JPH0778776A - 熱ｃｖｄ方法 - Google Patents
熱ｃｖｄ方法Info
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- JPH0778776A JPH0778776A JP15318794A JP15318794A JPH0778776A JP H0778776 A JPH0778776 A JP H0778776A JP 15318794 A JP15318794 A JP 15318794A JP 15318794 A JP15318794 A JP 15318794A JP H0778776 A JPH0778776 A JP H0778776A
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- light
- cvd
- wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓｉ、水素終端Ｓｉ、ＳｉＯ2 、およびこれ
らがパターニングされている基板上で、Ａｌ配線パター
ンを熱ＣＶＤで直接形成する。 【構成】 Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈの存在下でシンクロトロ
ン放射光を照射すると、内殻励起光の場合はＣＶＤ抑制
と保護膜の両方の作用をするＡｌＣ膜１７が形成され、
価電子励起光の場合は、ＣＶＤを誘起する金属状態Ａｌ
２０が形成される。このように照射する光エネルギーを
変化させることによって、熱ＣＶＤへの影響を変えるこ
とができる。内殻電子励起光の照射によって図５（ａ）
のように抑制膜兼保護膜１７を形成し、その後図５
（ｂ）のように価電子励起の照射によってＣＶＤ誘起膜
２０を形成する。その後熱ＣＶＤを全面に行い図５
（ｃ）のようにＡｌ配線２１を形成する。最後に内殻励
起光を全面に照射すると、保護膜としてのＡｌＣ膜１７
が形成される。
らがパターニングされている基板上で、Ａｌ配線パター
ンを熱ＣＶＤで直接形成する。 【構成】 Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈの存在下でシンクロトロ
ン放射光を照射すると、内殻励起光の場合はＣＶＤ抑制
と保護膜の両方の作用をするＡｌＣ膜１７が形成され、
価電子励起光の場合は、ＣＶＤを誘起する金属状態Ａｌ
２０が形成される。このように照射する光エネルギーを
変化させることによって、熱ＣＶＤへの影響を変えるこ
とができる。内殻電子励起光の照射によって図５（ａ）
のように抑制膜兼保護膜１７を形成し、その後図５
（ｂ）のように価電子励起の照射によってＣＶＤ誘起膜
２０を形成する。その後熱ＣＶＤを全面に行い図５
（ｃ）のようにＡｌ配線２１を形成する。最後に内殻励
起光を全面に照射すると、保護膜としてのＡｌＣ膜１７
が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱ＣＶＤ中の光照射に
よってＣＶＤ反応を制御することによって、レジストレ
スで直接パターニング化された膜を成長させる熱ＣＶＤ
方法に関する。
よってＣＶＤ反応を制御することによって、レジストレ
スで直接パターニング化された膜を成長させる熱ＣＶＤ
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＳＩのＡｌ配線パターンの形成
方法については、例えば、ジィー（Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅ）に
よって書かれ、南日、川辺、長谷川によって訳された
「半導体デバイスの基礎」（産業図書刊、１９８７年）
の４９１ページから５２９ページにわたって詳細に記述
されている。これによると、スパッタ法やＣＶＤ法等に
よって基板全面にＡｌ膜を成長させた後、レジスト塗布
・露光、Ａｌのエッチング、レジストの剥離、そして最
後に、層間絶縁膜またはパシベーション膜で配線を覆っ
て終了する。また、選択的光ＣＶＤ法として特開平４−
７２７３１号公報、特開平４−２７３４３４号公報があ
る。
方法については、例えば、ジィー（Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅ）に
よって書かれ、南日、川辺、長谷川によって訳された
「半導体デバイスの基礎」（産業図書刊、１９８７年）
の４９１ページから５２９ページにわたって詳細に記述
されている。これによると、スパッタ法やＣＶＤ法等に
よって基板全面にＡｌ膜を成長させた後、レジスト塗布
・露光、Ａｌのエッチング、レジストの剥離、そして最
後に、層間絶縁膜またはパシベーション膜で配線を覆っ
て終了する。また、選択的光ＣＶＤ法として特開平４−
７２７３１号公報、特開平４−２７３４３４号公報があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来法では配線形成に
要する工程数が多いために、スループットの低下が問題
になっている。特に、ＬＳＩの集積度を上げるために、
微細化と多層化が進むにつれて、この問題は顕著になっ
てきている。また、トランジスターなどの能動素子への
配線形成では、Ａｌ膜のエッチング時にダメージが入り
やすい問題もある。さらに、配線形成後の層間絶縁膜や
パシベーション膜の成膜中に配線へのダメージが生じ、
信頼性が低下することもある。
要する工程数が多いために、スループットの低下が問題
になっている。特に、ＬＳＩの集積度を上げるために、
微細化と多層化が進むにつれて、この問題は顕著になっ
てきている。また、トランジスターなどの能動素子への
配線形成では、Ａｌ膜のエッチング時にダメージが入り
やすい問題もある。さらに、配線形成後の層間絶縁膜や
パシベーション膜の成膜中に配線へのダメージが生じ、
信頼性が低下することもある。
【０００４】本発明の目的は、光照射を用いて基板表面
の化学的性質を変化させることで、直接パターン化され
たＡｌ膜を熱ＣＶＤによって成長させ、レジストを用い
る工程を省くことで工程を簡素化し、スループットの低
下を防ぐことにある。また、光照射部での表面改質によ
って、パシベーション膜の形成プロセス中に配線や能動
素子へダメージが生じるのを防ぎ、信頼性の低下を防止
することも本発明の目的である。
の化学的性質を変化させることで、直接パターン化され
たＡｌ膜を熱ＣＶＤによって成長させ、レジストを用い
る工程を省くことで工程を簡素化し、スループットの低
下を防ぐことにある。また、光照射部での表面改質によ
って、パシベーション膜の形成プロセス中に配線や能動
素子へダメージが生じるのを防ぎ、信頼性の低下を防止
することも本発明の目的である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、水素化
ジメチル金属、または水素化ジエチル金属を原料とする
熱ＣＶＤ方法において、基板または原料分子の構成元素
の内殻電子を励起できるエネルギー領域の光を照射する
工程と、価電子だけを励起できるエネルギー領域の光を
照射する工程とを有し、これらの波長の異なる光を照射
する工程を連続して行うことによって、前記基板上の所
望の部分に直接熱ＣＶＤでパターン化された膜を成長さ
せることを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
ジメチル金属、または水素化ジエチル金属を原料とする
熱ＣＶＤ方法において、基板または原料分子の構成元素
の内殻電子を励起できるエネルギー領域の光を照射する
工程と、価電子だけを励起できるエネルギー領域の光を
照射する工程とを有し、これらの波長の異なる光を照射
する工程を連続して行うことによって、前記基板上の所
望の部分に直接熱ＣＶＤでパターン化された膜を成長さ
せることを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【０００６】
【作用】本発明は、ジメチルアルミニウムハイドライド
（ＤＭＡＨ）を原料とするＡｌのＣＶＤの研究で得られ
た以下の現象に基づいている。熱ＣＶＤ中にシンクロト
ロン放射光（ＳＲ）を照射すると表面光化学反応によっ
て修飾層が形成されて、元の表面とは化学的な性質が変
化する。その結果、照射部・非照射部間の選択ＣＶＤが
可能になる。
（ＤＭＡＨ）を原料とするＡｌのＣＶＤの研究で得られ
た以下の現象に基づいている。熱ＣＶＤ中にシンクロト
ロン放射光（ＳＲ）を照射すると表面光化学反応によっ
て修飾層が形成されて、元の表面とは化学的な性質が変
化する。その結果、照射部・非照射部間の選択ＣＶＤが
可能になる。
【０００７】清浄Ｓｉ表面上では、Ａｌの成長が抑制さ
れる。これは、照射部に形成される修飾層が、ＣＶＤ反
応を制御する原子層オーダの炭化アルミニウムで構成さ
れているためであることが分かった。一方、ＳｉＯ2 表
面は化学的に不活性なために熱ＣＶＤによるＡｌの成長
は困難であるが、ＳＲの照射によってＡｌの成長を誘起
できる現象を見いだした。これは、ＣＶＤ反応を誘起す
る原子層オーダの金属状態のアルミニウムからなる修飾
層が形成されるためであることが分かった。これらの詳
細については、本願発明者らがアプライド サーフェス
サイエンス誌（Ａｐｐｌ．Ｓｕｒｆ．Ｓｃｉ．）の第
６０／６１巻（１９９２）の５８７ページから５９１ペ
ージに発表した論文に記載されている。
れる。これは、照射部に形成される修飾層が、ＣＶＤ反
応を制御する原子層オーダの炭化アルミニウムで構成さ
れているためであることが分かった。一方、ＳｉＯ2 表
面は化学的に不活性なために熱ＣＶＤによるＡｌの成長
は困難であるが、ＳＲの照射によってＡｌの成長を誘起
できる現象を見いだした。これは、ＣＶＤ反応を誘起す
る原子層オーダの金属状態のアルミニウムからなる修飾
層が形成されるためであることが分かった。これらの詳
細については、本願発明者らがアプライド サーフェス
サイエンス誌（Ａｐｐｌ．Ｓｕｒｆ．Ｓｃｉ．）の第
６０／６１巻（１９９２）の５８７ページから５９１ペ
ージに発表した論文に記載されている。
【０００８】これらの修飾層の作用が、これらを形成す
る光化学反応を誘起する光エネルギーによって変化する
ことを見いだした。この実験では、ＳＲの高エネルギー
光成分を逐次カットする方法で調べたので、各測定点で
はその横軸に対応する光エネルギーよりも低エネルギー
光全てが照射されている。
る光化学反応を誘起する光エネルギーによって変化する
ことを見いだした。この実験では、ＳＲの高エネルギー
光成分を逐次カットする方法で調べたので、各測定点で
はその横軸に対応する光エネルギーよりも低エネルギー
光全てが照射されている。
【０００９】図１は、清浄Ｓｉ表面上２００℃での熱Ｃ
ＶＤの抑制効果の大きさの光エネルギー依存性を示す図
である。この結果から、Ａｌ元素の最も浅い内殻電子準
位である２ｐ電子、または、これよりも深い内殻電子を
励起すれば、ＣＶＤ反応の抑制効果は１００％であるこ
とが分かる。ところが価電子励起では、抑制の大きさは
高々１０％で小さい。
ＶＤの抑制効果の大きさの光エネルギー依存性を示す図
である。この結果から、Ａｌ元素の最も浅い内殻電子準
位である２ｐ電子、または、これよりも深い内殻電子を
励起すれば、ＣＶＤ反応の抑制効果は１００％であるこ
とが分かる。ところが価電子励起では、抑制の大きさは
高々１０％で小さい。
【００１０】図２はＳｉＯ2 表面上２００℃での熱ＣＶ
Ｄの誘起効果の大きさの光エネルギー依存性を示す図で
ある。この結果から、誘起効果は価電子励起領域の光で
有効に発現し、内殻電子を励起できる光では抑制効果が
現れることが分かる。
Ｄの誘起効果の大きさの光エネルギー依存性を示す図で
ある。この結果から、誘起効果は価電子励起領域の光で
有効に発現し、内殻電子を励起できる光では抑制効果が
現れることが分かる。
【００１１】このような光照射によるＣＶＤ反応の抑制
・誘起といった抑制効果が、水素終端されたＳｉ表面上
でも存在することを見いだした。基板温度と照射する光
エネルギーを選択することによって、熱ＣＶＤが生じる
温度領域では抑制効果が発現し、熱ＣＶＤ温度以下では
誘起効果が発現する。
・誘起といった抑制効果が、水素終端されたＳｉ表面上
でも存在することを見いだした。基板温度と照射する光
エネルギーを選択することによって、熱ＣＶＤが生じる
温度領域では抑制効果が発現し、熱ＣＶＤ温度以下では
誘起効果が発現する。
【００１２】図３は水素終端されたＳｉ表面上３００℃
での熱ＣＶＤ抑制効果の光エネルギー依存性を示す図で
ある。Ｓｉ元素の２ｐ内殻電子、または、これよりも深
い内殻電子を励起すれば、ＣＶＤ反応の抑制効果は１０
０％であることが分かる。ところが価電子励起では抑制
は生じない。一方、図４は同じ水素終端されたＳｉ表面
上での１７５℃での誘起効果の光エネルギー依存性を示
す図である。誘起効果は価電子励起領域の光で発現し、
内殻電子を励起できる光では抑制効果が現れることが分
かる。
での熱ＣＶＤ抑制効果の光エネルギー依存性を示す図で
ある。Ｓｉ元素の２ｐ内殻電子、または、これよりも深
い内殻電子を励起すれば、ＣＶＤ反応の抑制効果は１０
０％であることが分かる。ところが価電子励起では抑制
は生じない。一方、図４は同じ水素終端されたＳｉ表面
上での１７５℃での誘起効果の光エネルギー依存性を示
す図である。誘起効果は価電子励起領域の光で発現し、
内殻電子を励起できる光では抑制効果が現れることが分
かる。
【００１３】したがって、これら光エネルギーの違いに
よるＣＶＤ反応に与える影響の差を用いることによっ
て、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、水素終端Ｓｉ表面、及び、これら
がパターニングされている基板上で配線用Ａｌをレジス
トレスで直接ＣＶＤでパターニングできる。内殻電子励
起領域の光をＳｉ表面上に照射すると炭化アルミニウム
が形成される。この層は、ＣＶＤ反応に対して不活性な
だけでなく、ＳｉＯ2 と同様に電気的に絶縁性を持って
おり、ＳｉＯ2 よりも硬度が大きい。そのため、トラン
ジスターのソース及びドレイン領域の非配線領域をあら
かじめ炭化アルミニウムで覆っておけば、その後の各種
プロセスに対して保護膜として作用する。この工程の後
に、ＳｉＯ2 上の配線領域に価電子励起領域の光を照射
すると、ＣＶＤ反応が誘起されてＡｌ配線を直接ＣＶＤ
で形成できる。このようにしてトランジスター部に配線
を形成した後に、再び内殻電子励起領域の光を全面に照
射して炭化アルミニウム膜を形成すると、この膜がＡｌ
配線上に形成するパシベーション膜形成プロセスの保護
膜となるので、Ａｌ配線にダメージが入らず、デバイス
の信頼性の向上に有効である。次の実施例でさらにこの
応用例について詳述する。
よるＣＶＤ反応に与える影響の差を用いることによっ
て、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、水素終端Ｓｉ表面、及び、これら
がパターニングされている基板上で配線用Ａｌをレジス
トレスで直接ＣＶＤでパターニングできる。内殻電子励
起領域の光をＳｉ表面上に照射すると炭化アルミニウム
が形成される。この層は、ＣＶＤ反応に対して不活性な
だけでなく、ＳｉＯ2 と同様に電気的に絶縁性を持って
おり、ＳｉＯ2 よりも硬度が大きい。そのため、トラン
ジスターのソース及びドレイン領域の非配線領域をあら
かじめ炭化アルミニウムで覆っておけば、その後の各種
プロセスに対して保護膜として作用する。この工程の後
に、ＳｉＯ2 上の配線領域に価電子励起領域の光を照射
すると、ＣＶＤ反応が誘起されてＡｌ配線を直接ＣＶＤ
で形成できる。このようにしてトランジスター部に配線
を形成した後に、再び内殻電子励起領域の光を全面に照
射して炭化アルミニウム膜を形成すると、この膜がＡｌ
配線上に形成するパシベーション膜形成プロセスの保護
膜となるので、Ａｌ配線にダメージが入らず、デバイス
の信頼性の向上に有効である。次の実施例でさらにこの
応用例について詳述する。
【００１４】
（実施例１）本実施例では、ＭＯＳ型ＦＥＴにＡｌ配線
を形成するプロセスを例にして、図５を参照しつつ説明
する。
を形成するプロセスを例にして、図５を参照しつつ説明
する。
【００１５】図５（ａ）のように、マスク１１の開口部
がＢｅ窓１２であるものを用いて、白色光のＳＲ１３か
ら、内殻電子励起可能なエネルギー領域、ここではＡｌ
２ｐ電子の束縛エネルギー以上高エネルギー光成分だけ
を取り出す。具体的には７３ｅＶ以上の光を取り出す。
輝度は１０13ｐｈｏｔｏｎ／cm2 ・ｓ程度以上である。
この光の照射と、ジメチルアルミニウムハイドライド
（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）ガスを流すことで、ソース部１
４とドレイン部１５の非配線領域であるゲート酸化膜１
６側にＡｌＣ（炭化アルミニウム）膜１７を形成する。
ガスの圧力は数ｍＴｏｒｒから大気圧までの広い条件で
可能である。基板温度は１５０〜２５０℃の範囲を用い
た。この膜は熱ＣＶＤの抑制膜であると同時にこの膜の
下のソース部１４とドレイン部１５の保護膜としても作
用する。
がＢｅ窓１２であるものを用いて、白色光のＳＲ１３か
ら、内殻電子励起可能なエネルギー領域、ここではＡｌ
２ｐ電子の束縛エネルギー以上高エネルギー光成分だけ
を取り出す。具体的には７３ｅＶ以上の光を取り出す。
輝度は１０13ｐｈｏｔｏｎ／cm2 ・ｓ程度以上である。
この光の照射と、ジメチルアルミニウムハイドライド
（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）ガスを流すことで、ソース部１
４とドレイン部１５の非配線領域であるゲート酸化膜１
６側にＡｌＣ（炭化アルミニウム）膜１７を形成する。
ガスの圧力は数ｍＴｏｒｒから大気圧までの広い条件で
可能である。基板温度は１５０〜２５０℃の範囲を用い
た。この膜は熱ＣＶＤの抑制膜であると同時にこの膜の
下のソース部１４とドレイン部１５の保護膜としても作
用する。
【００１６】次に、図５（ｂ）のように、開口部がＭｇ
Ｆ2 窓１８のマスク１１を用いて白色光のＳＲ１３から
価電子励起可能なエネルギー領域の光だけ、具体的には
７３ｅＶ未満で輝度１０13ｐｈｏｔｏｎ／cm2 ・ｓ以上
の光だけを取り出し、基板上に前述と同じジメチルアル
ミニウムハイドライドガスを流し、ゲート酸化膜１６と
フィールド酸化膜１９の所望の部分に熱ＣＶＤを誘起す
るＡｌ膜２０を形成する。これは原子層オーダの金属状
態の膜である。基板温度はＡｌＣを堆積するのと同じ１
５０〜２５０℃とした。照射光のエネルギーを変えるこ
とで、一種類のガスでＡｌＣでもＡｌでも形成できるわ
けである。このようにして内殻電子励起光と価電子励起
光の切り替えによって、熱ＣＶＤ抑制膜兼保護膜として
作用するＡｌＣ膜と熱ＣＶＤを誘起するＡｌ膜とを直接
パターニングできる。その後、前述と同じジメチルアル
ミニウムハイドライドガスを流して全面に熱ＣＶＤを行
うことによってＡｌ膜２１を成長でき、図５（ｃ）のよ
うにＭＯＳ型ＦＥＴのＡｌ配線を形成できる。
Ｆ2 窓１８のマスク１１を用いて白色光のＳＲ１３から
価電子励起可能なエネルギー領域の光だけ、具体的には
７３ｅＶ未満で輝度１０13ｐｈｏｔｏｎ／cm2 ・ｓ以上
の光だけを取り出し、基板上に前述と同じジメチルアル
ミニウムハイドライドガスを流し、ゲート酸化膜１６と
フィールド酸化膜１９の所望の部分に熱ＣＶＤを誘起す
るＡｌ膜２０を形成する。これは原子層オーダの金属状
態の膜である。基板温度はＡｌＣを堆積するのと同じ１
５０〜２５０℃とした。照射光のエネルギーを変えるこ
とで、一種類のガスでＡｌＣでもＡｌでも形成できるわ
けである。このようにして内殻電子励起光と価電子励起
光の切り替えによって、熱ＣＶＤ抑制膜兼保護膜として
作用するＡｌＣ膜と熱ＣＶＤを誘起するＡｌ膜とを直接
パターニングできる。その後、前述と同じジメチルアル
ミニウムハイドライドガスを流して全面に熱ＣＶＤを行
うことによってＡｌ膜２１を成長でき、図５（ｃ）のよ
うにＭＯＳ型ＦＥＴのＡｌ配線を形成できる。
【００１７】次に、熱ＣＶＤの最後に内殻電子励起光を
全面に照射すると、図５（ｄ）のように、配線保護膜と
してのＡｌＣ膜１７を全面に形成できるので、層間絶縁
膜やパシベーション膜をプラズマＣＶＤで成長させる場
合でも、荷電粒子による損傷を防止できる。
全面に照射すると、図５（ｄ）のように、配線保護膜と
してのＡｌＣ膜１７を全面に形成できるので、層間絶縁
膜やパシベーション膜をプラズマＣＶＤで成長させる場
合でも、荷電粒子による損傷を防止できる。
【００１８】（実施例２）本実施例でも、ＭＯＳ型ＦＥ
ＴにＡｌ配線を形成するプロセスを例にして、図６を参
照しつつ説明する。本実施例では、ソース部とドレイン
部のＳｉ表面は水素で終端されている。水素終端方法
は、１．６％程度の希フッ酸水溶液に浸漬するか、また
は、水素原子線を照射するものである。水素終端されて
いることによって、配線形成途中の基板を大気中搬送し
ても汚染例えば酸化や大気中の有機物の付着などを防止
しやすくなり、プロセスの自由度が大きくなる。このよ
うに基板にＡｌ配線を形成する方法は、実施例１と同様
に次のようにして可能になる。
ＴにＡｌ配線を形成するプロセスを例にして、図６を参
照しつつ説明する。本実施例では、ソース部とドレイン
部のＳｉ表面は水素で終端されている。水素終端方法
は、１．６％程度の希フッ酸水溶液に浸漬するか、また
は、水素原子線を照射するものである。水素終端されて
いることによって、配線形成途中の基板を大気中搬送し
ても汚染例えば酸化や大気中の有機物の付着などを防止
しやすくなり、プロセスの自由度が大きくなる。このよ
うに基板にＡｌ配線を形成する方法は、実施例１と同様
に次のようにして可能になる。
【００１９】図６（ａ）のように、マスク１１の開口部
がＢｅ窓１２であるものを用いて、白色光のＳＲ１３か
ら、Ｓｉ２ｐ電子、または、これよりも高エネルギー側
の内殻電子を励起可能な高エネルギー光成分を取り出
す。具体的には９９ｅＶ以上の光を取り出す。輝度は１
０13ｐｈｏｔｏｎ／cm2 ・ｓ程度以上である。この光の
照射と実施例１と同じＡｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈガスを流すこ
とで、水素終端されたソース部２２と水素終端されたド
レイン部２３の非配線領域であるゲート酸化膜１６側に
ＡｌＣ（炭化アルミニウム）膜１７を形成する。ガスの
圧力は数ｍＴｏｒｒから大気圧までの広い条件が適用で
きる。基板温度は２００〜４００℃である。この膜は、
図３の実験結果から分かるように、熱ＣＶＤを抑制する
作用がある。またこの膜は下の水素終端されたソース部
２２と水素終端されたドレイン部２３の保護膜としても
作用する。
がＢｅ窓１２であるものを用いて、白色光のＳＲ１３か
ら、Ｓｉ２ｐ電子、または、これよりも高エネルギー側
の内殻電子を励起可能な高エネルギー光成分を取り出
す。具体的には９９ｅＶ以上の光を取り出す。輝度は１
０13ｐｈｏｔｏｎ／cm2 ・ｓ程度以上である。この光の
照射と実施例１と同じＡｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈガスを流すこ
とで、水素終端されたソース部２２と水素終端されたド
レイン部２３の非配線領域であるゲート酸化膜１６側に
ＡｌＣ（炭化アルミニウム）膜１７を形成する。ガスの
圧力は数ｍＴｏｒｒから大気圧までの広い条件が適用で
きる。基板温度は２００〜４００℃である。この膜は、
図３の実験結果から分かるように、熱ＣＶＤを抑制する
作用がある。またこの膜は下の水素終端されたソース部
２２と水素終端されたドレイン部２３の保護膜としても
作用する。
【００２０】次に、図６（ｂ）のように、開口部がＭｇ
Ｆ2 窓１８のマスク１１を用いて白色光のＳＲ１３から
価電子励起可能なエネルギー領域の光だけ、具体的には
７３ｅＶ未満で輝度１０13ｐｈｏｔｏｎ／cm2 ・ｓ以上
の光だけを取り出し、Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈを流して、ゲ
ート酸化膜１６とフィールド酸化膜１９の所望の部分に
熱ＣＶＤを誘起するＡｌ膜２０を形成する。このＡｌ膜
は実施例１と同じく原子層オーダの膜である。基板温度
はＡｌＣ堆積時と同じにした。
Ｆ2 窓１８のマスク１１を用いて白色光のＳＲ１３から
価電子励起可能なエネルギー領域の光だけ、具体的には
７３ｅＶ未満で輝度１０13ｐｈｏｔｏｎ／cm2 ・ｓ以上
の光だけを取り出し、Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈを流して、ゲ
ート酸化膜１６とフィールド酸化膜１９の所望の部分に
熱ＣＶＤを誘起するＡｌ膜２０を形成する。このＡｌ膜
は実施例１と同じく原子層オーダの膜である。基板温度
はＡｌＣ堆積時と同じにした。
【００２１】このようにして内殻電子励起光と価電子励
起光の切り替えによって、熱ＣＶＤ抑制膜兼保護膜とし
て作用するＡｌＣ膜と熱ＣＶＤ誘起Ａｌ膜とを直接パタ
ーニングできる。その後、全面に熱ＣＶＤを行うことに
よってＡｌ膜２１を成長でき、図６（ｃ）のようにＭＯ
Ｓ型ＦＥＴのＡｌ配線を形成できる。
起光の切り替えによって、熱ＣＶＤ抑制膜兼保護膜とし
て作用するＡｌＣ膜と熱ＣＶＤ誘起Ａｌ膜とを直接パタ
ーニングできる。その後、全面に熱ＣＶＤを行うことに
よってＡｌ膜２１を成長でき、図６（ｃ）のようにＭＯ
Ｓ型ＦＥＴのＡｌ配線を形成できる。
【００２２】次に、熱ＣＶＤの最後に内殻電子励起光を
全面に照射すると、図６（ｄ）のように、配線保護膜と
してのＡｌＣ膜１７を全面に形成できるので、層間絶縁
膜やパシベーション膜をプラズマＣＶＤで成長させる場
合でも、荷電粒子による損傷を防止できる。これは実施
例１と同様である。
全面に照射すると、図６（ｄ）のように、配線保護膜と
してのＡｌＣ膜１７を全面に形成できるので、層間絶縁
膜やパシベーション膜をプラズマＣＶＤで成長させる場
合でも、荷電粒子による損傷を防止できる。これは実施
例１と同様である。
【００２３】以上述べてきた実施例ではＳｉ、ＳｉＯ
２、水素終端されたＳｉがパターニングされている基板
について述べたが、これ以外にもＴｉＮやＴｉをはじ
め、Ｔｉシリサイド、Ｗシリサイド等の表面上でも同様
のことが生じる。
２、水素終端されたＳｉがパターニングされている基板
について述べたが、これ以外にもＴｉＮやＴｉをはじ
め、Ｔｉシリサイド、Ｗシリサイド等の表面上でも同様
のことが生じる。
【００２４】また、Ａｌの原料ガスとしてＡｌ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｈを用いたが、Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5）2 Ｈを用いて
も同じ現象が生じるので、本実施例で述べたことをこの
ガスを用いても実現できる。
Ｈ3 ）2 Ｈを用いたが、Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5）2 Ｈを用いて
も同じ現象が生じるので、本実施例で述べたことをこの
ガスを用いても実現できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によって、Ｓｉ、水素終端された
Ｓｉ、ＳｉＯ2 、及びこれらがパターニングされている
基板上で、配線用Ａｌをレジストレスで直接パターニン
グするＣＶＤ方法を提供できる。
Ｓｉ、ＳｉＯ2 、及びこれらがパターニングされている
基板上で、配線用Ａｌをレジストレスで直接パターニン
グするＣＶＤ方法を提供できる。
【図１】本発明の作用の根拠になる実験結果を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の作用の根拠になる他の実験結果を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の作用の根拠になる他の実験結果を示す
図である。
図である。
【図４】本発明の作用の根拠になる他の実験結果を示す
図である。
図である。
【図５】本発明の熱ＣＶＤ方法を配線形成を例にして説
明するための図である。
明するための図である。
【図６】本発明の熱ＣＶＤ方法を配線形成を例にして説
明するための図である。
明するための図である。
１１ マスク １２ Ｂｅ窓 １３ ＳＲ １４ ソース部 １５ ドレイン部 １６ ゲート酸化膜 １７ ＡｌＣ膜 １８ ＭｇＦ2 窓 １９ フィールド酸化膜 ２０ 熱ＣＶＤ誘起膜 ２１ Ａｌ膜 ２２ 水素終端されたソース部 ２３ 水素終端されたドレイン部
Claims (1)
- 【請求項１】水素化ジメチル金属、または水素化ジエチ
ル金属を原料とする熱ＣＶＤ方法において、基板または
原料分子の構成元素の内殻電子を励起できるエネルギー
領域の光を照射する工程と、価電子だけを励起できるエ
ネルギー領域の光を照射する工程とを有し、これらの波
長の異なる光を照射する工程を連続して行うことによっ
て、前記基板上の所望の部分に直接熱ＣＶＤでパターン
化された膜を成長させることを特徴とする熱ＣＶＤ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15318794A JPH0778776A (ja) | 1993-07-14 | 1994-07-05 | 熱ｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17452393 | 1993-07-14 | ||
| JP5-174523 | 1993-07-14 | ||
| JP15318794A JPH0778776A (ja) | 1993-07-14 | 1994-07-05 | 熱ｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778776A true JPH0778776A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=26481900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15318794A Pending JPH0778776A (ja) | 1993-07-14 | 1994-07-05 | 熱ｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778776A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156429A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 炭化アルミニウム薄膜、炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04273434A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Nec Corp | 光ｃｖｄ方法 |
| JPH04355926A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-12-09 | Nec Corp | 熱ｃｖｄ方法 |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP15318794A patent/JPH0778776A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04355926A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-12-09 | Nec Corp | 熱ｃｖｄ方法 |
| JPH04273434A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Nec Corp | 光ｃｖｄ方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156429A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 炭化アルミニウム薄膜、炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970826 |