JPH0787023A - 光送信装置 - Google Patents

光送信装置

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JPH0787023A
JPH0787023A JP5228834A JP22883493A JPH0787023A JP H0787023 A JPH0787023 A JP H0787023A JP 5228834 A JP5228834 A JP 5228834A JP 22883493 A JP22883493 A JP 22883493A JP H0787023 A JPH0787023 A JP H0787023A
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JP
Japan
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intensity
semiconductor laser
modulation
component
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP5228834A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Nojima
嶋 一 宏 野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザから出力される光信号の光変調
度を常に一定にする。 【構成】 端子１に直流バイアス電圧を入力し、端子２
に変調信号を入力し、駆動回路３によって駆動される半
導体レーザ４の背光を受光素子５で電気信号に変換し、
そのうちの直流成分の強度を検出回路６で検出し、変調
成分を帯域フィルタ７で抽出し、ピーク検出回路８でそ
の強度を検出し、信号比検出回路９で直流成分と変調成
分の強度の比を検出し、その比が一定になるように制御
回路１０で可変増幅器１１の増幅率と可変減衰器１２の
減衰率を制御し、駆動回路３に入力する変調信号を制御
する。駆動回路３に入力する直流バイアス電圧を同様に
制御してもよく、半導体レーザ駆動電流の直流成分と変
調成分の強度を同様に検出してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、変調された電気信号を
光信号に変換する光送信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に半導体レーザを用いて光信
号を発生させる場合、図７に示すように、直流バイアス
電流成分ＩB と変調電流成分ＩM を重畳した注入電流Ｉ
を半導体レーザに注入することにより、平均光レベルが
ＰB 、変調成分がＰM の光変調信号が半導体レーザから
出力される。このとき、平均光レベルＰB と変調成分Ｐ
M との比を光変調度または単に変調度という。
【０００３】図８は、従来の半導体レーザを用いて光信
号を発生させる光送信装置の構成を示している。この装
置では、直流バイアス電圧をバイアス入力端子１０１に
入力し、変調信号を変調信号入力端子１０２に入力し、
直流バイアス電圧と変調信号のそれぞれを電流に変換し
て重畳した電流を出力する半導体レーザ駆動回路１０３
によって半導体レーザ駆動電流を出力し、この半導体レ
ーザ駆動電流が半導体レーザ１０４に注入され、半導体
レーザ１０４から変調された光変調信号が発生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光送信装置では、直流バイアス電圧や変調信号が不
安定であると、光変調度が一定にならないという問題が
あった。
【０００５】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
であり、光変調度が常に一定である光送信装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体レーザ駆動手段と、半導体レーザ
の背光を受光する受光素子と、この受光素子の出力信号
中の直流成分の強度と変調成分の強度との比を検出する
手段と、この強度比が一定になるように半導体レーザ駆
動手段に入力する変調信号または直流バイアス電圧を制
御する制御手段とを備えたものである。
【０００７】本発明はまた、半導体レーザ駆動手段と、
半導体レーザ駆動電流の直流成分の強度と変調成分の強
度との比を検出する手段と、この強度比が一定になるよ
うに半導体レーザ駆動手段に入力する変調信号または直
流バイアス電圧を制御する制御手段とを備えたものであ
る。
【０００８】
【作用】したがって、本発明によれば、半導体レーザの
背光を受光した受光素子の出力信号または半導体レーザ
駆動電流中の直流成分の強度と変調成分の強度との比が
一定になるように、半導体レーザ駆動手段に入力する変
調信号または直流バイアス電圧を制御するので、半導体
レーザから出力される光信号の光変調度を常に一定にす
ることができる。
【０００９】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の実施例を添付図
面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施
例の構成を示すものである。図１において、１は直流バ
イアス電圧を入力するバイアス入力端子、２は変調信号
を入力する変調信号入力端子、３は直流バイアス電圧と
変調信号のそれぞれを電流に変換して重畳した電流を出
力する半導体レーザ駆動回路、４は半導体レーザ駆動電
流を光変調信号に変換する半導体レーザ、５は光変調信
号を電気信号に変換する受光素子、６は受光素子５の出
力信号の直流成分の強度を検出する直流成分検出回路、
７は受光素子５の出力信号の変調成分を抽出する帯域フ
ィルタ、８は変調成分の強度を検出するピーク検出回
路、９は直流成分の強度と変調成分の強度との比を検出
する信号比検出回路、１０は直流成分と変調成分との比
が一定になるように制御信号を発生する制御回路、１１
は制御信号によって増幅率が可変である可変増幅器、１
２は制御信号によって減衰率が可変である可変減衰器で
ある。
【００１０】次に上記第１の実施例の動作について説明
する。上記第１の実施例において直流バイアス電圧をバ
イアス入力端子１に入力し、変調信号を変調信号入力端
子２に入力する。変調信号入力端子２に入力された変調
信号は、可変増幅器１１によって増幅され、可変減衰器
１２によって減衰され、半導体レーザ駆動回路３に入力
される。半導体レーザ駆動回路３は、入力された直流バ
イアス電圧と変調信号のそれぞれを電流に変換して重畳
した半導体レーザ駆動電流を半導体レーザ４に出力す
る。半導体レーザ４は、この半導体レーザ駆動電流を光
変調信号に変換して出力するとともに、半導体レーザ４
の背光が、光変調度制御のために受光素子５で電気信号
に変換される。直流成分検出回路６は、受光素子５の出
力信号の直流成分を検出し、帯域フィルタ７は、受光素
子５の出力信号の変調成分を抽出し、ピーク検出回路８
でその変調成分の強度を検出する。信号比検出回路９
は、直流成分の強度と変調成分の強度との比を検出し、
制御回路１０で直流成分の強度と変調成分の強度との比
が一定になるように、可変増幅器１１の増幅率と可変減
衰器１２の減衰率を制御し、光変調度を一定にする。
【００１１】このように上記第１の実施例によれば、受
光素子５の出力信号の直流成分の強度を検出するととも
に、受光素子５の出力信号の変調成分の強度を検出し、
この直流成分の強度と変調成分の強度との比が一定にな
るように、可変増幅器１１の増幅率と可変減衰器１２の
減衰率を制御するようにしたので、半導体レーザ４から
出力される光信号の光変調度を常に一定にすることがで
きる。
【００１２】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
について説明する。図２は本発明の第２の実施例の構成
を示すものである。本実施例が上記第１の実施例と異な
るのは、バイアス入力端子１が可変増幅器１１に接続さ
れ、変調信号入力端子２が半導体レーザ駆動回路３に接
続されていることだけであり、他の構成は第１の実施例
と同じなので、構成についての重複した説明は省略す
る。
【００１３】次に、上記第２の実施例の動作について説
明する。上記第１の実施例においては、変調信号入力端
子２から入力される変調信号を可変増幅器１１によって
増幅し、可変減衰器１２によって減衰することにより、
信号比検出回路９で検出される直流成分の強度と変調成
分の強度との比を一定にしていたが、本実施例では、バ
イアス入力端子１から入力される直流バイアス電圧を可
変増幅器１１によって増幅し、可変減衰器１２によって
減衰することにより、信号比検出回路９で検出される直
流成分の強度と変調成分の強度との比を一定にし、光変
調度を一定にしている。
【００１４】このように、上記第２の実施例によれば、
バイアス入力端子１から入力される直流バイアス電圧を
可変増幅器１１によって増幅し、可変減衰器１２によっ
て減衰することにより、信号比検出回路９で検出される
直流成分と変調成分の強度を一定にするので、半導体レ
ーザ４から出力される光信号の光変調度を常に一定にす
ることができる。
【００１５】（実施例３）次に本発明の第３の実施例に
ついて説明する。図３は本発明の第３の実施例の構成を
示すものである。図３において、２１は直流バイアス電
圧を入力するバイアス入力端子、２２は変調信号を入力
する変調信号入力端子、２３は直流バイアス電圧と変調
信号のそれぞれを電流に変換して重畳した電流を出力す
る半導体レーザ駆動回路、２４は半導体レーザ駆動電流
を光変調信号に変換する半導体レーザ、２５は半導体レ
ーザ駆動電流の直流成分の強度を検出する直流成分検出
回路、２６は半導体レーザ駆動電流の変調成分を抽出す
る帯域フィルタ、２７は変調成分の強度を検出するピー
ク検出回路、２８は直流成分の強度と変調成分の強度と
の比を検出する信号比検出回路、２９は直流成分と変調
成分との比が一定になるように制御信号を発生する制御
回路、３０は制御信号によって増幅率が可変である可変
増幅器、３１は制御信号によって減衰率が可変である可
変減衰器である。
【００１６】次に上記第３の実施例の動作について説明
する。上記第３の実施例において、直流バイアス電圧を
バイアス入力端子２１に入力し、変調信号を変調信号入
力端子２２に入力する。変調信号入力端子２２に入力さ
れた変調信号は、可変増幅器３０によって増幅され、可
変増幅器３１によって減衰され、半導体レーザ駆動回路
２３に入力される。半導体レーザ駆動回路２３は、入力
された直流バイアス電圧と変調信号のそれぞれを電流に
変換して重畳した半導体レーザ駆動電流を半導体レーザ
２４に出力し、半導体レーザ２４は、この半導体レーザ
駆動電流を光変調信号に変換して出力する。直流成分検
出回路２５は、半導体レーザ駆動回路２３から出力され
た半導体レーザ駆動電流の直流成分の強度を検出し、帯
域フィルタ２６は、半導体レーザ駆動電流の変調成分を
抽出し、ピーク検出回路２７でその変調成分の強度を検
出する。信号比検出回路２８は、直流成分の強度と変調
成分の強度との比を検出し、制御回路２９で直流成分の
強度と変調成分の強度との比が一定になるように、可変
増幅器３０の増幅率と可変減衰器３１の減衰率を制御
し、光変調度を一定にする。
【００１７】このように上記第３の実施例によれば、半
導体レーザ駆動電流の直流成分と変調成分のそれぞれの
強度を検出し、この直流成分の強度と変調成分の強度と
の比が一定になるように、可変増幅器３０の増幅率と可
変減衰器３１の減衰率を制御するようにしたので、半導
体レーザ２４から出力される光信号の光変調度を常に一
定にすることができる。
【００１８】（実施例４）次に、本発明の第４の実施例
について説明する。図４は本発明の第４の実施例の構成
を示すものである。本実施例が上記第３の実施例と異な
るのは、バイアス入力端子２１が可変増幅器３０に接続
され、変調信号入力端子２２が半導体レーザ駆動回路２
３に接続されていることだけであり、他の構成は第３の
実施例と同じなので、構成についての重複した説明は省
略する。
【００１９】次に、上記第４の実施例の動作について説
明する。上記第３の実施例においては、変調信号入力端
子２２から入力される変調信号を可変増幅器３０によっ
て増幅し、可変減衰器３１によって減衰することによ
り、信号比検出回路２８で検出される直流成分と変調成
分の強度を一定にしていたが、本実施例では、バイアス
入力端子２１から入力される直流バイアス電圧を可変増
幅器３０によって増幅し、可変減衰器３１によって減衰
することにより、信号比検出回路２８で検出される直流
成分と変調成分の強度を一定にし、光変調度を一定にし
ている。
【００２０】このように、上記第４の実施例によれば、
バイアス入力端子２１から入力される直流バイアス電圧
を可変増幅器３０によって増幅し、可変減衰器３１によ
って減衰することにより、信号比検出回路２８で検出さ
れる直流成分と変調成分の強度を一定にするので、半導
体レーザ２４から出力される光信号の光変調度を常に一
定にすることができる。
【００２１】（実施例５）次に、本発明の第５の実施例
について説明する。図５は本発明の第５の実施例の構成
を示すものである。本実施例は、上記第１の実施例の構
成に加え、信号比検出回路９によって検出された直流成
分の強度と変調成分の強度との比から、光変調度を算出
して表示する算出表示回路１３を備えたものである。
【００２２】本実施例によれば、上記第１の実施例の効
果に加え、光変調度を算出表示回路１３によって視覚的
に表示することにより、光信号の変調度の確認が容易に
できるという利点をもっている。
【００２３】（実施例６）次に、本発明の第６の実施例
について説明する。図６は本発明の第６の実施例の構成
を示すものである。本実施例は、上記第１の実施例の構
成に加え、信号比検出回路９によって検出された直流成
分の強度と変調成分の強度との比から、光変調度が異常
値を示した場合に警報を出力する警報出力回路１４を備
えたものである。
【００２４】本実施例によれば、上記第１の実施例の効
果に加え、光変調度の異常を警報出力回路１４によって
視覚的およびまたは聴覚的に警報することにより、光信
号の変調度の異常を容易に確認できるという利点をもっ
ている。
【００２５】なお、上記第５の実施例における算出表示
回路１３は、上記した第２、第３、第４の各実施例に対
しても適用でき、また第６の実施例における警報出力回
路１４は、上記した第２、第３、第４、第５の各実施例
に対しても適用できるものである。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、上記各実施例から明らかなよ
うに、半導体レーザの背光を受光した受光素子の出力信
号または半導体レーザ駆動電流中の直流成分の強度と変
調成分の強度との比が一定になるように、半導体レーザ
駆動手段に入力する直流バイアス電圧または変調信号を
制御するので、半導体レーザから出力される光信号の光
変調度を常に一定にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例における光送信装置の概
略ブロック図
【図２】本発明の第２の実施例における光送信装置の概
略ブロック図
【図３】本発明の第３の実施例における光送信装置の概
略ブロック図
【図４】本発明の第４の実施例における光送信装置の概
略ブロック図
【図５】本発明の第５の実施例における光送信装置の概
略ブロック図
【図６】本発明の第６の実施例における光送信装置の概
略ブロック図
【図７】半導体レーザの光信号出力特性図
【図８】従来の光送信装置の概略ブロック図
【符号の説明】
１、２１ バイアス入力端子 ２、２２ 変調信号入力端子 ３、２３ 半導体レーザ駆動回路 ４、２４ 半導体レーザ ５ 受光素子 ６、２８ 直流成分検出回路 ７、２６ 帯域フィルタ ８、２７ ピーク検出回路 ９、２５ 信号比検出回路 １０、２９ 制御回路 １１、３０ 可変増幅器 １２、３１ 可変減衰器 １３ 算出表示回路 １４ 警報出力回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/152 10/142

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体レーザ駆動手段と、半導体レーザ
    の背光を受光する受光素子と、前記受光素子の出力信号
    中の直流成分の強度と変調成分の強度との比を検出する
    手段と、前記強度比が一定になるように前記半導体レー
    ザ駆動手段に入力する変調信号を制御する制御手段とを
    備えた光送信装置。
  2. 【請求項２】 半導体レーザ駆動手段と、半導体レーザ
    の背光を受光する受光素子と、前記受光素子の出力信号
    中の直流成分の強度と変調成分の強度との比を検出する
    手段と、前記強度比が一定になるように前記半導体レー
    ザ駆動手段に入力する直流バイアス電圧を制御する制御
    手段とを備えた光送信装置。
  3. 【請求項３】 半導体レーザ駆動手段と、半導体レーザ
    駆動電流の直流成分の強度と変調成分の強度との比を検
    出する手段と、前記強度比が一定になるように前記半導
    体レーザ駆動手段に入力する変調信号を制御する制御手
    段とを備えた光送信装置。
  4. 【請求項４】 半導体レーザ駆動手段と、半導体レーザ
    駆動電流の直流成分の強度と変調成分の強度との比を検
    出する手段と、前記強度比が一定になるように前記半導
    体レーザ駆動手段に入力する直流バイアス電圧を制御す
    る制御手段とを備えた光送信装置。
  5. 【請求項５】 半導体レーザ駆動電流の直流成分の強度
    と変調成分の強度との比から光変調度を算出して表示す
    る表示手段を備えた請求項１から４のいずれかに記載の
    光送信装置。
  6. 【請求項６】 半導体レーザ駆動電流の直流成分の強度
    と変調成分の強度との比が異常値を示す場合に警報を出
    力する警告手段を備えた請求項１から５のいずれかに記
    載の光送信装置。
JP5228834A 1993-09-14 1993-09-14 光送信装置 Pending JPH0787023A (ja)

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