JPH0786265A - 半導体製造装置に於ける反応副生成物除去方法 - Google Patents
半導体製造装置に於ける反応副生成物除去方法Info
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- JPH0786265A JPH0786265A JP25252693A JP25252693A JPH0786265A JP H0786265 A JPH0786265 A JP H0786265A JP 25252693 A JP25252693 A JP 25252693A JP 25252693 A JP25252693 A JP 25252693A JP H0786265 A JPH0786265 A JP H0786265A
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- furnace
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- byproduct
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置に於ける反応副生成物除去方法
に於いて、反応室を分解することなく反応副生成物の除
去を行う。 【構成】反応炉シールが焼損しない温度で、反応副生成
物付着部を加熱し、反応室内を１〜１００Ｐａ程度に減
圧し、反応副生成物を加熱気化させ、反応室外に排出す
る。
に於いて、反応室を分解することなく反応副生成物の除
去を行う。 【構成】反応炉シールが焼損しない温度で、反応副生成
物付着部を加熱し、反応室内を１〜１００Ｐａ程度に減
圧し、反応副生成物を加熱気化させ、反応室外に排出す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造工程に於い
て、配管等に付着した反応副生成物を除去する方法に関
するものである。
て、配管等に付着した反応副生成物を除去する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１に於いて半導体製造装置の１つであ
り、シリコンウェーハに薄膜を生成する縦型反応炉につ
いて説明する。
り、シリコンウェーハに薄膜を生成する縦型反応炉につ
いて説明する。
【０００３】ヒータ１の内部に外部反応管２が設けら
れ、該外部反応管２の下端に短筒のインレットフランジ
７が気密に設けられ、該インレットフランジ７に下端を
支持された内部反応管３が前記外部反応管２と同心に設
けられている。前記内部反応管３と前記外部反応管２と
の間には下端が閉塞された円筒状の空間４が形成され
る。
れ、該外部反応管２の下端に短筒のインレットフランジ
７が気密に設けられ、該インレットフランジ７に下端を
支持された内部反応管３が前記外部反応管２と同心に設
けられている。前記内部反応管３と前記外部反応管２と
の間には下端が閉塞された円筒状の空間４が形成され
る。
【０００４】ウェーハ５はボート６に水平姿勢で多段に
保持され、ボート６に保持された状態で前記内部反応管
３の内部に装入される様になっている。前記ボート６は
ボートキャップ９を介して図示しないボートエレベータ
に昇降可能に支持され、前記ボート６が前記内部反応管
３内に完全に装入された状態では炉口蓋１０が前記イン
レットフランジ７に気密に当接し、外部反応管２内を気
密に閉塞する様になっている。
保持され、ボート６に保持された状態で前記内部反応管
３の内部に装入される様になっている。前記ボート６は
ボートキャップ９を介して図示しないボートエレベータ
に昇降可能に支持され、前記ボート６が前記内部反応管
３内に完全に装入された状態では炉口蓋１０が前記イン
レットフランジ７に気密に当接し、外部反応管２内を気
密に閉塞する様になっている。
【０００５】上記した様に、外部反応管２とインレット
フランジ７とは気密に連設されており、外部反応管２と
インレットフランジ７との間には図示しないシールリン
グが挾設されている。更に、前記インレットフランジ７
の上端には冷却路１２が設けられ、該冷却路１２に冷却
水を流通させることで前記シールリングは炉体からの熱
により焼損しない様に冷却されている。
フランジ７とは気密に連設されており、外部反応管２と
インレットフランジ７との間には図示しないシールリン
グが挾設されている。更に、前記インレットフランジ７
の上端には冷却路１２が設けられ、該冷却路１２に冷却
水を流通させることで前記シールリングは炉体からの熱
により焼損しない様に冷却されている。
【０００６】ボート６が装入され、ヒータ１により内部
が所定の温度に加熱された状態で、反応ガス導入ポート
８より前記内部反応管３の下端から反応ガスが導入さ
れ、ウェーハ５が処理され、更に反応後のガスは前記空
間４の下端に連通された排気管１１から排気される。
が所定の温度に加熱された状態で、反応ガス導入ポート
８より前記内部反応管３の下端から反応ガスが導入さ
れ、ウェーハ５が処理され、更に反応後のガスは前記空
間４の下端に連通された排気管１１から排気される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記縦型反応炉で反応
ガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 を導入し、ウェーハ
５表面にＳｉ3 Ｎ4 膜を生成させる場合に於いて、前記
シールリングが冷却されていることから前記インレット
フランジ７の上部は低温となっている。この為、インレ
ットフランジ７の低温部に、或は排気管１１の管壁に反
応副生成物（ＮＨ4 Ｃｌ等）が析出して付着する。前記
析出した反応副生成物はパーティクルの原因となる為、
所定間隔で清掃除去しなければならない。
ガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 を導入し、ウェーハ
５表面にＳｉ3 Ｎ4 膜を生成させる場合に於いて、前記
シールリングが冷却されていることから前記インレット
フランジ７の上部は低温となっている。この為、インレ
ットフランジ７の低温部に、或は排気管１１の管壁に反
応副生成物（ＮＨ4 Ｃｌ等）が析出して付着する。前記
析出した反応副生成物はパーティクルの原因となる為、
所定間隔で清掃除去しなければならない。
【０００８】清掃作業は前記インレットフランジ７、排
気管１１を取外し、水洗い等して前記反応副生成物を除
去している。
気管１１を取外し、水洗い等して前記反応副生成物を除
去している。
【０００９】ところが、前記インレットフランジ７を取
外す場合は、前記外部反応管２、内部反応管３を同時に
取外さねばならず、煩雑で時間と手間の掛かる作業であ
り、装置の稼働率低下の原因となっていた。
外す場合は、前記外部反応管２、内部反応管３を同時に
取外さねばならず、煩雑で時間と手間の掛かる作業であ
り、装置の稼働率低下の原因となっていた。
【００１０】本発明は斯かる実情に鑑み、インレットフ
ランジを取外すことなく前記反応副生成物の除去を行え
る様にしたものである。
ランジを取外すことなく前記反応副生成物の除去を行え
る様にしたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応炉シール
が焼損しない温度で、反応副生成物付着部を加熱し、反
応室内を１〜１００Ｐａ程度に減圧することを特徴とす
るものである。
が焼損しない温度で、反応副生成物付着部を加熱し、反
応室内を１〜１００Ｐａ程度に減圧することを特徴とす
るものである。
【００１２】
【作用】反応副生成物を加熱気化させ、反応室外に排出
する。
する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。
【００１４】反応副生成物を除去する場合、各処理後、
或は所要処理回数後に行い、処理後炉内温度を５００℃
前後降下させ、冷却路１２の冷却水を停止する。冷却水
の停止により前記インレットフランジ７の上部が昇温す
る。該インレットフランジ７の上部の温度が１００℃〜
１５０℃となっていることを確認する。
或は所要処理回数後に行い、処理後炉内温度を５００℃
前後降下させ、冷却路１２の冷却水を停止する。冷却水
の停止により前記インレットフランジ７の上部が昇温す
る。該インレットフランジ７の上部の温度が１００℃〜
１５０℃となっていることを確認する。
【００１５】インレットフランジ７の上部の温度が１０
０℃〜１５０℃となっていなければ、１０℃程度の刻み
で炉内を昇温、降温させる。
０℃〜１５０℃となっていなければ、１０℃程度の刻み
で炉内を昇温、降温させる。
【００１６】図２は冷却水を停止した場合の、インレッ
トフランジ７の上部温度の上昇状態を示すものである。
トフランジ７の上部温度の上昇状態を示すものである。
【００１７】上部の温度を１００℃〜１５０℃に維持
し、炉内を圧力１〜１００Ｐａ程度に１時間以上保持す
る。
し、炉内を圧力１〜１００Ｐａ程度に１時間以上保持す
る。
【００１８】反応生成物は気化して、排気ガスと共に排
出される。而して、前記インレットフランジ７の冷却部
に付着した副生成物は完全に除去される。排気管１１に
付着した反応副生成物についても同様に除去することが
できる。
出される。而して、前記インレットフランジ７の冷却部
に付着した副生成物は完全に除去される。排気管１１に
付着した反応副生成物についても同様に除去することが
できる。
【００１９】前記炉内温度を５００℃前後としたのは、
冷却水を停止してもシールリングが焼損しない様にした
ものであり、シールリングが焼損しない範囲で反応副生
成物が付着している部分を加熱する。
冷却水を停止してもシールリングが焼損しない様にした
ものであり、シールリングが焼損しない範囲で反応副生
成物が付着している部分を加熱する。
【００２０】尚、シールリングがより耐熱性を有するも
のであれば、炉内温度は５００℃以上であっても勿論よ
い。
のであれば、炉内温度は５００℃以上であっても勿論よ
い。
【００２１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、分解す
ることなく反応副生成物を除去することができるので、
反応副生成物の除去が容易で除去作業の頻度を増加させ
ることができパーティクルの低減が可能となり、又、反
応副生成物の除去作業に水を使用しないのでインレット
フランジに水を嫌うフッ化不動態処理をしている場合
等、インレットフランジの耐久性が向上する等の優れた
効果を発揮する。
ることなく反応副生成物を除去することができるので、
反応副生成物の除去が容易で除去作業の頻度を増加させ
ることができパーティクルの低減が可能となり、又、反
応副生成物の除去作業に水を使用しないのでインレット
フランジに水を嫌うフッ化不動態処理をしている場合
等、インレットフランジの耐久性が向上する等の優れた
効果を発揮する。
【図１】縦型炉の断面説明図である。
【図２】シール部の冷却水を停止した場合の、インレッ
トフランジ上部の温度上昇状態を示す線図である。
トフランジ上部の温度上昇状態を示す線図である。
１ ヒータ ２ 外部反応管 ３ 内部反応管 ７ インレットフランジ １１ 排気管 １２ 冷却路
Claims (1)
- 【請求項１】 反応炉シールが焼損しない温度で、反応
副生成物付着部を加熱し、反応室内を１〜１００Ｐａ程
度に減圧することを特徴とする半導体製造装置に於ける
反応副生成物除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25252693A JP3293974B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25252693A JP3293974B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786265A true JPH0786265A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3293974B2 JP3293974B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=17238600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25252693A Expired - Lifetime JP3293974B2 (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3293974B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056125A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP25252693A patent/JP3293974B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056125A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3293974B2 (ja) | 2002-06-17 |
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