KR0153395B1 - 액정 소자 - Google Patents

액정 소자

Info

Publication number
KR0153395B1
KR0153395B1 KR1019940019174A KR19940019174A KR0153395B1 KR 0153395 B1 KR0153395 B1 KR 0153395B1 KR 1019940019174 A KR1019940019174 A KR 1019940019174A KR 19940019174 A KR19940019174 A KR 19940019174A KR 0153395 B1 KR0153395 B1 KR 0153395B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
substrates
layer spacing
phase
pair
Prior art date
Application number
KR1019940019174A
Other languages
English (en)
Inventor
유끼오 하뉴
가쯔또시 나까무라
노부히로 이또오
Original Assignee
미따라이 하지메
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미따라이 하지메, 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 미따라이 하지메
Application granted granted Critical
Publication of KR0153395B1 publication Critical patent/KR0153395B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
    • G02F1/1416—Details of the smectic layer structure, e.g. bookshelf, chevron, C1 and C2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/02—Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general

Abstract

층 법선 방향의 평면내에서 양호한 균일성을 갖는 키랄 스멕틱 액정 소자는, 한 쌍의 기판 사이에 상이한 특성, 특히 Iso-SmA 상 전이 온도에 있어서 상이한 특성을 갖는, 콜레스테릭 상을 나타내지 않는 키랄 스멕틱 액정을 배치시킴으로써 구성될 수 있다. 액정은 SmA상으로부터 SmC*상으로의 전이 온도 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 제1전이점에서 층 간격 dA및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 제2전이점에서 층 간격 dmin을 제공하며, dA및 dmin이 0.96≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖는 것이 바람직하다.

Description

액정 소자
제1도는 본 발명에 사용되는 액정 소자의 단면도.
제2도는 본 발명에 사용되는 액정 조성물의 층 간격(스멕틱 층 두께)의 온도 의존성을 나타내는 그래프.
제3도는 본 발명에 사용되는 다른 액정 소자의 단면도.
제4도 내지 제8도는 각각 실시예 4 내지 8의 키랄 스멕틱 액정의 결정 조직을 보여주는 편광 현미경 사진(배율 ×250)
제9도 내지 제11도는 각각 비교예 2 내지 4의 키랄 스멕틱 액정의 결정 조직을 보여주는 편광 현미경 사진.
제12도 및 제13도는 각각 실시예 및 비교예에 사용되는 액정 조성물의 층 간격의 온도 의존성을 나타내는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 대향 전극 2 : 배향 필름
3 : 기판 5 : 키랄 스멕틱 액정
6 : 편광자 7 : 밀봉재
9 : 납 전선 10 : 전원
11 : 광원 11a 및 11b : 기판
12a 및 12b : 투명 전극 13a 및 13b : 단락 회로 방지층
14a 및 14b : 배향 필름 15 : 스페이서 비드
16 : 키랄 스멕틱 액정 17a 및 17b : 편광자
본 발명은 액정 소자, 특히 액정 표시 소자, 액정 셔터 등에 사용하기에 적절한 키랄 스멕틱(chiral smectic) 액정 소자에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 액정 분자의 배향 상태를 개선시킴으로써 개선된 표시 특성 및 구동 특성을 갖는 키랄 스멕틱 액정 소자에 관한 것이다.
강유전성 액정 분자의 굴절률이방성을 이용함으로써 편광 소자와 함께 광의 투과를 제어하는 형태의 표시 소자는 클라크 및 라저월(Clark and Lagerwall)에 의해 제안된 바 있다[일본국 특허 공개 제(소)56-107216호, 미합중국 특허 제4, 367, 924호]. 강유전성 액정은 일반적으로 특정 온도 범위에서 비나선형 구조의 키랄 스멕틱 C상(SmC*) 또는 H상(SmH*)을 가지며, SmC*또는 SmH*상에서 인가된 전계에 응답하며 전계가 부재한 경우에도 그러한 상태를 유지하는, 제1광학적 안정 상태 및 제2광학적 안정 상태, 즉, 이중안정성 상태 중의 하나를 나타내는 특성을 보이며, 또한 전계의 변화에 대하여 급속한 반응을 나타낸다. 따라서, 이러한 액정 소자는 그의 기능을 고려할 때 고속 기억형 표시 소자 및 특히 간단한 매트릭스 구동 계획에 따른 대화면, 고 해상 표시 소자를 제공하는데 광범위하게 사용될 것이 기대된다.
바람직한 구동 특성을 나타내는 이중안정성을 갖는 강유전성 액정을 사용하는 광학 변조 소자에는, 한 쌍의 기판 사이에 배치된 액정이 전계의 인가 여부에 관계없이 상기 두 안정된 상태 사이에서 전환이 효과적으로 일어날 수 있는 분자 배향 상태에 있을 것이 요구된다.
[스멕틱 층 법선 방향에서의 균일성 및 균일한 배향의 실현]
X-선 회절 분석의 결과로서, 소자중 스멕틱 액정의 실제 층 구조는 스멕틱 층이 층의 만곡이 없이 기판에 실질적으로 수직인 방향으로 배향된 책꽂이형 층 구조로서 처음에 예상된 것이 아니라, SmA 상으로부터 SmC*상으로의 전이를 수반하는 스멕틱 층 두께(당 분야에서 일반적으로 층 간격으로 불려짐)의 감소에 기인하여 기판들 사이에서 층들이 갈매기형으로 만곡된 갈매기형 층 구조로 예상됨이 확인되었다. 갈매기형 층 구조에서, 겉보기 틸트(tilt) 각 θa 및 틸트각 ⓗ 사이에서 균일한 배향을 나타내는 다음 관계식 ⓗθaⓗ/2는 프리틸트(pretilt) 각 α가 층 경사각 δ와 실질적으로 같지 않는 한 만족될 수 없다.
그러나 본 발명자들의 연구에 따르면, 갈매기형 구조의 경우에 있어서 큰 겉보기 틸트각을 나타내는 소자를 수득하는 것은 경험적으로 어려운 것으로 알려져 왔다. 보다 큰 휘도 및 콘트라스트를 갖는 스멕틱 액정 소자를 수득하기 위해서는, 스멕틱 층 구조에서 온도 의존성 변화를 최소화시키고 층들을 수직한 상태(즉, 층 경사의 최소화)로 유지시키는 것이 필요하다는 것이 밝혀졌다. 다시 말해서, 갈매기형 구조를 유지하면서 보다 높은 콘트라스트를 나타내는 균일한 배향을 갖는 통상적 형태의 스멕틱 액정 소자를 제공하는 것은 어렵다.
또한, 스멕틱 액정의 콘트라스트는 소자의 평면 연장을 넘어선 스멕틱 층의 법선 방향에서의 배향의 균일도에 의해 크게 영향 받으며, 암 상태에서 투과된 광량의 억제는 또 다른 중요 요인이다.
따라서, 일반적으로 책꽂이형 층 구조롤 불리우는 스멕틱 층 구조를 얻기 위해 본 발명자들은 콜레스테릭(Cholesteric, Ch) 상을 포함하지 않는 상 전이 계열을 갖는 액정 물질을 사용하는 것을 시도해 왔다.
그러나, Ch상을 가지지 않는 종래의 스멕틱 액정을 사용한 소자, 예를 들어, Iso-SmA-Sm*상 전이 계열을 갖는 소자에 있어서, 층 법선 방향에서의 평면내 균일성은 전계가 인가되지 않은 상태에서 등방성(Isotropic, Iso) 상으로부터 SmA 상으로 서서히 냉각시키는 도중 배턴네트(batonnet)가 형성되는 시기에 붕괴되기 쉽다는 것이 밝혀졌다.
더우기, 콜레스테릭 상을 갖지 않는 종래의 액정을 사용한 액정 소자에서 후술하는 바와 같은 방치 단일안정성의 문제에 관련하여 개선되어야 할 여지가 많다.
[방치 단일안정성]
상기한 이중안정성은 키랄 스멕틱 액정의 우수한 특성이다. 그러나, 이러한 특성을 이용하여 상이한 안정한 상태 사이에서의 전환을 야기시키는 소자에 있어서, 두 개의 안정한 상 사이의 전환을 위한 한계의 변동에 의해 그의 구동 특성이 현저하게 손상될 수 있다. 한계 변동을 유발시키는 주된 요인으로서 표면 기억 현상이 알려져 있으며, 이로 인해 종래의 키랄 스멕틱 액정 소자의 구동 특성은 손상받기 쉬우며, 따라서 신뢰도가 열등하게 된다. 표면 기억은 액정의 하나의 안정한 상태에 오랜 시간 동안 액정을 방치시킴으로써 야기되며, 따라서 이러한 특성은 방치 단일안정성(즉, 방치에 기인한 단일안정성)으로 언급되고 있다.
상기한 문제점들을 고려할 때, 본 발명의 목적은 우수한 소자 특성 및 구동 특성을 갖는 액정 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 높은 콘트라스트를 나타내며 배향 결함이 거의 없는 액정 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 높은 콘트라스를 나타내며 표면 기억을 야기시키는 경향이 보다 낮은 액정 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판들 사이에서 액정 분자의 이동에 기인한 액정층 두께의 비균일 상태를 야기시키는 경향이 보다 낮은 액정 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 총체적인 국면으로서, 비대칭 배향 처리된 한 쌍의 기판, 및 이 기판들 사이에 배치된, 콜레스테릭 상을 나타내지 않는 상 전이 계열을 갖는 액정으로 이루어진 액정 소자가 제공된다.
본 발명의 보다 특별한 국면에 따라서, 각각 그 위에 투명 전극을 가지며, 액정과의 경계면에서 상이한 Iso-SmA 상 전이 온도를 제공하기 위한 수단이 제공되어 있는 한 쌍의 기판, 및 이 기판들 사이에 배치된, 콜레스테릭 상을 나타내지 않으며, SmA 상으로부터 SmC*상으로의 전이 온도 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 제1전이점에서 층 간격 dA및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 제2전이점에서 층 간격 dmin을 제공하며, dA및 dmin이 0.96≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖는 액정으로 이루어진 액정 소자가 제공된다.
본 발명의 또 다른 국면에 따라서, 각각 그 위에 투명 전극을 가지며, 두 기판중 어느 한 쪽에 액정을 단일축상으로 배향시키기 위한, 유리 전이 온도가 적어도 200℃이거나 폴리이미드로 이루어진 배향 필름이 제공되어 있는 한 쌍의 기판 및 이 기판들 사이에 배치된, 콜레스테릭 상을 나타내지 않으며, SmA 상으로부터 SmC*상으로의 전이 온도 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 제1전이점에서 층 간격 dA및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 제2전이점에서 층 간격 dmin을 제공하며, dA및 dmin이 0.96≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖는 액정으로 이루어진 액정 소자가 제공된다.
본 발명의 이러한 목적, 특징 및 장점과 기타 목적이나 특징 및 장점은 첨부된 도면과 함께 본 발명이 바람직한 태양의 설명을 참조함으로써 더욱 명백해질 것이다.
바람직한 태양에 따른 액정 장치는, Ch상을 나타내지 않는 상 전이 계열을 갖는 액정 물질(이하 Ch상 비발현 액정으로 언급한다)을 사용하고 상이한 배향 처리를 받음으로써 그들의 경계면에서 상이한 Iso-SmA 상 전이 온도가 제공되는 한 쌍의 기판을 제공함으로써 제조될 수 있다. 상기한 Ch상 비발현 액정을 사용한 장치에서, 동일한 배향 처리를 거친 한 쌍의 기판을 사용하였으며, 따라서 배향 결함이 발생하였고 스멕틱 층 법선 방향으로의 평면내 균일성이 양호하지 못하였다. 그러나, Ch상 비발현 액정을 상이한 배향 처리를 거친 한 쌍의 기판을 포함하는 장치내에 포함시켰을 때 스멕틱상 법선 방향으로의 평면내 균일성은 기션되었다.
본 발명의 또 다른 바람직한 태양에서 Ch상 비발현 액정을 사용한 액정 소자의 스멕틱 층 법선 방향에서의 평면내 균일성은 유리 전이 온도가 적어도 200℃인 물질로 이루어진 배향 필름을 사용함으로써 개선된다.
본 발명에 따른 액정 소자를 구성하는 한 쌍의 기판은 적어도 하나의 투명 기판을 포함하며, 유리, 중합체, 석영, 실리콘 및 알루미늄으로부터 선택된, 절연 물질, 반도체 또는 금속일 수 있는 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명에 사용되는 배향 필름은 폴리이미드, 폴리아미드 또는 폴리비닐 알콜과 같은 유기 중합체의 필름; 또는 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드 또는 TiSi와 같은 무기 물질의 필름으로 이루어질 수 있다. 이러한 필름들에 바람직하게는 도찰 또는 사방 증착(oblique vapor deposition)과 같은 단일축 배향 처리를 할 수 있다.
배향 필름 물질 및(또는) 배향 처리법의 선택은 본 발명의 각각의 태양에서 요구되는 바에 따라 선택될 수 있다.
가장 간단한 제조 단계를 포함하는 바람직한 태양에서, 한 쌍의 기판 각각에 유리 전이 온도가 약 200℃인 폴리이미드 필름을 피복시키고, 필름 중의 하나에 도찰 처리를 할 수 있다.
또 다른 바람직한 태양에서, 액정 소자는 하나의 기판이 상기와 같은 단일축 배향 상태를 가지며, 다른 기판은 도찰 처리되지 않고 그와 접촉되어 있는 액정 분자의 랜덤(random)한 배향 상태를 제공하는 특성을 갖는 한 쌍의 기판으로 이루어질 수 있다.
본 발명에서는, 단지 Ch상 비발현 액정을 사용하는 것이 아니라, 스멕틱 층 간격이 특별한 온도-의존성을 가짐으로써 스멕틱 층 법선 방향에서 현저히 개선된 평면내 균일성을 갖는 책꽂이형 구조를 갖는 Ch상 비발현 액정을 사용하는 것이 또한 바람직하다.
제2도는 스멕틱 층 간격(즉, 스멕틱 층 두께)이 특이한 온도-의존성 층 간격 변화 특성을 나타내는 그러한 액정의 온도와의 관계를 나타내는 그래프이다.
제2도에서 횡축은 온도를 나타내고, 종축은 액정 층 간격을 나타낸다. 제2도에서, dA는 SmA 상으로부터 SmC*상으로의 상 전이 온도(TA) 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 온도(제1 전이점)에서의 층 간격의 최대치를 나타내고, dmin는 SmC*온도 범위에서 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 온도(제2 전이점)에서의 층 간격의 최소치를 나타낸다.
본 발명에 사용되는 Ch상 비발현 액정에서, 액정을 구성하는 준결정 화합물의 종류 및 상대적 양을 적절히 선택함으로써 층 간격 값 dA및 dmin을 조절할 수 있다.
이에 대한 설명은 하기 실시예에서 보다 상세히 기재될 것이다.
하기 실시예들에서, 층 간격 dA및 dmin은 0.96≤dmin/dA보다 바람직하게는 0.99 dmin/dA의 관계를 만족시키도록, 실리콘 이합체 골격을 갖는 다음의 준결정 화합물을 소정량 사용함으로써 조절되었다.
제2도에서 알 수 있는 바와 같이, 액정이 점과 단선으로 된 CL에 의해 표시된 보다 작은, 예를 들어, 0.90 이하의 dmin/dA를 갖도록 유도된 경우, 액정은 SmA에서 SmC*로의 전이시에 결함을 야기시키는 경향이 있다.
이러한 방법으로, 실록산 이합체 골격을 갖는 키랄 도판트를 함유하는 액정 조성물은 스멕틱 층 간격 변화 특성(온도 의존성)을 조절할 수 있으며, 책꽂이형층 구조를 가지며 높은 콘트라스트를 제공할 수 있는 액정 소자를 제공하는 액정 물질의 바람직한 일례가 될 수 있다. 이러한 이합체형 준결정 화합물에 대한 보다 상세한 설명은 본 명세서에 참조로서 포함되는 유럽 특허 공개 제EP-A-0322703호에 기재되어 있다.
본 발명자들이 연구한 바에 따르면, 균일한 배향 상태를 얻기 위해 상기 액정을 균일하게 배향시킴으로써, 한 쌍의 기판들과의 경계면 중 어느 한 쪽으로부터 Iso-SmA상 전이를 개시하는 것이 효과적인 것으로 나타났다. 키랄 스멕틱 액정 소자 중 한 쌍의 기판 사이의 간격이 1 내지 2㎛ 정도이므로, 기판의 한 쪽으로 부터 균일한 배향 상태를 위해 효과적인 온도 구배를 제공하는 것은 일반적으로 어렵다. 이와는 대조적으로, 본 발명의 발명자들은 배향 처리된 표면의 상태에 따라서 특정 액정 물질이, 벌크상 액정 물질의 상 전이 온도와는 다른 상 전이 온도를 배향 처리된 액정 소자 중에서 나타낼 수 있는 현상을 이용하였다. 보다 구체적으로 설명하면, 한 쌍의 기판을 비대칭 배향 처리(즉, 상이한 배향 처리 조건) 시킴으로써 한 쌍의 기판상의 경계면 사이에서 Iso-SmA 상 전이 온도의 효과적인 차이를 제공할 수 있게 되었다.
본 발명에서, 한 쌍의 기판의 내부 표면에 비대칭 프리틸트각을 제공하는 것이 바람직하다. 또한, 점진적인 냉각률에 의해 실질적으로 영향받지 않는 균일한 배향 상태를 안정하게 실현시키기 위해서는, 상기 Iso-SmA 상 전이 온도에 적어도 약 0.5℃의 차이를 두는 것이 바람직하다.
이러한 방법으로, 제1도에 도시된 바와 같이, 본 발명의 태양에 사용되는 키랄 스맥틱 액정(5)은 한 쌍의 기판(3)에서의 경계면 사이에서 Iso-SmA 상 전이 온도의 편차를 가짐으로써, 그의 Iso-SmA 상 전이는 두 기판(3) 중 어느 하나의 경계면으로부터 시작하게 된다. 또한, 0.96≤dmin/dA, 바람직하게는 0.99≤dmin/dA특성으로 인해, 층 법선 방향에서 양호한 평면내 균일성을 가지면서 Ch상 비발현 액정을 배향시킬 수 있으므로, 증가된 겉보기 틸트(tilt) 각을 갖는 균일한 배향 상태를 제공할 수 있다. 결과적으로, 휘도가 크고 콘트라스트도 큰 키랄 스멕틱 액정 소자를 제공할 수 있다.
제3도에 도시된 본 발명의 또 다른 태양에서, 스멕틱 액정(16)에서 0.96≤dmin/dA, 바람직하게는 0.99≤dmin/dA의 특성이 부여되고 기판들(11a 및 11b) 중 어느 하나에는 단일 축 배향 필름(14a 및 14b)이 제공됨으로써, 층 경사각이 존재한다하더라도 작고 책꽂이형 층 구조에 유사한 배향 상태를 실현시킬 수 있다. 보다 특히, 스멕틱 액정은 그것이 Ch상을 갖지 않는다고 할지라도 스멕틱 층의 법선 배향 방향에서 양호한 평면내 균일성이 부여되어 증가된 겉보기 틸트각을 갖는 균일한 배향 상태를 제공할 수 있다. 결과적으로, 본 발명에 따른 액정 소자는 측정된 휘도 및 콘트라스트에 있어서 또한 표면 기억이 거의 없다는 점에서 개선된 표시 특성을 가지며, 따라서 안정한 상태 사이의 전환을 위한 한계에 있어서의 변동이 억제됨에 기인한 개선된 구동 특성을 갖는다.
이하 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
[제1실시 태양]
제1도는 본 발명의 한 태양에 따른 강유전성 액정 소자(셀)의 개략적 단면도이다.
제1도에서, 소자는 각각 SnO2, In2O3또는 ITO(인듐 주석 산화물)와 같은 투명 전도체로 이루어진 대향 전극(1)들을 포함한다. 대향 전극들(1) 중의 적어도 하나는 사방 증착층, 도찰된 유기 중합체 층, 또는 LB(Langmuir-Blodget) 필름 등으로 이루어진, 액정을 배향시키기 위한 단일축 배향 필름(2)로 피복되어 있다. 예를 들어, SiN, SiO 또는 TiSi와 같은 절연층을 배치시킬 수도 있다. 전극(1)과 배향 필름(2)는 한 쌍의 기판(3) 상에 배치되며, 이들 기판 사이에 강유전성을 나타낼 수 있는 액정(5)가 배치된다. 기판(3) 사이의 간격은 그들 사이에 배치된 스페이서(도시되지 않음)에 의해 유지되며, 기판의 말단부는 셀 구조를 제공하기 위해 밀폐되어 있다. 셀은 교차 니콜(nicol) 안에 배치된 한 쌍의 편광자(6) 사이에 끼워져 있다. 대향 전극(1)에는 전압 공급(10)에 의한 납 전선(9)를 통하여 구동 신호가 공급된다. 이와 같이 구성된 액정 소자는 표시 화면을 형성시키기 위해 광원(11)으로부터의 광 투과를 조절하기 위해 구동시킬 수 있다.
이러한 태양에서, 강유전성 액정(5)는 키랄 스멕틱 상으로 존재하는 키랄 스멕틱 액정으로 이루어지며, 이러한 키랄 스멕틱 액정은 Ch상을 가지지 않으며, 또한 층간격이 SmA-SmC*상 전이 온도 부근에서 최대치 dA를 나타내는 제1전이점과, 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시에 층간격이 최소 dmin을 나타내며 증가하기 시작하는 제2전이점을 나타내고, dmin및 dA가 0.99≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖는다.
특정한 예로서, 하기 FLC-A 및 TKF(상표명, Teikoku kagaku K.K.로부터 입수할 수 있는 강유전성 액정 혼합물)를 실시예 1 및 비교예 1에서 사용하였다.
상기 액정 물질 FLC-A는 하기 성분들을 각각 지시된 중량부로 함유하는 혼합물이었다.
이 태양에서, 한 쌍의 기판(3)에는 이들과 접촉되어 있는 액정 중 Iso-SmA 상 전이 온도의 차이를 제공하기 위해 비대칭 특성이 제공되어 있다. 이는, 예를 들어 투명 전극의 두께를 변화시키거나, 기판(3)의 한 쪽에 절연 필름을 배치시키거나, 절연 필름의 두께를 변화시키거나 두 기판에 상이한 형의 절연 필름을 사용하여 달성할 수 있다.
상기 구성된 액정 셀 중 액정(5)는 두 기판(3) 상의 경계면에서 Iso-SmA 상 전이 온도의 차이를 갖게 되며, 따라서 Iso-SmA 상 전이는 두 기판 중 어느 한 경계면으로부터 시작된다. 더우기, 0.96≤dmin/dA보다 바람직하게는 0.99≤dmin/dA의 특성의 결과로서, 액정(5)는 Ch상을 갖지 않더라도 층 법선 방향에서 양호한 평면내 균일성을 갖게 되며, 따라서 증가된 겉보기 틸트각과 함께 균일한 배향을 갖게 된다. 결과적으로, 후술되는 실시예에서 입증되는 바와 같은 증가된 휘도 및 콘트라스트를 갖는 강유전성 액정 소자를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 액정 소자를 특성화하는 여러가지 매개 변수들은 다음과 같은 방법으로 측정된 값들에 기초하는 것이다.
[상 전이 온도]
각각의 기판 경계면에서 비대칭 특성을 갖는 한 쌍의 기판을 갖는 목적하는 액정 셀의 상 전이 온도는, 목적 셀의 어느 한 쪽 기판의 특성과 같은 특성을 갖는 한 쌍의 기판을 갖는 대조 셀을 제조하고, 대조 셀의 상 전이 온도를 목적하는 셀의 각각의 기판의 상 전이 온도를 나타내는 것으로 측정하여 수득할 수 있다.
표본 셀의 Iso-SmA 상 전이 온도는 온도 조절기(Mettler FP-80) 및 가열기(FP-82)를 사용하여 표본 셀을 Iso-SmA 상 전이 온도보다 약 10℃ 높은 온도에서 5분간 유지시킨 다음, -1℃/분의 속도로 셀을 서서히 냉각시켜 SmA의 배턴네트가 나타나는 온도를 찾음으로써 수행하였다.
[콘트라스트]
표본 셀을 90°교차된 니콜 편광자 사이에 배치시키고, 전환에 충분히 큰 크기를 갖는 1회의 펄스를 공급한다. 이어서 90°교차된 니콜 편광자를 회전시켜 소광 위치(가장 어두운 상태)를 찾고, 어두운 상태의 투과도를 측정하기 위해 셀을 통해 투과된 광선을 흡수하는 광전자 증배관의 출력을 측정한다. 이어서, 셀에 전환에 충분히 큰 크기의 역극성의 펄스를 공급하고, 밝은 상태의 투과도를 측정하기 위해 셀을 통해 투과된 광선을 흡수하는 광전자 증배관의 출력을 측정함으로써 명상태 투과와 암상태 투과 사이의 비율로서 콘트라스트를 수득한다. 광 간섭 상태에서 광전자 증배관의 출력으로부터 대조 투과도 0%가 얻어지며, 평행-니콜 편광자를 통해 투과된 광선을 흡수하는 광전자 출력으로부터 대조 투과도 100%가 얻어진다.
[프리틸트각 α]
측정은 문헌 [Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 119(1980), No. 10, Short Notes 2013]에 기술된 바와 같은 결정 회전법에 따라 수행하였다.
보다 상세히 설명하면, 한 쌍의 표본 기판을 각각에 대하여 두 기판에서의 액정 분자 기울기가 서로 평행이고 동일하도록 배치시켜 셀을 형성시킨 다음, 여기에 80 중량%의 강유전성 액정(CS-1014, Chisso K.K. 생산) 및 20 중량%의 하기 일반식의 화합물을 혼합시켜 수득한, 온도 범위 10 내지 55℃에서 SmA 상을 나타내는 표준 액정 혼합물을 채웠다.
측정 방법은, 액정 셀을 한 쌍의 기판에 수직이며 배향 처리 축을 포함하는 평면에서 회전시키고, 회전중 회전 평면에 수직인 방향에서 회전 평면에 대하여 45°의 각을 형성하는 편광 평면을 갖는 헬륨-네온 레이저 비임을 조사함으로써, 편광 평면에 평행한 투과 축을 갖는 편광자를 통한 반대편으로부터의 포토다이오드에 의해 투과된 광의 강도를 측정하였다.
이와 같이 얻어진 간섭 곡선 중 쌍곡선 군의 중심점을 제공하기 위한 셀에 수직인 면과 비임 입사 방향 사이의 각 φx을 하기 식에 대입하여 프리틸트 각 α를 구하였다.
상기 식에서, no는 정상적 선의 굴절률을 나타내고, ne는 비정상적 선의 굴절률을 나타낸다.
[층 간격 d 및 층 경사각δ]
사용된 방법은 근본적으로 클라크 및 라저월(Clark and Largerwal)에 의해 사용된 방법[참조:Japan Display '86, Sept. 30-Oct. 2, 1986, p.p. 456-458] 또는 오우치(Ohuchi) 등의 방법[참조:Japanese Journal of Applied Physiscs, 27(5)(1988), p.p. 725-728]과 유사하였다. 측정은 회전 대음극 X-선 회절 장치(MAC Science로부터 입수 가능) 및 분석 선으로서 CuK α선을 이용하여 수행하였다. 표본 셀은 유리 기판에 의한 X-선 흡수를 최소화시키기 위해 기판으로서 80㎛-두께의 유리 시이트(상표명 마이크로시이트, Corning Glass Works로부터 입수 가능)를 사용하였고, 나머지는 목적 액정 셀을 제조하는 것과 유사한 방법으로 하여 제조하였다.
액정 층 간격 d를 측정하기 위하여 벌크 액정을 표본 유리 시이트상에 놓고 통상의 분말 X-선 회절법과 유사한 방법으로 2θ/θ 스캐닝 처리하였다. X-선 강도의 피크를 제공하는 측정된 각으로부터, d의 값을 상기한 참조 문헌에 기술된 방법에 따라 계산하였다. 상기 단계들을 상이한 온도에서 수회 반복하여 제2도에 도시된 바와 같은 층 간격의 온도 의존성을 수득하였다.
한편, 층 경사각 δ의 측정을 위하여 기판으로서 상기한 80㎛-두께 유리 시이트를 사용하고 배향 처리를 위해 서서히 냉각시켜 1.5㎛-갭 셀을 제조하였다. 이어서, 상기한 층 간격을 수득하기 위해 X-선 검출기를 2θ 각도로 조정하고, 상기 제조된 선을 θ-스캐닝 처리하였다. 측정된 값으로부터 상기 참조 문헌에 기재된 방법에 따라 δ를 계산하였다.
이하 상기한 특성들을 갖는 실시예의 몇몇 특별한 소자 및 비교예 1의 소자에 대해 기술한다.
[실시예 1]
각각 약 150㎚ 두께의 ITO 필름을 갖는 두 개의 1.1㎜ 두께의 유리 기판을 준비하고, 이중 하나를 20초간 2,000rpm에서 스핀 코팅(spin coating)에 의해 NMP/nBC 혼합물(1/1) 중의 1.5 중량%의 폴리이미드 전구체(Hitachi Kasei K.K. 제조의 LQ1802) 용액으로 코팅시킨 후, 270℃에서 약 1시간 동안 핫 베이킹(hot baking)시켜 두께 20㎚의 제1배향 필름을 형성시켰다. 도 다른 기판을 20초간 2,700rpm에서 스핀 코팅에 의해 NMP/nBC 혼합물(2/1) 중의 1.0 중량%의 폴리이미드 전구체(Toray K.K.에서 제조한 LP64) 용액으로 코팅시킨 후, 200℃에서 약 1시간 동안 핫 베이킹시켜 두께 10㎚의 제2배향 필름을 형성시켰다. 이어서 상기와 같이 형성된 제2배향 필름을 나일론사-폴레이티드 직물(nylon yarn-plated cloth)을 사용하여 한 방향으로 도찰시켰다. 평균 직경이 1.5㎛인 알루미나 스페이서 비드(bead)를 한쪽 기판 위에 산포시키고, 다른 기판을 그 위에 포개어 블랭크 셀(blank cell)을 형성시켰다.
이어서, 이 셀을 상기 언급한 등방성 상의 액정 물질을 사용하여 진공 주입에 의해 충전시키고 0.6℃/분의 속도로 서서히 실온으로 냉각시켜, 액정 셀을 형성시켰다(첨언하면, 액정 물질은 급냉하에서 조차 균일하게 배열될 수 있는 특성을 갖는다). 액정 셀을 한 쌍의 90도 교차 니콜 편광자 사이에 삽입시키고, 30 볼트, 50μ초의 펄스를 공급한 후, 90도 교차 니콜 편광자를 소광 위치(가장 어두운 상태)로 고정시켜 이 상태에서의 투과도를 광전자증배관으로 측정하였다. 이어서, 셀에 -30 볼트, 50μ초의 반대 극성 펄스를 공급하였다. 이어서 이러한 상태(밝은 상태)에서의 투과도를 광전자 증배관으로 측정하였다. 이 후, 90도 교차 니콜 편광자를 각 2θa로 회전시켜 소광 위치를 다시 찾아냄으로써 겉보기 틸트각 θa를 수득하였다. 결과적으로, 틸트각 θa는 약 12°로 측정되고, 가장 어두운 상태에서의 투과도는 0.15%이고, 밝은 상태에서의 투과도는 15%이었으며 따라서 콘트라스트 비는 100:1이었다.
별도로, 상전이 온도 측정을 위한 셀을 상기와 동일한 방법으로 제조하되, 단비도찰 제1배향 필름(LQ1802)을 양 기판상에 형성시키고, 상기와 동일 방식으로 상전이 온도를 측정하였으며, 이것에 의해 Iso-SmA상 전이 온도는 78.0℃임이 밝혀졌다. 더욱 냉각시키자 SmA*상의 배향은 랜덤 배향 상태로 되었다. 또한, 또 다른 상 전이 온도 측정용 셀을 상기와 동일한 방법으로 제조하되 단, 도찰 제2배향 필름(LP64)을 양 기판상에 형성시키고, 이 두 기판을 이들의 도찰 방향이 서로 평행하고 동일하도록 서로 포개었다. 측정된 Iso-SmA 상 전이 온도는 79,8℃이었다. 더욱 냉각시키자 얻어진 SmC*상의 배향 상태는 줄 무늬상 결함을 수반하였다. 상기 결과로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 균일 배향은 기판의 양 경계면에서 Iso-SmA 상 전이 온도 차이가 1.8℃가 되도록 비대칭적 방법으로 제조된 기판 한 쌍을 사용함으로써 달성될 수 있었다. 또한, 점진적 냉각 속도에 의해 실질적으로 영향받지 않고 균일 배향을 제공할 수 있기 위해서는 Iso-SmA 상 전이 온도 차이가 일반적으로 적어도 0.5℃ 이상이어야 함을 밝혀냈다.
또한, 플리틸트각 측정용 셀을 상기와 동일한 방법으로 제조하되, 단 각각 비도찰 제1배향 필름(LQ1802)을 갖는 기판 한 쌍을 이들 사이의 간격이 20㎛가 되도록 포개었다. 프리틸트각 측정은 액정이 소광 위치를 갖지 않는 호메오트로픽(homeotropic) 배향으로 배향되는 상기한 방법으로 수행하였으며, 프리틸트각은 약 90°이었다.
또한, 또 다른 프리틸트각 측정용 셀을 상기와 유사한 방법으로 제조하되, 단 양 기판에 도찰된 제2배향 필름을 제공하고 이들의 도찰 방향이 서로 평행하고 반대 방향이 되도록 서로 포개었다. 상기 방법 중의 결정 회전법에 의해 측정한 결과, 셀은 약 2°의 프리틸트각을 나타내었다.
[실시예 2]
각각 약 150㎚ 두께의 ITO 필름을 갖는 두 1.1㎜ 두께의 유리 기판을 각각 20초 동안 2,000rpm에서 스핀 코팅에 의해 NMP/nBC의 혼합물(1/1) 중의 1.5 중량%의 폴리이미드 전구체(히타치 카세이사가 제조한 LQ1802) 용액으로 zh팅시킨 후, 270℃에서 약 1시간 동안 핫 베이킹시켜 20㎚ 두께의 배향 필름을 형성시켰다. 이어서, 한 쪽 기판상의 배향 필름을 나일론사-플레이티드 직물로 피복된 도찰 롤러 사용하여, 도찰 롤러의 압착 깊이가 0.4㎜, 회전 속도가 1,000rpm 및 기판 공급 속도가 20㎜/초인 조건하에서 한 방향으로 도찰시켜 제1유형 기판을 형성시키고, 다른 기판상의 배향 필름을 이와 유사한 방법으로 도찰시키되, 단 압착 깊이가 0.25㎜, 회전 속도가 1,000rpm 및 기판 공급 속도가 50㎜/초인 조건하에서 수행하였다. 이후, 평균 직경 1.5㎛의 알루미나 스페이서 비드를 한쪽 기판상에 산포시키고, 다른 기판을 이들의 도찰 방향이 서로 평행하고 동일하도록 그위에 포개어 블랭크 셀을 형성시켰다.
이어서, 셀을 상기한 등방성 상의 액정 물질 FLC-A를 사용하여 진공 주입에 의해 충전시킨 후, 1.0℃/분의 속도로 서서히 실온으로 냉각시켜 액정 셀을 형성시켰다.
이 액정 셀을 한 쌍의 90도 교차 니콜 편광자 사이에 삽입시키고, 실시예 1과 동일한 방법으로 콘트라스트 및 겉보기 틸트각을 측정하였는 바, 틸트각 θa는 약 11.5도, 가장 어두운 상태에서의 투과도는 0.16%, 밝은 상태에서 투과도는 14%이었으며, 따라서 88:1의 콘트라스트 비를 제공하였다.
별도로, 상전이 온도 측정을 위한 셀을 상기와 동일한 방법으로 제조하되, 단 제1유형 기판인 두 시이트를 사용하였으며 셀 중의 액정은 78.5℃의 Iso-SmA상 전이 온도 및 SmC*상 중의 랜덤 배향을 보였다.
또한, 또 다른 상 전이 온도 측정용 셀을 상기와 동일한 방법으로 제조하되, 단 제2유형 기판인 두 시이트를 사용하였으며, 셀 중의 액정은 79.5℃의 Iso-SmA 상 전이 온도 및 SmC*상 중의 결함이 있는 균일 배향 상태를 보였다.
또한, 프리틸트각 측정용 셀을 상기와 유사한 방법으로 제조하되, 단 제1유형 기판인 두 사이트를 이들 사이의 간격이 20㎛가 되고 이들의 도찰 방향이 서로 평행하면서 반대 방향이 되도록 포개었으며, 프리틸트각 측정을 상기한 방법으로 수행한 결과 프리틸트각은 58도로 측정되었다. 마찬가지로, 또 다른 프리틸트각 측정용 셀을 상기와 유사한 방법으로 제조하되, 단 제2유형 기판인 두 시이트를 사용하였고, 이에 따라 프리틸트각은 약 6도로 측정되었다.
[실시예 3]
각각 약 100㎚ 두께의 ITO 필름을 갖는 두 1.1㎜ 두께의 유리 기판을 준비하고, 이중 하나를 20초 동안 2,700rpm에서 스핀 코팅에 의해 NMP/nBC의 혼합물(2/1) 중의 1.0 중량%의 폴리이미드 전구체(토레이사가 제조한 LP64) 용액으로 코팅시킨 후, 200℃에서 약 1시간 동안 핫 베이킹시켜 10㎚ 두께의 배향 필름을 형성시켰다. 다른 기판을 스핀 코팅에 의해 형성된 30㎚ 두께의 실란 커플링제의 배향 필름으로 코팅시켰다. 두 기판상의 배향 필름을 각각 나일론사-플레이티드 직물을 사용하여 한 방향으로 도찰시키고, 이에 따라 각각 제1유형 및 제2유형 기판을 제공하였다. 이어서, 평균 직경 1.5㎛의 알루미나 스페이서 비드를 한쪽 기판상에 산포시키고, 다른 기판을 이들의 도찰 방향이 서로 평행하고 동일하도록 포개어 놓음으로써 블랭크 셀을 형성시켰다. 이어서, 셀을 상기한 등방성상 중의 FLC-A로 충전시키고, 1.0℃/분의 속도로 서서히 실온으로 냉각시켜, 균일 배향을 보이는 액정 셀을 형성시켰다.
그러나, 액정 셀을 90℃로 재가열시킨 후 급속히 실온으로 냉각시키는 경우 배향의 균일성이 손상되었다.
실시예 1과 동일한 방법으로 측정한 결과, 액정 셀은 85:1의 콘트라스트 비를 보였다.
별도로 상 전이 온도 측정용 셀을 상기한 방법과 동일하게 제조하되, 단 제1유형 기판인 두 시이트를 사용하였는데, 셀 중의 액상 결정은 79.7℃의 Iso-SmA상 전이 온도 및 SmC*상중 줄무늬 결함을 갖는 배향을 보였다. 또 다른 셀을 제2유형 기판인 두 시이트를 사용하여 제조하였는데, 이에 따라 셀중의 액상 결정은 79.5℃의 Iso-SmA 상 전이 온도 및 SmC*상 중의 랜덤 배향 상태를 보였다.
또한, 프리틸트 측정용 셀을 상기와 동일한 방법으로 제조하되, 단 제1유형 기판인 두 시이트를 이들 사이의 간격이 20㎛가 되고 이들의 도찰 방향이 서로 평행하고 반대 방향이 되도록 포개어 상기 방법으로 프리틸트각을 측정한 결과, 프리틸트각은 1.8도로 측정되었다. 마찬가지로, 또다른 프리틸트각 측정용 셀을 제2유형 기판인 두 시이트를 사용하여 유사한 방법으로 제조한 결과, 프리틸트각이 0.5도로 측정되었다.
[비교예 1]
블랭크 셀을 실시예 3과 동일한 방법으로 제조하고, 상기한 등방성 상의 액정 물질 TKF-8616으로 충전시킨 후, 1.0℃/분의 속도로 서서히 실온으로 냉각시켜 액정 셀을 형성시켰다.
액정 셀을 한 쌍의 편광자 사이에 삽입시키고 콘트라스트 및 겉보기 틸트각을 실시예 1과 동일한 방법으로 측정한 결과, 틸트각 θa는 약 7도, 가장 어두운 상태의 투과도는 1.8%, 밝은 상태의 투과도는 11%이었고, 따라서, 6:1의 콘트라스트비를 제공하였다. 배향 상태는 균일 배향 상태가 아니었다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 액정 소자의 실시 태양에 있어서, Ch상을 갖지 않는 강유전성 액정은 스멕틱 층의 법선 방향의 양호한 평면내 균일성 및 큰 겉보기 틸트각을 보이는 균일한 배향 상태를 갖는다. 따라서, 높은 휘도 및 콘트라스트를 포함하는 양호한 표시 특성을 갖는 강유전성 액정 소자를 제공할 수 있다.
[제2실시 태양]
제3도는 본 발명의 또 다른 실시 태양에 따른 강유전성 액정 소자(셀)의 단면도이다.
제3도에 있어서, 소자는 각각의 기판상에 In2O3, ITO(인듐 주석 산화물) 등의 투명 전극(12a 및 12b), 단락 회로(short circuit) 방지층(13a 및 13b) 및 배향 필름(14a 및 14b)를 갖는 한 쌍의 기판(11a 및 11b)를 포함한다. 배향 필름(14a 및 14b) 사이의 간격은 스페이서 비드(15)에 의해 고정된다. 배향 필름(14a 및 14b) 사이에, 키랄 스멕틱 액정(16)이 배치된다. 이와 같이 형성된 셀 구조는 기판(11a 및 11b) 외부에 배치된 한 쌍의 편광자(17a 및 17b) 사이에 삽입된다.
배향 필름(14a 및 14b)는 함께 키랄 스멕틱 액정(16)을 단일축 방향으로 배향시키는 기능을 한다. 이들 중, 한쪽 기판(11a) 상의 배향 필름(14a)을 단일축 배향 처리시키며, 이 필름은 200℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는 수지 또는 폴리이미드로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 다른 기판(11b)상의 배향 필름(14b)는 단독으로 액정의 랜덤 배향 상태를 제공할 수 있는 배향 필름이다.
키랄 스멕틱 액정(16)은 키랄 스멕틱 C상(SmC*), H상(SmH*), I상(SmI*), K상(SmK*) 또는 G상(SmG*)과 같은 키랄 스멕틱 상중 Ch상을 나타내지 않는 액정으로 이루어진다.
이 실시 태양에 사용되는 강유전성 액정(16)은 SmA-SmC*상 전이 온도 부근에서 층 간격이 최대 값 dA를 나타내는 제1전이점 및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 층 간격이 최소 값 dmin을 나타내면서 증가하기 시작하는 제2전이점을 보이며, dmin및 dA의 관계가 0.96≤dmin/dA, 바람직하게는 0.99≤dmin/dA를 만족시키는 것과 같은 층 간격 변화 특성을 가질 수 있다.
본 실시 태양에 다른 특정 실시예에서, 상기 제1실시 태양에 사용된 것과 동일한 액정 물질 FLC-A를 사용하였다.
상기 액정 소자는 이중 안정 상태 사이에서 증가된 겉보기 틸트각을 제공하기 위해 교류 전압 인가 처리를 받을 수 있다.
제3도에 나타낸 액정 소자에 있어서, 키랄 스멕틱 액정(16)은 0.96≤dmin/dA, 바람직하게는 0.99≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 가지고, 배향 필름(14a 및 14b)는 상기 특성을 만족시키며, 따라서 작은 층 경사각과 책꽂이형 층 구조에 가까운 배향 상태를 구현할 수 있다. 즉, 키랄 스멕틱 액정(16)은 Ch상을 갖지는 않지만, 스멕틱 층 법선의 방향에서 양호한 평면내 균일성 또는 일률성을 가질 수 있으며(즉, 액정은 소자의 수직 평면 연장선상 어떤 부분에서나 동일한 층 법선 방향의 배향을 제공하는 상태로 스멕틱 층중에 배향된다), 증가된 겉보기 틸트각과 더불어 균일한 배향 상태를 나타낸다. 결과적으로, 증가된 휘도 및 콘트라스트를 포함하는 개선된 표시 특성 및 이하 기재될 실시예에서 설명하게 되는 바와 같이, 표면 기억의 실질적 제거 및 두 안정한 상태 사이의 전환 한계에 있어서의 변동의 억제로 인한 증가된 구동 특성을 갖는 강유전성 액정 소자를 제공하는 것이 가능해졌다.
본 발명의 상기 실시 태양에 따른 액정 소자를 추가로 특성화하는 몇몇 변수들은 하기의 방법으로 측정된 값에 기초한다.
[참 틸트각 ⓗ]
충분한 크기의 이극성 펄스(예를 들면, 단일 펄스에 대한 한계값이 10 볼트 및 50㎲인 경우 10 볼트 및 100㎐의 교류 펄스)를 직교 니콜 편광자 사이에 삽입된 액정 소자 표본에 공급하고, 광전자 증배관에 의해 소자로부터의 광학적 응답을 관찰하면서 직교 편광자를 회전시켜 두 전환 상태에 상응하는 두 소광 위치를 찾는다. 두 소광 위치 사이에서 직교 니콜 편광자의 측정된 회전각의 절반이 참 틸트각 ⓗ로서 얻어진다.
[표면 기억(방치 단일안정성)]
각각 복수의 스트라이프(stripe) 전극이 제공된 한 쌍의 기판을 사용하여, 두 화소 a 및 b를 포함하는 한 쌍의 기판상에서 스트라이프 전극의 교차점에서 복수의 화소가 형성되도록 기판을 서로 위치시키며, 기판 사이에 액정을 배치시킴으로써 매트릭스 표시 패널을 형성시킨다. 초기 단계에서 화소 a 및 b를 안정 상태 A로 부터 안정상태 B 및 그 역순으로 전환시켜 각각의 한계값 VI(A-B)및 VI(B-A)를 측정하는데, 이는 상태 A에서 상태 B로의 전환 한계값 및 상태 B에서 상태 A로의 전환 한계값을 의미하고, 또한 이것에 의해 상기 단계에서의 이중안정 상태를 확인한다. 이어서, 화소 a 및 b를 각각 안정 상태 A 및 B에 두고, 30℃에서 3일 동안 각각의 상태로 유지시킨다. 두 안정 상태 A 및 B 사이의 전환 한계값을 화소 a 및 b에 대해 별도로, 즉 A에서 방치시킨 후 A에서 B로의 전환에 대한 한계값으로 VA(A-B), B에서 방치시킨 후 A에서 B로의 전환에 대한 한계값으로서 VB(A-B), B에서 방치시킨 후 B에서 A로의 전환에 대한 한계값으로서 VB(B-A)및 A에서 방치시킨 후 B에서 A로의 전환에 대한 한계값으로서 VA(B-A)및 초기 단계에서 A에서 B로의 전환에 대한 한계값으로 VI(A-B)를 측정한다. 표면 기억을 평가하기 위한 매개 변수 PA-B및 PB-A를 상기 측정된 값으로부터 다음과 같이 산출한다.
두 매개 변수 PA-B및 PB-A는 이들 값이 보다 작은 경우 표면 기억이 보다 작고, 보다 큰 경우에는 표면 기억이 보다 큼을 의미한다.
[실시예 4]
150㎚ 두께의 ITO 필름이 각기 제공된 두개의 1.1㎜ 두께의 유리 기판을 준비하고, 이중 하나를 NMP(N-메틸피롤리돈) 중의 4 중량%의 폴리아믹산(polyamic acid) 용액으로 코팅한 후, 270℃에서 베이킹시켜 하기 일반식의 폴리이미드 A의 20㎚ 두께의 배향 필름을 형성시켰다.
폴리이미드 배향 필름을 압착 깊이가 0.4㎜, 롤러 회전 속도가 1,000rpm 및 기판 공급 속도가 10㎜/초인 조건하에서 나일론 도찰용 직물로 한 방향으로 도찰시켜 제1유형 기판을 얻었다.
다른 기판을 스핀 코팅에 의해 3㎚ 두께의 실란 커플링제 층으로 코팅하고, 압착 깊이가 0.2㎜, 롤러 회전 속도가 500rpm 및 기판 공급 속도가 50㎜/초인 조건하에서 나일론 도찰용 직물을 사용하여 한 방향으로 도찰시킴으로써 제2유형 기판을 얻었다.
두 기판을 이들 사이에 3㎛ 직경의 실리카 스페이서 비드를 배치시켜 이들의 도찰 방향이 서로 평행하고 반대가 되도록 포갬으로써 블랭크 셀을 형성시킨 후, 등방성 상의 액정 물질 FLC-A로 충전시키고, 30℃로 냉각시켜 액정 셀을 형성시켰다. 셀의 배향 상태 및 소자 성능을 평가하였다. 그 결과, 셀은 제4도(250배 확대의 편광 현미경 사진)에 나타난 바와같이, 스멕틱 층 법선 방향으로 양호한 평면내 균일성을 보였다. 또한, 셀은 50의 콘트라스트 및 40μ초의 응답 시간(±15 볼트의 이극성 펄스를 사용)을 보였다.
이어서, 표면 기억(방치 단일안정성)을 40μ초 펄스폭(ΔT)의 단일 펄스를 사용하여 상기한 방법에 따라서 평가한 결과, PA-B는 0.06 및 PB-A는 0.05이었고, 이는 실질적으로 표면 기억이 없음을 나타낸다.
별도로, 셀을 제2유형 기판인 두 시이트를 사용하여 상기한 것과 유사한 방법으로 제조한 결과, 셀중의 FLC-A는 랜덤한 배향을 보였다.
[실시예 5]
액정 셀을 실시예 4와 같이 제조하고 평가하되, 단 실란 커플링제로 코팅한 제2유형 기판을 도찰시키지 않았다. 이 결과로서, 셀은 제5도(250 배율의 편광 현미경 사진)에서 보여지는 바와 같이 스멕틱 층 법선 방향으로 양호한 평면내 균일성을 보였다. 콘트라스는 50이고, 응답시간은 40μ초이었다.
이어서, 표면 기억(방치 단일안정성)을 펄스 폭(ΔT)이 40μ초인 단일 펄스폭을 사용하여 상기한 방법에 따라서 평가한 결과, PA-B는 0.05 및 PB-A는 0.05이었으며, 따라서 실질적으로 표면 기억이 없음을 보여주었다.
[실시예 6]
액정 셀을 실시예 4와 같이 제조하고 평가하되, 단 제2유형 기판을 실란 커플링제를 디신하여 폴리이미드로 코팅하고 도찰을 실시하지 않고 제조하였다. 이 결과로서, 셀은 제6도(250 배율의 편광 현미경 사진)에서 보여지는 바와 같이 스멕틱 층 법선 방향으로 양호한 평면내 균일성을 보였다. 콘트라스는 45이고, 응답시간은 38μ초이었다.
이어서, 표면 기억(방치 단일안정성)을 펄스 폭(ΔT)이 40μ초인 단일 펄스폭을 사용하여 상기한 방법에 따라서 평가한 결과, PA-B는 0.06 및 PB-A는 0.03이었으며, 따라서 실질적으로 표면 기억이 없음을 보여주었다.
[실시예 7]
액정 셀을 실시예 4와 같이 제조하고 평가하되, 단 제2유형 기판을 실란 커플링제를 대신하여 폴리비닐알콜(PVA)로 코팅하고 도찰을 실시하지 않고 제조하였다. 이 결과로서, 셀은 제7도(250 배율의 편광 현미경 사진)에서 보여지는 바와 같이 스멕틱 층 법선 방향으로 양호한 평면내 균일성을 보였다. 콘트라스트는 48이고, 응답시간은 41μ초이었다.
이어서, 표면 기억(방치 단일안정성)을 펄스 폭(ΔT)이 40μ초인 단일 펄스를 사용하여 상기한 방법에 따라서 평가한 결과, PA-B는 0.06이고, PB-A는 0.03이었으며, 따라서 실질적으로 표면 기억이 없음을 보여주었다.
[비교예 2]
액정 셀을 실시예 7과 같이 제조하고 평가하되, 단 제1기판에 대한 폴리이미드 A 배향 필름을 도찰시키지 않았다. 이 결과로서, 셀은 제8도(250 배율의 편광 현미경 사진)에서 보여지는 바와 같이 스멕틱 층 법선 방향으로 불량한 평면내 균일성을 보였다. 또한 암상태에서의 광노출이 인식할 만한 수준이었고, 단지 20%의 면적만이 전환될 수 있었다.
[비교예 3]
액정 셀을 실시예 7과 같이 제조하고 평가하되, 단 두 기판을 PVA로 코팅시킨 후 도찰시켰다. 이 결과로서, 셀은 제9도(250 배율의 편광 현미경 사진)에서 보여지는 바와 같이 스멕틱 층 법선 방향으로 불량한 평면내 균일성을 보였다. 또한 암상태에서의 광노출이 인식할 만한 수준이었고, 단지 30%의 면적만이 전환될 수 있었다.
[비교예 4]
액정 셀을 실시예 7과 같이 제조하고 평가하되, 단 제2기판에 대한 PVA 배향 필름을 도찰시켰다. 이 결과로서, 셀은 제10도(250 배율의 편광 현미경 사진)에서 보여지는 바와 같이 스멕틱 층 법선 방향으로 불량한 평면내 균일성을 보였다. 또한 암상태에서의 광노출이 인식할 만한 수준이었고, 단지 20%의 면적만이 전환될 수 있었다.
[실시예 8]
액정 셀을 실시예 4와 같이 제조하고 평가하되, 단 제2유형 기판을 실란 커플링제를 대신하여 12-나일론(유리 전이점=37℃)으로 코팅시켜 제조하였다. 이 결과로서, 셀은 제11도(250 배율의 편광 현미경 사진)에서 보여지는 바와 같이 스멕틱 층 법선 방향으로 양호한 평면내 균일성을 보였다. 콘트라스트는 50이었고, 응답 시간은 45μ초이었다.
이어서, 표면 기억(방치 단일안정성)을 펄스 폭(ΔT)이 40μ초인 단일 펄스를 사용하여 상기한 방법에 따라서 평가한 결과, PA-B는 0.32이고, PB-A는 0.27이었으며, 따라서 표면 기억이 수용할 만한 수준임을 보여주었다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 키랄 스멕틱 액정의 본 실시 태양에 따르면, Ch상을 갖지 않는 키랄 스멕틱 액정은 스멕틱 층 법선 방향에 대하여 양호한 평면내 균일성을 갖고 큰 겉보기 틸트각을 보이는 균일한 배향으로 배향된다. 이 결과로서, 증가된 휘도 및 콘트라스트를 포함하는 개선된 표시 특성 및 표면 기억의 실질적 부재 및 두 안정 상태 사이의 전환에 대한 한계값에 있어서 억제된 변동이라는 개선된 소자 특성을 갖는 강유전성 액정 소자를 제공하는 것이 가능해졌다. 따라서, 본 발명에 따르면, 탁월한 표시 특성 및 소자 특성을 갖는 신뢰도가 높은 액정 소자를 제공하는 것이 가능하다.
[실시예 9]
제12도는 dmin/dA≥0.96을 만족시키는, 상기 실시예에서 사용된 액정 물질 FLC-A의 온도 의존성 층 간격 변화 특성을 보여주는 그래프이다. 제13도는 dmin/dA≥0.96을 만족시키지 않는 비교예 1에서 사용된 액정 물질 TKF-8616을 보여주는 그래프이다.
본 실시예 9에 있어서, 다양한 dmin/dA값을 갖는 10가지 액정 조성물을 상기한 액정 혼합물 FLC-A 중의 하기 이합체형 화합물의 양을 변화시킴으로써 제조하였다.
이어서, 10개의 표본 셀을 상기 실시예 4와 동일한 방법으로 제조하되, 단 상기와 같이 제조된 액정 조성물을 사용하였다. 표본 셀을 특성화하는 매개 변수 및 그의 평가 결과를 하기 표 1에 요약하였다.
결과는 다음과 같은 기준에 따라 평가하였다.
A:매우 우수함.
B:종래 수준보다 우수.
C:소자에 대한 허용가능한 최소 수준.
표 1에 나타낸 평가 결과에 있어서, 일부 표본 셀이 표면 기억 및 평면 방향에 있어서의 액정 분자 이동이라는 점에서 우수한 결과를 보여주었는데, 지금까지 이들 특성은 본래 서로 상반되어서, 이들 성능을 함께 충족시키기 어려운 것으로 믿어져 왔었다. 그러나, 이들 성능은 상기한 범위내로의 dmin/dA의 조절 및 표 1에 나타낸 기판에 있어서의 비대칭 특성으로 인하여, 일부 표본 셀에 의해 동시에 충족될 수 있었다.

Claims (14)

  1. 각각 한쪽 표면상에 투명 전극을 갖는 한 쌍의 기판 및 이들 기판 사이에 배치된 액정으로 이루어진 액정 소자에 있어서, 상기 액정은 콜레스테릭 상을 나타내지 않으며, SmA 상으로부터 SmC*상으로의 전이 온도 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 제1 전이점에서 층 간격 dA및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 제2전이점에서 층 간격 dmin을 제공하며, dA및 dmin이 0.96≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖고, 상기 한쌍의 기판은 액정과의 경계면에서 상이한 Iso-SmA 상 전이 온도를 제공하기 위한 수단으로서 비대칭 배향 처리되어 있는 것인 액정 소자.
  2. 제1항에 있어서, dmin및 dA가 0.99≤dmin/dA를 만족시키는 액정 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상이한 Iso-SmA 상 전이 온도를 제공하기 위한 수단이 한 쌍의 기판 사이의 비대칭성에 의해 주어지는 액정 소자.
  4. 제3항에 있어서, 한 쌍의 기판에 서로 상이한 배향 필름이 제공되는 액정 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 서로 상이한 배향 필름이 상이한 프리틸트(pretilt) 각을 제공하는 액정 소자.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상이한 Iso-SmA 상 전이 온도가 적어도 0.5℃만큼 차이나는 액정 소자.
  7. 각각 한쪽 표면상에 투명 전극을 갖는 한쌍의 기판 및 이들 기판 사이에 배치된 액정으로 이루어진 액정 소자에 있어서, 상기 액정은 콜레스테릭 상을 나타내지 않으며 SmA 상으로부터 SmC*상으로의 전이 온도 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 제1전이점에서 층 간격 dA및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 제2전이점에서 층 간격 dmin을 제공하며, dA및 dmin이 0.96≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖고, 상기 한쌍의 기판 중 어느 한 쪽에는 액정을 단일축상으로 배향시키기 위한, 유리 전이 온도가 적어도 200℃인 배향 필름이 제공되어 있는 것인 액정 소자.
  8. 제7항에 있어서, dmin및 dA가 0.99≤dmin/dA를 만족시키는 액정 소자.
  9. 각각 한쪽 표면상에 투명 전극을 갖는 한쌍의 기판 및 이들 기판 사이에 배치된 액정으로 이루어진 액정 소자에 있어서, 상기 액정은 콜레스테릭 상을 나타내지 않으며, SmA 상으로부터 SmC*상으로의 전이 온도 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 제1전이점에서 층 간격 dA및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 제2전이점에서 층 간격 dmin을 제공하며, dA및 dmin이 0.96≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖고, 상기 한쌍의 기판 중 어느 한 쪽에 액정 단일축상으로 배향시키기 위한, 폴리이미드로 이루어진 배향 필름이 제공되어 있는 것인 액정 소자.
  10. 제9항에 있어서, dmin및 dA가 0.99≤dmin/dA를 만족시키는 액정 소자.
  11. 각각 한쪽 표면상에 투명 전극을 갖는 한쌍의 기판 및 이들 기판 사이에 배치된 액정으로 이루어진 액정 소자에 있어서, 상기 액정은 콜레스테릭 상을 나타내지 않으며, SmA 상으로부터 SmC*상으로의 전이 온도 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 제1전이점에서 층 간격 dA및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 제2전이점에서 층 간격 dmin을 제공하며, dA및 dmin이 0.96≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖고, 상기 한쌍의 기판 중 어느 한 쪽에는 유리 전이 온도가 적어도 200℃인 단일축 배향 필름이 제공되어 있고, 다른 한쪽에는 단독으로 액정의 랜덤(random)한 배항 상태를 제공할 수 있는 배향 필름이 제공되어 있는 것인 액정 소자.
  12. 제11항에 있어서, dmin및 dA가 0.99≤dmin/dA를 만족시키는 액정 소자.
  13. 각각 한쪽 표면상에 투명 전극을 갖는 한쌍의 기판 및 이들 기판 사이에 배치된 액정으로 이루어진 액정 소자에 있어서, 상기 액정은 콜레스테릭 상을 나타내지 않으며, SmA 상으로부터 SmC*상으로의 전이 온도 부근에서 온도 하강시 액정의 층 간격이 감소하기 시작하는 제1전이점에서 층 간격 dA및 제1전이점으로부터의 더 이상의 온도 하강시 액정의 층 간격이 증가하기 시작하는 제2전이점에서 층 간격 dmin을 제공하며, dA및 dmin이 0.96≤dmin/dA를 만족시키는 층 간격 변화 특성을 갖고, 상기 한쌍의 기판 중 어느 한 쪽에는 폴리이미드로 이루어진 단일축 배향 필름이 제공되어 있고, 다른 한쪽에는 단독으로 액정의 랜덤한 배향 상태를 제공할 수 있는 배향 필름이 제공되어 있는 것인 액정 소자.
  14. 제13항에 있어서, dmin및 dA가 0.99≤dmin/dA를 만족시키는 액정 소자.
KR1019940019174A 1993-08-03 1994-08-03 액정 소자 KR0153395B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21226593 1993-08-03
JP93-212264 1993-08-03
JP93-212265 1993-08-03
JP21226493 1993-08-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR0153395B1 true KR0153395B1 (ko) 1998-11-16

Family

ID=26519109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940019174A KR0153395B1 (ko) 1993-08-03 1994-08-03 액정 소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5825447A (ko)
EP (1) EP0637622B1 (ko)
JP (1) JP3179976B2 (ko)
KR (1) KR0153395B1 (ko)
DE (1) DE69410890T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200487712Y1 (ko) 2018-06-19 2018-10-24 김주원 수술용 쉐이버

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5933128A (en) * 1995-05-17 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Chiral smectic liquid crystal apparatus and driving method therefor
JPH09113938A (ja) * 1995-10-13 1997-05-02 Sony Corp 液晶光学素子
US5932136A (en) * 1995-10-20 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and liquid crystal apparatus
JP3192593B2 (ja) * 1996-07-22 2001-07-30 キヤノン株式会社 液晶素子
US6233027B1 (en) * 1997-01-07 2001-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and process for production thereof
US6195147B1 (en) * 1997-08-01 2001-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal substrate with optical modulation region having different alignment control forces
JP3472189B2 (ja) * 1999-04-08 2003-12-02 キヤノン株式会社 キャリア輸送素子及び発光素子
US6128064A (en) * 1999-07-14 2000-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and liquid crystal display apparatus
JP3667215B2 (ja) 1999-08-31 2005-07-06 キヤノン株式会社 単結晶性薄膜およびその製造方法
GB9928126D0 (en) * 1999-11-30 2000-01-26 Secr Defence Bistable nematic liquid crystal device
JP2002201473A (ja) 2000-10-25 2002-07-19 Canon Inc スメクチック高分子液晶及びその製造方法、これを用いた液晶素子
JP4535114B2 (ja) 2007-10-26 2010-09-01 ソニー株式会社 撮像装置および撮像方法、表示制御装置および表示制御方法、並びに、プログラム
US10690986B2 (en) 2017-09-13 2020-06-23 Apple Inc. Electronic devices having electrically adjustable optical shutters

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4563059A (en) * 1983-01-10 1986-01-07 Clark Noel A Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices
US4367924A (en) * 1980-01-08 1983-01-11 Clark Noel A Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device
US4840463A (en) * 1987-08-19 1989-06-20 Clark Noel A Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices
US4813767A (en) * 1980-01-08 1989-03-21 Clark Noel A Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices
EP0115693B1 (en) * 1983-01-06 1987-08-26 Chisso Corporation Liquid crystalline compounds and mixtures thereof
JPS61249019A (ja) * 1985-04-26 1986-11-06 Canon Inc 液晶素子
JPS626225A (ja) * 1985-07-02 1987-01-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
EP0322703B1 (en) * 1987-12-18 1995-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Mesomorphic compound, liquid crystal composition and liquid crystal device
US5417883A (en) * 1994-04-11 1995-05-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for controlling layer spacing in mixtures of smectic liquid crystal compounds

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200487712Y1 (ko) 2018-06-19 2018-10-24 김주원 수술용 쉐이버

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0798458A (ja) 1995-04-11
EP0637622A1 (en) 1995-02-08
DE69410890D1 (de) 1998-07-16
EP0637622B1 (en) 1998-06-10
DE69410890T2 (de) 1998-12-17
US5825447A (en) 1998-10-20
JP3179976B2 (ja) 2001-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2667816B2 (ja) 液晶素子
KR0153395B1 (ko) 액정 소자
US5543943A (en) Chiral smectic device subjected to a simultaneous thermal and AC field treatment
JPH05273537A (ja) 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法
JPS61249019A (ja) 液晶素子
JPH0764098A (ja) 強誘電性液晶素子
JP2952122B2 (ja) 液晶素子、及びこれを用いた表示装置
JPH05134259A (ja) 強誘電性液晶素子
KR0159969B1 (ko) 액정 소자 및 이를 구동시키기 위한 액정 장치
US5798056A (en) Aligning method of liquid crystal, production process of liquid crystal device, and liquid crystal device
JP2556590B2 (ja) 液晶素子
US6181407B1 (en) Electro-optical material having a lamellar liquid crystal structure
US5668616A (en) Ferroelectric liquid crystal device with alignment layers having surface unevenness different from each other
Kaho et al. Alignment and electro-optic properties of SSFLC cells aligned by obliquely evaporated SiO films
JP2983724B2 (ja) 強誘電性液晶素子の配向処理法
JP2547974B2 (ja) スメクチック液晶デバイスおよびその製造方法
JP3180171B2 (ja) 強誘電性液晶素子
JP2657879B2 (ja) 液晶素子
JPH05273558A (ja) 液晶素子
JP2657878B2 (ja) 液晶素子
JPH05216036A (ja) 液晶素子
JPH08271903A (ja) 液晶の配向処理方法、液晶素子の製造方法、及び液晶素子
JPH07325304A (ja) 液晶表示素子
JP3168390B2 (ja) 液晶素子及びこれを用いた液晶装置
JPH05323255A (ja) 液晶組成物およびこれを用いる液晶素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050623

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee