JPH0793331B2 - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JPH0793331B2 JPH0793331B2 JP27785786A JP27785786A JPH0793331B2 JP H0793331 B2 JPH0793331 B2 JP H0793331B2 JP 27785786 A JP27785786 A JP 27785786A JP 27785786 A JP27785786 A JP 27785786A JP H0793331 B2 JPH0793331 B2 JP H0793331B2
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ハイブリッドIC等、コンデンサチップが接着
されている半導体素子であって、不良となったチップ等
を250℃程度の熱で簡単に取りはずし、良品チップと交
換することが可能な半導体素子に関する。
されている半導体素子であって、不良となったチップ等
を250℃程度の熱で簡単に取りはずし、良品チップと交
換することが可能な半導体素子に関する。
（従来の技術） ハイブリッドICは、１枚の基板上にICチップやコンデン
サチップ等が、数個から多いもので数十個搭載されてお
り、これらチップのうち１個でも不良になると、基板そ
のものを不良としなければならず、大変に不経済であっ
た。不良チップのみを交換し、基板不良をなくすことが
必要となっている。
サチップ等が、数個から多いもので数十個搭載されてお
り、これらチップのうち１個でも不良になると、基板そ
のものを不良としなければならず、大変に不経済であっ
た。不良チップのみを交換し、基板不良をなくすことが
必要となっている。
従来のハイブリッドICでチップを接着するに用いられて
いるIC/LSIダイボンディング用の導電性接着剤は、ボン
ディング温度を250〜350℃に設計しているため、一度チ
ップを接着固定すると、不良チップとなったチップを再
度加熱除去することが困難であった。また、１個の不良
チップを除去するために基板全体を300℃程度に加熱長
時間さらすことは、他の半導体素子等の信頼性に少なか
らず影響を与えるので問題となっていた。
いるIC/LSIダイボンディング用の導電性接着剤は、ボン
ディング温度を250〜350℃に設計しているため、一度チ
ップを接着固定すると、不良チップとなったチップを再
度加熱除去することが困難であった。また、１個の不良
チップを除去するために基板全体を300℃程度に加熱長
時間さらすことは、他の半導体素子等の信頼性に少なか
らず影響を与えるので問題となっていた。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもの
で、ICチップやコンデンサチップを低温、かつ短時間に
接着・固定ができ、200℃のボンディングに耐える接着
強度を有し、また接着したチップが不良であるとわかっ
た場合に250℃程度の加熱で簡単に不良チップを除去す
ることが可能な半導体素子を提供しようとするものであ
る。
で、ICチップやコンデンサチップを低温、かつ短時間に
接着・固定ができ、200℃のボンディングに耐える接着
強度を有し、また接着したチップが不良であるとわかっ
た場合に250℃程度の加熱で簡単に不良チップを除去す
ることが可能な半導体素子を提供しようとするものであ
る。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、後述する組成の導電性接着剤を使用すれば、
ICチップやコンデンサチップの接着固定が低温、短時間
で簡単にでき、かつ接着したチップを容易に除去するこ
とが可能であることを見いだし、本発明を完成させたも
のである。
ねた結果、後述する組成の導電性接着剤を使用すれば、
ICチップやコンデンサチップの接着固定が低温、短時間
で簡単にでき、かつ接着したチップを容易に除去するこ
とが可能であることを見いだし、本発明を完成させたも
のである。
すなわち、本発明は、 （Ａ）次の一般式で示されるテトラグリシジルアミン （但し、式中Ｒは２価の脂肪族基、芳香族基、脂環族基
を表す） （Ｂ）導電性粉末、又は必要により（Ｃ）エポキシ樹脂
を含む導電性接着剤を用いてなる半導体素子である。
を表す） （Ｂ）導電性粉末、又は必要により（Ｃ）エポキシ樹脂
を含む導電性接着剤を用いてなる半導体素子である。
本発明に用いる（Ａ）テトラグリシジルアミンは、次の
一般式、 （但し、式中Ｒは２価の脂肪族基、芳香族基、脂環族基
を表す） で示されるものであればよく、耐熱性や作業性等導電性
接着剤の要求特性の必要に応じてＲは種々のものが使用
できる。具体的な化合物としては、例えば、TETRAD−C,
TETRAD−D,TETRAD−X,TETRAD−Ｙ（三菱化成社製、商品
名）、EP604（油化シェルエポキシ社製、商品名）等が
挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用す
る。
一般式、 （但し、式中Ｒは２価の脂肪族基、芳香族基、脂環族基
を表す） で示されるものであればよく、耐熱性や作業性等導電性
接着剤の要求特性の必要に応じてＲは種々のものが使用
できる。具体的な化合物としては、例えば、TETRAD−C,
TETRAD−D,TETRAD−X,TETRAD−Ｙ（三菱化成社製、商品
名）、EP604（油化シェルエポキシ社製、商品名）等が
挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用す
る。
本発明に用いる（Ｃ）エポキシ樹脂としては、すべての
種類のエポキシ樹脂を使用することが可能であるが、そ
の主体は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するポ
リエポキシ樹脂である。具体的にはビスフェノールＡ
型、ハロゲン化ビスフェノール型、レゾルシン型、ビス
フェノールＦ型、ポリアルコール・ポリグリコール型、
ノボラック型、テトラヒドロキシフェニルエタン型、グ
リセリントリエーテル型、ポリオレフィン型、エポキシ
化大豆油、ジシクロペンタジエンオキシド、ビニルシク
ロヘキセンジオキシド等が挙げられ、これらは単独又は
２種以上混合して用いる。
種類のエポキシ樹脂を使用することが可能であるが、そ
の主体は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するポ
リエポキシ樹脂である。具体的にはビスフェノールＡ
型、ハロゲン化ビスフェノール型、レゾルシン型、ビス
フェノールＦ型、ポリアルコール・ポリグリコール型、
ノボラック型、テトラヒドロキシフェニルエタン型、グ
リセリントリエーテル型、ポリオレフィン型、エポキシ
化大豆油、ジシクロペンタジエンオキシド、ビニルシク
ロヘキセンジオキシド等が挙げられ、これらは単独又は
２種以上混合して用いる。
本発明に用いる接着剤では、（Ａ）のテトラグリシジル
アミン（第一発明）、又は（Ａ）テトラグリシジルアミ
ンと（Ｃ）エポキシ樹脂（第二発明）をもって結合剤と
する。通常の場合には（Ａ）のテトラグリシジルアミン
のみで十分であるが、必要によって例えば導電性接着剤
としてそれほど耐熱性を要求されない場合には（Ａ）テ
トラグリシジルアミンに（Ｃ）エポキシ樹脂を配合して
結合剤とする。（Ａ）テトラグリシジルアミンと（Ｃ）
エポキシ樹脂との配合割合［（Ａ）：（Ｃ）］は、重量
比で90:10〜10:90の範囲が好ましく、より好ましくは7
0:30〜40:60の範囲内である。テトラグリシジルアミン
の配合割合が10重量部未満では十分な熱時接着強度およ
び耐熱性が得られず好ましくなく、また90重量部を越え
ると余りにも反応が進み過ぎ、硬くてもろくなる場合が
ある。よって上記の範囲内に限定するのがよい。
アミン（第一発明）、又は（Ａ）テトラグリシジルアミ
ンと（Ｃ）エポキシ樹脂（第二発明）をもって結合剤と
する。通常の場合には（Ａ）のテトラグリシジルアミン
のみで十分であるが、必要によって例えば導電性接着剤
としてそれほど耐熱性を要求されない場合には（Ａ）テ
トラグリシジルアミンに（Ｃ）エポキシ樹脂を配合して
結合剤とする。（Ａ）テトラグリシジルアミンと（Ｃ）
エポキシ樹脂との配合割合［（Ａ）：（Ｃ）］は、重量
比で90:10〜10:90の範囲が好ましく、より好ましくは7
0:30〜40:60の範囲内である。テトラグリシジルアミン
の配合割合が10重量部未満では十分な熱時接着強度およ
び耐熱性が得られず好ましくなく、また90重量部を越え
ると余りにも反応が進み過ぎ、硬くてもろくなる場合が
ある。よって上記の範囲内に限定するのがよい。
本発明に用いる（Ｂ）導電性粉末としては、フレーク
状、鱗片状などのものも使用されるが、特に球状あるい
は樹脂被覆された平均粒径10μｍ以下の銀、銅、ニッケ
ル等の金属粉末が好ましく使用される。導電性粉末の配
合割合は、（Ａ）テトラグリシジルアミン、又は（Ａ）
テトラグリシジルアミンと（Ｃ）エポキシ樹脂とからな
る結合剤との比で決められる。導電性粉末と結合剤の割
合は、重量比で70:30〜90:10の範囲内であることが好ま
しい。導電性粉末が70未満では十分な導電性が得られ
ず、また90を超えると作業性や接着強度が低下し、いず
れの場合も好ましくない。
状、鱗片状などのものも使用されるが、特に球状あるい
は樹脂被覆された平均粒径10μｍ以下の銀、銅、ニッケ
ル等の金属粉末が好ましく使用される。導電性粉末の配
合割合は、（Ａ）テトラグリシジルアミン、又は（Ａ）
テトラグリシジルアミンと（Ｃ）エポキシ樹脂とからな
る結合剤との比で決められる。導電性粉末と結合剤の割
合は、重量比で70:30〜90:10の範囲内であることが好ま
しい。導電性粉末が70未満では十分な導電性が得られ
ず、また90を超えると作業性や接着強度が低下し、いず
れの場合も好ましくない。
本発明に用いる導電性接着剤には、硬化触媒として、通
常の一液型エポキシ樹脂接着剤に用いるものをそのまま
使用することができ、例えばイミダゾール系、ジシアン
ジアミド−イミダゾール系等の触媒が使用される。
常の一液型エポキシ樹脂接着剤に用いるものをそのまま
使用することができ、例えばイミダゾール系、ジシアン
ジアミド−イミダゾール系等の触媒が使用される。
また粘度調整用として各種の溶剤を使用することがで
き、例えばブチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトー
ル等が挙げられ、単独又は２種以上混合して使用する。
また無溶剤型にするには、液状低粘度のエポキシ樹脂を
使用するか或いはエポキシモノマーを使用することがで
きる。
き、例えばブチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトー
ル等が挙げられ、単独又は２種以上混合して使用する。
また無溶剤型にするには、液状低粘度のエポキシ樹脂を
使用するか或いはエポキシモノマーを使用することがで
きる。
本発明に用いる導電性接着剤は、以上の各成分を配合
し、それを３本ロール等により均一に混練して容易に製
造することができる。こうして得られた導電性接着剤を
所定の場所にディスペンサー、スクリーン印刷、ピン転
写法等によって塗布した後、数秒から数時間後、コンデ
ンサチップ等を載せ、加熱硬化させて半導体素子をつく
ることができる。この導電性接着剤は種々の硬化条件で
硬化させることが可能であるが、150℃で30分間あるい
は120℃で90分間のオーブン硬化、又は200℃以上で数十
秒のヒータブロック硬化が好ましい。
し、それを３本ロール等により均一に混練して容易に製
造することができる。こうして得られた導電性接着剤を
所定の場所にディスペンサー、スクリーン印刷、ピン転
写法等によって塗布した後、数秒から数時間後、コンデ
ンサチップ等を載せ、加熱硬化させて半導体素子をつく
ることができる。この導電性接着剤は種々の硬化条件で
硬化させることが可能であるが、150℃で30分間あるい
は120℃で90分間のオーブン硬化、又は200℃以上で数十
秒のヒータブロック硬化が好ましい。
（実施例） 次に本発明を実施例によって説明するが、本発明は以下
の実施例によって限定されるものではない。
の実施例によって限定されるものではない。
実施例 １〜５ 第１表に示した各成分を３本ロールにより３回混練して
導電性接着剤を得た。得られた導電性接着剤を、アルミ
ニウム基板上に金メッキされたパッド部にディスペンス
塗布した後、4.5×6.5mmのICチップと1.8×1.9mmのコン
デンサチップをマウントし、150℃の温度で30分間加熱
硬化させて半導体素子を製造した。この半導体素子に関
してボンディングテスト、250℃でのチップ剥離性、接
着強度、耐湿性についてについて試験し、その結果を第
１表に示したが、いずれも本発明の顕著な効果が認めら
れた。
導電性接着剤を得た。得られた導電性接着剤を、アルミ
ニウム基板上に金メッキされたパッド部にディスペンス
塗布した後、4.5×6.5mmのICチップと1.8×1.9mmのコン
デンサチップをマウントし、150℃の温度で30分間加熱
硬化させて半導体素子を製造した。この半導体素子に関
してボンディングテスト、250℃でのチップ剥離性、接
着強度、耐湿性についてについて試験し、その結果を第
１表に示したが、いずれも本発明の顕著な効果が認めら
れた。
比較例 １ 実施例２において、テトラグリシジルアミン（TETRAD−
Ｃ）を除いた以外は、すべて実施例２と同一にして導電
性接着剤、半導体素子を得て、実施例と同様な試験を行
ったので、その結果を第１表に示した。
Ｃ）を除いた以外は、すべて実施例２と同一にして導電
性接着剤、半導体素子を得て、実施例と同様な試験を行
ったので、その結果を第１表に示した。
比較例 ２ 市販のIC/LSIダイボンディング用導電性接着剤を用いて
実施例と同様な試験を行ったので、その結果を第１表に
示した。
実施例と同様な試験を行ったので、その結果を第１表に
示した。
＊1:油化シェルエポキシ社製、商品名 ＊2:三菱化成社製、商品名 ＊3:油化シェルエポキシ社製、商品名 ＊4:200℃におけるICチップ300個のボンディングテスト
でチップハガレを起こしたチップの個数 ＊5:250℃のヒート盤上で20秒間放置後、4kg/cm2の力で
チップが剥離できるかを試験した。（チップスサイズは
4.5×6.5mm） ＊6:4.5×6.5mmICチップの側面をプッシュプルゲージで
水平に押した時の剪断強度を測定した（実施例１〜5,比
較例の硬化条件は150℃×30分間、比較例２の硬化条件
は200℃×60分間である）。
でチップハガレを起こしたチップの個数 ＊5:250℃のヒート盤上で20秒間放置後、4kg/cm2の力で
チップが剥離できるかを試験した。（チップスサイズは
4.5×6.5mm） ＊6:4.5×6.5mmICチップの側面をプッシュプルゲージで
水平に押した時の剪断強度を測定した（実施例１〜5,比
較例の硬化条件は150℃×30分間、比較例２の硬化条件
は200℃×60分間である）。
＊7:温度121℃，圧力２気圧の水蒸気中における耐湿試
験（PCT）、および温度120℃，圧力２気圧の水蒸気中で
印加電圧直流15Vを通電しての耐湿試験（バイアス−PC
T）を各半導体素子について行い、評価した。この試験
に供した半導体素子数は、各々60個である。評価の方法
は、半導体素子を構成するアルミニウム電極の腐蝕によ
るオープン、又はリーク電流が許容値の50％以上への上
昇をもって、不良と判定した。
験（PCT）、および温度120℃，圧力２気圧の水蒸気中で
印加電圧直流15Vを通電しての耐湿試験（バイアス−PC
T）を各半導体素子について行い、評価した。この試験
に供した半導体素子数は、各々60個である。評価の方法
は、半導体素子を構成するアルミニウム電極の腐蝕によ
るオープン、又はリーク電流が許容値の50％以上への上
昇をもって、不良と判定した。
［発明の効果］ 以上の説明および第１表の結果からも明らかなように、
本発明の半導体素子によれば、ICチップやコンデンサチ
ップを低温、短時間で簡単に接着でき、接着されたチッ
プは200℃のワイヤボンディングに耐える接着強度を有
し、一方不良チップの交換時には250℃程度の熱で容易
に不良チップを除去できるものであるので、半導体素子
の歩留りおよび信頼性も高く、本発明は工業的価値の大
きいものである。
本発明の半導体素子によれば、ICチップやコンデンサチ
ップを低温、短時間で簡単に接着でき、接着されたチッ
プは200℃のワイヤボンディングに耐える接着強度を有
し、一方不良チップの交換時には250℃程度の熱で容易
に不良チップを除去できるものであるので、半導体素子
の歩留りおよび信頼性も高く、本発明は工業的価値の大
きいものである。
Claims (3)
- 【請求項１】（Ａ）次の一般式で示されるテトラグリシ
ジルアミン、および （但し、式中Ｒは２価の脂肪族基、芳香族基、脂環族基
を表す） （Ｂ）導電性粉末 を含む導電性接着剤を用いてなる半導体素子。 - 【請求項２】（Ａ）次の一般式で示されるテトラグリシ
ジルアミン及び （但し、式中Ｒは２価の脂肪族基、芳香族基、脂環族基
を表す） （Ｂ）導電性粉末、および （Ｃ）エポキシ樹脂 を含む導電性接着剤を用いてなる半導体素子。 - 【請求項３】（Ａ）テトラグリシジルアミンと（Ｃ）エ
ポキシ樹脂との配合割合［（Ａ）／（Ｃ）］が、重量比
で90/10〜10/90の範囲内である特許請求の範囲第２項記
載の半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27785786A JPH0793331B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27785786A JPH0793331B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132435A JPS63132435A (ja) | 1988-06-04 |
| JPH0793331B2 true JPH0793331B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=17589246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27785786A Expired - Fee Related JPH0793331B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793331B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8874427B2 (en) | 2004-03-05 | 2014-10-28 | Sdl Enterprise Technologies, Inc. | In-context exact (ICE) matching |
| US8935150B2 (en) | 2009-03-02 | 2015-01-13 | Sdl Plc | Dynamic generation of auto-suggest dictionary for natural language translation |
| US8935148B2 (en) | 2009-03-02 | 2015-01-13 | Sdl Plc | Computer-assisted natural language translation |
| US9128929B2 (en) | 2011-01-14 | 2015-09-08 | Sdl Language Technologies | Systems and methods for automatically estimating a translation time including preparation time in addition to the translation itself |
| US9400786B2 (en) | 2006-09-21 | 2016-07-26 | Sdl Plc | Computer-implemented method, computer software and apparatus for use in a translation system |
| US9600472B2 (en) | 1999-09-17 | 2017-03-21 | Sdl Inc. | E-services translation utilizing machine translation and translation memory |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5002818A (en) * | 1989-09-05 | 1991-03-26 | Hughes Aircraft Company | Reworkable epoxy die-attach adhesive |
| JP5308398B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2013-10-09 | 日東電工株式会社 | 光導波路形成用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路 |
| JP6330532B2 (ja) * | 2014-07-09 | 2018-05-30 | 三菱ケミカル株式会社 | エポキシ化合物、エポキシ化合物含有組成物及び硬化物 |
-
1986
- 1986-11-22 JP JP27785786A patent/JPH0793331B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9600472B2 (en) | 1999-09-17 | 2017-03-21 | Sdl Inc. | E-services translation utilizing machine translation and translation memory |
| US8874427B2 (en) | 2004-03-05 | 2014-10-28 | Sdl Enterprise Technologies, Inc. | In-context exact (ICE) matching |
| US9342506B2 (en) | 2004-03-05 | 2016-05-17 | Sdl Inc. | In-context exact (ICE) matching |
| US9400786B2 (en) | 2006-09-21 | 2016-07-26 | Sdl Plc | Computer-implemented method, computer software and apparatus for use in a translation system |
| US8935150B2 (en) | 2009-03-02 | 2015-01-13 | Sdl Plc | Dynamic generation of auto-suggest dictionary for natural language translation |
| US8935148B2 (en) | 2009-03-02 | 2015-01-13 | Sdl Plc | Computer-assisted natural language translation |
| US9262403B2 (en) | 2009-03-02 | 2016-02-16 | Sdl Plc | Dynamic generation of auto-suggest dictionary for natural language translation |
| US9128929B2 (en) | 2011-01-14 | 2015-09-08 | Sdl Language Technologies | Systems and methods for automatically estimating a translation time including preparation time in addition to the translation itself |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63132435A (ja) | 1988-06-04 |
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