WO2024142563A1 - 半導体ウェーハの処理装置 - Google Patents

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WO2024142563A1 PCT/JP2023/037891 JP2023037891W WO2024142563A1 WO 2024142563 A1 WO2024142563 A1 WO 2024142563A1 JP 2023037891 W JP2023037891 W JP 2023037891W WO 2024142563 A1 WO2024142563 A1 WO 2024142563A1
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匠 竹中
迪彦 冨田
直之 和田
幸一 奥田
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株式会社Sumco
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半導体ウェーハに対して処理を施す際に半導体ウェーハへのパーティクルの付着を低減することができる半導体ウェーハの処理装置を提供する。処理対象の半導体ウェーハWを駆動させる駆動力を発生させる駆動部22と、駆動部22によって発生した駆動力を半導体ウェーハWに伝達する伝達部23とを有する駆動装置21と、半導体ウェーハWを収容して半導体ウェーハWに対して処理を施す処理室10と、処理室10と開口部31を介して連通し、且つ駆動装置21の少なくとも駆動部22を収容する駆動装置室20と、駆動装置室20の雰囲気を換気する換気装置41とを備えることを特徴とする。

Description

半導体ウェーハの処理装置
 本発明は、半導体ウェーハの処理装置に関する。
 従来、半導体デバイスの基板として、シリコンウェーハなどの半導体ウェーハが使用されている。半導体ウェーハは、チョクラルスキー(Czochralski、CZ)法などによって育成した単結晶インゴットに対して、スライス処理、ラッピング処理、エッチング処理、研磨処理などの処理を施すことによって得られる。半導体ウェーハは、室内の清浄度が所定の水準を満たすように構成されたクリーンルームにおいて製造されている。
 図1は、半導体ウェーハの製造工程において半導体ウェーハを洗浄する従来の枚葉式洗浄装置の一例を示している。図1に示した枚葉式洗浄装置100は、処理対象の半導体ウェーハWを駆動(図示例では、回転)させる駆動力を発生させる駆動部22と、駆動部22によって発生した駆動力を半導体ウェーハWに伝達する伝達部23とを有する駆動装置21と、半導体ウェーハWを収容して半導体ウェーハWに対して処理を施す処理室10と、駆動装置21の少なくとも駆動部22を収容する駆動装置室20とを備える。処理室10と駆動装置室20とは、処理室10を区画する下面10c(すなわち、駆動装置室20の上面20a)に設けられた開口部31によって連通している。
 駆動装置21の伝達部23は、回転軸23aと、半導体ウェーハWを回転させる回転テーブル23bと、半導体ウェーハWを保持するウェーハ保持部23cとで構成されている。なお、本明細書において、駆動部22とは、駆動装置21において、それ自体が半導体ウェーハWを駆動する駆動力を発生させることが可能な部分を意味する。
 処理室10の内部には、回転テーブル23bが収容されており、回転テーブル23bの上面にウェーハ保持部23cが設けられている。また、回転テーブル23bの裏面の中央部に回転軸23aが固定されており、回転軸23aは、開口部31、さらに駆動部22に挿通されている。そして、駆動部22を駆動することによって、駆動部22によって発生した駆動力が伝達部23(すなわち、回転軸23a、回転テーブル23b、ウェーハ保持部23c)を介して半導体ウェーハWに伝達され、半導体ウェーハWが回転するように構成されている。
 一方、処理室10を区画する上面10aには、ファンフィルターユニット11が設けられており、半導体ウェーハWの洗浄中に処理室10の下方に向かって清浄な気体(例えば、空気)を供給して、処理室10の内部が清浄な雰囲気に保たれるように構成されている。半導体ウェーハWの周囲を通過した気体は、処理室10を区画する側面10bに設けられた排気口12から排気される。
 なお、図1には示されていないが、回転軸23aの内部には、半導体ウェーハWのおもて面および裏面に洗浄液および純水を供給する配管が設けられている。そして、配管に接続されたノズルから、洗浄時に半導体ウェーハWのおもて面および裏面に洗浄液および純水を供給できるように構成されている。
 図1に示した枚葉式洗浄装置100を用いて半導体ウェーハWの洗浄を行うテストを行ったところ、駆動装置21の駆動部22から発塵したグリス等のパーティクルPが駆動装置室20の内部に滞留していることが分かった。上述のように、回転テーブル23bと駆動部22とを接続する回転軸23aは、処理室10の底面10c(駆動装置室20の上面20a)に設けられた開口部31に挿通されているが、回転軸23aは可動部材であるため、開口部31内の回転軸23aの周囲には隙間が存在する。そのため、駆動装置室20の内部に滞留するパーティクルPが、処理室10内で半導体ウェーハWを回転させて洗浄する際などに、半導体ウェーハWの下方で負圧が発生して処理室10内に引き込まれると、半導体ウェーハWに付着する問題が生じる。
 上述のような駆動部22から発塵したパーティクルPが半導体ウェーハWに付着するのを低減する技術として、特許文献1には、駆動手段をカバーで覆い、カバー内に清浄手段が供給する清浄気体を取り入れ、取り入れた清浄気体および駆動手段から発塵される塵埃を外部または循環路へ排出する技術が記載されている。
特開2004-200669号公報
 本発明者らは、特許文献1に記載された方法に従って、駆動装置室20内の駆動部22をカバーで覆い、カバー内に清浄空気を供給してパーティクルPを装置100の外部に排出するように構成してみた。その結果、駆動部22を覆うカバーの内部にパーティクルPがかえって滞留してしまい、半導体ウェーハWへのパーティクルPの付着は低減されないことが判明した。
 また、本発明者らは、駆動部22をカバーで覆うことなく、処理室10の底面10cに開口部31とは別の開口部を設けたうえで、ファンフィルターユニット11の出力を高めることを想到した。これは、処理室10内の気圧を駆動装置室20内よりも高く保つことにより、駆動装置室20からのパーティクルPの引き込みを抑制することを狙ったものである。しかしながら、半導体ウェーハWの回転数が大きくなると、処理室10と駆動装置室20との差圧よりも、半導体ウェーハWの下部に発生する局所的な負圧が上回り、半導体ウェーハWへのパーティクルPの付着が抑制されないことが分かった。
 本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体ウェーハに対して処理を施す際に半導体ウェーハへのパーティクルの付着を低減することができる半導体ウェーハの処理装置を提供することにある。
 上記課題を解決する本発明は、以下の通りである。
[1]処理対象の半導体ウェーハを駆動させる駆動力を発生させる駆動部と、前記駆動部によって発生した前記駆動力を前記半導体ウェーハに伝達する伝達部と、を有する駆動装置と、
 前記半導体ウェーハを収容して前記半導体ウェーハに対して処理を施す処理室と、
 前記処理室と開口部を介して連通し、且つ前記駆動装置の少なくとも前記駆動部を収容する駆動装置室と、
 前記駆動装置室の雰囲気を換気する換気装置と、
を備えることを特徴とする半導体ウェーハの処理装置。
[2]前記換気装置は、前記駆動装置室内の雰囲気を1分間に5回以上置換できる能力を有する、前記[1]に記載の半導体ウェーハの処理装置。
[3]前記駆動装置は前記半導体ウェーハを回転させる装置である、前記[1]または[2]に記載の半導体ウェーハの処理装置。
[4]前記換気装置は、清浄な空気を供給可能なファンフィルターユニットを有する換気装置である、前記[1]から[3]のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの処理装置。
[5]前記換気装置は、ミニエンバイロメント装置からの清浄な空気を前記駆動装置室内に供給する、前記[1]から[4]のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの処理装置。
 本発明によれば、半導体ウェーハに対して処理を施す際に、半導体ウェーハへのパーティクルの付着を低減することができる。
従来の枚葉式洗浄装置の一例を示す図である。 本発明による枚葉式洗浄装置の一例を示す図である。 図1に示した枚葉式洗浄装置の側面に設けたスリットを示す図である。
 以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本発明による半導体ウェーハの処理装置は、処理対象の半導体ウェーハを駆動させる駆動力を発生させる駆動部と、上記駆動部によって発生した駆動力を半導体ウェーハに伝達する伝達部とを有する駆動装置と、半導体ウェーハを収容して半導体ウェーハに対して処理を施す処理室と、処理室と駆動装置室とは開口部を介して連通し、且つ駆動装置の少なくとも駆動部を収容する駆動装置室と、駆動装置室の雰囲気を換気する換気装置とを備えることを特徴とする。
 本発明者らは、半導体ウェーハに対して処理を施す際に半導体ウェーハWへのパーティクルPの付着を低減することができる方途について鋭意検討した。その結果、駆動装置室20内で発生したパーティクルPを封じ込めるのではなく、駆動装置室20内の雰囲気を換気する換気装置を設けることによって、装置100の設置環境に依らずに、半導体ウェーハWに対して処理を施す際に半導体ウェーハWへのパーティクルPの付着を効果的に低減できることを見出し、本発明を完成させたのである。
 以上の説明から明らかなように、本発明は、駆動装置21の駆動部22が収容された駆動装置室20の雰囲気を換気する換気装置を設けたことを特徴とするものであり、その他の構成については従来公知の構成を適切に使用することができ、特に限定されない。以下、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
 図2は、本発明による枚葉式洗浄装置の一例を示す図である。なお、図1に示した装置100の構成と同じ構成には、同じ符号が付されている。図2に示した半導体ウェーハの枚葉式洗浄装置1と図1に示した装置100との相違点は、装置1においては、駆動装置室20内の雰囲気を換気する換気装置41が設けられていることである。
 具体的には、駆動装置室20を区画する側面20bの上部に給気口24が設けられており、給気口24には、換気装置41からの清浄な気体(例えば、空気)を供給する清浄気体供給配管41aが接続されている。また、駆動装置室20を区画する底面20cに給気口24から取り込んだ気体によって駆動装置室20内のパーティクルPが排出されるようにするための排気口25が設けられている。
 このように構成された装置1において、換気装置41によって清浄な気体を給気口24から駆動装置室20内に供給すると、清浄な気体が駆動装置21の駆動部22の周囲を通過して、駆動部22から発塵したパーティクルPが排気口25から排気される。また、排気口25から排出された清浄な気体およびパーティクルPは、クリーンルームのメンテナンス側、またはグレーチングの下へ、さらに排出される。こうして、半導体ウェーハWに対して洗浄などの処理を施す際に、装置1の周囲の環境によって影響を受けることなく、処理室10内に引き込まれるパーティクルPを低減して、半導体ウェーハWにパーティクルPが付着するのを低減することができる。
 なお、本発明において、「換気装置」とは、駆動装置室20内の雰囲気を強制的に換気することが可能な装置を意味しており、駆動装置室20の側面20bに設けられたスリットなど、装置1の外部を流れる気流がそのまま流れ込んで駆動装置室20の内部を通過するのを可能にする構成は、「換気装置」に含まれない。
 換気装置41は、例えば清浄な空気を供給可能なファンフィルターユニットを有する換気装置として構成することができる。ファンフィルターユニットは、装置1の外部から気体を取り込み、HEPA(High Efficiency Particulate Air)フィルターなどのフィルターを介して清浄な気体を供給するユニットである。本発明においては、換気装置41として、ファンフィルターユニットを有する装置を用いて、駆動装置室20の内部に清浄気体を供給することができるようになる。
 なお、洗浄装置1がクリーンルームに設置されている場合には、クリーンルームの上部に設けられたファンフィルターユニットからのダウンフローを換気装置41のファンフィルターユニットに取り込み、HEPAフィルターなどのフィルターによってさらに清浄化した上で、駆動装置室20の内部に供給することができる。
 また、換気装置41は、装置1に隣接するミニエンバイロメント装置(図示せず)からの清浄な空気の一部を駆動装置室20内に供給するように構成することができる。すなわち、図2に示した装置1に隣接して、洗浄対象の半導体ウェーハWを装置1の処理室10内に搬送するミニエンバイロメント装置が設けられている。ミニエンバイロメント装置内には、高清浄度化された空間が局所的に形成されている。このミニエンバイロメント装置内の清浄な気体の一部を換気装置41のファンフィルターユニットが取り込むことによって、より清浄度の高い気体を駆動装置室20内に供給することができる。
 換気装置41は、駆動装置室20内の雰囲気を1分間に3回以上置換できる能力を有することが好ましく、1分間に5回以上置換できる能力を有することがさらに好ましい。後述する実施例に示すように、換気装置41は、駆動装置室20内の雰囲気を1分間に3回以上置換できる能力を有することによって、処理中に半導体ウェーハWに付着するパーティクルPの数を十分に低減することができる。
 本発明による半導体ウェーハの処理装置は、図2に示した枚葉式の洗浄装置に限られるものではない。例えば、レジスト塗布・現像装置や欠陥・抵抗率などの各種検査装置としても構成することができる。
 以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されない。
(発明例1)
 図2に示した半導体ウェーハの枚葉式洗浄装置1を用いて、シリコンウェーハ25枚の洗浄を行った。具体的には、まず、シリコンウェーハの裏面に付着するパーティクルを評価するために、おもて面と裏面とを逆転させた状態でシリコンウェーハを装置1に導入してウェーハ保持部23c上に載置した。次いで、駆動装置21の駆動部22によりシリコンウェーハを回転させながらオゾン水をシリコンウェーハの下側から供給して逆転させたおもて面を酸化した。続いて、希フッ酸を供給して逆転させたおもて面の酸化膜を除去した後、純水でリンスした。その後、駆動部22によりシリコンウェーハを高速回転させてシリコンウェーハを乾燥した。以上の洗浄中に、換気装置41による駆動装置室20内の換気回数は、5.5回/分とした。また、洗浄後のシリコンウェーハの各々に対して、表面検査装置(KLA-Tencor社製、Surfscan SP2)を用いて、シリコンウェーハの逆転させたおもて面に付着したパーティクルの数を調べ、シリコンウェーハ1枚に付着したパーティクルPの平均個数を求めた。得られた結果を表1に示す。
(発明例2)
 発明例1と同様に、図2に示した枚葉式洗浄装置1を用いて、シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、洗浄中に駆動装置室20の換気回数を6.3回/分とした。その他の条件は、発明例1と全て同じである。洗浄後のシリコンウェーハのおもて面に付着したパーティクルの平均個数を表1に示す。
(発明例3)
 発明例1と同様に、図2に示した枚葉式洗浄装置1を用いて、シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、洗浄中に駆動装置室20の換気回数を7.6回/分とした。その他の条件は、発明例1と全て同じである。洗浄後のシリコンウェーハのおもて面に付着したパーティクルの平均個数を表1に示す。
(発明例4)
 発明例1と同様に、図2に示した枚葉式洗浄装置1を用いて、シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、洗浄中に駆動装置室20の換気回数を3.9回/分とした。その他の条件は、発明例1と全て同じである。洗浄後のシリコンウェーハのおもて面に付着したパーティクルの平均個数を表1に示す。
(比較例1)
 発明例1と同様に、図2に示した枚葉式洗浄装置1を用いて、シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、給気口24を塞いで、洗浄中に駆動装置室20の換気を行わなかった。その他の条件は、発明例1と全て同じである。洗浄後のシリコンウェーハのおもて面に付着したパーティクルの平均個数を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1から明らかなように、枚葉式洗浄装置1に換気装置41が設けられており、洗浄中に駆動装置室20を換気することによって、洗浄後のシリコンウェーハに付着するパーティクルの個数を低減できることが分かる。また、発明例1から3と発明例4との比較から、駆動装置室20内の換気回数を5回/分以上とすることによって、パーティクルの個数をより低減できることが分かる。
(発明例5)
 発明例2と同様に、シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、洗浄中に作業者が装置1の周囲を歩いて装置の周囲に乱流を発生させた。その他の条件は、発明例2と全て同じである。洗浄後のシリコンウェーハの表面に付着したパーティクルの平均個数を表2に示す。また、比較として、発明例2の結果についても表2に示すが、発明例2については表1に示した値と同一である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表2から明らかなように、装置1に換気装置41が設けられていることによって、装置1の周囲で作業者が歩くなどによって乱気流が発生しても、パーティクルPの付着を大きく抑制できることが分かる。
(比較例2)
 発明例1と同様に、シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、洗浄装置としては、図1に示した装置100を使用し、図3に示すように、駆動装置室20の側面20bの全面にスリットSを設け、クリーンルームの環境に応じて、装置100の外部の空気が駆動装置室20の内部を流通することが可能に構成した。その他の条件は、発明例2と全て同じである。洗浄後のシリコンウェーハの表面に付着したパーティクルの平均個数を表3に示す。
(比較例3)
 比較例2と同様に、シリコンウェーハの洗浄を行った。ただし、洗浄中に作業者が装置100の周囲を歩いて装置の周囲に乱流を発生させた。その他の条件は、比較例2と全て同じである。洗浄後のシリコンウェーハの表面に付着したパーティクルの平均個数を表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 表3から明らかなように、換気装置ではなく、駆動装置室にスリットSを設けることによっても、シリコンウェーハへのパーティクルPの付着は十分に低減する。しかしながら、作業者の歩行などによる乱気流によって、シリコンウェーハに付着するパーティクルPの数が大きく影響を受けてしまい、換気装置41と同様の効果が得られないことが分かる。
 本発明によれば、半導体ウェーハに対して処理を施す際に半導体ウェーハへのパーティクルの付着を低減することができる。この技術を適用することにより生産歩留まりの向上を見込めるため、半導体ウェーハ製造業において有用である。
1,100 枚葉式洗浄装置
10 処理室
10a,20a 上面
10b,20b 側面
10c,20c 底面
11 ファンフィルターユニット
12,25 排気口
20 駆動装置室
21 駆動装置
22 駆動部
23 伝達部
23a 回転軸
23b 回転テーブル
23c ウェーハ保持部
24 給気口
31 開口部
41 換気装置
41a 清浄気体供給配管
P パーティクル
S スリット
W 半導体ウェーハ
 

Claims (5)

  1.  処理対象の半導体ウェーハを駆動させる駆動力を発生させる駆動部と、前記駆動部によって発生した前記駆動力を前記半導体ウェーハに伝達する伝達部と、を有する駆動装置と、
     前記半導体ウェーハを収容して前記半導体ウェーハに対して処理を施す処理室と、
     前記処理室と開口部を介して連通し、且つ前記駆動装置の少なくとも前記駆動部を収容する駆動装置室と、
     前記駆動装置室の雰囲気を換気する換気装置と、
    を備えることを特徴とする半導体ウェーハの処理装置。
  2.  前記換気装置は、前記駆動装置室内の雰囲気を1分間に5回以上置換できる能力を有する、請求項1に記載の半導体ウェーハの処理装置。
  3.  前記駆動装置は前記半導体ウェーハを回転させる装置である、請求項1または2に記載の半導体ウェーハの処理装置。
  4.  前記換気装置は、清浄な空気を供給可能なファンフィルターユニットを有する換気装置である、請求項1または2に記載の半導体ウェーハの処理装置。
  5.  前記換気装置は、ミニエンバイロメント装置からの清浄な空気を前記駆動装置室内に供給する、請求項1または2に記載の半導体ウェーハの処理装置。
     
PCT/JP2023/037891 2022-12-27 2023-10-19 半導体ウェーハの処理装置 WO2024142563A1 (ja)

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