JPH077846A - 逆バッテリ保護回路 - Google Patents
逆バッテリ保護回路Info
- Publication number
- JPH077846A JPH077846A JP6151818A JP15181894A JPH077846A JP H077846 A JPH077846 A JP H077846A JP 6151818 A JP6151818 A JP 6151818A JP 15181894 A JP15181894 A JP 15181894A JP H077846 A JPH077846 A JP H077846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- coupled
- terminal
- battery
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
- H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
Landscapes
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路２６の内部回路を逆バッテリ接続か
ら保護する保護回路１０を提供する。 【構成】 この保護回路は、電源電圧が集積回路に適切
に接続されると動作状態になるパス・トランジスタ１４
を含む。しかし、電源が不適切に接続されると、第２ト
ランジスタ３２がアクティブになり、それによりパス・
トランジスタを非アクティブにし、逆電源電圧が内部回
路に印加できないようにする。
ら保護する保護回路１０を提供する。 【構成】 この保護回路は、電源電圧が集積回路に適切
に接続されると動作状態になるパス・トランジスタ１４
を含む。しかし、電源が不適切に接続されると、第２ト
ランジスタ３２がアクティブになり、それによりパス・
トランジスタを非アクティブにし、逆電源電圧が内部回
路に印加できないようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、保護回路に関し、さら
に詳しくは、自動車用途の逆バッテリ保護(reverse bat
tery protection)回路に関するが、それに限定されるも
のではない。
に詳しくは、自動車用途の逆バッテリ保護(reverse bat
tery protection)回路に関するが、それに限定されるも
のではない。
【従来の技術】自動車産業で利用されるさまざまな種類
の電子集積回路（ＩＣ）が現在存在する。一般に、これ
らの回路の電源は、自動車の１２ボルト・バッテリから
生成される。しかし、バッテリに接続された自動車ＩＣ
は、例えば、ＩＣの破壊につながるバッテリに接続され
たＩＣのエピタキシャル層の順方向バイアスを防ぐた
め、バッテリが逆方向に接続されても耐えなければなら
ない。
の電子集積回路（ＩＣ）が現在存在する。一般に、これ
らの回路の電源は、自動車の１２ボルト・バッテリから
生成される。しかし、バッテリに接続された自動車ＩＣ
は、例えば、ＩＣの破壊につながるバッテリに接続され
たＩＣのエピタキシャル層の順方向バイアスを防ぐた
め、バッテリが逆方向に接続されても耐えなければなら
ない。
【０００２】ＩＣ用の逆バッテリ保護を行うために従来
技術が行った試みとして、バッテリと集積回路との間の
直列ダイオードがあり、ここで集積回路がバッテリに逆
方向に接続されると、直列ダイオードが逆方向バイアス
され、電源電圧が集積回路に印加されるのを防ぐ。しか
し、直列ダイオード方法は低電圧性能が良くないので、
ダイオードの形状は供給電流要求の増加に伴い大きくな
る。
技術が行った試みとして、バッテリと集積回路との間の
直列ダイオードがあり、ここで集積回路がバッテリに逆
方向に接続されると、直列ダイオードが逆方向バイアス
され、電源電圧が集積回路に印加されるのを防ぐ。しか
し、直列ダイオード方法は低電圧性能が良くないので、
ダイオードの形状は供給電流要求の増加に伴い大きくな
る。
【０００３】集積回路用の逆バッテリ保護を行うために
従来技術で行った別の試みとして、バッテリと集積回路
との間で直列に飽和横形ＰＮＰトランジスタを設ける試
みがある。この方法では低電圧性能は悪くないが、横形
ＰＮＰのベース電流要求はワット損を増加し、ＰＮＰト
ランジスタの形状は供給電流要求の増加に伴い大きくな
る。
従来技術で行った別の試みとして、バッテリと集積回路
との間で直列に飽和横形ＰＮＰトランジスタを設ける試
みがある。この方法では低電圧性能は悪くないが、横形
ＰＮＰのベース電流要求はワット損を増加し、ＰＮＰト
ランジスタの形状は供給電流要求の増加に伴い大きくな
る。
【０００４】集積回路用の逆バッテリ保護を行うために
従来技術で行った別の試みとして、バッテリと集積回路
との間に、パス・デバイス(pass device) としてチャー
ジ・ポンプ方式の逆ＴＭＯＳトランジスタを設ける試み
があり、ここでＴＭＯＳトランジスタは受動（抵抗性）
ゲート・ソース間終端を有する。しかし、この方法は、
ＴＭＯＳトランジスタを強化するため、チャージ・ポン
プからＤＣ電流を必要とし、ＴＭＯＳトランジスタのタ
ーン・オフ時間は受動ゲート終端の大きさによって制限
される。さらに、チャージ・ポンプは、電源電圧が逆方
向にされるときに高インピーダンスでなければならな
い。
従来技術で行った別の試みとして、バッテリと集積回路
との間に、パス・デバイス(pass device) としてチャー
ジ・ポンプ方式の逆ＴＭＯＳトランジスタを設ける試み
があり、ここでＴＭＯＳトランジスタは受動（抵抗性）
ゲート・ソース間終端を有する。しかし、この方法は、
ＴＭＯＳトランジスタを強化するため、チャージ・ポン
プからＤＣ電流を必要とし、ＴＭＯＳトランジスタのタ
ーン・オフ時間は受動ゲート終端の大きさによって制限
される。さらに、チャージ・ポンプは、電源電圧が逆方
向にされるときに高インピーダンスでなければならな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、低電圧性能が
悪くなく、適度の供給電流を効率的に対処でき、チャー
ジ・ポンプからＤＣ電流を必要とせず、ターン・オフ時
間が高速な集積回路用の改善された逆バッテリ保護回路
が必要とされる。
悪くなく、適度の供給電流を効率的に対処でき、チャー
ジ・ポンプからＤＣ電流を必要とせず、ターン・オフ時
間が高速な集積回路用の改善された逆バッテリ保護回路
が必要とされる。
【０００６】
【実施例】図１において、集積回路（ＩＣ）２６内に作
られ、バッテリ１２と端子２２との間で結合された逆バ
ッテリ保護回路１０を示す。端子２２はさらに追加回路
に結合され、ここでこの追加回路が逆バッテリ接続から
保護されることが期待される。ＩＣ２６は、保護回路１
０およびチャージ・ポンプ１８、ならびに端子２２に結
合された追加回路（図示せず）を含む。端子２４は、Ｉ
Ｃ２６の接地基準に結合される。
られ、バッテリ１２と端子２２との間で結合された逆バ
ッテリ保護回路１０を示す。端子２２はさらに追加回路
に結合され、ここでこの追加回路が逆バッテリ接続から
保護されることが期待される。ＩＣ２６は、保護回路１
０およびチャージ・ポンプ１８、ならびに端子２２に結
合された追加回路（図示せず）を含む。端子２４は、Ｉ
Ｃ２６の接地基準に結合される。
【０００７】保護回路１０は、端子１６に結合されたソ
ース電極を有するパス・トランジスタ１４を含み、トラ
ンジスタ１４のゲート電極は抵抗４２を介してチャージ
・ポンプ１８に結合される。トランジスタ１４のバック
・ゲートは、トランジスタ１４のソース電極に結合さ
れ、トランジスタ１４のドレイン電極は端子２２に結合
される。
ース電極を有するパス・トランジスタ１４を含み、トラ
ンジスタ１４のゲート電極は抵抗４２を介してチャージ
・ポンプ１８に結合される。トランジスタ１４のバック
・ゲートは、トランジスタ１４のソース電極に結合さ
れ、トランジスタ１４のドレイン電極は端子２２に結合
される。
【０００８】保護回路１０はさらに、端子１６に結合さ
れたベースと、トランジスタ１４のゲート電極およびト
ランジスタ３２のドレイン電極に結合されたエミッタと
を有するトランジスタ／ツェナ・ダイオード３０を含
む。トランジスタ３０のコレクタは、トランジスタ／ツ
ェナ・ダイオード３４およびトランジスタ／ダイオード
３６のコレクタに結合され、トランジスタ３６のコレク
タはそのベースに結合される。トランジスタ３６のエミ
ッタおよびトランジスタ３４のベースはともに端子１６
に結合される。
れたベースと、トランジスタ１４のゲート電極およびト
ランジスタ３２のドレイン電極に結合されたエミッタと
を有するトランジスタ／ツェナ・ダイオード３０を含
む。トランジスタ３０のコレクタは、トランジスタ／ツ
ェナ・ダイオード３４およびトランジスタ／ダイオード
３６のコレクタに結合され、トランジスタ３６のコレク
タはそのベースに結合される。トランジスタ３６のエミ
ッタおよびトランジスタ３４のベースはともに端子１６
に結合される。
【０００９】さらに、トランジスタ３２のソース電極お
よびトランジスタ３２のバック・ゲート電極は、端子１
６に結合される。トランジスタ３４のエミッタは、トラ
ンジスタ３２のゲート電極に結合され、抵抗３８を介し
て接地に戻される。トランジスタ３４のコレクタは、ト
ランジスタ／ダイオード４０のコレクタに結合され、ト
ランジスタ４０は自己のコレクタに結合されたベースを
有する。トランジスタ４０のエミッタは、抵抗４２を介
してトランジスタ１４のゲート電極に結合される。さら
に、トランジスタ４０のエミッタはチャージ・ポンプ１
８に結合される。
よびトランジスタ３２のバック・ゲート電極は、端子１
６に結合される。トランジスタ３４のエミッタは、トラ
ンジスタ３２のゲート電極に結合され、抵抗３８を介し
て接地に戻される。トランジスタ３４のコレクタは、ト
ランジスタ／ダイオード４０のコレクタに結合され、ト
ランジスタ４０は自己のコレクタに結合されたベースを
有する。トランジスタ４０のエミッタは、抵抗４２を介
してトランジスタ１４のゲート電極に結合される。さら
に、トランジスタ４０のエミッタはチャージ・ポンプ１
８に結合される。
【００１０】チャージ・ポンプ１８は、ダイオード２０
を介して結合され、接地基準に戻される。通常動作時
に、トランジスタ１４は、バッテリ１２によって供給さ
れる電圧よりも少なくとも５ボルト高い電圧を生成する
ため、チャージ・ポンプ１８を利用する必要がある。さ
らに、チャージ・ポンプは他の用途にも必要とされる場
合は、ＩＣ２６で一般に利用可能である。
を介して結合され、接地基準に戻される。通常動作時
に、トランジスタ１４は、バッテリ１２によって供給さ
れる電圧よりも少なくとも５ボルト高い電圧を生成する
ため、チャージ・ポンプ１８を利用する必要がある。さ
らに、チャージ・ポンプは他の用途にも必要とされる場
合は、ＩＣ２６で一般に利用可能である。
【００１１】適切な接続では、バッテリ１２の正端子は
端子１６に結合され、バッテリ１２の負端子は端子２４
に結合される。その結果、正の電源電圧はトランジスタ
３２，１４のソース電極に印加される。この場合、トラ
ンジスタ１４は動作状態にされ、トランジスタ３２は非
動作状態にされる。その結果、（接地基準に対して）端
子２２に現れる電圧は、トランジスタ１４で生じるＩＲ
降下を差し引いた（接地基準に対して）端子１６に現れ
る電圧に実質的に等しくなる。
端子１６に結合され、バッテリ１２の負端子は端子２４
に結合される。その結果、正の電源電圧はトランジスタ
３２，１４のソース電極に印加される。この場合、トラ
ンジスタ１４は動作状態にされ、トランジスタ３２は非
動作状態にされる。その結果、（接地基準に対して）端
子２２に現れる電圧は、トランジスタ１４で生じるＩＲ
降下を差し引いた（接地基準に対して）端子１６に現れ
る電圧に実質的に等しくなる。
【００１２】しかし、バッテリ１２が逆方向に誤って接
続されると、点線５０，５２によって表されるように、
バッテリ１２の正端子は端子２４に結合され、バッテリ
１２の負端子は端子１６に結合される。このことは、
（接地基準に対して）負電圧がトランジスタ１４，３２
のソース電極に印加され、望ましくない。この状態で
は、トランジスタ３２が動作状態にされ、それによりト
ランジスタ１４のゲート電極をそのソース電極に短絡さ
せ、そのためトランジスタ１４を非動作状態にする。そ
の結果、端子１６に現れる電圧は端子２２に伝達され
ず、そのため追加内部ＩＣ回路にも供給されない。さら
に、端子２２に一般に結合されるエピタキシャル層も電
流を流さず、集積回路２６を破損することがない。
続されると、点線５０，５２によって表されるように、
バッテリ１２の正端子は端子２４に結合され、バッテリ
１２の負端子は端子１６に結合される。このことは、
（接地基準に対して）負電圧がトランジスタ１４，３２
のソース電極に印加され、望ましくない。この状態で
は、トランジスタ３２が動作状態にされ、それによりト
ランジスタ１４のゲート電極をそのソース電極に短絡さ
せ、そのためトランジスタ１４を非動作状態にする。そ
の結果、端子１６に現れる電圧は端子２２に伝達され
ず、そのため追加内部ＩＣ回路にも供給されない。さら
に、端子２２に一般に結合されるエピタキシャル層も電
流を流さず、集積回路２６を破損することがない。
【００１３】トランジスタ３０は、過剰電圧がトランジ
スタ１４のゲート電極に現れることを防ぐツェナ・ダイ
オードとして機能する。実質的には、トランジスタ３０
のベースはツェナ・ダイオードの陽極であり、トランジ
スタ３０のエミッタはツェナ・ダイオードの陰極であ
る。さらに、トランジスタ３０のコレクタはツェナ・ダ
イオードの第３端子であり、エピタキシャル領域である
トランジスタ３４のコレクタに結合される。同様に、ト
ランジスタ３４は、過剰電圧がトランジスタ３２のゲー
ト電極に現れることを防ぐツェナ・ダイオードとして機
能し、トランジスタ３４のベースおよびエミッタは、ツ
ェナ・ダイオードの陽極および陰極としてそれぞれ機能
し、トランジスタ３４のコレクタはエピタキシャル領域
に結合される。
スタ１４のゲート電極に現れることを防ぐツェナ・ダイ
オードとして機能する。実質的には、トランジスタ３０
のベースはツェナ・ダイオードの陽極であり、トランジ
スタ３０のエミッタはツェナ・ダイオードの陰極であ
る。さらに、トランジスタ３０のコレクタはツェナ・ダ
イオードの第３端子であり、エピタキシャル領域である
トランジスタ３４のコレクタに結合される。同様に、ト
ランジスタ３４は、過剰電圧がトランジスタ３２のゲー
ト電極に現れることを防ぐツェナ・ダイオードとして機
能し、トランジスタ３４のベースおよびエミッタは、ツ
ェナ・ダイオードの陽極および陰極としてそれぞれ機能
し、トランジスタ３４のコレクタはエピタキシャル領域
に結合される。
【００１４】さらに、抵抗３８は、逆バッテリ状態時に
トランジスタ３２を動作状態にする電荷を与える機能を
果たす。また、抵抗４２は、トランジスタ１４のゲート
電極をチャージ・ポンプ１８から減結合する機能を果た
す。
トランジスタ３２を動作状態にする電荷を与える機能を
果たす。また、抵抗４２は、トランジスタ１４のゲート
電極をチャージ・ポンプ１８から減結合する機能を果た
す。
【００１５】素子３０，３４，３２，３８は、ＰＮＰト
ランジスタ３６，４０によってバイアスされる１つのエ
ピタキシャル領域内にすべて作られることに留意された
い。本発明は、エピタキシャル領域が端子１６に接続さ
れないことを保証する。その結果、バッテリ１２の接続
が逆になっても、順方向バイアスされるエピタキシャル
領域はない。
ランジスタ３６，４０によってバイアスされる１つのエ
ピタキシャル領域内にすべて作られることに留意された
い。本発明は、エピタキシャル領域が端子１６に接続さ
れないことを保証する。その結果、バッテリ１２の接続
が逆になっても、順方向バイアスされるエピタキシャル
領域はない。
【００１６】本発明にはいくつかの利点がある。まず第
１に、ＴＭＯＳトランジスタ１４を強化しターンオンす
ることが望ましいときに、保護回路１０はチャージ・ポ
ンプ１８に追加のＤＣ負荷をかけない。第２に、逆バッ
テリ状態で、チャージ・ポンプ１８は、従来の回路の場
合のように、適正動作のために抵抗性を高くしたり、オ
ープンにする必要がない。従って、チャージ・ポンプ１
８には特別な設計条件がない。第３に、保護回路１０
は、直列ダイオードを用いていないので、低電圧動作の
ために電源上限(head room) を犠牲にせずに逆バッテリ
保護を行う。さらに、本発明は、逆バッテリ状態におい
てトランジスタ１４を高速に非動作状態にする。特に、
トランジスタ１４のゲート電極の放電時定数は、トラン
ジスタ３２のドレイン・ソース間オン抵抗（ＲDSON）
と、トランジスタ１４の入力容量（ＣISS ）との積であ
り、これは受動ゲート終端方式のターン・オフ時間より
もかなり小さい。
１に、ＴＭＯＳトランジスタ１４を強化しターンオンす
ることが望ましいときに、保護回路１０はチャージ・ポ
ンプ１８に追加のＤＣ負荷をかけない。第２に、逆バッ
テリ状態で、チャージ・ポンプ１８は、従来の回路の場
合のように、適正動作のために抵抗性を高くしたり、オ
ープンにする必要がない。従って、チャージ・ポンプ１
８には特別な設計条件がない。第３に、保護回路１０
は、直列ダイオードを用いていないので、低電圧動作の
ために電源上限(head room) を犠牲にせずに逆バッテリ
保護を行う。さらに、本発明は、逆バッテリ状態におい
てトランジスタ１４を高速に非動作状態にする。特に、
トランジスタ１４のゲート電極の放電時定数は、トラン
ジスタ３２のドレイン・ソース間オン抵抗（ＲDSON）
と、トランジスタ１４の入力容量（ＣISS ）との積であ
り、これは受動ゲート終端方式のターン・オフ時間より
もかなり小さい。
【００１７】以上、上記の説明から、逆バッテリ接続か
ら集積回路の内部回路を保護する新規の保護回路が提供
されたことが明らかである。この保護回路は、電源電圧
が集積回路に適切に接続されると動作状態になるパス・
トランジスタを含む。しかし、電源が不適切に接続され
ると、第２トランジスタがアクティブになり、パス・ト
ランジスタを非アクティブにし、逆電源電圧が内部回路
に印加できないようにする。
ら集積回路の内部回路を保護する新規の保護回路が提供
されたことが明らかである。この保護回路は、電源電圧
が集積回路に適切に接続されると動作状態になるパス・
トランジスタを含む。しかし、電源が不適切に接続され
ると、第２トランジスタがアクティブになり、パス・ト
ランジスタを非アクティブにし、逆電源電圧が内部回路
に印加できないようにする。
【００１８】本発明について具体的な実施例で説明して
きたが、多くの変更，修正および変形が当業者に明らか
である。さらに、このような一切の変更，修正および変
形は特許請求の範囲に含まれるものとする。
きたが、多くの変更，修正および変形が当業者に明らか
である。さらに、このような一切の変更，修正および変
形は特許請求の範囲に含まれるものとする。
【図１】本発明による集積回路を保護するための逆バッ
テリ保護回路の詳細図である。
テリ保護回路の詳細図である。
１０ 逆バッテリ保護回路 １２ バッテリ １４ パス・トランジスタ １６ 端子 １８ チャージ・ポンプ ２０ ダイオード ２２，２４ 端子 ２６ 集積回路（ＩＣ） ３０ トランジスタ／ツェナ・ダイオード ３２ トランジスタ ３４ トランジスタ／ツェナ・ダイオード ３６ トランジスタ／ツェナ・ダイオード ３８ 抵抗 ４０ トランジスタ／ダイオード ４２ 抵抗
Claims (5)
- 【請求項１】 集積回路の内部回路を逆バッテリ接続か
ら保護する保護回路であって、前記集積回路はチャージ
・ポンプを含み、前記集積回路に電力を供給するバッテ
リに結合された第１および第２端子を有する保護回路
は：前記集積回路が前記バッテリに適切に接続されたと
きに、前記第１端子・第２端子間に現れる電圧を前記内
部回路に通過させる第１手段であって、前記第１端子と
前記集積回路との間で結合され、かつ前記チャージ・ポ
ンプに結合される第１手段；前記集積回路が前記バッテ
リに不適切に接続されたときに、前記第１手段を非動作
状態にして、前記第１・第２端子間に現れる前記電圧が
前記内部回路に通過されることを防ぐ第２手段であっ
て、前記集積回路が前記バッテリに不適切に接続される
と動作状態にされる第１トランジスタを含み、また前記
第１端子と前記第１手段との間に結合される第２手段；
によって構成されることを特徴とする保護回路。 - 【請求項２】 前記第２手段は：第１および第２通電電
極ならびに制御電極を有する前記第１トランジスタ（３
２）であって、前記第１トランジスタの前記第１通電電
極は前記第１手段に結合され、前記第１トランジスタの
前記第２通電電極は前記第１端子に結合される前記第１
トランジスタ（３２）；コレクタ，ベースおよびエミッ
タを有する第２トランジスタ（３０）であって、前記第
２トランジスタの前記ベースは前記第１端子に結合さ
れ、前記第２トランジスタの前記エミッタは前記第１ト
ランジスタの前記第１通電電極に結合される第２トラン
ジスタ（３０）；コレクタ，ベースおよびエミッタを有
する第３トランジスタ（３４）であって、前記第３トラ
ンジスタの前記ベースは前記第１端子に結合され、前記
第３トランジスタの前記エミッタは前記第１トランジス
タの前記制御電極に結合され、前記第３トランジスタの
前記コレクタは前記第２トランジスタの前記コレクタに
結合される第３トランジスタ（３４）；コレクタ，ベー
スおよびエミッタを有する第４トランジスタ（４０）で
あって、前記第４トランジスタの前記コレクタは前記第
３トランジスタの前記コレクタに結合され、前記第４ト
ランジスタの前記ベースは前記第４トランジスタ前記コ
レクタに結合される第４トランジスタ（４０）；コレク
タ，ベースおよびエミッタを有する第５トランジスタ
（３６）であって、前記第５トランジスタの前記コレク
タは前記第４トランジスタの前記コレクタに結合され、
前記第５トランジスタの前記ベースは前記第５トランジ
スタの前記コレクタに結合され、前記第５トランジスタ
の前記エミッタは前記第１端子に結合される第５トラン
ジスタ（３６）；前記第１トランジスタの前記制御電極
と第１電源電圧端子との間に結合された第１抵抗（３
８）；および前記第４トランジスタの前記エミッタと前
記第１手段との間に結合された第２抵抗（４２）；を含
むことを特徴とする請求項１記載の保護回路。 - 【請求項３】 前記第２手段は：第１および第２通電電
極ならびに制御電極を有する第１トランジスタ（３２）
であって、前記第１トランジスタの前記第１通電電極は
前記第１手段に結合され、前記第１トランジスタの前記
第２通電電極は前記第１端子に結合される第１トランジ
スタ（３２）；前記第１トランジスタの前記第２電極お
よび制御電極の両端で結合され、その両端に現れる電圧
を制限する第１ツェナ・ダイオード手段（３４）；およ
び前記第１端子と前記第１手段との間に結合され、前記
第１トランジスタと前記第１ツェナ・ダイオード手段が
作られているエピタキシャル領域をバイアスするバイア
ス手段；を含むことを特徴とする請求項１記載の保護回
路。 - 【請求項４】 前記第２手段は、前記第１手段の両端に
結合され、その両端に現れる電圧を制限する第２ツェナ
・ダイオード手段（３０）であって、前記エピタキシャ
ル領域に作られる第２ツェナ手段をさらに含んで構成さ
れることを特徴とする請求項３記載の保護回路。 - 【請求項５】 集積回路の内部回路に対して逆バッテリ
保護を行う方法であって、前記集積回路はバッテリに結
合する第１および第２端子を有する方法は：前記集積回
路が前記バッテリに適切に接続されるときに、前記第１
端子に現れる電圧をトランジスタを介して前記内部回路
に通過させる段階；および前記集積回路が前記バッテリ
に不適切に接続されるときに、前記トランジスタを能動
的にディセーブルして、それにより前記第１端子に現れ
る前記電圧が前記内部回路に通過することを防ぐ段階；
によって構成されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/075,839 US5434739A (en) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | Reverse battery protection circuit |
| US075839 | 1993-06-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077846A true JPH077846A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3506489B2 JP3506489B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=22128309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15181894A Expired - Lifetime JP3506489B2 (ja) | 1993-06-14 | 1994-06-10 | 逆バッテリ保護回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5434739A (ja) |
| EP (2) | EP0629031B1 (ja) |
| JP (1) | JP3506489B2 (ja) |
| DE (1) | DE69431273T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019039716A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 株式会社トプコン | 電源ユニットおよびレーザ測量機 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5936317A (en) * | 1996-04-09 | 1999-08-10 | Harness System Technologies Research, Ltd. | Power supply device for vehicle |
| US5781390A (en) * | 1996-12-21 | 1998-07-14 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated supply protection |
| DE19803040A1 (de) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Int Rectifier Corp | Leistungsschaltung |
| CA2286978A1 (en) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Jesper Steensgaard-Madsen | Oversampled digital-to-analog converter based on nonlinear separation and linear recombination |
| DE19717527A1 (de) * | 1997-04-25 | 1998-10-29 | Bosch Gmbh Robert | Elektronische Schaltung mit Verpolschutz |
| US5847911A (en) * | 1997-11-20 | 1998-12-08 | Trw Inc. | Self-protecting switch apparatus for controlling a heat element of a vehicle seat and a method for providing the apparatus |
| US6487670B1 (en) | 1999-03-02 | 2002-11-26 | Motorola, Inc. | Methods and systems for detecting and for responding to connection of a battery to a logic device |
| US6611410B1 (en) | 1999-12-17 | 2003-08-26 | Siemens Vdo Automotive Inc. | Positive supply lead reverse polarity protection circuit |
| AT410382B (de) * | 2000-06-28 | 2003-04-25 | Fronius Schweissmasch Prod | Elektronische schaltung für ein energieversorgungsgerät, insbesondere für ein ladegerät für akkumulatoren |
| US6348820B1 (en) | 2000-07-17 | 2002-02-19 | Motorola, Inc. | High-side, low-side configurable driver |
| US6597592B2 (en) * | 2001-10-03 | 2003-07-22 | Bruce W. Carsten | Apparatus and method for turning off BJT used as controlled rectifier |
| US6650520B2 (en) | 2001-10-26 | 2003-11-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Power supply reverse bias protection circuit for protecting both analog and digital devices coupled thereto |
| EP1357658B8 (en) * | 2002-04-22 | 2009-12-16 | Semiconductor Components Industries, LLC | Protection circuit against voltage transients and polarity reversal |
| DE102010051874A1 (de) * | 2010-11-22 | 2012-05-24 | Init Innovative Informatikanwendungen In Transport-, Verkehrs- Und Leitsystemen Gmbh | Schaltung zum Schutz gegen Verpolung |
| CN105576756A (zh) * | 2016-01-17 | 2016-05-11 | 周虎 | 多电压输出的动力电池系统 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1226439B (it) * | 1988-07-05 | 1991-01-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito elettronico protetto da inversioni di polarita' della batteria di alimentazione. |
| IT1227104B (it) * | 1988-09-27 | 1991-03-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito integrato autoprotetto da inversioni di polarita' della batteria di alimentazione |
| DE3930091A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-14 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Schaltungsanordnung zum schutz eines stromverbrauchers vor falschpolung seiner speisespannung |
| US5539610A (en) * | 1993-05-26 | 1996-07-23 | Siliconix Incorporated | Floating drive technique for reverse battery protection |
| DE9311361U1 (de) * | 1993-07-29 | 1993-09-09 | Siemens Ag | Verpolschutzschaltung |
-
1993
- 1993-06-14 US US08/075,839 patent/US5434739A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-20 EP EP94107831A patent/EP0629031B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-20 EP EP01122045A patent/EP1168561A3/en not_active Withdrawn
- 1994-05-20 DE DE69431273T patent/DE69431273T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-10 JP JP15181894A patent/JP3506489B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019039716A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 株式会社トプコン | 電源ユニットおよびレーザ測量機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3506489B2 (ja) | 2004-03-15 |
| DE69431273D1 (de) | 2002-10-10 |
| EP0629031A3 (en) | 1995-06-07 |
| EP1168561A2 (en) | 2002-01-02 |
| US5434739A (en) | 1995-07-18 |
| EP1168561A3 (en) | 2003-01-02 |
| EP0629031B1 (en) | 2002-09-04 |
| DE69431273T2 (de) | 2003-01-09 |
| EP0629031A2 (en) | 1994-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3506489B2 (ja) | 逆バッテリ保護回路 | |
| US11128117B2 (en) | Protection circuit and operational method of the protection circuit, and semiconductor integrated circuit apparatus | |
| US8351172B2 (en) | Power supply control apparatus | |
| EP0626745B1 (en) | Floating drive technique for reverse battery protection | |
| US5757600A (en) | Reverse battery protection circuit | |
| US5789951A (en) | Monolithic clamping circuit and method of preventing transistor avalanche breakdown | |
| JPH02266712A (ja) | 半導体装置 | |
| US8116052B2 (en) | Power supply control circuit including overvoltage protection circuit | |
| JPH0213115A (ja) | 電力用電界効果トランジスタ駆動回路 | |
| US7288856B2 (en) | Reverse battery protection circuit for power switch | |
| KR0139400B1 (ko) | 오동작 방지회로 및 보호회로 | |
| US20060023381A1 (en) | System and method for protecting a load from a voltage source | |
| US6597550B1 (en) | High voltage integrated circuit with resistor connected between substrate and ground to limit current during negative voltage spike | |
| EP3588778B1 (en) | Protection circuits with negative gate swing capability | |
| US7327546B2 (en) | Power switching circuit with active clamp disconnect for load dump protection | |
| US20060198069A1 (en) | Power ESD clamp protection circuit | |
| JP2004087765A (ja) | 静電気放電保護回路 | |
| JPH0290570A (ja) | 電力ｍｏｓｆｅｔに対するゲート・ソース保護回路 | |
| US6882512B2 (en) | Integrated circuit provided with a protection against electrostatic discharges | |
| WO2006129613A1 (ja) | 保護回路およびそれを用いた半導体装置ならびに発光装置 | |
| US6731480B2 (en) | Protection circuit for field effect transistor | |
| US20030107424A1 (en) | ESD protection circuit | |
| JP2870558B2 (ja) | 自動車用パワー集積回路 | |
| JPH08286771A (ja) | 半導体電子回路 | |
| JP3864526B2 (ja) | 半導体装置及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031216 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071226 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131226 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |