JPH0794616A - 半導体ウェハの識別記号の形成方法 - Google Patents
半導体ウェハの識別記号の形成方法Info
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- JPH0794616A JPH0794616A JP23499193A JP23499193A JPH0794616A JP H0794616 A JPH0794616 A JP H0794616A JP 23499193 A JP23499193 A JP 23499193A JP 23499193 A JP23499193 A JP 23499193A JP H0794616 A JPH0794616 A JP H0794616A
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- semiconductor wafer
- forming
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- crystal growth
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
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- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Abstract
(57)【要約】
【目的】 煩雑な工程を経ることなく簡便に半導体ウェ
ハに識別記号を形成する方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 ステップ１として、輪郭形状の型抜きによる
識別記号４が耐熱性マスク２を、識別記号部分が半導体
ウェハ１の所望の位置に来るように装着し、ステップ２
として、半導体ウェハ１と耐熱性マスク２を重ね合わせ
た状態で結晶成長装置内に設置して結晶成長を行う。 【効果】 半導体ウェハ表面を識別記号の輪郭形状が形
成されたマスクで覆い、結晶成長を行うことによって、
半導体ウェハ表面に記識別記号が形成されるので、エッ
チング等を用いていた従来の形成方法に比べて工程が容
易になり、かつ、発塵等によるウェハ汚染を低減する効
果がある。
ハに識別記号を形成する方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 ステップ１として、輪郭形状の型抜きによる
識別記号４が耐熱性マスク２を、識別記号部分が半導体
ウェハ１の所望の位置に来るように装着し、ステップ２
として、半導体ウェハ１と耐熱性マスク２を重ね合わせ
た状態で結晶成長装置内に設置して結晶成長を行う。 【効果】 半導体ウェハ表面を識別記号の輪郭形状が形
成されたマスクで覆い、結晶成長を行うことによって、
半導体ウェハ表面に記識別記号が形成されるので、エッ
チング等を用いていた従来の形成方法に比べて工程が容
易になり、かつ、発塵等によるウェハ汚染を低減する効
果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハプロセスに
関し、特に半導体ウェハの識別記号の形成方法に関す
る。
関し、特に半導体ウェハの識別記号の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の形成においては主に半導体
ウェハを土台とし、種々の工程を経てその表面に所望の
半導体装置を形成する方法がとられているが、半導体ウ
ェハは一見して識別不能なので、工程管理の上で不便な
ため半導体ウェハに識別記号を形成する場合がある。以
下に識別記号の形成方法の一例を説明する。
ウェハを土台とし、種々の工程を経てその表面に所望の
半導体装置を形成する方法がとられているが、半導体ウ
ェハは一見して識別不能なので、工程管理の上で不便な
ため半導体ウェハに識別記号を形成する場合がある。以
下に識別記号の形成方法の一例を説明する。
【０００３】図５〜図８を用いて従来の半導体ウェハの
識別記号の形成方法を工程順に説明する。図５〜図７は
工程を説明するための概念図であり、図８は半導体ウェ
ハの識別記号の形成方法を工程順に示したフローチャー
トである。
識別記号の形成方法を工程順に説明する。図５〜図７は
工程を説明するための概念図であり、図８は半導体ウェ
ハの識別記号の形成方法を工程順に示したフローチャー
トである。
【０００４】図８に示すステップＳ１１の工程におい
て、図５に示されるように半導体ウェハ１の表面にフォ
トレジスト（ハッチングで図示）を塗布した後、ステッ
プＳ１２の工程において、所望の識別記号を形成したフ
ォトマスクを介して露光し、識別記号の転写を行う。そ
の後、ステップＳ１３の工程において現像を行うことで
フォトマスク上の識別記号に対応して半導体ウェハ１が
露出して、転写による識別記号３ａとなる。
て、図５に示されるように半導体ウェハ１の表面にフォ
トレジスト（ハッチングで図示）を塗布した後、ステッ
プＳ１２の工程において、所望の識別記号を形成したフ
ォトマスクを介して露光し、識別記号の転写を行う。そ
の後、ステップＳ１３の工程において現像を行うことで
フォトマスク上の識別記号に対応して半導体ウェハ１が
露出して、転写による識別記号３ａとなる。
【０００５】次に図８に示すステップＳ１４の工程にお
いて、識別記号部分が露出した半導体ウェハ１にエッチ
ング処理を施し、ステップＳ１５の工程においてフォト
レジストを除去することにより、図６に示されるように
半導体ウェハ１表面にエッチングによる識別記号３ｂが
形成される。
いて、識別記号部分が露出した半導体ウェハ１にエッチ
ング処理を施し、ステップＳ１５の工程においてフォト
レジストを除去することにより、図６に示されるように
半導体ウェハ１表面にエッチングによる識別記号３ｂが
形成される。
【０００６】次に図８に示すステップＳ１６工程におい
ては、半導体集積回路を形成するための結晶成長を行う
が、それと同時にＧａＡｓウェハ１表面にエッチングに
よる識別記号３ｂもその段差を有したまま結晶成長し
て、図７に示されるように結晶成長による識別記号３と
なるので、工程終了後も外観からウェハ識別が可能とな
る。
ては、半導体集積回路を形成するための結晶成長を行う
が、それと同時にＧａＡｓウェハ１表面にエッチングに
よる識別記号３ｂもその段差を有したまま結晶成長し
て、図７に示されるように結晶成長による識別記号３と
なるので、工程終了後も外観からウェハ識別が可能とな
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウェハの
識別記号の形成方法は以上のように構成されているの
で、転写の工程においてフォトレジストの塗布、エッチ
ング処理、フォトレジストの除去などを行う必要があ
り、工程数の増加に伴う煩雑化と、発塵等によるウェハ
汚染などの問題があった。
識別記号の形成方法は以上のように構成されているの
で、転写の工程においてフォトレジストの塗布、エッチ
ング処理、フォトレジストの除去などを行う必要があ
り、工程数の増加に伴う煩雑化と、発塵等によるウェハ
汚染などの問題があった。
【０００８】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、煩雑な工程を経ることなく簡便に
半導体ウェハに識別記号を形成する方法を提供すること
を目的とする。
めになされたもので、煩雑な工程を経ることなく簡便に
半導体ウェハに識別記号を形成する方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウェ
ハの識別記号の形成方法の第１の態様は、半導体ウェハ
表面の所定部分を、前記半導体ウェハを識別するための
識別記号の輪郭形状の穴が形成されたマスクで覆い、結
晶成長を行うことによって、前記マスクで覆われた前記
半導体ウェハ表面に、前記識別記号の輪郭形状に合わせ
て結晶を成長させることを特徴とする。
ハの識別記号の形成方法の第１の態様は、半導体ウェハ
表面の所定部分を、前記半導体ウェハを識別するための
識別記号の輪郭形状の穴が形成されたマスクで覆い、結
晶成長を行うことによって、前記マスクで覆われた前記
半導体ウェハ表面に、前記識別記号の輪郭形状に合わせ
て結晶を成長させることを特徴とする。
【００１０】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形
成方法の第２の態様は、前記識別記号が、結晶成長工程
を有する半導体装置の製造工程において、半導体装置を
構成する結晶成長層の生成と同時に成長されることを特
徴とする。
成方法の第２の態様は、前記識別記号が、結晶成長工程
を有する半導体装置の製造工程において、半導体装置を
構成する結晶成長層の生成と同時に成長されることを特
徴とする。
【００１１】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形
成方法の第３の態様は、前記マスクの材質が、モリブデ
ン、タンタル、タングステン、あるいはセラミックスの
いずれかであることを特徴とする。
成方法の第３の態様は、前記マスクの材質が、モリブデ
ン、タンタル、タングステン、あるいはセラミックスの
いずれかであることを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形成方
法の第１の態様によれば、半導体ウェハ表面を識別記号
の輪郭形状の穴が形成されたマスクで覆い、結晶成長を
行うことによって、半導体ウェハ表面に容易に記識別記
号が形成される。
法の第１の態様によれば、半導体ウェハ表面を識別記号
の輪郭形状の穴が形成されたマスクで覆い、結晶成長を
行うことによって、半導体ウェハ表面に容易に記識別記
号が形成される。
【００１３】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形
成方法の第２の態様によれば、識別記号が半導体装置製
造の結晶成長と併せて形成されるので、識別記号を形成
する工程を新に設ける必要がなくなる。
成方法の第２の態様によれば、識別記号が半導体装置製
造の結晶成長と併せて形成されるので、識別記号を形成
する工程を新に設ける必要がなくなる。
【００１４】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形
成方法の第３の態様によれば、マスクの材質に、モリブ
デン、タンタル、タングステン、あるいはセラミックス
のいずれかを用いることで、高温によるマスクの変形、
破損の危険性が低減する。
成方法の第３の態様によれば、マスクの材質に、モリブ
デン、タンタル、タングステン、あるいはセラミックス
のいずれかを用いることで、高温によるマスクの変形、
破損の危険性が低減する。
【００１５】
【実施例】図１〜図４を用いて本発明に係る半導体ウェ
ハの識別記号の形成方法を説明する。図１〜図３は工程
を説明するための概念図であり、図４は半導体ウェハの
識別記号の形成方法を工程順に示したフローチャートで
ある。
ハの識別記号の形成方法を説明する。図１〜図３は工程
を説明するための概念図であり、図４は半導体ウェハの
識別記号の形成方法を工程順に示したフローチャートで
ある。
【００１６】図４に示すステップＳ１において、図１に
示されるように輪郭形状の型抜きによる識別記号４の穴
が形成された耐熱性マスク２を、識別記号部分が半導体
ウェハ１の所望の位置に来るように装着する。
示されるように輪郭形状の型抜きによる識別記号４の穴
が形成された耐熱性マスク２を、識別記号部分が半導体
ウェハ１の所望の位置に来るように装着する。
【００１７】なお、本実施例では識別記号をオリエンテ
ーションフラット近傍に形成した状態を示したが、識別
記号を形成する位置は半導体装置を形成する部分にかか
らない領域内であれば特に制限はない。
ーションフラット近傍に形成した状態を示したが、識別
記号を形成する位置は半導体装置を形成する部分にかか
らない領域内であれば特に制限はない。
【００１８】ここで、結晶成長に必要な基板温度が、Ｇ
ａＡｓでは７００〜９００℃程度であるので、耐熱性マ
スク２にはモリブデンあるいはタンタルあるいはタング
ステンなどの高融点金属材料、あるいはアルミナ等のセ
ラミックス材料が使用される。セラミックス材料で形成
された耐熱性マスク２は、数字やアルファベットなどの
微細な加工を要する識別記号でなく、単純な記号の組合
せで構成される識別記号を形成するのに適している。ま
た、耐熱性マスク２は加工精度および熱応力による歪な
どを考慮して０．１ｍｍ程度の厚さで形成される。
ａＡｓでは７００〜９００℃程度であるので、耐熱性マ
スク２にはモリブデンあるいはタンタルあるいはタング
ステンなどの高融点金属材料、あるいはアルミナ等のセ
ラミックス材料が使用される。セラミックス材料で形成
された耐熱性マスク２は、数字やアルファベットなどの
微細な加工を要する識別記号でなく、単純な記号の組合
せで構成される識別記号を形成するのに適している。ま
た、耐熱性マスク２は加工精度および熱応力による歪な
どを考慮して０．１ｍｍ程度の厚さで形成される。
【００１９】次に図４に示すステップＳ２において、図
２に示されるように半導体ウェハ１と耐熱性マスク２を
重ね合わせた状態で結晶成長装置内に設置して、半導体
装置の製造に本来的に必要な結晶成長を行う。結晶成長
の手段としては、主に気相エピタキシー法が使用され、
ＧａＡｓあるいはＩｎＰなどの化合物結晶の成長に対し
ては塩化物を用いた気相エピタキシー法、あるいは有機
金属を原料とした熱分解法による気相エピタキシー法が
用いられる。なお、化合物結晶の成長に対しては分子線
エピタキシー法なども適宜使用される。
２に示されるように半導体ウェハ１と耐熱性マスク２を
重ね合わせた状態で結晶成長装置内に設置して、半導体
装置の製造に本来的に必要な結晶成長を行う。結晶成長
の手段としては、主に気相エピタキシー法が使用され、
ＧａＡｓあるいはＩｎＰなどの化合物結晶の成長に対し
ては塩化物を用いた気相エピタキシー法、あるいは有機
金属を原料とした熱分解法による気相エピタキシー法が
用いられる。なお、化合物結晶の成長に対しては分子線
エピタキシー法なども適宜使用される。
【００２０】結晶成長中に耐熱性マスク２が移動して半
導体ウェハ１上の所定位置からずれることを防ぐため
に、耐熱性マスク２と半導体ウェハ１は相対的な位置関
係が保持されるように相互に固定される。また、この場
合に耐熱性マスク２と半導体ウェハ１との熱膨張率の違
いから生じるウェハの破損を防ぐために、熱膨張を緩和
するような手段で固定される。
導体ウェハ１上の所定位置からずれることを防ぐため
に、耐熱性マスク２と半導体ウェハ１は相対的な位置関
係が保持されるように相互に固定される。また、この場
合に耐熱性マスク２と半導体ウェハ１との熱膨張率の違
いから生じるウェハの破損を防ぐために、熱膨張を緩和
するような手段で固定される。
【００２１】結晶成長装置内においては、半導体ウェハ
１上の耐熱性マスク２で覆われていない部分には、半導
体装置を構成する所望の結晶が成長し、耐熱性マスク２
で覆われている部分は、結晶成長用の材料ガスが遮断さ
れるため結晶が成長せず、半導体ウェハ１の表面が保た
れる。しかし、耐熱性マスク２の型抜きによる識別記号
４の部分には結晶成長用の材料ガスが侵入するので、こ
の形状に合わせて結晶が成長する。
１上の耐熱性マスク２で覆われていない部分には、半導
体装置を構成する所望の結晶が成長し、耐熱性マスク２
で覆われている部分は、結晶成長用の材料ガスが遮断さ
れるため結晶が成長せず、半導体ウェハ１の表面が保た
れる。しかし、耐熱性マスク２の型抜きによる識別記号
４の部分には結晶成長用の材料ガスが侵入するので、こ
の形状に合わせて結晶が成長する。
【００２２】結晶成長終了後に結晶成長装置内から半導
体ウェハ１および耐熱性マスク２を取り出し、耐熱性マ
スク２を取り外すと、図３に示されるように結晶成長に
よる識別記号５が形成される。
体ウェハ１および耐熱性マスク２を取り出し、耐熱性マ
スク２を取り外すと、図３に示されるように結晶成長に
よる識別記号５が形成される。
【００２３】なお、結晶成長層の厚みは数μｍ〜十数μ
ｍ程度であるが、結晶が成長されていない部分とは光の
反射率が異なるので、肉眼で十分に識別することが可能
である。
ｍ程度であるが、結晶が成長されていない部分とは光の
反射率が異なるので、肉眼で十分に識別することが可能
である。
【００２４】本実施例において耐熱性マスク２の平面形
状は、半導体ウェハ１が覆われるような大きさの矩形形
状のマスクを示したが、半導体ウェハ１の所望の領域を
覆うことができ、相互に固定することができるのであれ
ば、大きさおよび形状は特に限定されない。
状は、半導体ウェハ１が覆われるような大きさの矩形形
状のマスクを示したが、半導体ウェハ１の所望の領域を
覆うことができ、相互に固定することができるのであれ
ば、大きさおよび形状は特に限定されない。
【００２５】
【発明の効果】請求項１記載の半導体ウェハの識別記号
の形成方法によれば、半導体ウェハ表面を識別記号の輪
郭形状の穴が形成されたマスクで覆い、結晶成長を行う
ことによって、半導体ウェハ表面に記識別記号が形成さ
れるので、エッチング等を用いていた従来の形成方法に
比べて工程が容易になり、かつ、発塵等によるウェハ汚
染を低減する効果がある。
の形成方法によれば、半導体ウェハ表面を識別記号の輪
郭形状の穴が形成されたマスクで覆い、結晶成長を行う
ことによって、半導体ウェハ表面に記識別記号が形成さ
れるので、エッチング等を用いていた従来の形成方法に
比べて工程が容易になり、かつ、発塵等によるウェハ汚
染を低減する効果がある。
【００２６】請求項２記載の半導体ウェハの識別記号の
形成方法によれば、識別記号が半導体装置製造の結晶成
長と併せて形成されるので、識別記号を形成する工程を
新に設ける必要がなくなり、識別記号付加に伴う工程の
増加を抑制する効果がある。
形成方法によれば、識別記号が半導体装置製造の結晶成
長と併せて形成されるので、識別記号を形成する工程を
新に設ける必要がなくなり、識別記号付加に伴う工程の
増加を抑制する効果がある。
【００２７】請求項３記載の半導体ウェハの識別記号の
形成方法によれば、マスクの材質に、モリブデン、タン
タル、タングステン、あるいはセラミックスのいずれか
を用いることで、高温状態を必要とする結晶成長におい
てマスクの変形、破損を防止できる。
形成方法によれば、マスクの材質に、モリブデン、タン
タル、タングステン、あるいはセラミックスのいずれか
を用いることで、高温状態を必要とする結晶成長におい
てマスクの変形、破損を防止できる。
【図１】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形成方
法の工程を示す図である。
法の工程を示す図である。
【図２】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形成方
法の工程を示す図である。
法の工程を示す図である。
【図３】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形成方
法の工程を示す図である。
法の工程を示す図である。
【図４】本発明に係る半導体ウェハの識別記号の形成方
法の工程を説明するフローチャートである。
法の工程を説明するフローチャートである。
【図５】従来の半導体ウェハの識別記号の形成方法の工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図６】従来の半導体ウェハの識別記号の形成方法の工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図７】従来の半導体ウェハの識別記号の形成方法の工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図８】従来の半導体ウェハの識別記号の形成方法の工
程を説明するフローチャートである。
程を説明するフローチャートである。
２ 耐熱性マスク ４ 型抜きによる識別記号 ５ 結晶成長による識別記号
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェハ表面の所定部分を、前記半
導体ウェハを識別するための識別記号の輪郭形状の穴が
形成されたマスクで覆い、結晶成長を行うことによっ
て、前記マスクで覆われた前記半導体ウェハ表面に、前
記識別記号の輪郭形状に合わせて結晶を成長させること
を特徴とする半導体ウェハの識別記号の形成方法。 - 【請求項２】 前記識別記号が、結晶成長工程を有する
半導体装置の製造工程において、半導体装置を構成する
結晶成長層の生成と同時に生長されることを特徴とす
る、請求項１記載の半導体ウェハの識別記号の形成方
法。 - 【請求項３】 前記マスクの材質が、モリブデン、タン
タル、タングステン、あるいはセラミックスのいずれか
であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの
識別記号の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23499193A JPH0794616A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体ウェハの識別記号の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23499193A JPH0794616A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体ウェハの識別記号の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794616A true JPH0794616A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16979441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23499193A Pending JPH0794616A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体ウェハの識別記号の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794616A (ja) |
-
1993
- 1993-09-21 JP JP23499193A patent/JPH0794616A/ja active Pending
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