JPH0781923A - 二酸化珪素被膜の製造装置 - Google Patents
二酸化珪素被膜の製造装置Info
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- JPH0781923A JPH0781923A JP25235093A JP25235093A JPH0781923A JP H0781923 A JPH0781923 A JP H0781923A JP 25235093 A JP25235093 A JP 25235093A JP 25235093 A JP25235093 A JP 25235093A JP H0781923 A JPH0781923 A JP H0781923A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理基板を処理槽内に出し入れする際に、
被処理基板上に付着するミストを減らし、良質な二酸化
珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪素被膜の製造
装置を提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液２と、該処理液２を被処理基板３と
接触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処
理槽１と、前記処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために活性材７を溶解させる処理液調整槽４とか
らなる処理装置１０と、前記処理液２を前記処理槽１と
前記処理液調整槽４に循環させる循環手段５と、該処理
液２の循環路に配置された濾過手段６とを備えた二酸化
珪素被膜の製造装置において、前記処理装置１０の内部
に該処理槽１の処理液２上面を取り囲むように配置され
た吸引ダクト２１を備え、該ダクト２１は該処理槽１の
処理液２上面より生じるミストを吸引し、処理槽１の上
部空間よりミストを除去する。
被処理基板上に付着するミストを減らし、良質な二酸化
珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪素被膜の製造
装置を提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液２と、該処理液２を被処理基板３と
接触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処
理槽１と、前記処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維
持するために活性材７を溶解させる処理液調整槽４とか
らなる処理装置１０と、前記処理液２を前記処理槽１と
前記処理液調整槽４に循環させる循環手段５と、該処理
液２の循環路に配置された濾過手段６とを備えた二酸化
珪素被膜の製造装置において、前記処理装置１０の内部
に該処理槽１の処理液２上面を取り囲むように配置され
た吸引ダクト２１を備え、該ダクト２１は該処理槽１の
処理液２上面より生じるミストを吸引し、処理槽１の上
部空間よりミストを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二酸化珪素被膜の製造
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】係る二酸化珪素被膜の液相成膜法（ＬＰ
Ｄ法）は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭６０−３３２３３号公報、特開昭６２−２
０８７６号公報等により提案されている。
Ｄ法）は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭６０−３３２３３号公報、特開昭６２−２
０８７６号公報等により提案されている。
【０００３】図３乃至図４は、従来の液相成膜法による
二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成を示す説明図であ
る。処理槽１には、被処理基板３である半導体基板又は
ガラス基板が装填され、二酸化珪素の過飽和状態となっ
た珪弗化水素酸溶液を含む処理液２に浸漬され、基板３
の表面には、二酸化珪素被膜が析出される。処理液調整
槽４では、処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維持す
るために、アルミ、ホウ酸などの活性材７を溶解させ
る。
二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成を示す説明図であ
る。処理槽１には、被処理基板３である半導体基板又は
ガラス基板が装填され、二酸化珪素の過飽和状態となっ
た珪弗化水素酸溶液を含む処理液２に浸漬され、基板３
の表面には、二酸化珪素被膜が析出される。処理液調整
槽４では、処理液２の二酸化珪素の過飽和状態を維持す
るために、アルミ、ホウ酸などの活性材７を溶解させ
る。
【０００４】二酸化珪素を過飽和状態に含む処理液に被
処理基板である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面
に二酸化珪素被膜を形成する場合、処理液中で析出する
二酸化珪素等の粒子がウエハ表面に付着し、半導体装置
の歩止まりを下げてしまうことがしばしばある。そこで
処理液２中の二酸化珪素等の粒子を除去するため、循環
手段５と、濾過手段６を設け、処理液を循環濾過するこ
とが行われている。循環手段としては脈動が無く、濾過
に悪影響を与えない、又循環流量が比較的多くとれるた
め遠心式のポンプが使用されている。濾過手段としては
孔径０．０５〜１μｍ程度のフィルタが用いられる。
処理基板である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面
に二酸化珪素被膜を形成する場合、処理液中で析出する
二酸化珪素等の粒子がウエハ表面に付着し、半導体装置
の歩止まりを下げてしまうことがしばしばある。そこで
処理液２中の二酸化珪素等の粒子を除去するため、循環
手段５と、濾過手段６を設け、処理液を循環濾過するこ
とが行われている。循環手段としては脈動が無く、濾過
に悪影響を与えない、又循環流量が比較的多くとれるた
め遠心式のポンプが使用されている。濾過手段としては
孔径０．０５〜１μｍ程度のフィルタが用いられる。
【０００５】処理槽１と処理液調整槽４とは、相隣接し
て一体的に配置され処理装置１０を構成している。ポン
プ６で圧送された処理液は処理槽１で被処理基板表面に
二酸化珪素被膜を析出させ、処理槽１からオバーフロー
して処理液調整槽４に流入する。処理液調整槽４では、
活性材７の溶解に伴う、水素等のガスの発生によりミス
トが発生する。また処理槽１では、過飽和状態の珪弗化
水素酸溶液から二酸化珪素を析出することに伴いガスが
発生し、処理液上面よりミストが発生する。このような
ミストの拡散を防ぐため、処理装置１０は、上蓋１２で
カバーされている。
て一体的に配置され処理装置１０を構成している。ポン
プ６で圧送された処理液は処理槽１で被処理基板表面に
二酸化珪素被膜を析出させ、処理槽１からオバーフロー
して処理液調整槽４に流入する。処理液調整槽４では、
活性材７の溶解に伴う、水素等のガスの発生によりミス
トが発生する。また処理槽１では、過飽和状態の珪弗化
水素酸溶液から二酸化珪素を析出することに伴いガスが
発生し、処理液上面よりミストが発生する。このような
ミストの拡散を防ぐため、処理装置１０は、上蓋１２で
カバーされている。
【０００６】上蓋１２には、開閉蓋１３を備え、複数組
の被処理基板を搭載したキャリア１４を処理液２に浸漬
して同時に多数の被処理基板３に成膜する。処理槽１及
び処理液調整槽４から発生するミストを除去するため、
処理装置１０の内部には、１ヵ所の吸引口を有する吸引
ダクト８が設けられている。処理装置１０の上部空間１
７は、キャリア１４に搭載された複数の被処理基板３を
搬送する搬送空間となっている。この上部空間１７に
は、引き戸１５が設けられ、被処理基板３を出し入れで
きるようになっている。引き戸１５は、開口１６を有
し、外部のクリーンエアが、開口１６を介して処理装置
上部空間１７に入り、処理装置１０の外部の吸引ダクト
１８により吸引されるようになっている。
の被処理基板を搭載したキャリア１４を処理液２に浸漬
して同時に多数の被処理基板３に成膜する。処理槽１及
び処理液調整槽４から発生するミストを除去するため、
処理装置１０の内部には、１ヵ所の吸引口を有する吸引
ダクト８が設けられている。処理装置１０の上部空間１
７は、キャリア１４に搭載された複数の被処理基板３を
搬送する搬送空間となっている。この上部空間１７に
は、引き戸１５が設けられ、被処理基板３を出し入れで
きるようになっている。引き戸１５は、開口１６を有
し、外部のクリーンエアが、開口１６を介して処理装置
上部空間１７に入り、処理装置１０の外部の吸引ダクト
１８により吸引されるようになっている。
【０００７】図４は処理槽１の上面を示すものであり、
１枚の開閉蓋１３がモータ１９により回転駆動され開閉
できるようになっている。処理槽１内には、２組の被処
理基板を搭載したキャリア１４ａ，１４ｂが処理液２内
に浸漬されている。吸引ダクト８の吸込口８ａは、図示
するように処理槽上部に１ヵ所のみ設けられている。
１枚の開閉蓋１３がモータ１９により回転駆動され開閉
できるようになっている。処理槽１内には、２組の被処
理基板を搭載したキャリア１４ａ，１４ｂが処理液２内
に浸漬されている。吸引ダクト８の吸込口８ａは、図示
するように処理槽上部に１ヵ所のみ設けられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３乃
至図４に示すような従来の二酸化珪素被膜の製造装置の
装置構成では、処理槽１の処理液２の上面からはミスト
が発生しており、このミストは、処理液２内から被処理
基板３を出し入れする際に、被処理基板３にミストと共
にダストが付着し、被処理基板に悪影響を与えることと
なる。従来の装置構成でも、処理装置１０内には、吸引
ダクト８が設けられていたが、その吸引口８ａは、僅か
に１ヵ所であり、その目的は主に処理装置１０内のミス
トを安全確保のため吸引するためのものであった。
至図４に示すような従来の二酸化珪素被膜の製造装置の
装置構成では、処理槽１の処理液２の上面からはミスト
が発生しており、このミストは、処理液２内から被処理
基板３を出し入れする際に、被処理基板３にミストと共
にダストが付着し、被処理基板に悪影響を与えることと
なる。従来の装置構成でも、処理装置１０内には、吸引
ダクト８が設けられていたが、その吸引口８ａは、僅か
に１ヵ所であり、その目的は主に処理装置１０内のミス
トを安全確保のため吸引するためのものであった。
【０００９】又、従来の装置は、クリーンルーム内に配
置されるが、クリーンエアは引き戸１５の開口１６から
処理装置１０の上部空間１７に入り、下部に設けられた
処理装置１０の外部の吸引ダクト１８により吸引される
ものがほとんどであった。吸引ダクト１８は、引き戸１
５を開いた際に、上部空間１７内の気流が上部空間１７
外に出ないようにするために設けられたものであり、引
き戸１５に設けられた開口１６は、負圧による引き戸１
５自体の変形防止と、上部空間１７内のある程度の換気
のために設けられたものである。
置されるが、クリーンエアは引き戸１５の開口１６から
処理装置１０の上部空間１７に入り、下部に設けられた
処理装置１０の外部の吸引ダクト１８により吸引される
ものがほとんどであった。吸引ダクト１８は、引き戸１
５を開いた際に、上部空間１７内の気流が上部空間１７
外に出ないようにするために設けられたものであり、引
き戸１５に設けられた開口１６は、負圧による引き戸１
５自体の変形防止と、上部空間１７内のある程度の換気
のために設けられたものである。
【００１０】又、処理装置１０内部では、処理液調整槽
４でアルミ等の活性材７を溶解するためにかなりの水素
等のガスとともにミストが発生する。処理液調整槽４の
処理液上面より発生したミストは、処理槽１の上部に広
がり、処理槽１から被処理基板を出し入れする際に、被
処理基板上にミストとともにダストを付着させるという
問題点を有していた。
４でアルミ等の活性材７を溶解するためにかなりの水素
等のガスとともにミストが発生する。処理液調整槽４の
処理液上面より発生したミストは、処理槽１の上部に広
がり、処理槽１から被処理基板を出し入れする際に、被
処理基板上にミストとともにダストを付着させるという
問題点を有していた。
【００１１】さらに、処理槽１では２個のキャリア１４
ａ，１４ｂに搭載された多数の被処理基板を成膜できる
ようになっているが、開閉蓋１３は１枚であった。この
ため、１台のキャリア１４ａ又は１４ｂを出し入れする
際に、大面積の開閉蓋１３が開閉されるため、処理装置
１０内の空間にあるミストが拡散して、そのミストが被
処理基板に付着する。また開閉蓋１３の開口部から流出
したミストが、ダストと共に上部空間１７にある被処理
基板に付着する等の問題を生じていた。
ａ，１４ｂに搭載された多数の被処理基板を成膜できる
ようになっているが、開閉蓋１３は１枚であった。この
ため、１台のキャリア１４ａ又は１４ｂを出し入れする
際に、大面積の開閉蓋１３が開閉されるため、処理装置
１０内の空間にあるミストが拡散して、そのミストが被
処理基板に付着する。また開閉蓋１３の開口部から流出
したミストが、ダストと共に上部空間１７にある被処理
基板に付着する等の問題を生じていた。
【００１２】本発明は、係る従来技術の問題点に鑑みて
為されたものであり、被処理基板を処理槽内に出し入れ
する際に、被処理基板上に付着するミストを減らし、良
質な二酸化珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪素
被膜の製造装置を提供することを目的とする。
為されたものであり、被処理基板を処理槽内に出し入れ
する際に、被処理基板上に付着するミストを減らし、良
質な二酸化珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪素
被膜の製造装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の二酸化珪素被膜
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽とからなる処理
装置と、前記処理液を前記処理槽と前記処理液調整槽に
循環させる循環手段と、該処理液の循環路に配置された
濾過手段とを備えた二酸化珪素被膜の製造装置におい
て、前記処理装置内部に該処理槽の処理液上面を取り囲
むように、配置された吸引ダクトを備え、該吸引ダクト
は該処理槽の処理液上面より生じるミストを吸引し、処
理槽上部空間より該ミストを除去することを特徴とす
る。
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽とからなる処理
装置と、前記処理液を前記処理槽と前記処理液調整槽に
循環させる循環手段と、該処理液の循環路に配置された
濾過手段とを備えた二酸化珪素被膜の製造装置におい
て、前記処理装置内部に該処理槽の処理液上面を取り囲
むように、配置された吸引ダクトを備え、該吸引ダクト
は該処理槽の処理液上面より生じるミストを吸引し、処
理槽上部空間より該ミストを除去することを特徴とす
る。
【００１４】又、前記処理槽の空間上部に配置されたク
リーンエアの吹出口と、前記処理装置外部に該処理装置
を囲むように配置された吸引ダクトとをさらに備え、前
記クリーンエアの吹出口より供給されるクリーンエア
は、ダウンフローに前記処理装置内部または外部の吸引
ダクトに流れるように構成されたことを特徴とする。
リーンエアの吹出口と、前記処理装置外部に該処理装置
を囲むように配置された吸引ダクトとをさらに備え、前
記クリーンエアの吹出口より供給されるクリーンエア
は、ダウンフローに前記処理装置内部または外部の吸引
ダクトに流れるように構成されたことを特徴とする。
【００１５】又、前記処理槽と前記処理液調整槽とが相
隣接して一体的に配置された処理装置において、前記処
理槽と前記処理液調整槽間には仕切り板が備えられ、該
仕切り板は前記処理液調整槽で前記活性材の溶解に伴い
発生するミストを前記処理槽上部空間に対して遮蔽する
ものであることを特徴とする。
隣接して一体的に配置された処理装置において、前記処
理槽と前記処理液調整槽間には仕切り板が備えられ、該
仕切り板は前記処理液調整槽で前記活性材の溶解に伴い
発生するミストを前記処理槽上部空間に対して遮蔽する
ものであることを特徴とする。
【００１６】又、前記処理槽は、複数組の被処理基板を
搭載したキャリアを前記処理液に浸漬する構成となって
おり、該複数組のキャリアに対して前記処理槽はそれぞ
れの開閉蓋を備えていることを特徴とする。
搭載したキャリアを前記処理液に浸漬する構成となって
おり、該複数組のキャリアに対して前記処理槽はそれぞ
れの開閉蓋を備えていることを特徴とする。
【００１７】
【作用】処理槽の処理液上面を取り囲むように、処理液
上面より生じるミストを吸引する吸引口が配置された吸
引ダクトを設けることから、処理液上面のミストが除去
される。
上面より生じるミストを吸引する吸引口が配置された吸
引ダクトを設けることから、処理液上面のミストが除去
される。
【００１８】又、処理装置の上部空間に配置されたクリ
ーンエアの吹出口と、前記処理装置内の吸引ダクトと処
理装置の外部に処理装置を囲むように配置された吸引ダ
クトとにより、開閉蓋が開いている時にはクリーンエア
は、処理装置内の吸引ダクトに吸引され、開閉蓋が閉じ
ている時にはクリーンエアは処理装置外部の吸引ダクト
に吸引される。従って、クリーンエアの吹出口より供給
されるクリーンエアはダウンフローに上部空間及び処理
装置内を流れる。
ーンエアの吹出口と、前記処理装置内の吸引ダクトと処
理装置の外部に処理装置を囲むように配置された吸引ダ
クトとにより、開閉蓋が開いている時にはクリーンエア
は、処理装置内の吸引ダクトに吸引され、開閉蓋が閉じ
ている時にはクリーンエアは処理装置外部の吸引ダクト
に吸引される。従って、クリーンエアの吹出口より供給
されるクリーンエアはダウンフローに上部空間及び処理
装置内を流れる。
【００１９】又、処理槽１と処理液調整槽４の間に仕切
り板が備えられたことから、処理液調整槽４から発生す
る多量のミストが処理槽の上部に広がることを防止する
ことができる。
り板が備えられたことから、処理液調整槽４から発生す
る多量のミストが処理槽の上部に広がることを防止する
ことができる。
【００２０】又、処理槽に浸漬される複数組のキャリア
に対して、それぞれの開閉蓋を処理槽が備えることによ
り、また蓋の開閉速度を遅く設定することにより、蓋の
開閉に伴うミストの被処理基板への付着量を低減するこ
とができる。
に対して、それぞれの開閉蓋を処理槽が備えることによ
り、また蓋の開閉速度を遅く設定することにより、蓋の
開閉に伴うミストの被処理基板への付着量を低減するこ
とができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図１乃至図２
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００２２】本実施例においては、処理槽１、処理液調
整槽４、循環手段５及び濾過手段６等の基本的な構成
は、従来の技術と同様であり、同一又は相当の機能を有
する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。
整槽４、循環手段５及び濾過手段６等の基本的な構成
は、従来の技術と同様であり、同一又は相当の機能を有
する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。
【００２３】処理装置１０の内部に、処理槽１の処理液
上面を取り囲むように、吸引口２１ａ，２１ｂ，２１
ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２１ｇを備えた吸引ダク
ト２１が配置されている。この吸引ダクト２１により、
処理液２の上面より生じるミストは、処理槽１の上部の
周囲に吸引され処理槽１の処理液２の上部空間から排除
される。処理槽１上のミストが吸引排除されることか
ら、外部のクリーンエア例えばクリーンルーム内の清浄
度雰囲気を、処理槽１の処理液２の直上部上と連絡さ
せ、クリーンエアを取り込むことが可能となる。これに
より、被処理基板の搬送中に、又は、処理槽１への出し
入れの際に、処理槽１上部で被処理基板３に付着するミ
スト及びダストの量を低減することができる。
上面を取り囲むように、吸引口２１ａ，２１ｂ，２１
ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２１ｇを備えた吸引ダク
ト２１が配置されている。この吸引ダクト２１により、
処理液２の上面より生じるミストは、処理槽１の上部の
周囲に吸引され処理槽１の処理液２の上部空間から排除
される。処理槽１上のミストが吸引排除されることか
ら、外部のクリーンエア例えばクリーンルーム内の清浄
度雰囲気を、処理槽１の処理液２の直上部上と連絡さ
せ、クリーンエアを取り込むことが可能となる。これに
より、被処理基板の搬送中に、又は、処理槽１への出し
入れの際に、処理槽１上部で被処理基板３に付着するミ
スト及びダストの量を低減することができる。
【００２４】処理装置１０の配置された上部空間１７に
は、クリーンエアの吹出口２２を備える。処理室天井部
２５に設けられた開口２３は、クリーンエアの吸込口で
あり、クリーンルーム内のクリーンエアは、風量調整用
ダンパ２４を経て、吹出口２２よりダウンフローで上部
空間１７に供給される。処理装置１０の外側周囲には、
該処理装置１０を取り囲むように吸引ダクト２６が配置
されている。
は、クリーンエアの吹出口２２を備える。処理室天井部
２５に設けられた開口２３は、クリーンエアの吸込口で
あり、クリーンルーム内のクリーンエアは、風量調整用
ダンパ２４を経て、吹出口２２よりダウンフローで上部
空間１７に供給される。処理装置１０の外側周囲には、
該処理装置１０を取り囲むように吸引ダクト２６が配置
されている。
【００２５】処理装置１０の開閉蓋２７が閉じられてい
る時には、クリーンエア吹出口２２から供給されるダウ
ンフローのクリーンエアは、処理装置１０外部の周囲に
設けられた吸引ダクト２６に吸引され、処理装置１０の
上部空間はダウンフローに維持される。開閉蓋２７が開
いた時には、クリーンエアの吹出口２２からのクリーン
エアは、処理装置１０内部の吸引ダクト２１に吸引さ
れ、処理装置１０の上部空間１７及び処理槽１の処理液
２の液面直上の空間をダウンフローのクリーンエアによ
り清浄に保つことができる。なお図中白線の矢印は、ク
リーンエアの流れを示す。
る時には、クリーンエア吹出口２２から供給されるダウ
ンフローのクリーンエアは、処理装置１０外部の周囲に
設けられた吸引ダクト２６に吸引され、処理装置１０の
上部空間はダウンフローに維持される。開閉蓋２７が開
いた時には、クリーンエアの吹出口２２からのクリーン
エアは、処理装置１０内部の吸引ダクト２１に吸引さ
れ、処理装置１０の上部空間１７及び処理槽１の処理液
２の液面直上の空間をダウンフローのクリーンエアによ
り清浄に保つことができる。なお図中白線の矢印は、ク
リーンエアの流れを示す。
【００２６】仕切り板２８は、処理槽１と処理液調整槽
４間の上部空間を仕切るもので、処理液調整槽４で活性
材７の溶解に伴い発生するミストを遮蔽するものであ
る。アルミ、ホウ酸等の活性材７を反応させることか
ら、水素等のガスが発生し、処理液調整槽４の処理液表
面からはミストの発生量が多い。仕切り板２８により、
処理槽１と処理液調整槽４間の上部空間を遮蔽すること
により、処理液調整槽４から発生する大量のミストが処
理槽１の上部空間に流入することを防止することができ
る。
４間の上部空間を仕切るもので、処理液調整槽４で活性
材７の溶解に伴い発生するミストを遮蔽するものであ
る。アルミ、ホウ酸等の活性材７を反応させることか
ら、水素等のガスが発生し、処理液調整槽４の処理液表
面からはミストの発生量が多い。仕切り板２８により、
処理槽１と処理液調整槽４間の上部空間を遮蔽すること
により、処理液調整槽４から発生する大量のミストが処
理槽１の上部空間に流入することを防止することができ
る。
【００２７】本実施例では処理槽１は、２組の被処理基
板を搭載したキャリア１４ａと１４ｂとを処理液２に浸
漬することができる。処理槽１内のそれぞれのキャリア
に対してそれぞれの開閉蓋２７ａ，２７ｂを備えてい
る。開閉蓋２７ａ，２７ｂは、モータ２９ａ，２９ｂに
よりそれぞれ開閉駆動される。モータの駆動速度は、蓋
の開閉スピードを十分遅く設定している。なお、本実施
例においては蓋の構造は９０°回転式のものを用いてい
るが、この他にスライド式、上下移動式等の蓋でもよ
く、また開閉は自動でも手動でもよい。
板を搭載したキャリア１４ａと１４ｂとを処理液２に浸
漬することができる。処理槽１内のそれぞれのキャリア
に対してそれぞれの開閉蓋２７ａ，２７ｂを備えてい
る。開閉蓋２７ａ，２７ｂは、モータ２９ａ，２９ｂに
よりそれぞれ開閉駆動される。モータの駆動速度は、蓋
の開閉スピードを十分遅く設定している。なお、本実施
例においては蓋の構造は９０°回転式のものを用いてい
るが、この他にスライド式、上下移動式等の蓋でもよ
く、また開閉は自動でも手動でもよい。
【００２８】このような個別のキャリアに対応した開閉
蓋により開閉蓋の面積が小さくなることから、被処理基
板を搭載したキャリアを出し入れする際に、処理槽１内
の処理液２上面と蓋間のミストの上部空間への散乱量が
低減され、上部空間１７に生じるミストの量を低減する
ことができる。蓋の開閉速度が遅い場合に、特にミスト
の散乱を防止する効果が大きい。
蓋により開閉蓋の面積が小さくなることから、被処理基
板を搭載したキャリアを出し入れする際に、処理槽１内
の処理液２上面と蓋間のミストの上部空間への散乱量が
低減され、上部空間１７に生じるミストの量を低減する
ことができる。蓋の開閉速度が遅い場合に、特にミスト
の散乱を防止する効果が大きい。
【００２９】
【発明の効果】以上に説明したように本発明の装置によ
れば、被処理基板を処理槽に出し入れする際に、或いは
上部空間を搬送する際に、被処理基板に付着するミスト
及びダストの量を低減することができ、良質な二酸化珪
素被膜を成膜することができる。
れば、被処理基板を処理槽に出し入れする際に、或いは
上部空間を搬送する際に、被処理基板に付着するミスト
及びダストの量を低減することができ、良質な二酸化珪
素被膜を成膜することができる。
【図１】本発明の一実施例の二酸化珪素被膜の製造装置
の装置構成を示す説明図。
の装置構成を示す説明図。
【図２】図１における処理槽の上面を示す一部断面図。
【図３】従来の一実施例の二酸化珪素被膜の製造装置の
装置構成を示す説明図。
装置構成を示す説明図。
【図４】図３における処理槽の上面を示す一部断面図。
１ 処理槽 ２ 処理液 ３ 被処理基板 ４ 処理液調整槽 ５ 循環手段 ６ 濾過手段 １０ 処理装置 ２１，２６ 吸引ダクト ２２ クリーンエア吹出口 ２７ 個別開閉蓋 ２８ 仕切り板
Claims (5)
- 【請求項１】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽とからなる処理
装置と、前記処理液を前記処理槽と前記処理液調整槽に
循環させる循環手段と、該処理液の循環路に配置された
濾過手段とを備えた二酸化珪素被膜の製造装置におい
て、 前記処理装置内部に該処理槽の処理液上面を取り囲むよ
うに配置された吸引ダクトを備え、該吸引ダクトは該処
理槽の処理液上面より生じるミストを吸引し、処理槽上
部空間より該ミストを除去することを特徴とする二酸化
珪素被膜の製造装置。 - 【請求項２】 前記処理槽の空間上部に配置されたクリ
ーンエアの吹出口と、前記処理装置外部に該処理装置を
囲むように配置された吸引ダクトとをさらに備え、前記
クリーンエアの吹出口より供給されるクリーンエアは、
ダウンフローに前記処理装置内部または外部の吸引ダク
トに流れるように構成されたことを特徴とする請求項１
記載の二酸化珪素被膜の製造装置。 - 【請求項３】 前記処理槽と前記処理液調整槽とが相隣
接して一体的に配置された処理装置において、前記処理
槽と前記処理液調整槽間には仕切り板が備えられ、該仕
切り板は前記処理液調整槽で前記活性材の溶解に伴い発
生するミストを前記処理槽上部空間に対して遮蔽するも
のであることを特徴とする請求項１記載の二酸化珪素被
膜の製造装置。 - 【請求項４】 前記処理槽は、複数組の被処理基板を搭
載したキャリアを前記処理液に浸漬する構成となってお
り、該複数組のキャリアに対して前記処理槽はそれぞれ
の開閉蓋を備えていることを特徴とする請求項１記載の
二酸化珪素被膜の製造装置。 - 【請求項５】 前記開閉蓋は、開閉のスピードを遅く設
定することが可能な手段をさらに備えたことを特徴とす
る請求項４記載の二酸化珪素被膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25235093A JPH0781923A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25235093A JPH0781923A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0781923A true JPH0781923A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=17236070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25235093A Pending JPH0781923A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781923A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7206702B2 (en) | 2001-07-17 | 2007-04-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for detecting force acting on a tire |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP25235093A patent/JPH0781923A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7206702B2 (en) | 2001-07-17 | 2007-04-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for detecting force acting on a tire |
| US7603247B2 (en) | 2001-07-17 | 2009-10-13 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for detecting abnormalities in tire force sensor data |
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