JPH0794777A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法Info
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- JPH0794777A JPH0794777A JP26190393A JP26190393A JPH0794777A JP H0794777 A JPH0794777 A JP H0794777A JP 26190393 A JP26190393 A JP 26190393A JP 26190393 A JP26190393 A JP 26190393A JP H0794777 A JPH0794777 A JP H0794777A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 26
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 6
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/099—LED, multicolor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高湿度下でも輝度が低下しない発光素子の製
造方法を提供する。 【構成】 ｎ型層１１とｐ型層１２とを有するＡｌＧａ
Ａｓチップ１０を、０．２〜０．６重量％のアンモニア
と２５〜３５重量％の過酸化水素とを含む水溶液中に浸
漬して１次保護膜２０を形成した後、ＡｌＧａＡｓチッ
プ１０を乾燥させ、さらにＡｌＧａＡｓチップ１０を再
度０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重量
％の過酸化水素とを含む水溶液中に浸漬して２次保護膜
２１を形成する。
造方法を提供する。 【構成】 ｎ型層１１とｐ型層１２とを有するＡｌＧａ
Ａｓチップ１０を、０．２〜０．６重量％のアンモニア
と２５〜３５重量％の過酸化水素とを含む水溶液中に浸
漬して１次保護膜２０を形成した後、ＡｌＧａＡｓチッ
プ１０を乾燥させ、さらにＡｌＧａＡｓチップ１０を再
度０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重量
％の過酸化水素とを含む水溶液中に浸漬して２次保護膜
２１を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光素子の製造方法に関
し、さらに詳しくはＡｌＧａＡｓチップ表面の保護膜の
形成により輝度の劣化を有効に防止することができるよ
うにした発光素子の製造方法に関する。
し、さらに詳しくはＡｌＧａＡｓチップ表面の保護膜の
形成により輝度の劣化を有効に防止することができるよ
うにした発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】発光素子は、一般に、ｐｎ接合を有
する化合物半導体チップにｎ電極及びｐ電極が設けら
れ、チップ全体がエポキシ樹脂でモールドされた構造を
有する。図４は、従来の発光素子の構造の一例を示す。
この発光素子においては、ｎ型層１１とｐ型層１２とを
有するＡｌＧａＡｓチップ１０のｎ型層側にはｎ電極１
３が、ｐ型層側にはｐ電極１４がそれぞれ設けられ、銀
ペースト等を介して台座１６上に固着され、チップ全体
がエポキシ樹脂モールド１５で密封されている。
する化合物半導体チップにｎ電極及びｐ電極が設けら
れ、チップ全体がエポキシ樹脂でモールドされた構造を
有する。図４は、従来の発光素子の構造の一例を示す。
この発光素子においては、ｎ型層１１とｐ型層１２とを
有するＡｌＧａＡｓチップ１０のｎ型層側にはｎ電極１
３が、ｐ型層側にはｐ電極１４がそれぞれ設けられ、銀
ペースト等を介して台座１６上に固着され、チップ全体
がエポキシ樹脂モールド１５で密封されている。
【０００３】一般に、エポキシ樹脂は吸湿性で防湿効果
に乏しいため、高湿度下では大気中の水分がエポキシ樹
脂モールド１５内に侵入して通電時ＡｌＧａＡｓと反応
し、表面を変質させる。そして、図５に示すように、ｎ
型層１１の表面及び側面に不透明変質層１７が形成され
る。この不透明変質層１７が形成されると、光取り出し
効率が低下して発光素子の輝度が低下する。
に乏しいため、高湿度下では大気中の水分がエポキシ樹
脂モールド１５内に侵入して通電時ＡｌＧａＡｓと反応
し、表面を変質させる。そして、図５に示すように、ｎ
型層１１の表面及び側面に不透明変質層１７が形成され
る。この不透明変質層１７が形成されると、光取り出し
効率が低下して発光素子の輝度が低下する。
【０００４】そこで、ＡｌＧａＡｓチップ１０の表面及
び側面に酸化アルミニウムを主成分とする光透過性の保
護膜１８を形成する方法が提案されている（第４２回応
用物理学会予稿集、第６００頁、９ａ−Ｄ−３、１９８
１、及び第４４回応用物理学会予稿集、第４８５頁、２
８ａ−Ｈ−３、１９８３）。
び側面に酸化アルミニウムを主成分とする光透過性の保
護膜１８を形成する方法が提案されている（第４２回応
用物理学会予稿集、第６００頁、９ａ−Ｄ−３、１９８
１、及び第４４回応用物理学会予稿集、第４８５頁、２
８ａ−Ｈ−３、１９８３）。
【０００５】この方法では、ＡｌＧａＡｓ混晶がアンモ
ニアと過酸化水素を含む水溶液によって酸化アルミニウ
ム被膜を形成することを利用したものである。すなわ
ち、ＡｌＧａＡｓチップ１０を前記アンモニア−過酸化
水素系水溶液に浸漬することにより、酸化アルミニウム
を主成分とする保護膜１８を該ＡｌＧａＡｓチップ１０
の光取り出し側表面（以下「上面」と言う。）及び側面
に形成し、侵入した水分からＡｌＧａＡｓチップ１０を
保護するものである。この保護膜１８の厚さは１００ｎ
ｍ以上あるのが好ましい。
ニアと過酸化水素を含む水溶液によって酸化アルミニウ
ム被膜を形成することを利用したものである。すなわ
ち、ＡｌＧａＡｓチップ１０を前記アンモニア−過酸化
水素系水溶液に浸漬することにより、酸化アルミニウム
を主成分とする保護膜１８を該ＡｌＧａＡｓチップ１０
の光取り出し側表面（以下「上面」と言う。）及び側面
に形成し、侵入した水分からＡｌＧａＡｓチップ１０を
保護するものである。この保護膜１８の厚さは１００ｎ
ｍ以上あるのが好ましい。
【０００６】また、特開平４−２１６６８３では、Ａｌ
ＧａＡｓチップを０．３〜０．６重量％のアンモニアと
２５〜３５重量％の過酸化水素とを含む水溶液に浸漬処
理することによって該チップ表面に保護膜を形成する方
法が提案されている。
ＧａＡｓチップを０．３〜０．６重量％のアンモニアと
２５〜３５重量％の過酸化水素とを含む水溶液に浸漬処
理することによって該チップ表面に保護膜を形成する方
法が提案されている。
【０００７】上記のようなアンモニア−過酸化水素系水
溶液に浸漬する方法においては、ＡｌＧａＡｓチップ１
０の上面（図４にけるｎ型層１１側表面）又は台座固着
側表面（図４におけるｐ型層１２側表面、以下「下面」
と言う。）のいずれかを粘着シートに貼り付け、ＡｌＧ
ａＡｓチップ１０を粘着シートごと前記アンモニア−過
酸化水素系水溶液に浸漬する。特に、前記チップ下面を
粘着シートに貼り付けて浸漬処理をするのが好ましい。
これは、粘着シートに貼り付ける面には保護膜１８が形
成されないか又は形成され難くなるが、前記チップ下面
は台座１６に固着されるので、保護膜１８を形成する必
要がないためである。
溶液に浸漬する方法においては、ＡｌＧａＡｓチップ１
０の上面（図４にけるｎ型層１１側表面）又は台座固着
側表面（図４におけるｐ型層１２側表面、以下「下面」
と言う。）のいずれかを粘着シートに貼り付け、ＡｌＧ
ａＡｓチップ１０を粘着シートごと前記アンモニア−過
酸化水素系水溶液に浸漬する。特に、前記チップ下面を
粘着シートに貼り付けて浸漬処理をするのが好ましい。
これは、粘着シートに貼り付ける面には保護膜１８が形
成されないか又は形成され難くなるが、前記チップ下面
は台座１６に固着されるので、保護膜１８を形成する必
要がないためである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の方法では、均一な膜厚の保護膜を形成することが
できなかった。すなわち、ＡｌＧａＡｓチップ１０のｎ
型層１１側とｐ型層１２側とでは膜生成速度に大きな差
があり、図６に示すように、ｎ型層１１側では１００ｎ
ｍを越える厚い保護膜１８が形成できるが、ｐ型層１２
側では保護膜１８が薄く、１００ｎｍを越える安定した
保護膜１８を形成することができなかった。そのため、
高湿度下ではＡｌＧａＡｓチップ１０の上面及び側面が
ｐ型層１２側から変質し、輝度の低下を招いて発光素子
の信頼性を低下させていた。
従来の方法では、均一な膜厚の保護膜を形成することが
できなかった。すなわち、ＡｌＧａＡｓチップ１０のｎ
型層１１側とｐ型層１２側とでは膜生成速度に大きな差
があり、図６に示すように、ｎ型層１１側では１００ｎ
ｍを越える厚い保護膜１８が形成できるが、ｐ型層１２
側では保護膜１８が薄く、１００ｎｍを越える安定した
保護膜１８を形成することができなかった。そのため、
高湿度下ではＡｌＧａＡｓチップ１０の上面及び側面が
ｐ型層１２側から変質し、輝度の低下を招いて発光素子
の信頼性を低下させていた。
【０００９】ｐ型層１２側の保護膜１８を厚くするため
に、アンモニア−過酸化水素系水溶液に浸漬する時間を
延長したとしても、ｐ型層１２側の保護膜１８だけを厚
くすることは難しく、ｎ型層１１側との間で大きな膜厚
差を生じるばかりであった。また、無理にｐ型層１２側
の保護膜１８の膜厚を増大させると、ｐ型層１２側の保
護膜１８の膜厚が１００ｎｍに達する前にｎ型層１１側
の保護膜が厚くなりすぎて亀裂を生じてしまい、チップ
全面にわたって良好な保護膜を形成することができなか
った。
に、アンモニア−過酸化水素系水溶液に浸漬する時間を
延長したとしても、ｐ型層１２側の保護膜１８だけを厚
くすることは難しく、ｎ型層１１側との間で大きな膜厚
差を生じるばかりであった。また、無理にｐ型層１２側
の保護膜１８の膜厚を増大させると、ｐ型層１２側の保
護膜１８の膜厚が１００ｎｍに達する前にｎ型層１１側
の保護膜が厚くなりすぎて亀裂を生じてしまい、チップ
全面にわたって良好な保護膜を形成することができなか
った。
【００１０】また、前述のように、ＡｌＧａＡｓチップ
１０は粘着シートに貼り付けた状態でアンモニア−過酸
化水素系水溶液に浸漬され、特にチップ下面（台座固着
側表面、図４においてはｐ型層１２側表面）を粘着シー
トに貼り付けてアンモニア−過酸化水素系水溶液に浸漬
されるが、該水溶液との交換性は粘着シートに近いほど
悪くなるので、粘着シートに近いｐ型層１２側の保護膜
１８の膜生成速度はｎ型層１１側よりも相対的に小さく
なり、ｐ型層１２側の保護膜１８がさらに薄くなり易い
という問題があった。
１０は粘着シートに貼り付けた状態でアンモニア−過酸
化水素系水溶液に浸漬され、特にチップ下面（台座固着
側表面、図４においてはｐ型層１２側表面）を粘着シー
トに貼り付けてアンモニア−過酸化水素系水溶液に浸漬
されるが、該水溶液との交換性は粘着シートに近いほど
悪くなるので、粘着シートに近いｐ型層１２側の保護膜
１８の膜生成速度はｎ型層１１側よりも相対的に小さく
なり、ｐ型層１２側の保護膜１８がさらに薄くなり易い
という問題があった。
【００１１】本発明は、ＡｌＧａＡｓチップのｎ型層側
被膜に亀裂を起こさせること無くｐ型層側に１００ｎｍ
を越える十分な膜厚の保護膜を形成することができ、高
湿度下においても輝度が低下しない発光素子の製造法を
提供することにある。
被膜に亀裂を起こさせること無くｐ型層側に１００ｎｍ
を越える十分な膜厚の保護膜を形成することができ、高
湿度下においても輝度が低下しない発光素子の製造法を
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、ｎ型層とｐ型
層とを有するＡｌＧａＡｓチップについて次の各工程を
行い、該ＡｌＧａＡｓチップの表面及び側面に酸化アル
ミニウムを主成分とする保護膜を形成することを特徴と
する発光素子の製造方法を提供する。 （１）ｎ型層とｐ型層とを有するＡｌＧａＡｓチップ
を、０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重
量％の過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水素系水
溶液中に浸漬する工程（１次工程）。 （２）前記（１）工程を行った後、前記ＡｌＧａＡｓチ
ップを乾燥させる工程（乾燥工程）。 （３）前記（２）工程を行った後、前記ＡｌＧａＡｓチ
ップを再度０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜
３５重量％の過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水
素系水溶液中に浸漬する工程（２次工程）。
層とを有するＡｌＧａＡｓチップについて次の各工程を
行い、該ＡｌＧａＡｓチップの表面及び側面に酸化アル
ミニウムを主成分とする保護膜を形成することを特徴と
する発光素子の製造方法を提供する。 （１）ｎ型層とｐ型層とを有するＡｌＧａＡｓチップ
を、０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重
量％の過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水素系水
溶液中に浸漬する工程（１次工程）。 （２）前記（１）工程を行った後、前記ＡｌＧａＡｓチ
ップを乾燥させる工程（乾燥工程）。 （３）前記（２）工程を行った後、前記ＡｌＧａＡｓチ
ップを再度０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜
３５重量％の過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水
素系水溶液中に浸漬する工程（２次工程）。
【００１３】該ＡｌＧａＡｓチップの下面（台座固着側
表面）を粘着シートに貼り付け、この状態で前記（１）
工程及び前記（２）工程を順次行った後に、該ＡｌＧａ
Ａｓチップの粘着シートへの貼り付け面を前記チップ下
面からチップ上面（光取り出し側表面）に変更し、前記
ＡｌＧａＡｓチップの前記チップ上面を粘着シートに貼
り付けた状態で前記（３）工程を行うのが好ましい。
表面）を粘着シートに貼り付け、この状態で前記（１）
工程及び前記（２）工程を順次行った後に、該ＡｌＧａ
Ａｓチップの粘着シートへの貼り付け面を前記チップ下
面からチップ上面（光取り出し側表面）に変更し、前記
ＡｌＧａＡｓチップの前記チップ上面を粘着シートに貼
り付けた状態で前記（３）工程を行うのが好ましい。
【００１４】また、形成される酸化アルミニウムを主成
分とする保護膜の厚さは１００ｎｍ以上が好ましい。
分とする保護膜の厚さは１００ｎｍ以上が好ましい。
【００１５】
【作用】本発明においては、まずＡｌＧａＡｓチップを
０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重量％
の過酸化水素を含む水溶液中に浸漬する工程を行い、Ａ
ｌＧａＡｓチップの表面に酸化アルミニウムの被膜を形
成する（１次工程）。このとき、従来と同様にｎ型層側
には厚い被膜が、ｐ型層側には薄い被膜が形成される。
次に、ＡｌＧａＡｓチップを乾燥することにより、被膜
を硬化させ、不動態化した、より緻密で安定な膜を形成
する（乾燥工程）。
０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重量％
の過酸化水素を含む水溶液中に浸漬する工程を行い、Ａ
ｌＧａＡｓチップの表面に酸化アルミニウムの被膜を形
成する（１次工程）。このとき、従来と同様にｎ型層側
には厚い被膜が、ｐ型層側には薄い被膜が形成される。
次に、ＡｌＧａＡｓチップを乾燥することにより、被膜
を硬化させ、不動態化した、より緻密で安定な膜を形成
する（乾燥工程）。
【００１６】次に、ＡｌＧａＡｓチップを再び０．２〜
０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重量％の過酸化
水素とを含む水溶液中に浸漬する工程を行い、ｎ型層側
及びｐ型層側ともに１００ｎｍ以上の厚い被膜を形成す
る（２次工程）。
０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重量％の過酸化
水素とを含む水溶液中に浸漬する工程を行い、ｎ型層側
及びｐ型層側ともに１００ｎｍ以上の厚い被膜を形成す
る（２次工程）。
【００１７】この場合、既に不動態化した緻密な酸化ア
ルミニウム被膜が形成されているので、ｎ型層側及びｐ
型層側のいずれにおいても膜生成速度は低下するが、厚
い被膜が形成されているｎ型層側の膜生成速度は薄い被
膜が形成されているｐ型層側よりも相対的に小さくなる
ので、新たに形成される被膜は薄く、亀裂が生じるほど
厚くならない。一方、薄い被膜が形成されているｐ型層
側では比較的厚い被膜が新たに形成され、最終的に１０
０ｎｍ以上の厚さの保護膜を形成することができる。
ルミニウム被膜が形成されているので、ｎ型層側及びｐ
型層側のいずれにおいても膜生成速度は低下するが、厚
い被膜が形成されているｎ型層側の膜生成速度は薄い被
膜が形成されているｐ型層側よりも相対的に小さくなる
ので、新たに形成される被膜は薄く、亀裂が生じるほど
厚くならない。一方、薄い被膜が形成されているｐ型層
側では比較的厚い被膜が新たに形成され、最終的に１０
０ｎｍ以上の厚さの保護膜を形成することができる。
【００１８】なお、ＡｌＧａＡｓチップをアンモニウム
−過酸化水素系水溶液に浸漬する工程は、実際にはＡｌ
ＧａＡｓチップを粘着シートに貼り付けて粘着シートご
と前記水溶液に浸けて行われるが、前述したように粘着
シートに近い側では水溶液との交換性が悪いので膜生成
速度が相対的に小さく、薄い膜厚の被膜しか形成されな
い。
−過酸化水素系水溶液に浸漬する工程は、実際にはＡｌ
ＧａＡｓチップを粘着シートに貼り付けて粘着シートご
と前記水溶液に浸けて行われるが、前述したように粘着
シートに近い側では水溶液との交換性が悪いので膜生成
速度が相対的に小さく、薄い膜厚の被膜しか形成されな
い。
【００１９】そこで、膜厚がより均一な保護膜を形成す
るために、ＡｌＧａＡｓチップの下面（台座固着側表
面）を粘着シートに貼り付けた状態でアンモニア−過酸
化水素系水溶液に浸漬し、その後該水溶液からＡｌＧａ
Ａｓチップを取り出して乾燥させ、次にＡｌＧａＡｓチ
ップの粘着シートへの貼り付け面を前記チップ下面から
チップ上面（光取り出し側表面）に変更し（シート転
写）、ＡｌＧａＡｓチップの前記チップ上面を粘着シー
トに貼り付けた状態でアンモニア−過酸化水素系水溶液
に浸漬するようにすると、より均質な膜形成が可能とな
る。
るために、ＡｌＧａＡｓチップの下面（台座固着側表
面）を粘着シートに貼り付けた状態でアンモニア−過酸
化水素系水溶液に浸漬し、その後該水溶液からＡｌＧａ
Ａｓチップを取り出して乾燥させ、次にＡｌＧａＡｓチ
ップの粘着シートへの貼り付け面を前記チップ下面から
チップ上面（光取り出し側表面）に変更し（シート転
写）、ＡｌＧａＡｓチップの前記チップ上面を粘着シー
トに貼り付けた状態でアンモニア−過酸化水素系水溶液
に浸漬するようにすると、より均質な膜形成が可能とな
る。
【００２０】なお、１次工程においてＡｌＧａＡｓチッ
プの前記チップ上面を粘着シートに貼り付けた状態と
し、２次工程では前記チップ下面を粘着シートに貼り付
けて膜生成処理を行った場合、１次工程時にＡｌＧａＡ
ｓチップの前記上面が貼り付け用の粘着剤によって汚染
されるため、２時工程において前記チップ上面への良好
な膜形成ができない場合がある。
プの前記チップ上面を粘着シートに貼り付けた状態と
し、２次工程では前記チップ下面を粘着シートに貼り付
けて膜生成処理を行った場合、１次工程時にＡｌＧａＡ
ｓチップの前記上面が貼り付け用の粘着剤によって汚染
されるため、２時工程において前記チップ上面への良好
な膜形成ができない場合がある。
【００２１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図１〜図３を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００２２】［実施例１］図１は実施例１の方法を示す
工程図である。図１において図４〜図７と同一又は相当
部分は同一符合を付してその説明を省略する。実施例１
の方法は、次に示す（１）１次工程、（２）乾燥工程及
び（３）２次工程を順次行うものである。
工程図である。図１において図４〜図７と同一又は相当
部分は同一符合を付してその説明を省略する。実施例１
の方法は、次に示す（１）１次工程、（２）乾燥工程及
び（３）２次工程を順次行うものである。
【００２３】（１）１次工程 ＡｌＧａＡｓチップ１０のｐ型層１２側表面（チップ下
面、台座固着側表面）を粘着シート３０に貼り付け（図
１（Ａ））、０．３重量％アンモニアと３０重量％過酸
化水素とを含むアンモニア−過酸化水素系水溶液に浸漬
して１０分間浸水処理し、１次保護膜２０を形成する
（図１（Ｂ））。
面、台座固着側表面）を粘着シート３０に貼り付け（図
１（Ａ））、０．３重量％アンモニアと３０重量％過酸
化水素とを含むアンモニア−過酸化水素系水溶液に浸漬
して１０分間浸水処理し、１次保護膜２０を形成する
（図１（Ｂ））。
【００２４】（２）乾燥工程 １次工程終了時にＡｌＧａＡｓチップ１０を前記水溶液
から取り出し、３分間水洗する。その後、付着した水分
をエアーブローにより飛散させ、ＡｌＧａＡｓチップ１
０を粘着シート３０ごと室温で２時間放置し、自然乾燥
させる。ここでは、時間短縮のために加熱乾燥をしても
よい。
から取り出し、３分間水洗する。その後、付着した水分
をエアーブローにより飛散させ、ＡｌＧａＡｓチップ１
０を粘着シート３０ごと室温で２時間放置し、自然乾燥
させる。ここでは、時間短縮のために加熱乾燥をしても
よい。
【００２５】（３）２次工程 乾燥を終了したＡｌＧａＡｓチップ１０のｐ型層１２側
表面を粘着シート３０に貼り付けたまま、０．５重量％
アンモニアと３０重量％過酸化水素とを含むアンモニア
−過酸化水素系水溶液に浸漬して１０分間浸水処理し、
２次保護膜２１を形成する（図１（Ｃ））。
表面を粘着シート３０に貼り付けたまま、０．５重量％
アンモニアと３０重量％過酸化水素とを含むアンモニア
−過酸化水素系水溶液に浸漬して１０分間浸水処理し、
２次保護膜２１を形成する（図１（Ｃ））。
【００２６】上記処理により、ＡｌＧａＡｓチップ１０
の上面及び側面には、ｐ型層１２側に１５０ｎｍ、ｎ型
層１１側に３００ｎｍの十分な膜厚を持った緻密で均質
な保護膜２２が形成された（図１（Ｄ））。
の上面及び側面には、ｐ型層１２側に１５０ｎｍ、ｎ型
層１１側に３００ｎｍの十分な膜厚を持った緻密で均質
な保護膜２２が形成された（図１（Ｄ））。
【００２７】［実施例２］図２は実施例２の方法を示す
工程図である。図２において図４〜図７と同一又は相当
部分は同一符合を付してその説明を省略する。実施例２
の方法は、基本的には実施例１と同様に次に示す（１）
１次工程、（２）乾燥工程及び（３）２次工程を順次行
うものであるが、本実施例ではいわゆるチップのシート
転写を行う点に特徴がある。
工程図である。図２において図４〜図７と同一又は相当
部分は同一符合を付してその説明を省略する。実施例２
の方法は、基本的には実施例１と同様に次に示す（１）
１次工程、（２）乾燥工程及び（３）２次工程を順次行
うものであるが、本実施例ではいわゆるチップのシート
転写を行う点に特徴がある。
【００２８】（１）１次工程 ＡｌＧａＡｓチップ１０のｐ型層１２側表面（チップ下
面、台座固着側表面）を粘着シート３１に貼り付け（図
２（Ａ））、溶液組成が０．３重量％アンモニアと３０
重量％過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水素系水
溶液に浸漬して１０分間浸水処理し、１次保護膜２０を
形成する（図２（Ｂ））。
面、台座固着側表面）を粘着シート３１に貼り付け（図
２（Ａ））、溶液組成が０．３重量％アンモニアと３０
重量％過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水素系水
溶液に浸漬して１０分間浸水処理し、１次保護膜２０を
形成する（図２（Ｂ））。
【００２９】（２）乾燥工程 １次工程終了時にＡｌＧａＡｓチップ１０を前記水溶液
から取り出し、３分間水洗する。その後、エアーブロー
により付着した水分を飛散させ、ＡｌＧａＡｓチップ１
０を粘着シート３１ごと室温で２時間放置し、自然乾燥
させる。ここで時間短縮のために加熱乾燥をしてもよ
い。
から取り出し、３分間水洗する。その後、エアーブロー
により付着した水分を飛散させ、ＡｌＧａＡｓチップ１
０を粘着シート３１ごと室温で２時間放置し、自然乾燥
させる。ここで時間短縮のために加熱乾燥をしてもよ
い。
【００３０】乾燥を終了したＡｌＧａＡｓチップ１０の
ｎ型層側表面（チップ上面、光取り出し側表面）を粘着
シート３２に貼り付ける（図２（Ｃ））。
ｎ型層側表面（チップ上面、光取り出し側表面）を粘着
シート３２に貼り付ける（図２（Ｃ））。
【００３１】（３）２次工程 ＡｌＧａＡｓチップ１０のｎ型層１１側表面を粘着シー
ト３２に貼り付けたまま、０．５重量％のアンモニアと
３０重量％の過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水
素系水溶液に浸漬して１０分間浸水処理し、２次保護膜
２１を形成する（図２（Ｄ））。
ト３２に貼り付けたまま、０．５重量％のアンモニアと
３０重量％の過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水
素系水溶液に浸漬して１０分間浸水処理し、２次保護膜
２１を形成する（図２（Ｄ））。
【００３２】上記処理により、ＡｌＧａＡｓチップ１０
の上面及び側面には、ｐ型層１２側に２００ｎｍ、ｎ型
層１１側に３００ｎｍの十分な膜厚を持った緻密で均質
な保護膜２２が形成された。
の上面及び側面には、ｐ型層１２側に２００ｎｍ、ｎ型
層１１側に３００ｎｍの十分な膜厚を持った緻密で均質
な保護膜２２が形成された。
【００３３】図３は、実施例１及び実施例２の方法で作
成した発光素子と従来の方法で作成した発光素子（比較
例）について、高温高湿信頼性試験を行った場合の残光
率の経時変化を示すグラフである。具体的には、温度８
５℃、湿度１００％でＩF＝３０ｍＡの通電を続けたも
のである。図３から、実施例１の発光素子は比較例の発
光素子と比べて残光率の低下の割合が小さく、信頼性が
高いことが確認できた。また、実施例２の発光素子は実
施例１の発光素子よりも僅かではあるがさらに残光率の
低下の割合が小さく、より好ましい結果が得られた。
成した発光素子と従来の方法で作成した発光素子（比較
例）について、高温高湿信頼性試験を行った場合の残光
率の経時変化を示すグラフである。具体的には、温度８
５℃、湿度１００％でＩF＝３０ｍＡの通電を続けたも
のである。図３から、実施例１の発光素子は比較例の発
光素子と比べて残光率の低下の割合が小さく、信頼性が
高いことが確認できた。また、実施例２の発光素子は実
施例１の発光素子よりも僅かではあるがさらに残光率の
低下の割合が小さく、より好ましい結果が得られた。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、緻
密で均質な保護膜をＡｌＧａＡｓチップの側面に形成す
ることができるので、このチップを備えた発光素子は高
湿度下においても輝度が低下せず、長期にわたって高い
信頼性が得られる。
密で均質な保護膜をＡｌＧａＡｓチップの側面に形成す
ることができるので、このチップを備えた発光素子は高
湿度下においても輝度が低下せず、長期にわたって高い
信頼性が得られる。
【図１】本発明の一実施例の方法を示す工程図である。
【図２】本発明の他の実施例の方法を示す工程図であ
る。
る。
【図３】実施例の方法で作成した発光素子と従来の方法
で作成した発光素子の高温高湿信頼性試験の結果を示す
グラフである。
で作成した発光素子の高温高湿信頼性試験の結果を示す
グラフである。
【図４】発光素子の構造を示す構成図である。
【図５】白濁膜１７が形成されたＡｌＧａＡｓチップ１
０を示す断面図である。
０を示す断面図である。
【図６】膜厚差の大きい不均一な保護膜１９が形成され
たＡｌＧａＡｓチップ１０を示す断面図である。
たＡｌＧａＡｓチップ１０を示す断面図である。
１０ ＡｌＧａＡｓチップ １１ ｎ型層 １２ ｐ型層 １３ ｎ電極 １４ ｐ電極 ２０ １次保護膜 ２１ ２次保護膜 ２２ 保護膜 ３０，３１，３２ 粘着シート
Claims (3)
- 【請求項１】 ｎ型層とｐ型層とを有するＡｌＧａＡｓ
チップについて次の各工程を行い、該ＡｌＧａＡｓチッ
プの表面及び側面に酸化アルミニウムを主成分とする保
護膜を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 （１）ｎ型層とｐ型層とを有するＡｌＧａＡｓチップ
を、０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜３５重
量％の過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水素系水
溶液中に浸漬する工程。 （２）前記（１）工程を行った後、前記ＡｌＧａＡｓチ
ップを乾燥させる工程。 （３）前記（２）工程を行った後、前記ＡｌＧａＡｓチ
ップを再度０．２〜０．６重量％のアンモニアと２５〜
３５重量％の過酸化水素とを含むアンモニア−過酸化水
素系水溶液中に浸漬する工程。 - 【請求項２】 ＡｌＧａＡｓチップの台座固着側表面
（以下「下面」と言う。）を粘着シートに貼り付け、こ
の状態で前記（１）工程及び前記（２）工程を順次行っ
た後に、該ＡｌＧａＡｓチップの粘着シートへの貼り付
け面を前記下面から光取り出し側表面（以下「上面」と
言う。）に変更し、前記ＡｌＧａＡｓチップの前記上面
を粘着シートに貼り付けた状態で前記（３）工程を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方
法。 - 【請求項３】 １００ｎｍ以上の厚さの酸化アルミニウ
ムを主成分とする保護膜を形成することを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26190393A JP2817590B2 (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 発光素子の製造方法 |
| US08/310,088 US5459106A (en) | 1993-09-24 | 1994-09-22 | Method for manufacturing a semiconductor light emitting device |
| EP94115044A EP0645829B1 (en) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | A method of manufacturing a semiconductor light emitting device |
| DE69411836T DE69411836T2 (de) | 1993-09-24 | 1994-09-23 | Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26190393A JP2817590B2 (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794777A true JPH0794777A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2817590B2 JP2817590B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17368360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26190393A Expired - Lifetime JP2817590B2 (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5459106A (ja) |
| EP (1) | EP0645829B1 (ja) |
| JP (1) | JP2817590B2 (ja) |
| DE (1) | DE69411836T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000208811A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Agilent Technol Inc | 半導体装置 |
| US8643023B2 (en) | 2009-05-22 | 2014-02-04 | Showa Denko K.K. | Light emitting diode, light emitting diode lamp, and lighting apparatus |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013540A (en) * | 1998-05-01 | 2000-01-11 | Lucent Technologies, Inc. | Laser diode with substrate-side protection |
| DE10261675B4 (de) * | 2002-12-31 | 2013-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit strahlungsdurchlässiger elektrischer Kontaktschicht |
| JP2005026688A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法 |
| DE102004029412A1 (de) * | 2004-02-27 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips |
| CN100460942C (zh) * | 2004-06-02 | 2009-02-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 硅上液晶器件及其制造方法 |
| CN102610708B (zh) * | 2011-01-19 | 2014-09-03 | 鼎元光电科技股份有限公司 | 发光二极管的制法 |
| CN112259450A (zh) * | 2020-09-18 | 2021-01-22 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种分段式蚀刻方法 |
| CN114188458B (zh) * | 2021-12-02 | 2023-05-02 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种发光二极管的制作方法及发光二极管 |
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| JPH04216683A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-08-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JPH05129662A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Iwasaki Electric Co Ltd | 発光ダイオードランプの製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3914465A (en) * | 1972-09-25 | 1975-10-21 | Bell Telephone Labor Inc | Surface passivation of GaAs junction laser devices |
| JPS4995591A (ja) * | 1973-01-12 | 1974-09-10 | ||
| JPS4995592A (ja) * | 1973-01-12 | 1974-09-10 | ||
| FI64878C (fi) * | 1982-05-10 | 1984-01-10 | Lohja Ab Oy | Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer |
| JPS6413740A (en) * | 1987-03-23 | 1989-01-18 | Toshiba Corp | Formation of wiring layer in semiconductor device |
| US5262360A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | AlGaAs native oxide |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP26190393A patent/JP2817590B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-09-22 US US08/310,088 patent/US5459106A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-23 DE DE69411836T patent/DE69411836T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-23 EP EP94115044A patent/EP0645829B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816535A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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| US8643023B2 (en) | 2009-05-22 | 2014-02-04 | Showa Denko K.K. | Light emitting diode, light emitting diode lamp, and lighting apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69411836D1 (de) | 1998-08-27 |
| EP0645829A1 (en) | 1995-03-29 |
| DE69411836T2 (de) | 1999-03-18 |
| JP2817590B2 (ja) | 1998-10-30 |
| US5459106A (en) | 1995-10-17 |
| EP0645829B1 (en) | 1998-07-22 |
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