層
構造は、ＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相へ転移すると層間隔が
縮むため、当接考えられていた基板に対して層が折れ曲
がらずにほぼ垂直に形成される本棚状層構造（ブックシ
ェルフ層構造）ではなく、くの字に折れ曲がった層構造
（シェブロン層構造）であることが確認された。このシ
ェブロン層構造を形成とすると、プレチルト角αが層の
傾き角とほぼ等しくならなければ、見かけのチルト角θ
ａとチルト角Θとの関係がユニホーム配向を表す式、 Θ＞θａ＞Θ／２ を満たすことはない。
ック（強誘電性）液晶を用いた光学変調素子が所定の駆
動特性を発揮するためには、一対の平行な基板間に配列
される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記２つ
の安定状態の間での交換が効率的に起こるような分子配
列状態にあることが必要である。 ［層法線方向の面内均一性とユニホーム配向の実現］Ｘ
線解析の結果、スメクティック液晶の素子内における層
構造は、ＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相へ転移すると層間隔が
縮むため、当接考えられていた基板に対して層が折れ曲
がらずにほぼ垂直に形成される本棚状層構造（ブックシ
ェルフ層構造）ではなく、くの字に折れ曲がった層構造
（シェブロン層構造）であることが確認された。このシ
ェブロン層構造を形成とすると、プレチルト角αが層の
傾き角とほぼ等しくならなければ、見かけのチルト角θ
ａとチルト角Θとの関係がユニホーム配向を表す式、 Θ＞θａ＞Θ／２ を満たすことはない。
【０００４】しかし、本発明者らによればシェブロン構
造を持つ場合、見かけのチルト角の大きな素子を得るこ
とは経験上難しいことが分かった。輝度、コントラスト
のより大きなスメクティック液晶素子を得るためには、
スメクティック層の温度による変化を極力少なくし、層
を立てる（即ち、層の傾きを小さくする）必要があるこ
とが判明した。つまり従来のスメクティック液晶素子で
は、よりコントラストの高いユニホーム配向を得ること
はシェブロン構造を用いる限り、容易ではない。
造を持つ場合、見かけのチルト角の大きな素子を得るこ
とは経験上難しいことが分かった。輝度、コントラスト
のより大きなスメクティック液晶素子を得るためには、
スメクティック層の温度による変化を極力少なくし、層
を立てる（即ち、層の傾きを小さくする）必要があるこ
とが判明した。つまり従来のスメクティック液晶素子で
は、よりコントラストの高いユニホーム配向を得ること
はシェブロン構造を用いる限り、容易ではない。
【０００５】また、スメクティック液晶のコントラスト
を左右するのは層法線方向の面内均一であり、暗状態で
の透過光をいかに抑えるかも重要な要因である。
を左右するのは層法線方向の面内均一であり、暗状態で
の透過光をいかに抑えるかも重要な要因である。
【０００６】そこで、本発明者らは、ブックシェル層構
造と呼ぶところのスメクティック層構造を得るべく、液
晶材料としてコレステリック相（Ｃｈ相）を呈さない相
転移系列をもつ液晶材料を用いることを試みた。
造と呼ぶところのスメクティック層構造を得るべく、液
晶材料としてコレステリック相（Ｃｈ相）を呈さない相
転移系列をもつ液晶材料を用いることを試みた。
【０００７】しかし、従来のコレステリック相（Ｃｈ）
を持たない液晶、例えばＩｓｏ−ＳｍＡ−Ｓｍ＊Ｃとい
う相系列の液晶を用いた液晶素子の場合、無電圧印加で
は、Ｉｓｏ相（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ：等方相）からＳｍ
Ａ相への降温過程でのバトネの発生時に、層法線方向の
面内均一性が崩れ易いことが判明した。
を持たない液晶、例えばＩｓｏ−ＳｍＡ−Ｓｍ＊Ｃとい
う相系列の液晶を用いた液晶素子の場合、無電圧印加で
は、Ｉｓｏ相（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ：等方相）からＳｍ
Ａ相への降温過程でのバトネの発生時に、層法線方向の
面内均一性が崩れ易いことが判明した。
【０００８】一方、従来のコレステリック相をもたない
液晶を用いた液晶素子においては、次に述べる「放置単
安定性」を改善しなければならない。 ［放置単安定性］先に述べた“双安定性”は、カイラル
スメクティック液晶の優れた特性の一つであるが、この
特性を利用した、異なる２つの安定状態をスイッチング
させる素子においては、その２つの安定状態間をスッチ
ングさせる閾値の変動が駆動特性を大きく悪化させてし
まう。この閾値の変動の大きな原因として、“焼き付
き”（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｅｍｏｒｙ）がある。つまり
双安定性を有する従来のカイラルスメクティック液晶素
子では、この“焼き付き”の現象のために、上記駆動特
性が悪化して信頼性が損なわれるという問題があった。
液晶を用いた液晶素子においては、次に述べる「放置単
安定性」を改善しなければならない。 ［放置単安定性］先に述べた“双安定性”は、カイラル
スメクティック液晶の優れた特性の一つであるが、この
特性を利用した、異なる２つの安定状態をスイッチング
させる素子においては、その２つの安定状態間をスッチ
ングさせる閾値の変動が駆動特性を大きく悪化させてし
まう。この閾値の変動の大きな原因として、“焼き付
き”（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｅｍｏｒｙ）がある。つまり
双安定性を有する従来のカイラルスメクティック液晶素
子では、この“焼き付き”の現象のために、上記駆動特
性が悪化して信頼性が損なわれるという問題があった。
【０００９】上記“焼き付き”は、一方の安定状態に長
い間液晶が放置されることにより生じるものであるの
で、このような特性を放置単安定性と呼ぶ。
い間液晶が放置されることにより生じるものであるの
で、このような特性を放置単安定性と呼ぶ。
【００１０】本発明は、上述した各技術課題を解決する
ものであり、表示特性および駆動特性に優れた液晶素子
を提供することを目的とする。
ものであり、表示特性および駆動特性に優れた液晶素子
を提供することを目的とする。
【００１１】本発明の別の目的は、コントラストが高
く、配向欠陥の少ない液晶素子を提供することにある。
く、配向欠陥の少ない液晶素子を提供することにある。
【００１２】本発明の更に別の目的は、コントラストが
高く、焼き付き現象の起こり難い液晶素子を提供するこ
とにある。
高く、焼き付き現象の起こり難い液晶素子を提供するこ
とにある。
【００１３】本発明の他の目的は、液晶素子の移動によ
る基板間隔の厚さの不均一性が生じ難い液晶素子を提供
することにある。
る基板間隔の厚さの不均一性が生じ難い液晶素子を提供
することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、コレス
テリック相を呈さない相系列をもつ液晶と、非対称な配
向処理がなされた一対の基板と、を有する液晶素子によ
り達成される。
テリック相を呈さない相系列をもつ液晶と、非対称な配
向処理がなされた一対の基板と、を有する液晶素子によ
り達成される。
【００１５】即ち、本発明に係る第１の液晶素子は、上
下の基板間に配置された液晶が、Ｃｈ相を持たず、かつ
ＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が減少
する第１の変移点における層間隔（ｄA ）と、その第１
の変移点からの温度降下に従って上記層問題が減少から
再び増加に変化する第２の変移点における層間隔（ｄmi
n ）とを有し、その第１の変移点における層間隔（ｄA
）と第２の変移点における層間隔（ｄmin ）との関係
が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、さら
に上記液晶の、上記上下基板のそれぞれの界面でのＩｓ
ｏ−ＳｍＡ相転移温度に差を生じさせる手段が設けられ
たことを特徴とする。
下の基板間に配置された液晶が、Ｃｈ相を持たず、かつ
ＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が減少
する第１の変移点における層間隔（ｄA ）と、その第１
の変移点からの温度降下に従って上記層問題が減少から
再び増加に変化する第２の変移点における層間隔（ｄmi
n ）とを有し、その第１の変移点における層間隔（ｄA
）と第２の変移点における層間隔（ｄmin ）との関係
が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、さら
に上記液晶の、上記上下基板のそれぞれの界面でのＩｓ
ｏ−ＳｍＡ相転移温度に差を生じさせる手段が設けられ
たことを特徴とする。
【００１６】本発明に係る第２の液晶素子は、上下の基
板間に配置された液晶がＣｈ相をもたず、かつＳｍＡ相
からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が増加から減少
に変化する第１の変移点における層間隔（ｄA ）と、そ
の第１の変移点からの温度降下に従って上記層間隔が減
少から再び増加に変化する第２の変移点における層間隔
（ｄmin ）とを有し、その第１の変移点における層間隔
（ｄA ）と第２の変移点における層間隔（ｄmin ）との
関係が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、
さらに上記上下の基板上のいずれか一方には、上記液晶
を配向するための一軸性配向処理として配向膜が形成さ
れるとともに、その配向膜のガラス転移点を２００℃以
上のものとするか、ポリイミド膜を用いることを特徴と
する。
板間に配置された液晶がＣｈ相をもたず、かつＳｍＡ相
からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が増加から減少
に変化する第１の変移点における層間隔（ｄA ）と、そ
の第１の変移点からの温度降下に従って上記層間隔が減
少から再び増加に変化する第２の変移点における層間隔
（ｄmin ）とを有し、その第１の変移点における層間隔
（ｄA ）と第２の変移点における層間隔（ｄmin ）との
関係が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、
さらに上記上下の基板上のいずれか一方には、上記液晶
を配向するための一軸性配向処理として配向膜が形成さ
れるとともに、その配向膜のガラス転移点を２００℃以
上のものとするか、ポリイミド膜を用いることを特徴と
する。
【００１７】
【作用】上記第１の液晶素子に用いられる液晶は、上下
基板のそれぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度に
差があるために、上下基板のそれぞれの界面のどちらか
一方からＩｓｏ−ＳｍＡ相転移が開始されることにな
り、しかも０．９９≦ｄmin ／ｄA という特性を有する
ことから、Ｃｈ相を持たない液晶を用いても層法線方向
の面内均一性が良くなるとともに、見かけのチルト角が
大きくなってユニホーム配向となる。従って、この液晶
を用いることにより、輝度、コントラストのより大きな
液晶素子を実現することが可能となる。
基板のそれぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度に
差があるために、上下基板のそれぞれの界面のどちらか
一方からＩｓｏ−ＳｍＡ相転移が開始されることにな
り、しかも０．９９≦ｄmin ／ｄA という特性を有する
ことから、Ｃｈ相を持たない液晶を用いても層法線方向
の面内均一性が良くなるとともに、見かけのチルト角が
大きくなってユニホーム配向となる。従って、この液晶
を用いることにより、輝度、コントラストのより大きな
液晶素子を実現することが可能となる。
【００１８】また、上記第２の液晶素子では、液晶が
０．９９≦ｄmin ／ｄA の関係を満たす特性を有し、し
かも上下の基板上に一軸性配向処理として配向膜が設け
られたことにより、層の傾き角の小さい、ブックシェル
フ層構造に近い配向が達成される。つまりこの液晶は、
Ｃｈ相を持たなくても、層法線方向の面内均一性が良く
なるとともに、見かけのチルト角が大きくなってユニホ
ーム配向となる。その結果、輝度、コントラストがより
大きくなって、表示特性が向上するとともに、焼き付き
がほとんどなくなって、２つの安定状態間をスイッチン
グさせる閾値の変動が抑えられ、駆動特性が向上する。
０．９９≦ｄmin ／ｄA の関係を満たす特性を有し、し
かも上下の基板上に一軸性配向処理として配向膜が設け
られたことにより、層の傾き角の小さい、ブックシェル
フ層構造に近い配向が達成される。つまりこの液晶は、
Ｃｈ相を持たなくても、層法線方向の面内均一性が良く
なるとともに、見かけのチルト角が大きくなってユニホ
ーム配向となる。その結果、輝度、コントラストがより
大きくなって、表示特性が向上するとともに、焼き付き
がほとんどなくなって、２つの安定状態間をスイッチン
グさせる閾値の変動が抑えられ、駆動特性が向上する。
【００１９】
【実施例】本発明の好適な１つの実施態様は、Ｃｈ相を
呈さない相系列をもつ液晶材料（以下、Ｃｈレス液晶と
いう）を用いて、上下基板の界面における配向処理を異
ならしめ、Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度を異ならしめるも
のである。上述した、本発明者らが試みたＣｈレス液晶
を用いた素子においては、上下基板の配向処理をそれぞ
れ同じようにしたために欠陥が生じ、層法線方向の面内
均一性が良いものではなかった。そこで、本発明者らが
上下基板内面の配向処理を異ならしめた素子を作製して
みたところ、層法線方向の面内均一性が向上した。
呈さない相系列をもつ液晶材料（以下、Ｃｈレス液晶と
いう）を用いて、上下基板の界面における配向処理を異
ならしめ、Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度を異ならしめるも
のである。上述した、本発明者らが試みたＣｈレス液晶
を用いた素子においては、上下基板の配向処理をそれぞ
れ同じようにしたために欠陥が生じ、層法線方向の面内
均一性が良いものではなかった。そこで、本発明者らが
上下基板内面の配向処理を異ならしめた素子を作製して
みたところ、層法線方向の面内均一性が向上した。
【００２０】また、本発明の別の実施態様は、Ｃｈレス
液晶を用いた素子において、その配向膜をガラス転移点
が２００℃以上の材料で形成することにより、層法線方
向の面内均一性を向上させるものである。
液晶を用いた素子において、その配向膜をガラス転移点
が２００℃以上の材料で形成することにより、層法線方
向の面内均一性を向上させるものである。
【００２１】図１は、本発明に用いられる液晶素子の構
成を模式的に示す断面図である。
成を模式的に示す断面図である。
【００２２】図１において、１は一対の透明電極、２は
配向膜、３は上下の基板、５は液晶、６は偏光板、７は
シール材、９はリード線、１０は電源、１１は光源であ
る。
配向膜、３は上下の基板、５は液晶、６は偏光板、７は
シール材、９はリード線、１０は電源、１１は光源であ
る。
【００２３】本発明に用いられる素子の一対の基板３と
しては、少なくとも一方が透明な基板であればよく、ガ
ラス、高分子材料、石英、シリコン、アルミニウム等の
金属、半導体、絶縁体から選択される材料の少なくとも
１つ以上から構成する。
しては、少なくとも一方が透明な基板であればよく、ガ
ラス、高分子材料、石英、シリコン、アルミニウム等の
金属、半導体、絶縁体から選択される材料の少なくとも
１つ以上から構成する。
【００２４】また、本発明に用いられる配向膜２として
は、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等
の有機高分子膜、または、酸化シリコン、窒化シリコ
ン、ＴｉＳｉ等の無機膜が用いられる。また、これらの
膜にはラビング法や斜方蒸着法等により一軸性配向処理
を施すことが望ましい。
は、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等
の有機高分子膜、または、酸化シリコン、窒化シリコ
ン、ＴｉＳｉ等の無機膜が用いられる。また、これらの
膜にはラビング法や斜方蒸着法等により一軸性配向処理
を施すことが望ましい。
【００２５】配向膜２の材料や配向処理の選択は、上述
した本発明の実施態様に必要な条件を満たすように適宜
になされ得る。好ましくは、ガラス転移点が２００℃以
上のポリイミドを両基板に設け、その一方をラビングす
る方法が、本発明の液晶素子を得るには最も簡素な作製
工程である。そして、ラビング等の処理を施さないノン
ラビングの他方の配向膜２としては、液晶分子をランダ
ム配向させる膜を用いる。
した本発明の実施態様に必要な条件を満たすように適宜
になされ得る。好ましくは、ガラス転移点が２００℃以
上のポリイミドを両基板に設け、その一方をラビングす
る方法が、本発明の液晶素子を得るには最も簡素な作製
工程である。そして、ラビング等の処理を施さないノン
ラビングの他方の配向膜２としては、液晶分子をランダ
ム配向させる膜を用いる。
【００２６】さらに、本発明においては、液晶５とし
て、単にＣｈレス液晶を用いるのではなく、その液晶の
スメクティック層間隔の温度依存性が特定されたＣｈレ
ス液晶を用いることが望ましい。そのような液晶を用い
ると、層法線方向の面内均一性が大幅に改善され、良質
のブックシェルフ層構造が得られる。
て、単にＣｈレス液晶を用いるのではなく、その液晶の
スメクティック層間隔の温度依存性が特定されたＣｈレ
ス液晶を用いることが望ましい。そのような液晶を用い
ると、層法線方向の面内均一性が大幅に改善され、良質
のブックシェルフ層構造が得られる。
【００２７】図２は、上述したスメクティック層間隔と
温度との関係を示す図である。図２中、横軸が温度を、
縦軸が層間隔を示す。
温度との関係を示す図である。図２中、横軸が温度を、
縦軸が層間隔を示す。
【００２８】ｄA は、ＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相に転送す
る相転移温度（ＴA ）近傍において、層間隔が、温度が
低くなるにつれて減少し始める時の層間隔の最大値であ
る。
る相転移温度（ＴA ）近傍において、層間隔が、温度が
低くなるにつれて減少し始める時の層間隔の最大値であ
る。
【００２９】ｄmin は、Ｓｍ＊Ｃ相を呈する温度範囲に
おいて、層間隔ｄが取り得る層間隔の極小値である。
おいて、層間隔ｄが取り得る層間隔の極小値である。
【００３０】図のように、温度ＴA 近くで層間隔が減少
し始める点を第１の変移点、層間隔が極小値をもつよう
に変化する点を第２の変移点と呼ぶことにする。
し始める点を第１の変移点、層間隔が極小値をもつよう
に変化する点を第２の変移点と呼ぶことにする。
【００３１】本発明に用いられるＣｈレス液晶において
は、液晶性化合物の組成、液晶性組成物の組成比等を適
宜選択することにより、層間隔ｄA 、ｄmin の値を変え
ることができる。
は、液晶性化合物の組成、液晶性組成物の組成比等を適
宜選択することにより、層間隔ｄA 、ｄmin の値を変え
ることができる。
【００３２】具体例は、後述する実施例を参照された
い。その実施例においては、下記の構造式（化１）に示
すダイマー系液晶化合物を所定量用いることにより、層
間隔ｄA 、ｄmin の関係が、０．９６≦ｄmin ／ｄA 、
より好ましくは、０．９９≦ｄmin ／ｄA となるように
組成物を設計した。
い。その実施例においては、下記の構造式（化１）に示
すダイマー系液晶化合物を所定量用いることにより、層
間隔ｄA 、ｄmin の関係が、０．９６≦ｄmin ／ｄA 、
より好ましくは、０．９９≦ｄmin ／ｄA となるように
組成物を設計した。
【００３３】
【化１】 図２中、一点鎖線ＣＬのように、ｄA とｄmin との差が
大きくなり、ｄmin ／ｄA ＜０．９０となると、ＳｍＡ
からＳｍＣへの相転移において、欠陥を生じ易くなる。
大きくなり、ｄmin ／ｄA ＜０．９０となると、ＳｍＡ
からＳｍＣへの相転移において、欠陥を生じ易くなる。
【００３４】このように、シロキサンダイマー骨格を含
むカイラルドーパントを有する液晶組成物は、スメクテ
ィック層間隔の変化（温度依存性）を制御できるので、
高コントラストのブックシェルフ層構造を持つ液晶素子
用の材料として好ましいものである。
むカイラルドーパントを有する液晶組成物は、スメクテ
ィック層間隔の変化（温度依存性）を制御できるので、
高コントラストのブックシェルフ層構造を持つ液晶素子
用の材料として好ましいものである。
【００３５】ダイマー系化合物については、例えば、特
開平１−１６０９８６号公報、米国特許出願Ｎｏ．２８
５４３０（１９８８年１２月１６日出願）の明細書に記
載されている。
開平１−１６０９８６号公報、米国特許出願Ｎｏ．２８
５４３０（１９８８年１２月１６日出願）の明細書に記
載されている。
【００３６】本発明者らによれば、上述した液晶を均一
に配向させてユニホーム配向を得るには、上下基板のそ
れぞれの界面のどちらか一方のＩｓｏ−ＳｍＡ相転移を
開始させることが有効であることが認められた。ところ
が、強誘電性液晶素子の上下基板間隔は１〜２μｍ程度
であり、均一配向させるために有効な温度勾配を与える
ことは困難であった。そこで、本発明者らは、配向処理
した素子内の相転移温度が、バルク状態のでの相転移温
度とは配向処理面の状態によって異なることを応用し、
上下基板を非対称配向処理することによって上下基板の
それぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度に差を設
けることを可能とした。
に配向させてユニホーム配向を得るには、上下基板のそ
れぞれの界面のどちらか一方のＩｓｏ−ＳｍＡ相転移を
開始させることが有効であることが認められた。ところ
が、強誘電性液晶素子の上下基板間隔は１〜２μｍ程度
であり、均一配向させるために有効な温度勾配を与える
ことは困難であった。そこで、本発明者らは、配向処理
した素子内の相転移温度が、バルク状態のでの相転移温
度とは配向処理面の状態によって異なることを応用し、
上下基板を非対称配向処理することによって上下基板の
それぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度に差を設
けることを可能とした。
【００３７】本発明においては、非対称配向処理によ
り、上下基板内面におけるプレチルト角を非対称にする
ことが望ましい。
り、上下基板内面におけるプレチルト角を非対称にする
ことが望ましい。
【００３８】また、徐冷速度にかかわらず安定で均一な
配向を得るには、上記Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度差を
０．５℃以上とすることが望ましい。
配向を得るには、上記Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度差を
０．５℃以上とすることが望ましい。
【００３９】本発明に用いられる強誘電性液晶は、上下
基板のそれぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度に
差があるために、上下基板のそれぞれの界面のどちらか
一方からＩｓｏ−ＳｍＡ相転移が開始されることにな
り、しかも０．９９≦ｄmin ／ｄA という特性を有する
ことから、本発明の一実施態様による液晶素子は、Ｃｈ
相を持たない液晶を用いても層法線方向の面内均一性が
良くなるとともに、見かけのチルト角が大きくなってユ
ニホーム配向となる。従って、この強誘電性液晶を用い
ることにより、輝度、コントラストのより大きな強誘電
性液晶素子を実現することが可能となる。
基板のそれぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度に
差があるために、上下基板のそれぞれの界面のどちらか
一方からＩｓｏ−ＳｍＡ相転移が開始されることにな
り、しかも０．９９≦ｄmin ／ｄA という特性を有する
ことから、本発明の一実施態様による液晶素子は、Ｃｈ
相を持たない液晶を用いても層法線方向の面内均一性が
良くなるとともに、見かけのチルト角が大きくなってユ
ニホーム配向となる。従って、この強誘電性液晶を用い
ることにより、輝度、コントラストのより大きな強誘電
性液晶素子を実現することが可能となる。
【００４０】本発明の一実施態様による液晶素子では、
スメクティック液晶が０．９９≦ｄmin ／ｄA の関係を
満たす特性を有し、しかも上下の基板上に一軸性配向処
理として配向膜が設けられたことにより、層の傾き角の
小さい、ブックシェルフ層構造に近い配向が達成され
る。つまり上記スメクティック液晶は、Ｃｈ相を持たな
くても、層法線方向の面内均一性が良くなるとともに、
見かけのチルト角が大きくなってユニホーム配向とな
る。その結果、輝度、コントラストがより大きくなっ
て、表示特性が向上するとともに、焼き付きがほとんど
なくなって、２つの安定状態間をスイッチングさせる閾
値の変動が抑えられ、駆動特性が向上する。 〈実施例１〉本実施例における強誘電性液晶素子（セ
ル）の構造としては、図１に示した液晶素子と同様であ
る。
スメクティック液晶が０．９９≦ｄmin ／ｄA の関係を
満たす特性を有し、しかも上下の基板上に一軸性配向処
理として配向膜が設けられたことにより、層の傾き角の
小さい、ブックシェルフ層構造に近い配向が達成され
る。つまり上記スメクティック液晶は、Ｃｈ相を持たな
くても、層法線方向の面内均一性が良くなるとともに、
見かけのチルト角が大きくなってユニホーム配向とな
る。その結果、輝度、コントラストがより大きくなっ
て、表示特性が向上するとともに、焼き付きがほとんど
なくなって、２つの安定状態間をスイッチングさせる閾
値の変動が抑えられ、駆動特性が向上する。 〈実施例１〉本実施例における強誘電性液晶素子（セ
ル）の構造としては、図１に示した液晶素子と同様であ
る。
【００４１】図１の構造において、１は電極であり、下
記の液晶に電界を印加するためのＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3
やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の一対の透明導電体か
ら成る。この電極１上の少なくとも一方に液晶を配向さ
せるための斜方蒸着層、ラビングを施した有機高分子
層、ＬＢ膜等の一軸性配向処理が施された配向層２を設
ける。なお、電極１と配向層２間にＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｔ
ｉＳｉ等の絶縁層を設けてもよい。３は、上記一対の透
明電極１が設けられた基板である。その上下の基板３間
には、強誘電性を示し得る液晶５が配置され、各基板３
の間隔はスペーサ（図示せず）によって保持されてい
る。また、６は一対の偏向板、７はシール材、９はリー
ド線、１０は電源、１１は光源である。
記の液晶に電界を印加するためのＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3
やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の一対の透明導電体か
ら成る。この電極１上の少なくとも一方に液晶を配向さ
せるための斜方蒸着層、ラビングを施した有機高分子
層、ＬＢ膜等の一軸性配向処理が施された配向層２を設
ける。なお、電極１と配向層２間にＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｔ
ｉＳｉ等の絶縁層を設けてもよい。３は、上記一対の透
明電極１が設けられた基板である。その上下の基板３間
には、強誘電性を示し得る液晶５が配置され、各基板３
の間隔はスペーサ（図示せず）によって保持されてい
る。また、６は一対の偏向板、７はシール材、９はリー
ド線、１０は電源、１１は光源である。
【００４２】上記強誘電性液晶５としては、Ｃｈ相を持
たず、かつＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層
間隔が減少し始める第１の変移点（ｄA ）と、その第１
の変移点からの温度降下に従って上記層間隔が再び増加
することで極小値をとる第２の変移点（ｄmin ）とを有
し、その第１の変移点（ｄA ）と第２の変移点（ｄmin
）との関係が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすよう
なカイラルスメクチック相状態のものを用いる。
たず、かつＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層
間隔が減少し始める第１の変移点（ｄA ）と、その第１
の変移点からの温度降下に従って上記層間隔が再び増加
することで極小値をとる第２の変移点（ｄmin ）とを有
し、その第１の変移点（ｄA ）と第２の変移点（ｄmin
）との関係が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすよう
なカイラルスメクチック相状態のものを用いる。
【００４３】本実施例における強誘電性液晶５は、下記
の特性（室温におけるデータ）を有するＦＬＣ−Ａを用
いた。また比較例１には、帝国化学社製のＴＫＦ−８６
１６を用いた。
の特性（室温におけるデータ）を有するＦＬＣ−Ａを用
いた。また比較例１には、帝国化学社製のＴＫＦ−８６
１６を用いた。
【００４４】 Cryst - SmC* - SmA - Iso dmin/dA Ps(nC/cm2) Θ( °) ＦＬＣ−Ａ -13.6 53.2 79.0 0.99 2.5 12.2 ＴＫＦ−８６１６ -13 52 64 0.94 21 21.5 そして本実施例における液晶５の組成物は、下記の構造
式（化２）で表される複数の化合物を、各化合物と共に
示した重量部で混合したものである。
式（化２）で表される複数の化合物を、各化合物と共に
示した重量部で混合したものである。
【００４５】
【化２】 また、この液晶セルでは、上記強誘電性液晶５の、上下
基板３のそれぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度
に差を生じさせるために、その上下の基板３として、非
対称構成のものを用いる。その非対称構成とする手段と
しては、強誘電性液晶５との間の透明電極１の厚さを変
える、あるいは絶縁膜を一方の基板３にのみ形成する、
あるいはその絶縁膜の厚さを変える、あるいは異なる絶
縁膜を設けるなどの方法がある。
基板３のそれぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移温度
に差を生じさせるために、その上下の基板３として、非
対称構成のものを用いる。その非対称構成とする手段と
しては、強誘電性液晶５との間の透明電極１の厚さを変
える、あるいは絶縁膜を一方の基板３にのみ形成する、
あるいはその絶縁膜の厚さを変える、あるいは異なる絶
縁膜を設けるなどの方法がある。
【００４６】上記構成の液晶セルの強誘電性液晶５は、
上下基板３のそれぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移
温度に差があるために上下基板３のそれぞれの界面のど
ちらか一方からＩｓｏ−ＳｍＡ相転移が開始されること
になり、しかも０．９９０≦ｄmin ／ｄA という特性を
有することから、Ｃｈ相を持たなくても層法線方向の面
内均一性が良くなるとともに、見かけのチルト角が大き
くなってユニホーム配向となる。従って、この強誘電性
液晶５を用いることにより、後述の実施例のように、輝
度，コントラストのより大きな強誘電性液晶素子を実現
することができる。
上下基板３のそれぞれの界面でのＩｓｏ−ＳｍＡ相転移
温度に差があるために上下基板３のそれぞれの界面のど
ちらか一方からＩｓｏ−ＳｍＡ相転移が開始されること
になり、しかも０．９９０≦ｄmin ／ｄA という特性を
有することから、Ｃｈ相を持たなくても層法線方向の面
内均一性が良くなるとともに、見かけのチルト角が大き
くなってユニホーム配向となる。従って、この強誘電性
液晶５を用いることにより、後述の実施例のように、輝
度，コントラストのより大きな強誘電性液晶素子を実現
することができる。
【００４７】次に、本実施例における液晶素子の各種特
性の測定法について説明する。 〈相転移温度の測定〉上下非対称構成で作られた液晶セ
ルの上下基板の界面での相転移温度は、上下各々の基板
で対称に基準セルを構成、作成し、基準セルの相転移温
度を測定することによって、間接的ではあるが、それを
本発明の液晶セルの上下基板上での相転移温度とした。
性の測定法について説明する。 〈相転移温度の測定〉上下非対称構成で作られた液晶セ
ルの上下基板の界面での相転移温度は、上下各々の基板
で対称に基準セルを構成、作成し、基準セルの相転移温
度を測定することによって、間接的ではあるが、それを
本発明の液晶セルの上下基板上での相転移温度とした。
【００４８】液体相からＳｍＡ相への相転移温度は、メ
トラーＦＰ８０温度コントローラとＦＰ８２ホットステ
ージとを用いて、まず、Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度＋１
０℃の温度で５分間放置後、−１℃／ｍｉｎの徐冷レー
トで降温し、ＳｍＡのバトネが発生した温度とした。 〈コントラスト測定〉液晶セルを一対の９０°クロスニ
コル偏向子の間に挟み、液晶分子がスイッチングするに
十分な大きさのパルスを印加してから９０°クロスニコ
ルを消光位（最暗状態）にセットし、この時の透過率を
フォトマルチプレータにより測定し、続いて逆極性のパ
ルスを印加し、この時の透過率（明状態）を同様の方法
で測定することでコントラストを測定する。なお、基準
となる透過率０％は光を遮断した状態でのフォトマルチ
プレータの出力、１００％はパラニコル偏向子を透過し
た光を検知したときのフォトマルチプレータの出力であ
る。 〈プレチルト角αの測定〉Japanese Journal of Applie
d Physics Vo.119(1980) No.10.Short Notes 2013 に記
載されている方法（クリスタルローテーション法）に従
って求めた。なお、測定用の液晶セルは上下界面での液
晶の傾きが平行かつ同一方向になるように２枚の基板を
張り合わせて作成した。またプレチルト角測定用の液晶
としては、チッソ社製強誘電性液晶ＣＳ−１０１４に下
記の構造式（化３）で示される化合物を重量比で２０％
混合したものを標準液晶として封入し測定を行った。こ
の混合した液晶組成物は、１０〜５５℃でＳｍＡ相を示
す。
トラーＦＰ８０温度コントローラとＦＰ８２ホットステ
ージとを用いて、まず、Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度＋１
０℃の温度で５分間放置後、−１℃／ｍｉｎの徐冷レー
トで降温し、ＳｍＡのバトネが発生した温度とした。 〈コントラスト測定〉液晶セルを一対の９０°クロスニ
コル偏向子の間に挟み、液晶分子がスイッチングするに
十分な大きさのパルスを印加してから９０°クロスニコ
ルを消光位（最暗状態）にセットし、この時の透過率を
フォトマルチプレータにより測定し、続いて逆極性のパ
ルスを印加し、この時の透過率（明状態）を同様の方法
で測定することでコントラストを測定する。なお、基準
となる透過率０％は光を遮断した状態でのフォトマルチ
プレータの出力、１００％はパラニコル偏向子を透過し
た光を検知したときのフォトマルチプレータの出力であ
る。 〈プレチルト角αの測定〉Japanese Journal of Applie
d Physics Vo.119(1980) No.10.Short Notes 2013 に記
載されている方法（クリスタルローテーション法）に従
って求めた。なお、測定用の液晶セルは上下界面での液
晶の傾きが平行かつ同一方向になるように２枚の基板を
張り合わせて作成した。またプレチルト角測定用の液晶
としては、チッソ社製強誘電性液晶ＣＳ−１０１４に下
記の構造式（化３）で示される化合物を重量比で２０％
混合したものを標準液晶として封入し測定を行った。こ
の混合した液晶組成物は、１０〜５５℃でＳｍＡ相を示
す。
【００４９】
【化３】 測定法は、液晶セルを上下の基板３に垂直かつ配向処理
軸を含む面で回転させながら、回転軸と４５°の角度を
なす偏向面を持つヘリウム・ネオンレーザー光を回転軸
に垂直な方向から照射して、その反対側で入射偏向面と
平行な透過軸を持つ偏向板を通してフォトダイオードで
透過光強度を測定した。
軸を含む面で回転させながら、回転軸と４５°の角度を
なす偏向面を持つヘリウム・ネオンレーザー光を回転軸
に垂直な方向から照射して、その反対側で入射偏向面と
平行な透過軸を持つ偏向板を通してフォトダイオードで
透過光強度を測定した。
【００５０】干渉によってできた透過光強度の双曲線群
の中心となる角と液晶セルに垂直な線とのなす角をφｘ
とし、次の式、 sin2α＝(-2sinφｘ)/[(no+ne){1- (sinφｘ/no)2}0.5] に代入してプレチルト角αを求めた。 〈層間隔ｄおよび層の傾料角δの測定〉基本的にはクラ
ークらによって発表された方法（Japan Display ’８
６，Ｓｅｐ．３０〜Ｏｃｔ．２，１９８６，ｐｐ．４５
６〜４５８）、あるいは大内らの方法（Japanese Journ
al of Applied Physics ，２７（５）（１９８８）ｐ
ｐ．Ｌ７２５〜７２８）と同様の方法を用いた。
の中心となる角と液晶セルに垂直な線とのなす角をφｘ
とし、次の式、 sin2α＝(-2sinφｘ)/[(no+ne){1- (sinφｘ/no)2}0.5] に代入してプレチルト角αを求めた。 〈層間隔ｄおよび層の傾料角δの測定〉基本的にはクラ
ークらによって発表された方法（Japan Display ’８
６，Ｓｅｐ．３０〜Ｏｃｔ．２，１９８６，ｐｐ．４５
６〜４５８）、あるいは大内らの方法（Japanese Journ
al of Applied Physics ，２７（５）（１９８８）ｐ
ｐ．Ｌ７２５〜７２８）と同様の方法を用いた。
【００５１】測定装置は回転対陰極方式のＭＡＣサイエ
ンス社製Ｘ線回折装置を用い、銅のＫα線を分析線とし
た。液晶セルには基板ガラスとしてＸ線の吸収を極力低
減するために８Ｏμｍ厚ガラス（コーニング社製商品名
マイクロシート）を用い、その他は通常のセル化行程を
そのまま使用した。液晶の層間隔ｄの測定は、バルク液
晶を試料ガラス上に途り、通常の粉末Ｘ線回折法と同様
に２θ／θスキャンを行った。そして、Ｘ線強度がピー
クを呈する角度の値から上記文献で示された方法にてｄ
を算出した。これを、温度を変えて複数回繰り返し行う
ことで図２のような層間隔の強度依存性が求められる。
ンス社製Ｘ線回折装置を用い、銅のＫα線を分析線とし
た。液晶セルには基板ガラスとしてＸ線の吸収を極力低
減するために８Ｏμｍ厚ガラス（コーニング社製商品名
マイクロシート）を用い、その他は通常のセル化行程を
そのまま使用した。液晶の層間隔ｄの測定は、バルク液
晶を試料ガラス上に途り、通常の粉末Ｘ線回折法と同様
に２θ／θスキャンを行った。そして、Ｘ線強度がピー
クを呈する角度の値から上記文献で示された方法にてｄ
を算出した。これを、温度を変えて複数回繰り返し行う
ことで図２のような層間隔の強度依存性が求められる。
【００５２】一方、層傾斜角δの測定は、上記と同じ８
Ｏμｍ厚の２枚のガラス板を１．５μｍのギャップを介
して対向させてセルを作成し、徐冷により配向させ、こ
れに上記層間隔を得た２θにＸ線検出器を合わせ、セル
をθスキャンし、上記文献で示された方法でδを算出し
た。
Ｏμｍ厚の２枚のガラス板を１．５μｍのギャップを介
して対向させてセルを作成し、徐冷により配向させ、こ
れに上記層間隔を得た２θにＸ線検出器を合わせ、セル
をθスキャンし、上記文献で示された方法でδを算出し
た。
【００５３】次に、上記構成の液晶セルの具体的な実験
例および比較例について説明する。 〈実験例１〉約１５Ｏｎｍ厚のＩＴＯ膜が設けられてい
る１．ｌｍｍ厚のガラス板を２枚用意し、その一方の基
板上に日立化成社製のＬＱｌ８０２のＮＭＰ／ｎＢＣ＝
１／１の１．５重量％溶液を、２０００ｒｐｍ、２０秒
のスピンコートにて成膜後、２７０℃、約１時間の加熱
焼成処理を施し、第１の配向膜を形成した。この時の膜
厚は２０ｎｍであった。また、他方の基板上には東レ社
製のＬＰ６４をＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の１．０重量％
溶液を２７００ｒｐｍ、２０秒のスピンコートにて成膜
後、２００℃、約１時間の加熱処理を施し、第２の配向
膜を形成し、た。この時の膜厚は１０ｎｍであった。こ
のようにして形成された第２の配向膜に、ナイロン植毛
布による一方向ラビング処理を行った。一方、第１の配
向膜にはラビングを行わなかった。その後、スペーサと
しての平均粒径１．５μｍのアルミナビーズを一方の基
板上に散布した後、２枚のガラス基板を重ね合わせてセ
ルを作成した。
例および比較例について説明する。 〈実験例１〉約１５Ｏｎｍ厚のＩＴＯ膜が設けられてい
る１．ｌｍｍ厚のガラス板を２枚用意し、その一方の基
板上に日立化成社製のＬＱｌ８０２のＮＭＰ／ｎＢＣ＝
１／１の１．５重量％溶液を、２０００ｒｐｍ、２０秒
のスピンコートにて成膜後、２７０℃、約１時間の加熱
焼成処理を施し、第１の配向膜を形成した。この時の膜
厚は２０ｎｍであった。また、他方の基板上には東レ社
製のＬＰ６４をＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の１．０重量％
溶液を２７００ｒｐｍ、２０秒のスピンコートにて成膜
後、２００℃、約１時間の加熱処理を施し、第２の配向
膜を形成し、た。この時の膜厚は１０ｎｍであった。こ
のようにして形成された第２の配向膜に、ナイロン植毛
布による一方向ラビング処理を行った。一方、第１の配
向膜にはラビングを行わなかった。その後、スペーサと
しての平均粒径１．５μｍのアルミナビーズを一方の基
板上に散布した後、２枚のガラス基板を重ね合わせてセ
ルを作成した。
【００５４】このセルに、上述した液晶材料ＦＬＣ−Ａ
を等方相下で真空注入してから０．５℃／ｍｉｎで室温
まで徐冷することによって配向させ液晶セルを作成し
た。この液晶は、急冷でも均一配向を形成する。
を等方相下で真空注入してから０．５℃／ｍｉｎで室温
まで徐冷することによって配向させ液晶セルを作成し
た。この液晶は、急冷でも均一配向を形成する。
【００５５】この液晶セルを、一対の９０°クロスニコ
ル偏向子の間に挟んで５０μＳの３０Ｖパルスを印加し
てから９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）にセッ
トし、この時の透過率をフォトマルチプレータにより測
定し、続いて５０μＳのー３０Ｖパルスを印加し、この
時の透過率（明状態）を同様の方法で測定したところ、
チルト角θａは約１２°であり、最暗状態時の透過率は
０．１５％、明状態時の透過率は１５％で、コントラス
ト比は１００：１であった。
ル偏向子の間に挟んで５０μＳの３０Ｖパルスを印加し
てから９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）にセッ
トし、この時の透過率をフォトマルチプレータにより測
定し、続いて５０μＳのー３０Ｖパルスを印加し、この
時の透過率（明状態）を同様の方法で測定したところ、
チルト角θａは約１２°であり、最暗状態時の透過率は
０．１５％、明状態時の透過率は１５％で、コントラス
ト比は１００：１であった。
【００５６】上記実験例１と同じ基板の両方に第１の配
向膜（ＬＱ１８０２）を形成し、非ラビングのその基板
を１．５μｍのギャップを保って重ね合わせ、実験例１
と同じ液晶を用いて相転移温度測定用のセルを作成し、
相転移温度の測定を上記方法で試みたところ、Ｉｓｏ−
ＳｍＡ相転移温度は７８．０℃であり、Ｓｍ＊Ｃ相にお
ける配向は、ランダム配向状態であった。同様に第２の
配向膜（ＬＰ６４）を設けた一対の基板においてもラビ
ング方向が互いに平行でかつ同方向になるように重ね合
わせて相転移温度測定用のセルを作成し、測定した結果
７９．８℃であり、筋状の欠陥の残る配向状態であっ
た。従って、実験例１の上下の基板は、それぞれの界面
で１．８℃の相転移温度差が生じるような非対称構成と
なっており、これによって均一配向が得られた。また、
上記Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度差については、徐冷速度
にかかわらず安定で均一な配向を得るには、０．５℃以
上とすることが望ましい。
向膜（ＬＱ１８０２）を形成し、非ラビングのその基板
を１．５μｍのギャップを保って重ね合わせ、実験例１
と同じ液晶を用いて相転移温度測定用のセルを作成し、
相転移温度の測定を上記方法で試みたところ、Ｉｓｏ−
ＳｍＡ相転移温度は７８．０℃であり、Ｓｍ＊Ｃ相にお
ける配向は、ランダム配向状態であった。同様に第２の
配向膜（ＬＰ６４）を設けた一対の基板においてもラビ
ング方向が互いに平行でかつ同方向になるように重ね合
わせて相転移温度測定用のセルを作成し、測定した結果
７９．８℃であり、筋状の欠陥の残る配向状態であっ
た。従って、実験例１の上下の基板は、それぞれの界面
で１．８℃の相転移温度差が生じるような非対称構成と
なっており、これによって均一配向が得られた。また、
上記Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度差については、徐冷速度
にかかわらず安定で均一な配向を得るには、０．５℃以
上とすることが望ましい。
【００５７】さらに、非ラビング処理した第１の配向膜
（ＬＱ１８０２）を付与した一対の基板を２０μｍのギ
ャップを保って重ね合わせることによりプレチルト角測
定用のセルを作成し、プレチルト角の測定を上記方法で
試みたところ、消光位のない垂直配向になり、プレチル
ト角は約９０°であった。同様に第２の配向膜を付与し
た基板においてもラビング方向が互いに平行でかつ逆方
向になるように重ね合わせることによりプレチルト角測
定用のセルを作成し、クリスタルローテーション法で測
定したところ、約２°であった。 〈実験例２〉約１５０ｎｍ厚のＩＴ０膜が設けられてい
る１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、その基板上に日立
化成社製のＬＱｌ８０２のＮＭＰ／ｎＢＣ＝１／１の
１．５重量％溶液を２００Ｏｒｐｍ、２０秒のスピンコ
ートにて成膜後、２７０℃約１時間の加熱焼成処理を施
し、第１の配向膜を得た。この時の膜厚は２Ｏｎｍであ
った。このようにして形成された塗布型配向膜に、第１
の基板には、ラビングローラー押し込み０．４ｍｍ、回
転数１００Ｏｒｐｍ、基板送り速度２Ｏｍｍ／ｓのナイ
ロン植毛布による一方向ラビング処理を行い、第２の基
板には押し込み０．２５ｍｍ、１００Ｏｒｐｍ、５Ｏｍ
ｍ／ｓのラビング処理を行った。その後、スペーサとし
て平均粒径１．５μｍのアルミナビーズを一方の基板上
に散布した後、２枚のガラス基板をラビング方向が平行
でかつ同一方向になるように重ね合わせてセルを作成し
た。
（ＬＱ１８０２）を付与した一対の基板を２０μｍのギ
ャップを保って重ね合わせることによりプレチルト角測
定用のセルを作成し、プレチルト角の測定を上記方法で
試みたところ、消光位のない垂直配向になり、プレチル
ト角は約９０°であった。同様に第２の配向膜を付与し
た基板においてもラビング方向が互いに平行でかつ逆方
向になるように重ね合わせることによりプレチルト角測
定用のセルを作成し、クリスタルローテーション法で測
定したところ、約２°であった。 〈実験例２〉約１５０ｎｍ厚のＩＴ０膜が設けられてい
る１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、その基板上に日立
化成社製のＬＱｌ８０２のＮＭＰ／ｎＢＣ＝１／１の
１．５重量％溶液を２００Ｏｒｐｍ、２０秒のスピンコ
ートにて成膜後、２７０℃約１時間の加熱焼成処理を施
し、第１の配向膜を得た。この時の膜厚は２Ｏｎｍであ
った。このようにして形成された塗布型配向膜に、第１
の基板には、ラビングローラー押し込み０．４ｍｍ、回
転数１００Ｏｒｐｍ、基板送り速度２Ｏｍｍ／ｓのナイ
ロン植毛布による一方向ラビング処理を行い、第２の基
板には押し込み０．２５ｍｍ、１００Ｏｒｐｍ、５Ｏｍ
ｍ／ｓのラビング処理を行った。その後、スペーサとし
て平均粒径１．５μｍのアルミナビーズを一方の基板上
に散布した後、２枚のガラス基板をラビング方向が平行
でかつ同一方向になるように重ね合わせてセルを作成し
た。
【００５８】このセルに、上述の液晶材料ＦＬＣ−Ａを
等方相下で真空注入してから１．０℃／ｍｉｎで室温ま
で徐冷することによって配向させた。
等方相下で真空注入してから１．０℃／ｍｉｎで室温ま
で徐冷することによって配向させた。
【００５９】この液晶セルを一対の９０°クロスニコル
偏向子の間に挟んで５０μＳの３０Ｖパルスを印加して
から９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）にセット
し、この時の透過率をフォトマルチプレータにより測定
し、続いて５０μＳの−３０Ｖパルスを印加し、この時
の透過率（明状態）を同様の方法で測定したところ、チ
ルト角θａは約１１．５°であり、最暗状態時の透過率
は０．１６％、明状態時の透過率は１４％で、コントラ
スト比は８８：１であった。
偏向子の間に挟んで５０μＳの３０Ｖパルスを印加して
から９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）にセット
し、この時の透過率をフォトマルチプレータにより測定
し、続いて５０μＳの−３０Ｖパルスを印加し、この時
の透過率（明状態）を同様の方法で測定したところ、チ
ルト角θａは約１１．５°であり、最暗状態時の透過率
は０．１６％、明状態時の透過率は１４％で、コントラ
スト比は８８：１であった。
【００６０】また、相転移温度を測定するために、全く
同一の処理を施した第１の基板２枚を１．５μｍのギャ
ップを保ってラビング方向が平行でかつ同一方向になる
ように重ね合わせることにより作成したセルにおけるＩ
ｓｏ−ＳｍＡ相転移温度は７８．５℃で、Ｓｍ＊Ｃ相の
配向はランダム配向であった。他方の基板ｂ２枚を用い
て同様にセルを作成したところ、Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移
温度は７９．５℃でＳｍ＊Ｃ相の配向状態は欠陥のある
ユニホーム配向であった。
同一の処理を施した第１の基板２枚を１．５μｍのギャ
ップを保ってラビング方向が平行でかつ同一方向になる
ように重ね合わせることにより作成したセルにおけるＩ
ｓｏ−ＳｍＡ相転移温度は７８．５℃で、Ｓｍ＊Ｃ相の
配向はランダム配向であった。他方の基板ｂ２枚を用い
て同様にセルを作成したところ、Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移
温度は７９．５℃でＳｍ＊Ｃ相の配向状態は欠陥のある
ユニホーム配向であった。
【００６１】さらに、全く同一の処理を施した第１の基
板を２０μｍのギャップを保ってラビング方向が平行で
かつ逆方向に重ね合わせることによりプレチルト角測定
用のセルを作成し、プレチルト角の測定を上記方法で試
みたところ、５８°であった。同様に基板ｂにおいても
ラビング方向が互いに平行でかつ逆方向になるように重
ね合わせることによりプレチルト角測定用のセルを作成
し、クリスタルローテーション法で測定したところ、約
６°であった。 〈実験例３〉約１００ｎｍ厚のＩＴ０膜が設けられてい
る１．ｌｍｍ厚のガラス板２枚を用意し、その第１の基
板上に東レ社製のＬＰ６４をＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の
１．０重量％溶渡を２７００ｒｐｍ、２０秒のスピンコ
ートにて成膜後、２００℃約１時間の加熱処理を施し
た。この時の膜厚は１０ｎｍであった。第２の基板上に
は、シランカップリング剤をスピンコー卜にて３０ｎｍ
塗布した。このようにして形成された両基板に、ナイロ
ン植毛布による一方向ラビング処理を行った。その後、
スペーサとなる平均粒径１．５μｍのアルミナビーズを
一方の基板上に散布した後、２枚のガラス基板をラビン
グ方向が平行でかつ同一方向になるように重ね合わせて
セルを作成した。このセルに、ＦＬＣ−Ａを等方相下で
真空注入してから１．０℃／ｍｉｎで室温まで徐冷する
ことによって配向させた。この時は、均一配向を呈して
いた。しかし、９０℃から一気に室温に急冷したところ
配向の均一性は損なわれていた。
板を２０μｍのギャップを保ってラビング方向が平行で
かつ逆方向に重ね合わせることによりプレチルト角測定
用のセルを作成し、プレチルト角の測定を上記方法で試
みたところ、５８°であった。同様に基板ｂにおいても
ラビング方向が互いに平行でかつ逆方向になるように重
ね合わせることによりプレチルト角測定用のセルを作成
し、クリスタルローテーション法で測定したところ、約
６°であった。 〈実験例３〉約１００ｎｍ厚のＩＴ０膜が設けられてい
る１．ｌｍｍ厚のガラス板２枚を用意し、その第１の基
板上に東レ社製のＬＰ６４をＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の
１．０重量％溶渡を２７００ｒｐｍ、２０秒のスピンコ
ートにて成膜後、２００℃約１時間の加熱処理を施し
た。この時の膜厚は１０ｎｍであった。第２の基板上に
は、シランカップリング剤をスピンコー卜にて３０ｎｍ
塗布した。このようにして形成された両基板に、ナイロ
ン植毛布による一方向ラビング処理を行った。その後、
スペーサとなる平均粒径１．５μｍのアルミナビーズを
一方の基板上に散布した後、２枚のガラス基板をラビン
グ方向が平行でかつ同一方向になるように重ね合わせて
セルを作成した。このセルに、ＦＬＣ−Ａを等方相下で
真空注入してから１．０℃／ｍｉｎで室温まで徐冷する
ことによって配向させた。この時は、均一配向を呈して
いた。しかし、９０℃から一気に室温に急冷したところ
配向の均一性は損なわれていた。
【００６２】ここで、全く同一の処理を施した第１の基
板を１．５μｍのギャップを保ってラビング方向が平行
でかつ同一方向になるように重ね合わせることにより作
成したセルにおけるＩｓｏ―ＳｍＡ相転移温度は７９．
７℃であり、Ｓｍ＊Ｃ相の配向は筋状の欠陥が残ってい
た。第２の基板においても同様にセルを作成したとこ
ろ、Ｉｓｏ―ＳｍＡ相転移温度は７９．５℃でＳｍ＊Ｃ
相の配向状態はランダム配向であった。
板を１．５μｍのギャップを保ってラビング方向が平行
でかつ同一方向になるように重ね合わせることにより作
成したセルにおけるＩｓｏ―ＳｍＡ相転移温度は７９．
７℃であり、Ｓｍ＊Ｃ相の配向は筋状の欠陥が残ってい
た。第２の基板においても同様にセルを作成したとこ
ろ、Ｉｓｏ―ＳｍＡ相転移温度は７９．５℃でＳｍ＊Ｃ
相の配向状態はランダム配向であった。
【００６３】また、全く同一の処理を施した第１の基板
を２Ｏμｍのギャップを保ってラビング方向が平行でか
つ逆方向に重ね合わせプレチルト角測定用の作成しプレ
チルト角の測定を上記方法で試みたところ、１．８°で
あった。同様に第２の基板においてもラビング方向が互
いに平行でかつ逆方向になるように重ね合わせてプレチ
ルト角測定用のセルを作成し、クリスタルローテーショ
ン法で測定したところ、０．５°であった。 〈比較例１〉上記実験例３と全く同じセルに、上述した
液晶材料ＴＫＦ−８６１６を注入してから１．０℃／ｍ
ｉｎで室温まで徐冷することによって配向させた。
を２Ｏμｍのギャップを保ってラビング方向が平行でか
つ逆方向に重ね合わせプレチルト角測定用の作成しプレ
チルト角の測定を上記方法で試みたところ、１．８°で
あった。同様に第２の基板においてもラビング方向が互
いに平行でかつ逆方向になるように重ね合わせてプレチ
ルト角測定用のセルを作成し、クリスタルローテーショ
ン法で測定したところ、０．５°であった。 〈比較例１〉上記実験例３と全く同じセルに、上述した
液晶材料ＴＫＦ−８６１６を注入してから１．０℃／ｍ
ｉｎで室温まで徐冷することによって配向させた。
【００６４】この液晶セルを一対の９０°クロスニコル
偏向子の間に挟んで５０μＳの３０Ｖパルスを印加して
から９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）にセット
し、この時の透過率をフォトマルチプレータにより測定
し、続いて５０μＳの−３０Ｖパルスを印加し、この時
の透過率（明状態）を同様の方法で測定したところ、チ
ルト角θａは約７°であり、最暗状態時の透過率は１．
８％、明状態時の透過率は１１％で、コントラスト比は
６：１であった。この配向状態はユニホーム配向ではな
かった。
偏向子の間に挟んで５０μＳの３０Ｖパルスを印加して
から９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）にセット
し、この時の透過率をフォトマルチプレータにより測定
し、続いて５０μＳの−３０Ｖパルスを印加し、この時
の透過率（明状態）を同様の方法で測定したところ、チ
ルト角θａは約７°であり、最暗状態時の透過率は１．
８％、明状態時の透過率は１１％で、コントラスト比は
６：１であった。この配向状態はユニホーム配向ではな
かった。
【００６５】以上説明したように、本発明の実施例にお
ける強誘電性液晶は、Ｃｈ相を持たなくても層法線方向
の面内均一性が良くなり、しかも見かけのチルト角が大
きくなってユニホーム配向となる。従って、この強誘電
性液晶を用いることにより、輝度、コントラストの大き
な、表示特性の良い強誘電性液晶素子を実現することが
できる。 〈実施例２〉図３は、本発明の実施例２におけるカイラ
ルスメクティック液晶素子（セル）の構成を模式的に示
す断面図である。
ける強誘電性液晶は、Ｃｈ相を持たなくても層法線方向
の面内均一性が良くなり、しかも見かけのチルト角が大
きくなってユニホーム配向となる。従って、この強誘電
性液晶を用いることにより、輝度、コントラストの大き
な、表示特性の良い強誘電性液晶素子を実現することが
できる。 〈実施例２〉図３は、本発明の実施例２におけるカイラ
ルスメクティック液晶素子（セル）の構成を模式的に示
す断面図である。
【００６６】図３のように、上下の基板１１ａ，１１ｂ
のそれぞれの対向面に、Ｉｎ2 Ｏ3あるいはＩＴＯ（Ind
ium Tin Oxide）等の透明電極１２ａ，１２ｂが設けら
れ、その各透明電極１２ａ，１２ｂ上には、ショート防
止層１３ａ，１３ｂを介して配向膜１４ａ，１４ｂが形
成されている。その上下の配向膜１４ａ，１４ｂの間隔
は、ビーズスペーサ１５によって保持されている。そし
て上下の配向膜１４ａ，１４ｂの間に、カイラルスメク
ティック液晶１５が配置されている。また上下の基板１
１ａ，１１ｂを挟む形で偏向板１７ａ，１７ｂが配置さ
れている。
のそれぞれの対向面に、Ｉｎ2 Ｏ3あるいはＩＴＯ（Ind
ium Tin Oxide）等の透明電極１２ａ，１２ｂが設けら
れ、その各透明電極１２ａ，１２ｂ上には、ショート防
止層１３ａ，１３ｂを介して配向膜１４ａ，１４ｂが形
成されている。その上下の配向膜１４ａ，１４ｂの間隔
は、ビーズスペーサ１５によって保持されている。そし
て上下の配向膜１４ａ，１４ｂの間に、カイラルスメク
ティック液晶１５が配置されている。また上下の基板１
１ａ，１１ｂを挟む形で偏向板１７ａ，１７ｂが配置さ
れている。
【００６７】上記配向膜１４ａ，１４ｂは、上記カイラ
ルスメクティック液晶１６を配向するための一軸性配向
処理として上下の基板１１ａ，１１ｂ上に設けられた配
向膜で、その一方の基板１１ａ上の配向膜１４ａは、ガ
ラス転移点が２００℃以上のもの、あるいはポリイミド
である。また他方の基板１１ｂ上の配向膜１４ｂは、そ
れのみを基板１１ｂ上に形成した場合にはランダム配向
になるような配向膜である。
ルスメクティック液晶１６を配向するための一軸性配向
処理として上下の基板１１ａ，１１ｂ上に設けられた配
向膜で、その一方の基板１１ａ上の配向膜１４ａは、ガ
ラス転移点が２００℃以上のもの、あるいはポリイミド
である。また他方の基板１１ｂ上の配向膜１４ｂは、そ
れのみを基板１１ｂ上に形成した場合にはランダム配向
になるような配向膜である。
【００６８】上記カイラルスメクティック液晶１６とし
ては、コレステリック相（Ｃｈ）のない相系列の液晶の
カイラルスメクティック相状態のもの、例えば、カイラ
ルスメクティックＣ相（Ｓｍ＊Ｃ）、Ｈ相（Ｓｍ＊
Ｈ）、Ｉ相（Ｓｍ＊Ｉ），Ｋ相（Ｓｍ＊Ｋ）あるいはＧ
相（Ｓｍ＊Ｇ）の液晶を用いることができる。
ては、コレステリック相（Ｃｈ）のない相系列の液晶の
カイラルスメクティック相状態のもの、例えば、カイラ
ルスメクティックＣ相（Ｓｍ＊Ｃ）、Ｈ相（Ｓｍ＊
Ｈ）、Ｉ相（Ｓｍ＊Ｉ），Ｋ相（Ｓｍ＊Ｋ）あるいはＧ
相（Ｓｍ＊Ｇ）の液晶を用いることができる。
【００６９】また、上記カイラルスメクティック液晶１
６は、ＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層間隔
が減少し始める第１の変移点における層間隔（ｄA ）
と、その第１の変移点からの温度降下に従って上記層間
隔が再び増加する極小値である第２の変移点における層
間隔（ｄmin ）とを有し、その第１の変移点における層
間隔（ｄA ）と第２の変移点における層間隔（ｄmin ）
との関係が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たす、層間隔
変化の少ないものである。
６は、ＳｍＡ相からＳｍ＊Ｃ相に移る温度近傍で層間隔
が減少し始める第１の変移点における層間隔（ｄA ）
と、その第１の変移点からの温度降下に従って上記層間
隔が再び増加する極小値である第２の変移点における層
間隔（ｄmin ）とを有し、その第１の変移点における層
間隔（ｄA ）と第２の変移点における層間隔（ｄmin ）
との関係が、０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たす、層間隔
変化の少ないものである。
【００７０】本実施例で用いたカイラルスメクティック
液晶（強誘電性液晶）ＦＬＣ−Ａの組成物は、上記実施
例１における［化２］の構造式で表される複数の化合物
を、各化合物と共に示した重量部で混合したものであ
る。また、この液晶の特性は下記の通りである。
液晶（強誘電性液晶）ＦＬＣ−Ａの組成物は、上記実施
例１における［化２］の構造式で表される複数の化合物
を、各化合物と共に示した重量部で混合したものであ
る。また、この液晶の特性は下記の通りである。
【００７１】 ３０℃において ｄmin ／ｄA ＝０．９９０ Ｐｓ＝２．５ｎＣ／ｃｍ2 Θ＝１２．２ なお、上記液晶素子において、双安定状態におけるメモ
リー角をひろげる処理として、ＡＣ印加処理を施しても
よい。
リー角をひろげる処理として、ＡＣ印加処理を施しても
よい。
【００７２】図３に示す上記構成の液晶セルでは、カイ
ラルスメクティック液晶１６が、０．９９０≦ｄmin ／
ｄA の関係を満たす特性を有し、しかも上下の基板１１
ａ，１１ｂ上に一軸性配向処理として上述のような配向
制御膜１４ａ，１４ｂが設けられたことにより、層の傾
き角の小さい、ブックシェルフ層構造に近い配向が達成
される。つまりカイラルスメクティック液晶１６は、Ｃ
ｈ相を持たなくても、層法線方向の面内均一性が良くな
るとともに、見かけのチルト角が大きくなってユニホー
ム配向となる。その結果この液晶セルでは、後述の形成
例のように、輝度，コントラストがより大きくなって、
表示特性が向上するとともに、焼き付きがほとんどなく
なって、２つの安定状態間をスイッチングさせるしきい
値の変動が抑えられ、駆動特性が向上する。
ラルスメクティック液晶１６が、０．９９０≦ｄmin ／
ｄA の関係を満たす特性を有し、しかも上下の基板１１
ａ，１１ｂ上に一軸性配向処理として上述のような配向
制御膜１４ａ，１４ｂが設けられたことにより、層の傾
き角の小さい、ブックシェルフ層構造に近い配向が達成
される。つまりカイラルスメクティック液晶１６は、Ｃ
ｈ相を持たなくても、層法線方向の面内均一性が良くな
るとともに、見かけのチルト角が大きくなってユニホー
ム配向となる。その結果この液晶セルでは、後述の形成
例のように、輝度，コントラストがより大きくなって、
表示特性が向上するとともに、焼き付きがほとんどなく
なって、２つの安定状態間をスイッチングさせるしきい
値の変動が抑えられ、駆動特性が向上する。
【００７３】次に、本実施例における液晶素子の各種特
性の測定法について説明する。 ［真のチルト角の測定］この測定については、上述した
とおりである。 ［焼き付き（放置単安定）の測定］上下の基板にストラ
イプ状の電極を付け、それらの交差部に画素を形成した
マトリクス表示パネルを作成して液晶を注入し、初期状
態で安定状態Ａから安定状態Ｂへのしきい値、安定状態
Ｂから安定状態Ａへのしきい値を測定して、双安定であ
ることを確認した。その後、ａ，ｂの画素をそれぞれ安
定状態Ａ、安定状態Ｂにスイッチングさせ、３０℃に保
って３日間放置した。この後ａ，ｂの画素のしきい値を
別々に測定し、二つのしきい値のズレを算出した。この
時、焼き付きの大小を評価するパラメータとして次式の
Ｐを用いた。
性の測定法について説明する。 ［真のチルト角の測定］この測定については、上述した
とおりである。 ［焼き付き（放置単安定）の測定］上下の基板にストラ
イプ状の電極を付け、それらの交差部に画素を形成した
マトリクス表示パネルを作成して液晶を注入し、初期状
態で安定状態Ａから安定状態Ｂへのしきい値、安定状態
Ｂから安定状態Ａへのしきい値を測定して、双安定であ
ることを確認した。その後、ａ，ｂの画素をそれぞれ安
定状態Ａ、安定状態Ｂにスイッチングさせ、３０℃に保
って３日間放置した。この後ａ，ｂの画素のしきい値を
別々に測定し、二つのしきい値のズレを算出した。この
時、焼き付きの大小を評価するパラメータとして次式の
Ｐを用いた。
【００７４】 ＰA-B ＝｛ＶA(A-B)−ＶB(A-B)｝／ＶI(A-B) ＰB-A ＝｛ＶB(B-A)−ＶA(B-A)｝／ＶI(B-A) この式において、ＶA(A-B)は安定状態Ａに放置した後に
ＡからＢに反転するのに必要なしきい値、ＶB(A-B)は安
定状態Ｂに放置した後にＡからＢに反転するのに必要な
しきい値である。またＶI(A-B)は初期状態でＡからＢに
反転するのに必要なしきい値で、ＰA-B が小さいほど焼
き付きが少ないことを表し、ＰB-A についても同様であ
る。 ［層間隔ｄ及び層傾斜角δの測定］上述したとおり、ク
ラーク（Japan display ’８９，Ｓｅｐｔ．３０ｔｈ〜
Ｏｃｔ．２ｎｄ，１９８６，ｐｐ．４５６〜４５８）、
大内（Japanese Journal of Applied Physics ２７
（５）（１９８８）ｐｐ．７２５〜７２８）と同様の方
法を用いた。
ＡからＢに反転するのに必要なしきい値、ＶB(A-B)は安
定状態Ｂに放置した後にＡからＢに反転するのに必要な
しきい値である。またＶI(A-B)は初期状態でＡからＢに
反転するのに必要なしきい値で、ＰA-B が小さいほど焼
き付きが少ないことを表し、ＰB-A についても同様であ
る。 ［層間隔ｄ及び層傾斜角δの測定］上述したとおり、ク
ラーク（Japan display ’８９，Ｓｅｐｔ．３０ｔｈ〜
Ｏｃｔ．２ｎｄ，１９８６，ｐｐ．４５６〜４５８）、
大内（Japanese Journal of Applied Physics ２７
（５）（１９８８）ｐｐ．７２５〜７２８）と同様の方
法を用いた。
【００７５】次に、上記構成の液晶セルの具体的な実験
例および比較例について説明する。 〈実験例４〉１．１mm厚のガラス板上に１５０nm厚のＩ
ＴＯを設け、その後、第１の基板にはポリアミック酸
を、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）の４％溶液として
印刷し、さらに２７０℃で焼成することにより、膜厚２
０nmの下記のポリイミドＡ配向制御層とし、所定方向に
ラビングを施した。
例および比較例について説明する。 〈実験例４〉１．１mm厚のガラス板上に１５０nm厚のＩ
ＴＯを設け、その後、第１の基板にはポリアミック酸
を、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）の４％溶液として
印刷し、さらに２７０℃で焼成することにより、膜厚２
０nmの下記のポリイミドＡ配向制御層とし、所定方向に
ラビングを施した。
【００７６】
【化４】 また、第２の基板にはスピンコートでシランカップリン
グ剤を３nmの膜厚で設け、所定方向にラビングを施し
た。そしてこれらの２枚の基板を、３μm のシリカビー
ズを介して逆方向に平行ラビングになるように張り合わ
せ、液晶セルを作成した。
グ剤を３nmの膜厚で設け、所定方向にラビングを施し
た。そしてこれらの２枚の基板を、３μm のシリカビー
ズを介して逆方向に平行ラビングになるように張り合わ
せ、液晶セルを作成した。
【００７７】上記第１の基板のラビングの条件として
は、ナイロン製ラビング布使用、押し込み０．４mm、ロ
ーラー回転数１０００ｒｐｍ、基板送り速度１０mm／ｓ
であった。上記第２の基板のラビングの条件としては、
ナイロン製ラビング布使用、押し込み０．２mm、ローラ
ー回転数５００ｒｐｍ、基板送り速度５０mm／ｓであっ
た。
は、ナイロン製ラビング布使用、押し込み０．４mm、ロ
ーラー回転数１０００ｒｐｍ、基板送り速度１０mm／ｓ
であった。上記第２の基板のラビングの条件としては、
ナイロン製ラビング布使用、押し込み０．２mm、ローラ
ー回転数５００ｒｐｍ、基板送り速度５０mm／ｓであっ
た。
【００７８】上記セルに、カイラルスメクティック液晶
ＦＬＣ−Ａを注入し、等方相から３０℃まで冷却して、
配向状態及び素子特性の評価を行った。その結果、図４
の結晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法線の均一性
は良好であった。また、コントラストは５０であり、応
答速度は４０μｓであった（±１５Ｖ、双極性パル
ス）。
ＦＬＣ−Ａを注入し、等方相から３０℃まで冷却して、
配向状態及び素子特性の評価を行った。その結果、図４
の結晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法線の均一性
は良好であった。また、コントラストは５０であり、応
答速度は４０μｓであった（±１５Ｖ、双極性パル
ス）。
【００７９】続いて、焼き付き（放置単安定）の測定
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．０６、ＰB-A ＝０．０５で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．０６、ＰB-A ＝０．０５で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。
【００８０】また、第２の基板のみを上下基板としてセ
ルを作成し、ＦＬＣ−Ａを注入したところランダム配向
であった。 〈実験例５〉シランカップリング剤を塗布した第２の基
板をラビングしない以外は、上記実験例４と同様の処
理，評価を行った。その結果、図５の結晶構造を示す顕
微鏡写真のように、層法線の均一性は良好であった。ま
た、コントラストは５０であり、応答速度は４０μｓで
あった。
ルを作成し、ＦＬＣ−Ａを注入したところランダム配向
であった。 〈実験例５〉シランカップリング剤を塗布した第２の基
板をラビングしない以外は、上記実験例４と同様の処
理，評価を行った。その結果、図５の結晶構造を示す顕
微鏡写真のように、層法線の均一性は良好であった。ま
た、コントラストは５０であり、応答速度は４０μｓで
あった。
【００８１】続いて、焼き付き（放置単安定）の測定
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．０５、ＰB-A ＝０．０５で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。 〈実験例６〉シランカップリング剤の代わりにポリイミ
ドＡを用いて塗布した第２の基板をラビングしない以外
は、上記実験例４と同様の処理，評価を行った。その結
果、図６の結晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法線
の均一性は良好であった。また、コントラストは４５で
あり、応答速度は３８μｓであった。
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．０５、ＰB-A ＝０．０５で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。 〈実験例６〉シランカップリング剤の代わりにポリイミ
ドＡを用いて塗布した第２の基板をラビングしない以外
は、上記実験例４と同様の処理，評価を行った。その結
果、図６の結晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法線
の均一性は良好であった。また、コントラストは４５で
あり、応答速度は３８μｓであった。
【００８２】続いて、焼き付き（放置単安定）の測定
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．０６、ＰB-A ＝０．０３で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。 〈実験例７〉シランカップリング剤の代わりにポリビニ
ルアルコール（ＰＶＡ）を用いて塗布した第２の基板を
ラビングしないこと以外は、上記実験例４と同様の処
理，評価を行った。その結果、図７の結晶構造を示す顕
微鏡写真のように、層法線の均一性は良好であった。ま
たコントラストは４８であり、応答速度は４１μｓであ
った。
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．０６、ＰB-A ＝０．０３で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。 〈実験例７〉シランカップリング剤の代わりにポリビニ
ルアルコール（ＰＶＡ）を用いて塗布した第２の基板を
ラビングしないこと以外は、上記実験例４と同様の処
理，評価を行った。その結果、図７の結晶構造を示す顕
微鏡写真のように、層法線の均一性は良好であった。ま
たコントラストは４８であり、応答速度は４１μｓであ
った。
【００８３】続いて、焼き付き（放置単安定）の測定
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．０６、ＰB-A ＝０．０６で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。 〈比較例２〉ポリイミド配向膜をラビングしないこと以
外は、上記実験例７と同様の処理，評価を行った。その
結果、図８の結晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法
線の均一性は悪く、暗状態での光抜けが目立ち、また２
０％のエリアしかスイッチングしなかった。 〈比較例３〉上下基板ともＰＶＡを塗布し、かつ上下基
板ともラビングした以外は、上記実験例７と同様の処
理，評価を行った。その結果、図９の結晶構造を示す顕
微鏡写真のように、層法線の均一性は悪く、暗状態での
光抜けが目立ち、また３０％のエリアしかスイッチング
しなかった。 〈比較例４〉ＰＶＡをラビングした以外は、上記実験例
７と同様の処理，評価を行った。その結果、図１０の結
晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法線の均一性は悪
く、暗状態での光抜けが目立ち、また２０％のエリアし
かスイッチングしなかった。 〈実験例８〉第２の基板に１２−ナイロンを用いた以外
は、上記実験例４と同様の処理，評価を行った。その結
果、図１１の結晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法
線の均一性は良好であった。またコントラストは４５で
あり、応答速度は４０μｓであった。
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．０６、ＰB-A ＝０．０６で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。 〈比較例２〉ポリイミド配向膜をラビングしないこと以
外は、上記実験例７と同様の処理，評価を行った。その
結果、図８の結晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法
線の均一性は悪く、暗状態での光抜けが目立ち、また２
０％のエリアしかスイッチングしなかった。 〈比較例３〉上下基板ともＰＶＡを塗布し、かつ上下基
板ともラビングした以外は、上記実験例７と同様の処
理，評価を行った。その結果、図９の結晶構造を示す顕
微鏡写真のように、層法線の均一性は悪く、暗状態での
光抜けが目立ち、また３０％のエリアしかスイッチング
しなかった。 〈比較例４〉ＰＶＡをラビングした以外は、上記実験例
７と同様の処理，評価を行った。その結果、図１０の結
晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法線の均一性は悪
く、暗状態での光抜けが目立ち、また２０％のエリアし
かスイッチングしなかった。 〈実験例８〉第２の基板に１２−ナイロンを用いた以外
は、上記実験例４と同様の処理，評価を行った。その結
果、図１１の結晶構造を示す顕微鏡写真のように、層法
線の均一性は良好であった。またコントラストは４５で
あり、応答速度は４０μｓであった。
【００８４】続いて、焼き付き（放置単安定）の測定
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．３２、ＰB-A ＝０．２７で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。
を、上述の方法により、ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで
行ったところ、ＰA-B ＝０．３２、ＰB-A ＝０．２７で
あり、焼き付きはほとんど確認されなかった。
【００８５】以上説明したように、本発明の実施例にお
けるカイラルスメクティック液晶素子では、カイラルス
メクティック液晶は、Ｃｈ相を持たなくても、層法線方
向の面内均一性が良くなるとともに、見かけのチルト角
が大きくなってユニホーム配向となる。その結果、輝
度、コントラストがより大きくなって、表示特性が向上
するとともに、焼き付きがほとんどなくなって、２つの
安定状態間をスイッチングさせる閾値の変動が抑えら
れ、駆動特性が向上する。即ち、本発明によれば、表示
特性および駆動特性の優れた、信頼性の高い液晶素子を
実現することができる。 〈実験例９〉図１２は、上述した各実験例において用い
た液晶材料ＦＬＣ−Ａの層間隔と温度との関係を示す図
であり、ｄmin ／ｄA ≦０．９６を満たしている。因み
に、図１３は、上述した比較例１で用いた液晶材料の層
間隔と温度との関係を示す図であり、ｄmin ／ｄA ≦
０．９６を満足していない。
けるカイラルスメクティック液晶素子では、カイラルス
メクティック液晶は、Ｃｈ相を持たなくても、層法線方
向の面内均一性が良くなるとともに、見かけのチルト角
が大きくなってユニホーム配向となる。その結果、輝
度、コントラストがより大きくなって、表示特性が向上
するとともに、焼き付きがほとんどなくなって、２つの
安定状態間をスイッチングさせる閾値の変動が抑えら
れ、駆動特性が向上する。即ち、本発明によれば、表示
特性および駆動特性の優れた、信頼性の高い液晶素子を
実現することができる。 〈実験例９〉図１２は、上述した各実験例において用い
た液晶材料ＦＬＣ−Ａの層間隔と温度との関係を示す図
であり、ｄmin ／ｄA ≦０．９６を満たしている。因み
に、図１３は、上述した比較例１で用いた液晶材料の層
間隔と温度との関係を示す図であり、ｄmin ／ｄA ≦
０．９６を満足していない。
【００８６】本実験例９では、上記実験例４にて用いた
液晶材料を変更して組成比の異なる複数の液晶組成物を
生成し、多数のテストサンプルを作製した。液晶材料以
外は全て上記実験例４と同じである。
液晶材料を変更して組成比の異なる複数の液晶組成物を
生成し、多数のテストサンプルを作製した。液晶材料以
外は全て上記実験例４と同じである。
【００８７】具体的には、上述したダイマー系液晶性化
合物の重量比を変えることにより、ｄmin ／ｄA がそれ
ぞれ異なる液晶組成物を用いた素子を作製した。
合物の重量比を変えることにより、ｄmin ／ｄA がそれ
ぞれ異なる液晶組成物を用いた素子を作製した。
【００８８】下記の表１は、作製した１０種類のテスト
サンプルの、ダイマー系液晶性化合物の重量比と、特性
評価と、ｄmin ／ｄA の値とを示したものである。この
表において、Ａは特に優れている、Ｂは従来のものより
優れている、Ｃは素子としての必要最低限の特性は満た
している、ことをそれぞれ示す。
サンプルの、ダイマー系液晶性化合物の重量比と、特性
評価と、ｄmin ／ｄA の値とを示したものである。この
表において、Ａは特に優れている、Ｂは従来のものより
優れている、Ｃは素子としての必要最低限の特性は満た
している、ことをそれぞれ示す。
【００８９】
【表１】 注目すべきは、焼き付きと液晶分子の移動との評価の欄
であり、これら２つの因子は相反する特性として認識さ
れており、両者を同時に満足させることは難しいと考え
られていた。
であり、これら２つの因子は相反する特性として認識さ
れており、両者を同時に満足させることは難しいと考え
られていた。
【００９０】しかしながら、上述した実施例のように、
ｄmin ／ｄA の値を所定の範囲のものとし、素子の上下
基板内面を非対称配向処理することにより、両者を満足
させたことは注目に値する。
ｄmin ／ｄA の値を所定の範囲のものとし、素子の上下
基板内面を非対称配向処理することにより、両者を満足
させたことは注目に値する。
【００９１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に用いられ
る強誘電性液晶は、Ｃｈ相を持たなくても層法線方向の
面内均一性が良くなり、しかも見かけのチルト角が大き
くなってユニホーム配向となる。従って、この強誘電性
液晶を用いることにより、輝度、コントラストの大き
な、表示特性の良い強誘電性液晶素子を実現することが
できる。
る強誘電性液晶は、Ｃｈ相を持たなくても層法線方向の
面内均一性が良くなり、しかも見かけのチルト角が大き
くなってユニホーム配向となる。従って、この強誘電性
液晶を用いることにより、輝度、コントラストの大き
な、表示特性の良い強誘電性液晶素子を実現することが
できる。
【００９２】また、本発明に用いられるスメクティック
液晶は、Ｃｈ相を持たなくても、層法線方向の面内均一
性が良くなるとともに、見かけのチルト角が大きくなっ
てユニホーム配向となる。従って、このスメクティック
液晶を用いることにより、輝度、コントラストがより大
きくなって、表示特性が向上するとともに、焼き付きが
ほとんどなくなって、２つの安定状態間をスイッチング
させる閾値の変動が抑えられ、駆動特性が向上する。
液晶は、Ｃｈ相を持たなくても、層法線方向の面内均一
性が良くなるとともに、見かけのチルト角が大きくなっ
てユニホーム配向となる。従って、このスメクティック
液晶を用いることにより、輝度、コントラストがより大
きくなって、表示特性が向上するとともに、焼き付きが
ほとんどなくなって、２つの安定状態間をスイッチング
させる閾値の変動が抑えられ、駆動特性が向上する。
【００９３】即ち、本発明によれば、表示特性および駆
動特性の優れた、信頼性の高い液晶素子を実現すること
ができる。
動特性の優れた、信頼性の高い液晶素子を実現すること
ができる。
【図１】本発明に用いられる液晶素子の構成を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明に用いられる液晶組成物の層間隔の温度
依存性を示す図である。
依存性を示す図である。
【図３】本発明に用いられる別の液晶素子（セル）の構
成を模式的に示す断面図である。
成を模式的に示す断面図である。
【図４】実験例４におけるカイラルスメクティック液晶
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
【図５】実験例５におけるカイラルスメクティック液晶
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
【図６】実験例６におけるカイラルスメクティック液晶
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
【図７】実験例７におけるカイラルスメクティック液晶
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
【図８】比較例２におけるカイラルスメクティック液晶
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
【図９】比較例３におけるカイラルスメクティック液晶
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真であ
る。
【図１０】比較例４におけるカイラルスメクティック液
晶の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真で
ある。
晶の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真で
ある。
【図１１】実験例８におけるカイラルスメクティック液
晶の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真で
ある。
晶の結晶構造を示すもので、図面に代わる顕微鏡写真で
ある。
【図１２】各実験例に用いられる液晶組成物の層間隔の
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
【図１３】比較例１に用いられる液晶組成物の層間隔の
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
１，１２ａ，１２ｂ 透明電極 ２，１４ａ，１４ｂ 配向膜 ３，１１ａ，１１ｂ 基板 ５，１６ 液晶
Claims (10)
- 【請求項１】 コレステリック相を呈さない相系列を持
つ液晶と、非対称な配向処理がなされた一対の基板と、
を有する液晶素子。 - 【請求項２】 上下の基板間に、一対の透明電極で挟持
した液晶を配置してなる液晶素子において、 前記液晶が、Ｃｈ相を持たず、かつＳｍＡ相からＳｍ＊
Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が減少する第１の変移点に
おける層間隔（ｄA ）と、該第１の変移点からの温度降
下に従って前記層問題が減少から再び増加に変化する第
２の変移点における層間隔（ｄmin ）とを有し、該第１
の変移点における層間隔（ｄA ）と第２の変移点におけ
る層間隔（ｄmin ）との関係が、 ０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、 前記液晶の、前記上下基板のそれぞれの界面でのＩｓｏ
−ＳｍＡ相転移温度に差を生じさせる手段が設けられた
ことを特徴とする液晶素子。 - 【請求項３】 前記Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度差を生じ
させる手段として、前記上下基板が非対称構成を有する
ことを特徴とする請求項２記載の液晶素子。 - 【請求項４】 前記上下基板を非対称構成とするため
に、該上下基板にはそれぞれ、互いに異なる配向膜が形
成されたことを特徴とする請求項３記載の液晶素子。 - 【請求項５】 前記上下基板にそれぞれ形成する配向膜
は、プレチルト角が異なることを特徴とする請求項４記
載の液晶素子。 - 【請求項６】 前記Ｉｓｏ−ＳｍＡ相転移温度差が、
０．５℃以上であることを特徴とする請求項２〜５のい
ずれか１項に記載の液晶素子。 - 【請求項７】 上下の基板間に、一対の透明電極で挟持
した液晶を配置して成る液晶素子において、 前記液晶が、Ｃｈ相を持たず、かつＳｍＡ相からＳｍ＊
Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が減少する第１の変移点に
おける層間隔（ｄA ）と、該第１の変移点からの温度降
下に従って前記層問題が減少から再び増加に変化する第
２の変移点における層間隔（ｄmin ）とを有し、該第１
の変移点における層間隔（ｄA ）と第２の変移点におけ
る層間隔（ｄmin ）との関係が、 ０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、 前記上下の基板上のいずれか一方には、前記液晶を配向
するための一軸性配向処理として配向膜が形成されると
共に、該配向膜のガラス転移点が２００℃以上であるこ
とを特徴とする液晶素子。 - 【請求項８】 上下の基板間に、一対の透明電極で挟持
した液晶を配置して成る液晶素子において、 前記液晶が、Ｃｈ相を持たず、かつＳｍＡ相からＳｍ＊
Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が減少する第１の変移点に
おける層間隔（ｄA ）と、該第１の変移点からの温度降
下に従って前記層間隔が減少から再び増加に変化する第
２の変移点における層間隔（ｄmin ）とを有し、該第１
の変移点における層間隔（ｄA ）と第２の変移点におけ
る層間隔（ｄmin ）との関係が、 ０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、 前記上下の基板上のいずれか一方に、前記液晶を配向す
るための一軸性配向処理として配向膜が形成されると共
に、該配向膜がポリイミドであることを特徴とする液晶
素子。 - 【請求項９】 上下の基板間に、一対の透明電極で挟持
した液晶を配置して成る液晶素子において、 前記液晶が、Ｃｈ相を持たず、かつＳｍＡ相からＳｍ＊
Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が増加から減少する第１の
変移点における層間隔（ｄA ）と、該第１の変移点から
の温度降下に従って前記層問題が減少から再び増加に変
化する第２の変移点における層間隔（ｄmin ）とを有
し、該第１の変移点における層間隔（ｄA）と第２の変
移点における層間隔（ｄmin ）との関係が、 ０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、 前記上下の基板上に、前記液晶を配向するための一軸性
配向処理が施されると共に、該一軸性配向処理として、
一方の基板上にはガラス転移点が２００℃以上の配向膜
が形成され、他方の基板上には、それのみを該基板上に
形成した場合にはランダム配向になるような配向膜が形
成されたことを特徴とする液晶素子。 - 【請求項１０】 上下の基板間に、一対の透明電極で挟
持した液晶を配置して成る液晶素子において、 前記液晶が、Ｃｈ相を持たず、かつＳｍＡ相からＳｍ＊
Ｃ相に移る温度近傍で層間隔が増加から減少する第１の
変移点における層間隔（ｄA ）と、該第１の変移点から
の温度降下に従って前記層間隔が減少から再び増加に変
化する第２の変移点における層間隔（ｄmin ）とを有
し、該第１の変移点における層間隔（ｄA）と第２の変
移点における層間隔（ｄmin ）との関係が、 ０．９９≦ｄmin ／ｄA を満たすものであり、 前記上下の基板上に、前記液晶を配向するための一軸性
配向処理が施されるとともに、該一軸性配向処理とし
て、一方の基板上にはポリイミドを用いた配向膜が形成
され、他方の基板上には、それのみを該基板上に形成し
た場合にはランダム配向になるような配向膜が形成され
たことを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP21226593 | 1993-08-03 | ||
| JP5-212265 | 1993-08-03 | ||
| JP5-212264 | 1993-08-03 | ||
| JP21226493 | 1993-08-03 | ||
| JP20283394A JP3179976B2 (ja) | 1993-08-03 | 1994-08-03 | 液晶素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
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