JPH04355926A - 熱ｃｖｄ方法 - Google Patents
熱ｃｖｄ方法Info
- Publication number
- JPH04355926A JPH04355926A JP24523191A JP24523191A JPH04355926A JP H04355926 A JPH04355926 A JP H04355926A JP 24523191 A JP24523191 A JP 24523191A JP 24523191 A JP24523191 A JP 24523191A JP H04355926 A JPH04355926 A JP H04355926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thermal cvd
- light
- cvd
- cvd method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N dimethylalumane Chemical compound C[AlH]C TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 30
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 16
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 8
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 235000008529 Ziziphus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000126002 Ziziphus vulgaris Species 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト塗布、露光、
レジスト剥離などのプロセス無しで、光利用によって空
間選択性良くパターニングできる熱ＣＶＤ方法に関する
。
レジスト剥離などのプロセス無しで、光利用によって空
間選択性良くパターニングできる熱ＣＶＤ方法に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＶＤ膜などをパターニングする
方法として、レジスト塗布、露光、現像といったフォト
リソグラフィが用いられていることは広く知られている
。この煩雑なフォトリソグラフィ工程を省くために、空
間選択的に光を照射する光化学的ＣＶＤによる成膜の研
究が行われている。この研究については、例えば、エー
リック（Ｄ．Ｊ．Ｅｈｒｌｉｃｈ）らによって、ジャー
ナル オブ バキュウーム サイエンス アン
ド テクノロジー誌（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｉｃ．Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ．） 第Ｂ１巻（１９８３）の９６９頁から９８
４頁に発表された論文に詳細が記載されている。しかし
、この光化学的ＣＶＤ方法では、成長可能な良質の膜の
種類が限られていることが問題である。そこで、はじめ
に光化学的な方法で薄膜を形成し、次に、熱ＣＶＤを行
うことで、はじめに形成された薄膜の部分にだけ良質な
熱ＣＶＤ膜を成長させるタイプの光核形成利用ＣＶＤの
研究が行われた。これについては、例えば、ツァオ（Ｊ
．Ｙ．Ｔｓａｏ） らによって、アプライド フィジ
クス レターズ誌（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．
）の第４５巻（１９８４）６１７頁から６１９頁に発表
された論文がある。この論文では、トリイソブチルアル
ミニウムを原料として、石英基板上に核形成のパターニ
ングをアルゴンイオンレーザの第２高調波で直接描画す
ることによって行い、その後、ＣＯ２ レーザによる熱
ＣＶＤで核形成された部分にのみＡｌ膜のＣＶＤを行わ
せている。
方法として、レジスト塗布、露光、現像といったフォト
リソグラフィが用いられていることは広く知られている
。この煩雑なフォトリソグラフィ工程を省くために、空
間選択的に光を照射する光化学的ＣＶＤによる成膜の研
究が行われている。この研究については、例えば、エー
リック（Ｄ．Ｊ．Ｅｈｒｌｉｃｈ）らによって、ジャー
ナル オブ バキュウーム サイエンス アン
ド テクノロジー誌（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｉｃ．Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ．） 第Ｂ１巻（１９８３）の９６９頁から９８
４頁に発表された論文に詳細が記載されている。しかし
、この光化学的ＣＶＤ方法では、成長可能な良質の膜の
種類が限られていることが問題である。そこで、はじめ
に光化学的な方法で薄膜を形成し、次に、熱ＣＶＤを行
うことで、はじめに形成された薄膜の部分にだけ良質な
熱ＣＶＤ膜を成長させるタイプの光核形成利用ＣＶＤの
研究が行われた。これについては、例えば、ツァオ（Ｊ
．Ｙ．Ｔｓａｏ） らによって、アプライド フィジ
クス レターズ誌（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．
）の第４５巻（１９８４）６１７頁から６１９頁に発表
された論文がある。この論文では、トリイソブチルアル
ミニウムを原料として、石英基板上に核形成のパターニ
ングをアルゴンイオンレーザの第２高調波で直接描画す
ることによって行い、その後、ＣＯ２ レーザによる熱
ＣＶＤで核形成された部分にのみＡｌ膜のＣＶＤを行わ
せている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した光核形成利用
ＣＶＤ法では、所望の成膜部分を集束紫外光で描画する
ため、パターニングに時間がかかり、スループットが悪
いという問題がある。また、この他に、光源の種類の制
約がある。紫外光照射による核形成は、吸着した原料ガ
ス分子の光化学的分解によって行われる。これは、吸着
子の価電子励起によって、結合性軌道にある電子を反結
合性軌道へ移動させることによって行われるので、光励
起の始状態と、終状態が決まっていることを意味し、こ
のエネルギーに相当する波長の光の使用に限定される。 また、更に波長が短い真空紫外光を用いた場合、吸着子
のイオン化が起こり、これによって吸着子の分解が起き
る。この場合、用いる光のエネルギーは、イオン化の闘
値エネルギーより大きければ良いので、上記の方法に比
べて波長の制約が緩くなる。しかし、価電子励起による
イオン化では、吸着子分解はまだ不十分であるという問
題がある。
ＣＶＤ法では、所望の成膜部分を集束紫外光で描画する
ため、パターニングに時間がかかり、スループットが悪
いという問題がある。また、この他に、光源の種類の制
約がある。紫外光照射による核形成は、吸着した原料ガ
ス分子の光化学的分解によって行われる。これは、吸着
子の価電子励起によって、結合性軌道にある電子を反結
合性軌道へ移動させることによって行われるので、光励
起の始状態と、終状態が決まっていることを意味し、こ
のエネルギーに相当する波長の光の使用に限定される。 また、更に波長が短い真空紫外光を用いた場合、吸着子
のイオン化が起こり、これによって吸着子の分解が起き
る。この場合、用いる光のエネルギーは、イオン化の闘
値エネルギーより大きければ良いので、上記の方法に比
べて波長の制約が緩くなる。しかし、価電子励起による
イオン化では、吸着子分解はまだ不十分であるという問
題がある。
【０００４】また、光の回折効果による核形成のパター
ニング上の問題がある。光照射領域はマスクの開口部の
形状で決まり、パターニング後のＣＶＤ膜のエッジ形状
の切れの良さは、マスクの開口部での光の回折による非
照射部への光の回り込みを、如何に抑えるかによって決
まる。この回り込みの大きさは、光の波長に比例するの
で、波長の短い真空紫外光を使う方が回折による光の回
り込みを抑えることが出来る。しかし、これまでに使用
されている波長では、まだ回折効果の抑制は不十分であ
る。
ニング上の問題がある。光照射領域はマスクの開口部の
形状で決まり、パターニング後のＣＶＤ膜のエッジ形状
の切れの良さは、マスクの開口部での光の回折による非
照射部への光の回り込みを、如何に抑えるかによって決
まる。この回り込みの大きさは、光の波長に比例するの
で、波長の短い真空紫外光を使う方が回折による光の回
り込みを抑えることが出来る。しかし、これまでに使用
されている波長では、まだ回折効果の抑制は不十分であ
る。
【０００５】本発明の目的は、光照射部での吸着子の光
化学的分解促進による効果的な核形成を行い、しかも、
使用光源の選択幅を大きく採れ、また、同時に、光の回
折効果を抑え、空間選択性がよい熱ＣＶＤ方法の提供に
ある。
化学的分解促進による効果的な核形成を行い、しかも、
使用光源の選択幅を大きく採れ、また、同時に、光の回
折効果を抑え、空間選択性がよい熱ＣＶＤ方法の提供に
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、同一種
類の基板上での空間選択的な熱ＣＶＤ方法において、Ｃ
ＶＤ原料ガスの導入に先立って、基板を構成する原子の
内、少なくとも１種類の原子の内殻を励起できる光を前
記基板に照射する工程と、前記工程終了後にＣＶＤ原料
ガスを導入して熱ＣＶＤを行う工程とを、この順序で行
うことを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
類の基板上での空間選択的な熱ＣＶＤ方法において、Ｃ
ＶＤ原料ガスの導入に先立って、基板を構成する原子の
内、少なくとも１種類の原子の内殻を励起できる光を前
記基板に照射する工程と、前記工程終了後にＣＶＤ原料
ガスを導入して熱ＣＶＤを行う工程とを、この順序で行
うことを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【０００７】また、同一種類の基板上での空間選択的な
熱ＣＶＤ方法において、ＣＶＤ原料ガスが基板に供給さ
れている状態で、基板または原料ガスを構成する原子の
内、少なくとも１種類の原子の内殻を励起できる光を前
記基板に照射し、熱ＣＶＤによる膜成長の核として数原
子層成長させる工程と、前記工程終了後に、光照射を停
止して熱ＣＶＤを行わせる工程とを有することを特徴と
する熱ＣＶＤ方法を提供できる。
熱ＣＶＤ方法において、ＣＶＤ原料ガスが基板に供給さ
れている状態で、基板または原料ガスを構成する原子の
内、少なくとも１種類の原子の内殻を励起できる光を前
記基板に照射し、熱ＣＶＤによる膜成長の核として数原
子層成長させる工程と、前記工程終了後に、光照射を停
止して熱ＣＶＤを行わせる工程とを有することを特徴と
する熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【０００８】また、同一種類の基板上での空間選択的な
熱ＣＶＤ方法において、ＣＶＤ原料ガスが基板に供給さ
れている状態で、基板または原料ガスを構成する原子の
内、少なくとも１種類の原子の内殻を励起できる光を前
記基板に照射し、照射部の表面を原料ガスとの光化学反
応によって改質する工程と、前記工程終了後に、光照射
を停止して熱ＣＶＤを行わせる工程とを有することを特
徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
熱ＣＶＤ方法において、ＣＶＤ原料ガスが基板に供給さ
れている状態で、基板または原料ガスを構成する原子の
内、少なくとも１種類の原子の内殻を励起できる光を前
記基板に照射し、照射部の表面を原料ガスとの光化学反
応によって改質する工程と、前記工程終了後に、光照射
を停止して熱ＣＶＤを行わせる工程とを有することを特
徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【０００９】また、ＣＶＤ原料ガスとしてジメチルアル
ミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈ） を
用いることを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
ミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈ） を
用いることを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【００１０】
【作用】本発明の作用上の特徴は、基板、または、吸着
子を構成する原子の内、少なくとも１つの原子の内殻励
起による基板構成原子の励起・脱離、または、吸着子の
分解・脱離の促進にある。
子を構成する原子の内、少なくとも１つの原子の内殻励
起による基板構成原子の励起・脱離、または、吸着子の
分解・脱離の促進にある。
【００１１】はじめに、本願第１の発明の作用について
述べる。光による基板構成原子の内殻励起で形成された
内殻ホールのカスケード的なオージェ遷移によって、表
面原子が不安定な多価イオンとなり、クーロン反発力に
よって脱離が生じ、表面に残された原子にはダングリン
グボンドができ、化学的に活性な表面が形成される。こ
うして光照射による空間選択的な表面活性化の工程に引
き続いて、活性化された部分でのみ熱ＣＶＤが生じる温
度に基板を加熱して原料ガスを供給すると、この部分で
のみ反応が進行する。従って、空間選択的に熱ＣＶＤが
可能になる。
述べる。光による基板構成原子の内殻励起で形成された
内殻ホールのカスケード的なオージェ遷移によって、表
面原子が不安定な多価イオンとなり、クーロン反発力に
よって脱離が生じ、表面に残された原子にはダングリン
グボンドができ、化学的に活性な表面が形成される。こ
うして光照射による空間選択的な表面活性化の工程に引
き続いて、活性化された部分でのみ熱ＣＶＤが生じる温
度に基板を加熱して原料ガスを供給すると、この部分で
のみ反応が進行する。従って、空間選択的に熱ＣＶＤが
可能になる。
【００１２】また、用いる光の波長が内殻励起可能なほ
ど短波長になると、これまで使用されている価電子励起
可能な紫外光に比べて、回折光の強度、及び、回り込み
が２桁程度小さくなるので、直進する光による照射部で
だけ活性化できるので、所望の形状にＣＶＤ膜をパター
ニングできる。
ど短波長になると、これまで使用されている価電子励起
可能な紫外光に比べて、回折光の強度、及び、回り込み
が２桁程度小さくなるので、直進する光による照射部で
だけ活性化できるので、所望の形状にＣＶＤ膜をパター
ニングできる。
【００１３】次に、本願第２の発明の作用について述べ
る。熱ＣＶＤ初期に光を照射すると、基板に吸着した原
料ガス分子の、内殻励起で形成された内殻ホールのカス
ケード的なオージェ遷移による、吸着子の不安定な多価
イオンの分解・脱離によって、核が形成される。本願発
明者によるオージェ分析の実験結果から、吸着Ａｌ（Ｃ
Ｈ３ ）２ Ｈ分子の光分解によって形成された核は、
図４（ａ）に示すように、ＡｌとＣから成ること、及び
、Ａｌの化学結合状態は金属的な状態で活性なことがわ
かった。そのため、光照射を停止しても、この核の上に
だけ熱ＣＶＤ反応が継続して進行する。つまり、核が形
成された部分でだけ空間選択的に熱ＣＶＤが可能になる
。また、上述したように、波長が短いので、回折効果が
小さく、所望の形状にＣＶＤ膜をパターニング出来る。
る。熱ＣＶＤ初期に光を照射すると、基板に吸着した原
料ガス分子の、内殻励起で形成された内殻ホールのカス
ケード的なオージェ遷移による、吸着子の不安定な多価
イオンの分解・脱離によって、核が形成される。本願発
明者によるオージェ分析の実験結果から、吸着Ａｌ（Ｃ
Ｈ３ ）２ Ｈ分子の光分解によって形成された核は、
図４（ａ）に示すように、ＡｌとＣから成ること、及び
、Ａｌの化学結合状態は金属的な状態で活性なことがわ
かった。そのため、光照射を停止しても、この核の上に
だけ熱ＣＶＤ反応が継続して進行する。つまり、核が形
成された部分でだけ空間選択的に熱ＣＶＤが可能になる
。また、上述したように、波長が短いので、回折効果が
小さく、所望の形状にＣＶＤ膜をパターニング出来る。
【００１４】次に、本願第３の発明の作用について述べ
る。本願発明者によるオージェ分析の実験結果から、Ｓ
ｉＯ２ 表面とこの上に吸着したＡｌ（ＣＨ３ ）２
Ｈ分子の光誘起反応によって、ＳｉＯ２ 表面が還元さ
れてＳｉに改質されることが分かった。このことは、図
４（ａ）と光非照射部の清浄ＳｉＯ２ 表面（ｂ）のＳ
ｉのオージェ電子エネルギーのケミカルシフトの差から
分かった。Ｓｉ表面ではＳｉＯ２ 表面よりも低温でＡ
ｌ（ＣＨ３ ）２ ＨからのＡｌ−ＣＶＤが生じるので
、Ｓｉに改質されたＳｉＯ２ 表面部分だけにＡｌの熱
ＣＶＤ反応を生じさせることが出来る。従って、空間選
択的な熱ＣＶＤが可能になる。
る。本願発明者によるオージェ分析の実験結果から、Ｓ
ｉＯ２ 表面とこの上に吸着したＡｌ（ＣＨ３ ）２
Ｈ分子の光誘起反応によって、ＳｉＯ２ 表面が還元さ
れてＳｉに改質されることが分かった。このことは、図
４（ａ）と光非照射部の清浄ＳｉＯ２ 表面（ｂ）のＳ
ｉのオージェ電子エネルギーのケミカルシフトの差から
分かった。Ｓｉ表面ではＳｉＯ２ 表面よりも低温でＡ
ｌ（ＣＨ３ ）２ ＨからのＡｌ−ＣＶＤが生じるので
、Ｓｉに改質されたＳｉＯ２ 表面部分だけにＡｌの熱
ＣＶＤ反応を生じさせることが出来る。従って、空間選
択的な熱ＣＶＤが可能になる。
【００１５】
（実施例１）以下、本願第１の発明について図１を参照
しながら説明する。本実施例では、Ａｌ（ＣＨ３ ）２
Ｈを原料としてＳｉデバイス用Ａｌ配線を、ＳｉＯ２
上に形成する場合について述べる。
しながら説明する。本実施例では、Ａｌ（ＣＨ３ ）２
Ｈを原料としてＳｉデバイス用Ａｌ配線を、ＳｉＯ２
上に形成する場合について述べる。
【００１６】Ｓｉの熱酸化で形成したＳｉＯ２ 膜１１
に、マスク１２で空間的に整形されたシンクロトロン放
射光（以下ＳＲと記す）１３を照射する。このＳＲの波
長は４ｎｍより長波長の白色光であり、ＳｉＯ２ 膜１
１は６００℃に加熱されている。図１（ａ）の様に、Ｓ
Ｒ照射によって表面のＳｉＯ２ が脱離して、後に、ダ
グリングボンドが形成されているダグリングボンド領域
１４が生じる。この状態で原料ガスの、Ａｌ（ＣＨ３
）２ Ｈを供給すると、図１（ｂ）のように、ダグリン
グボンド領域１４でのみＡｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈの分解
が生じて、Ａｌ膜１５が成長する。
に、マスク１２で空間的に整形されたシンクロトロン放
射光（以下ＳＲと記す）１３を照射する。このＳＲの波
長は４ｎｍより長波長の白色光であり、ＳｉＯ２ 膜１
１は６００℃に加熱されている。図１（ａ）の様に、Ｓ
Ｒ照射によって表面のＳｉＯ２ が脱離して、後に、ダ
グリングボンドが形成されているダグリングボンド領域
１４が生じる。この状態で原料ガスの、Ａｌ（ＣＨ３
）２ Ｈを供給すると、図１（ｂ）のように、ダグリン
グボンド領域１４でのみＡｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈの分解
が生じて、Ａｌ膜１５が成長する。
【００１７】（実施例２）本願第２の発明について図２
を参照しながら説明する。本実施例でも、Ａｌ（ＣＨ３
）２ Ｈを原料としてＳｉデバイス用Ａｌ配線を、Ｓ
ｉＯ２ 上に形成する場合について述べる。
を参照しながら説明する。本実施例でも、Ａｌ（ＣＨ３
）２ Ｈを原料としてＳｉデバイス用Ａｌ配線を、Ｓ
ｉＯ２ 上に形成する場合について述べる。
【００１８】Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈを供給している状
態で、２００℃に加熱したＳｉＯ２ 膜１１に、マスク
１２で空間的に整形されたシンクロトロン放射光（以下
ＳＲと記す）１３を照射する。このＳＲの波長は４ｎｍ
より長波長の白色光である。この工程によって、図２（
ａ）のように、ＳＲ照射部に核形成領域１６が生じる。 この状態で原料ガスの、Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈを供給
すると、図２（ｂ）のように、核形成領域１６でのみＡ
ｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈの分解が生じて、Ａｌ膜１５が成
長する。
態で、２００℃に加熱したＳｉＯ２ 膜１１に、マスク
１２で空間的に整形されたシンクロトロン放射光（以下
ＳＲと記す）１３を照射する。このＳＲの波長は４ｎｍ
より長波長の白色光である。この工程によって、図２（
ａ）のように、ＳＲ照射部に核形成領域１６が生じる。 この状態で原料ガスの、Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈを供給
すると、図２（ｂ）のように、核形成領域１６でのみＡ
ｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈの分解が生じて、Ａｌ膜１５が成
長する。
【００１９】（実施例３）本願第３の発明について図３
を参照しながら説明する。本実施例でも、Ａｌ（ＣＨ３
）２ Ｈを原料としてＳｉデバイス用Ａｌ配線を、Ｓ
ｉＯ２ 上に形成する場合について述べる。
を参照しながら説明する。本実施例でも、Ａｌ（ＣＨ３
）２ Ｈを原料としてＳｉデバイス用Ａｌ配線を、Ｓ
ｉＯ２ 上に形成する場合について述べる。
【００２０】Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈを供給している状
態で、２００℃に加熱したＳｉＯ２ 膜１１に、マスク
１２で空間的に整形されたシンクロトロン放射光（以下
ＳＲと記す）１３を照射する。このＳＲの波長は４ｎｍ
より長波長の白色光である。この工程によって、図３（
ａ）のように、ＳＲ照射部のＳｉＯ２ 表面はＡｌ（Ｃ
Ｈ３ ）２ Ｈとの光誘起反応によってＳｉに改質され
る改質層１７が形成される。２００℃ではＳｉＯ２ 表
面でＡｌのＣＶＤは生じないが、Ｓｉ表面では生じる。 従って、ＳｉＯ２ 表面をＳｉに改質する工程の後にＡ
ｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈを供給すると、図３（ｂ）のよう
に、改質層１７にだけＡｌ膜１５を成長させることが出
来る。
態で、２００℃に加熱したＳｉＯ２ 膜１１に、マスク
１２で空間的に整形されたシンクロトロン放射光（以下
ＳＲと記す）１３を照射する。このＳＲの波長は４ｎｍ
より長波長の白色光である。この工程によって、図３（
ａ）のように、ＳＲ照射部のＳｉＯ２ 表面はＡｌ（Ｃ
Ｈ３ ）２ Ｈとの光誘起反応によってＳｉに改質され
る改質層１７が形成される。２００℃ではＳｉＯ２ 表
面でＡｌのＣＶＤは生じないが、Ｓｉ表面では生じる。 従って、ＳｉＯ２ 表面をＳｉに改質する工程の後にＡ
ｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈを供給すると、図３（ｂ）のよう
に、改質層１７にだけＡｌ膜１５を成長させることが出
来る。
【００２１】上述の実施例では、光源としてＳＲを使用
する場合について述べたが、各種Ｘ線発生用の管球でも
よいし、Ｘ線レーザやレーザ生成プラズマからのＸ線で
もよい。
する場合について述べたが、各種Ｘ線発生用の管球でも
よいし、Ｘ線レーザやレーザ生成プラズマからのＸ線で
もよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、レジスト塗布、露光、
レジスト剥離などのプロセス無しで、空間選択性良くパ
ターニングできる熱ＣＶＤ方法を得ることが出来る。
レジスト剥離などのプロセス無しで、空間選択性良くパ
ターニングできる熱ＣＶＤ方法を得ることが出来る。
【図１】本願の第１の発明になる熱ＣＶＤ方法による配
線方法を示す概念図。
線方法を示す概念図。
【図２】本願の第２の発明になる熱ＣＶＤ方法による配
線方法を示す概念図。
線方法を示す概念図。
【図３】本願の第３の発明になる熱ＣＶＤ方法による配
線形成方法を示す概念図。
線形成方法を示す概念図。
【図４】本発明の作用の基になる実験結果を示す図。
１１ ＳｉＯ２ 膜
１２ マスク
１３ シンクロトロン放射光
１４ ダグリングボンド領域
１５ Ａｌ膜
１６ 核形成領域
１７ 改質層
Claims (6)
- 【請求項１】 同一種類の基板上での空間選択的な熱
ＣＶＤ方法において、ＣＶＤ原料ガスの導入に先立って
、基板を構成する原子の内、少なくとも１種類の原子の
内殻を励起できる光を前記基板に照射する工程と、前記
工程終了後にＣＶＤ原料ガスを導入して熱ＣＶＤを行う
工程とを、この順序で行うことを特徴とする熱ＣＶＤ方
法。 - 【請求項２】 同一種類の基板上での空間選択的な熱
ＣＶＤ方法において、ＣＶＤ原料ガスが基板に供給され
ている状態で、基板または原料ガスを構成する原子の内
、少なくとも１種類の原子の内殻を励起できる光を前記
基板に照射し、熱ＣＶＤによる膜成長の核として数原子
層成長させる工程と、前記工程終了後に、光照射を停止
して熱ＣＶＤを行わせる工程とを有することを特徴とす
る熱ＣＶＤ方法。 - 【請求項３】 同一種類の基板上での空間選択的な熱
ＣＶＤ方法において、ＣＶＤ原料ガスが基板に供給され
ている状態で、基板または原料ガスを構成する原子の内
、少なくとも１種類の原子の内殻を励起できる光を前記
基板に照射し、照射部の表面を原料ガスとの光化学反応
によって改質する工程と、前記工程終了後に、光照射を
停止して熱ＣＶＤを行わせる工程とを有することを特徴
とする熱ＣＶＤ方法。 - 【請求項４】 前記第１項記載の熱ＣＶＤ方法におい
て、ＣＶＤ原料ガスとしてジメチルアルミニウムハイド
ライド（Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈ） を用いることを特
徴とする熱ＣＶＤ方法。 - 【請求項５】 前記第２項記載の熱ＣＶＤ方法におい
て、ＣＶＤ原料ガスとしてジメチルアルミニウムハイド
ライド（Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈ） を用いることを特
徴とする熱ＣＶＤ方法。 - 【請求項６】 前記第３項記載の熱ＣＶＤ方法におい
て、ＣＶＤ原料ガスとしてジメチルアルミニウムハイド
ライド（Ａｌ（ＣＨ３ ）２ Ｈ） を用いることを特
徴とする熱ＣＶＤ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245231A JP2770620B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-08-29 | 熱ｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1367391 | 1991-01-10 | ||
| JP3-13673 | 1991-01-10 | ||
| JP3245231A JP2770620B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-08-29 | 熱ｃｖｄ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355926A true JPH04355926A (ja) | 1992-12-09 |
| JP2770620B2 JP2770620B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=26349500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3245231A Expired - Lifetime JP2770620B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-08-29 | 熱ｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770620B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778776A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-03-20 | Nec Corp | 熱ｃｖｄ方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63478A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH02154421A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Nec Corp | 選択的核形成方法 |
| JPH02266461A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-31 | Nec Corp | データ引き渡し装置 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3245231A patent/JP2770620B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63478A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH02154421A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Nec Corp | 選択的核形成方法 |
| JPH02266461A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-31 | Nec Corp | データ引き渡し装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778776A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-03-20 | Nec Corp | 熱ｃｖｄ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2770620B2 (ja) | 1998-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5344522A (en) | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process | |
| US4324854A (en) | Deposition of metal films and clusters by reactions of compounds with low energy electrons on surfaces | |
| US4643799A (en) | Method of dry etching | |
| JPS61231716A (ja) | 成膜装置 | |
| JP2022507368A (ja) | 次世代リソグラフィにおいて有用なハードマスクを作製する方法 | |
| JP5111283B2 (ja) | クリーニング方法 | |
| JP6814116B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JP2001146409A (ja) | 炭素ナノチューブのチップオープン方法及び精製方法 | |
| JP2022077526A (ja) | 多層グラフェンの直接成長方法およびそれを用いた極紫外線露光用ペリクルの製造方法 | |
| JPH04355926A (ja) | 熱ｃｖｄ方法 | |
| US6210843B1 (en) | Modulation of peripheral critical dimension on photomask with differential electron beam dose | |
| JP3194363B2 (ja) | パターニング方法およびパターニング装置 | |
| TWI729693B (zh) | 一種製作圖案化遮罩的方法及其中間結構 | |
| US20230350301A1 (en) | Method and apparatus for forming a patterned layer of material | |
| EP3722457A1 (en) | Method and apparatus for forming a patterned layer of material | |
| JP2770578B2 (ja) | 光ｃｖｄ方法 | |
| EP3533900A1 (en) | Method and apparatus for forming a patterned layer of carbon | |
| JP2890693B2 (ja) | 光反転ｃｖｄ方法 | |
| JPH07254556A (ja) | パターン形成方法および形成装置 | |
| EP0501278B1 (en) | Method to produce masking | |
| JP2522050B2 (ja) | 原子層ドライエッチング方法 | |
| JP2765259B2 (ja) | 熱ｃｖｄ方法 | |
| JP2841694B2 (ja) | 光ｃｖｄ方法 | |
| JPH0380871B2 (ja) | ||
| JPH0722128B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980317 |