JPH0777615A

JPH0777615A - 集積型光カップラ及びその使用方法

Info

Publication number: JPH0777615A
Application number: JP5172423A
Authority: JP
Inventors: Mitsutoshi Hasegawa; 光利長谷川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-06-19
Filing date: 1993-06-19
Publication date: 1995-03-20

Abstract

(57)【要約】【目的】集積化が容易で、プロセスが容易であり、信
頼性、再現性、歩留りに優れた集積型光カップラであ
る。【構成】半導体基板上にチャンネル導波路が形成さ
れ、その交差部に光波１１，１２，１３の分岐・結合を
行う光カップラ部７が形成されている。カップラ部７
は、少なくとも一種のグレーティング１４が形成されて
成っている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光通信の分野に必要と
される光電子集積回路などに用いられる光半導体素子、
特に集積型カップラおよびその使用法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光カップラとして、図１５に示す
様なＹ分岐型光カップラ２００を含む複合共振器レーザ
の一種である干渉型レーザが知られている（Ｉ．Ｈ．
Ａ．Ｆａｔｔａｈｅｔａｌ．“Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃｌａｓｅ
ｒ”Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４１，２，ｐｐ．
１１２−１１４（Ｊｕｌｙ１９８２）参照）。

【０００３】また、図１６（ａ）、（ｂ）に示す様な深
さ方向に関して波面分割を行うＸ分岐型光カップラ２１
０ａ、２１０ｂを含む干渉型レーザも知られている
（Ｊ．Ｓａｌｚｍａｎｅｔａｌ．“Ｃｒｏｓｓｃｏ
ｕｐｌｅｄｃａｖｉｔｙｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒｌａｓｅｒ”Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５
２，１０，ｐｐ．７６７−７６９（Ｍａｒｃｈ１９８
８）参照）。ここでＲ１〜Ｒ４は共振面、Ｌ１〜Ｌ４は
共振器長を夫々示す。

【０００４】

【発明が解決しようとしている課題】しかし、上記従来
例では次の様な欠点があった。

【０００５】先ず、図１５に示すＹ分岐型光カップラを
含む例の場合、Ｙ分岐２００の分岐角が大きくとれず、
素子長が１ｍｍ以上となる為に他の光デバイスに比べサ
イズが大きくなり過ぎ、集積化が困難であると言う問題
がある。

【０００６】また、図１６に示すＸ分岐型光カップラを
含む例の場合、Ｘ分岐部２１０ａ、２１０ｂに要求され
る位置精度、深さ精度などのプロセス精度が高く、歩留
り、再現性に乏しい等の問題点があった。すなわち、光
導波路を伝搬してくる光波の界分布に対してＸ分岐部が
どの様に形成されるかで分岐、合流の態様が決まってく
るので、そのプロセス精度に厳しさが要求されるのであ
る。

【０００７】また、従来のスリット溝などからなる光カ
ップラでは、スリット溝作成にあたり再付着物が着く等
の理由で側壁の角度が充分大きく取れず、光波の反射が
所望の角度で行われないことになって分岐・結合の効率
が悪くなる、スリット溝の切込が浅いとは言えないので
スループットが余り良くない等の欠点があった。

【０００８】また、従来の光カップラでは、特定の波長
を選ぶという波長選択性を持たせることができなかっ
た。

【０００９】従って、本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、プロセスが容易で信頼性及び再現性に優れ、更に波
長選択性を持った、半導体光集積回路などに適する光カ
ップラを含む光集積型カップラ及びその使用法を提供す
ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の光集積型カップラである光半導体素子においては、
半導体基板上に構成された少なくとも１つのチャンネル
導波路構造に光波の分岐・結合を行なう為のカップラ部
が構成され、カップラ部は少なくとも一種のグレーティ
ングが形成されて成っている。

【００１１】より具体的には、チャンネル光導波路構造
は、層方向に活性層を含んだり、チャンネル光導波路構
造はリッジ構造であったり、チャンネル光導波路構造は
複数形成されて交差部を有し、交差部中に光カップラが
構成されて光波の分岐・結合を行なったり、チャンネル
光導波路構造の交差部はＸ字型、Ｔ字型、またはＹ字型
であったり、カップラ部のグレーティングは、チャンネ
ル光導波路の下に形成されていたり、反応性イオンビー
ムエッチング（ＲＩＢＥ）によって活性層の上に形成さ
れていたり、活性層の上下両方に互いに異なる格子ベク
トルで形成されていたりする。

【００１２】また、前記チャンネル導波路構造が、前記
カップラ部を成す交差部位を含んで複数形成され、その
うち１組は光増幅領域となり、他の１組は送信部と受信
部の少なくとも一方に接続される様に構成され、分岐、
合流、増幅機能を示す光ノードを構成していたりする。

【００１３】本発明の集積型光カップラを用いる光送受
信機では、端末装置からの信号をもとに発光デバイスを
駆動し、光信号を出力させる機能と光検出部からの電気
信号を再生中継して、端末装置へ送る機能を持つ制御部
と、電気信号に従って光信号を発生する発光デバイスか
ら出力された光信号を増幅する半導体光増幅器と、光信
号を電気信号に変換する光検出部と、光検出部へ入力さ
れる光信号を増幅する半導体光増幅器と、前記集積型光
カップラから構成されることを特徴とする。

【００１４】更に、本発明の集積型光カップラを用いる
光バス型ＬＡＮは、前記の種々の態様の集積型光カップ
ラ、前記光送受信機をそれぞれ少なくとも１つ含むこと
を特徴とする。

【００１５】本発明の集積型光カップラを作成するにあ
たっては、グレーティングを光カップラ部に形成すれば
よいので、高いスループットで形成でき、パターニング
やエッチング等のプロセスの精度も厳しくなく、比較的
簡単な工程で形成出来る。

【００１６】

【実施例】図１及び図２は本発明の第１実施例であるＴ
分岐カップラを含む光半導体素子を示し、図１は上面
図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ´断面図、図２（ｂ）は
図１のＢ−Ｂ´断面図である。

【００１７】先ず、第１実施例のプロセス手順について
説明する。

【００１８】基板１上に、分子線成長法（ＭＢＥ）によ
り、第１クラッド層２、活性層３、光ガイド層４からな
るエピタキシャル膜を順に成長させる。次に、他部をマ
スクしてカップラ部７に２光束干渉露光法と反応性イオ
ンビームエッチング（ＲＩＢＥ）によりグレーティング
１４を形成した後、液相成長法（ＬＰＥ）により第２ク
ラッド層５、キャップ層６を成長させる。

【００１９】更に、その上部にフォトリソグラフィ法に
より幅３μｍの所望のパターン（図示例ではＴ字型パタ
ーン）を形成し、反応性イオンビームエッチングにより
リッジ部を形成し、横方向の閉じ込めを行うストライプ
構造とした。

【００２０】基板１との界面には必要に応じてＧａＡｓ
であるバッファ層を形成してもよい。第１、第２クラッ
ド層２、５の膜厚は１μｍとし、活性層３の膜厚は約
０．１μｍ、光ガイド層４の膜厚は約０．３μｍとし
た。

【００２１】続いて、この素子の端面８、９、１０をへ
き開により光が入射、出射できる様にした。グレーティ
ング１４はリッジ導波路の光波の導波方向にφ＝４５°
の角度をもって形成した。

【００２２】このグレーティング１４によって、活性層
３に入射した光波１１は、分岐・合流カップラ部７でグ
レーティング１４の構造に対応した波長を持つ光波１２
（反射）とその他の光波１３（透過）に分岐される。

【００２３】本実施例における分岐・合流部すなわち光
カップラは、光カップラ部７の光ガイド層４に、深さ
０．２μｍ程度にチャンネル導波路の光波の導波方向に
φ＝４５°（格子ベクトルと光波の導波方向の成す角）
の位置制御でグレーティング１４をエッチングすればよ
く、精度の厳しい深さ制御や位置制御が不必要となる。

【００２４】本実施例では、チャンネル導波路構造とし
てリッジ導波路について述べたが、屈折率型の導波路等
他のものも同様に利用できる。

【００２５】図３は、Ｙ分岐カップラの第２実施例を示
し、カップラであるグレーティング２７は活性層３の下
に成長した光ガイド層２４に形成されて、図３の矢印で
示す如く光波が分岐・合流される。即ち、グレーティン
グ２７の格子ベクトルと光波の導波方向の成す角によっ
て光波の分岐・合流の態様が決まる。図４は、図３のＡ
−Ａ´断面図であり、図２中の番号と同じものは同機能
部を示す。

【００２６】図５は第３実施例を示す。第３実施例は本
発明を送信部と受信部を併設した光ノードに応用した例
である。

【００２７】図６と図７は図５のＡ−Ａ´断面図、Ｂ−
Ｂ´断面図を夫々示す。本実施例は上記第１実施例のグ
レーティングを基板に形成した集積カップラを用いた例
である。

【００２８】図５において、５９は２光束干渉露光法と
ＲＩＢＥで形成されたグレーティング（集積カップラ部
３２を構成する）であり、３０ａ、３０ｂは電流注入に
よってゲインを有する光アンプを具備する増幅領域、３
１は逆バイアス印加により動作する光検出器を具備する
光検出領域である。３８ａ、３８ｂは端面に形成された
反射防止（ＡＲ）コートであり、Ａｌ₂Ｏ₃＋ＺｒＯ₂を
エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着によって堆積してい
る。３９は光導波路である。

【００２９】導波路３９は上面にＴ字型に形成されたも
ので、その中心から上下方向の導波路部分は増幅領域３
０ａ、３０ｂとされ、左方向は光検出領域３１とされて
いる。グレーティング５９は、上述したＴ字型の導波路
３９の各長手方向に対して４５°傾斜し、図５の導波路
３９の中央部分の破線にて示した集積カップラ部３２に
設けられている。

【００３０】次に、第３実施例のプロセス手順を説明す
る。先ず、図６と図７から分かる様に、ｎ型ＩｎＰ基板
５１上に、光カップラ部３２となる領域をフォトリソグ
ラフィー工程により形成し、この領域に２光束干渉露光
工程と塩素ガス雰囲気のＲＩＢＥ法によりピッチΛ＝
０．２μｍ、深さ０．１μｍのグレーティング５９を形
成した。

【００３１】続いて、この基板５１上にＣＢＥ法によ
り、順次、光ガイド層５２ｎ−ＩｎＧａＡｓＰを０．２
μｍ、ノンドープＩｎＧａＡｓ（４０Å厚）、ＩｎＧａ
ＡｓＰ（２００Å厚）を４回繰り返し積層した多重量子
井戸構造の活性層５３を形成し、その上に光ガイド層５
４ｐ−ＩｎＧａＡｓＰを０．２μｍ厚で、クラッド層５
５ｐ−ＩｎＰを２．０μｍ厚で、キャップ層５６ｐ⁺−
ＩｎＧａＡｓＰを０．３μｍ厚で形成した。

【００３２】続いて、この半導体レーザウェハ上に、フ
ォトリソグラフィー工程により、幅３μｍの所望のＴ字
型のマスクパターン（導波路３９のパターン）を形成
し、このマスクを通して塩素ガス雰囲気のＲＩＢＥ法に
より活性層５３の手前０．３μｍまでエッチングし、リ
ッジ部を形成して横方向の閉じ込めを行なうストライプ
構造とした。

【００３３】続いて、このリッジが形成されたレーザウ
ェハ上に、ＳｉＮから成る絶縁膜５０（厚さ１２００
Å）をプラズマＣＶＤ法によって形成し、ＳｉＮ絶縁膜
５０上にレジストを約１．０μｍスピンコートした。そ
の後、４ＰａのＯ₂雰囲気でのＲＩＥ（反応性イオンエ
ッチング）法によって、リッジの頂き部に成膜されたレ
ジストのみを除去し、リッジの頂き部のＳｉＮ絶縁膜５
０を露出させ、更に４ＰａのＣＦ₄ガス雰囲気でのＲＩ
Ｅ法を実施してリッジの頂き部の露出したＳｉＮ絶縁膜
を選択的にエッチングした。その後、残存しているレジ
ストを４ＰａのＯ₂雰囲気でのＲＩＥ法により除去し
た。

【００３４】次いで、リッジの頂き部に形成された表面
酸化膜を塩酸によってウェットエッチングし電流注入窓
とし、続いて、上部電極としてＡｕＺｎ／Ａｕオーミッ
ク用電極５７を真空蒸着法で形成し、ＩｎＰ基板５１を
ラッピングで１００μｍの厚さまで削った後にｎ型オー
ミック用電極５８としてＡｕＳｎ電極を蒸着した。そし
て、ｐ型、ｎ型の電極のオーミックコンタクトをとる為
の熱処理を行ない、リッジ型光半導体素子とした。

【００３５】最後に、共振面をへき開により形成し、Ｅ
Ｂ（エレクトロンビーム）蒸着によってＡｌ₂Ｏ₃＋Ｚｒ
Ｏ₂を蒸着しＡＲコート３８ａ、３８ｂとし、スクライ
ブで分離し、電極５７、５８はワイヤーボンディングに
より取り出した。

【００３６】次に、動作について説明する。入射した光
波３３は、増幅領域３０ａにて増幅された入射波３４と
して集積カップラ部３２に入射し、図１の実施例で述べ
た如く透過波３６とグレーティング５９に対応する波長
のみの反射波３５に分離される。反射波３５は入射波３
３の光検出領域３１にて光電変換され、光波３３中の特
定の信号成分をモニターすることが行なわれる。一方、
透過波３６は増幅領域３０ｂにて更に増幅され、出射光
３７として出力される。

【００３７】カップラ部３２の損失及び端面結合損失を
補填する形で増幅領域３０ａ、３０ｂの光増幅率（ゲイ
ン）を設定すれば、見掛け上、損失のない受光用光ノー
ドとして機能し、多段化接続が可能となる。

【００３８】なお、以上の説明においては、受信のみを
行なうものとして説明したが、送信部、受信部を併設さ
せれば送受信可能な光ノードの実現が可能となり、この
様に構成しても当然よい。

【００３９】図８は本発明の第４実施例を示し、図９、
１０、１１は図８のカップラ部のＡ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´、
Ｃ−Ｃ´断面図である。本実施例は本発明を双方向型の
光ノードに応用した例である。

【００４０】本実施例では、バスライン方向に配置され
て光増幅部８０ａ、８０ｂ、８０ｃが形成され、受信
部、送信部への分岐導波路８２、８３がバスライン方向
の導波路８４と交差している。分岐カップラ８８は、交
差部に２つのグレーティング６９、７９を形成する事に
よって、光波の分岐・結合を行なっている。分岐・結合
する光波の波長は、グレーティング６９、７９のピッチ
によって、調整することができる。

【００４１】第４実施例は、前記第３実施例の基板５１
上にグレーティング６９を形成し且つ光ガイド層５４上
に同様のグレーティング７９をグレーティング６９と異
なるベクトルの向き（本実施例の場合、９０°）で形成
する。即ち、第４実施例は第３実施例のグレーティング
を２つ組み合わせたものとなっている。

【００４２】尚、図８において、８５ａはバスラインを
成すファイバ９１の端面が当接するＡＲコート、８５ｂ
はバスラインを成すファイバ９２の端面が当接するＡＲ
コート、８５ｃは受信部側のファイバ９４が当接するＡ
Ｒコート、８５ｄは送信部側のファイバ９５が当接する
ＡＲコートであり、図９、１０（上のグレーティング７
９のベクトルと直角な方向の断面であるのでこのグレー
ティング７９は表れない）、１１（下のグレーティング
６９のベクトルと直角な方向の断面であるのでこのグレ
ーティング６９は表れない）において、図７の符号と同
一の符号で示すものは図７の部位と同じものである。

【００４３】第４実施例の動作を説明する。

【００４４】光ファイバ９１、ＡＲコート８５ａを介し
て入射した光波は、増幅部８０ａで増幅された入射波と
して集積カップラ部８８に入り、まず反射・透過する２
つのグレーティング６９、７９により、光波は、上側の
受信部への導波路８２に入るグレーティング６９の構造
に対応した光波と右側の増幅部８０ｂに入る光波と下側
の送信部に入るグレーティング７９の構造に対応した光
波（これは不図示のアイソレータにより遮断され、送信
部の周波数安定化がはかられる。）とに分岐される。

【００４５】上記分岐光波のうち、導波路８２、ファイ
バ９４を経て受信部に入る光波はそこで信号が検出さ
れ、増幅部８０ｂへ入った光波はそこで更に増幅されて
ファイバ９２へと出力される。逆からＡＲコート８５ｂ
を介して入射した光波についても、上と同じ処理を受け
る。

【００４６】一方、送信部からファイバ９５、導波路８
３を介してカップラ部８８に入る光波は、グレーティン
グ６９、７９により、グレーティング６９とグレーティ
ング７９の構造に夫々対応する光波は反射され、夫々増
幅部８０ａ、増幅部８０ｂへと入る光波と導波路８２に
入る光波とに分岐される。

【００４７】導波路８２とファイバ９４を介して受信部
に入る光波はそこで信号成分がモニタされ、増幅部８０
ａ、８０ｂへと入る光波は夫々そこで増幅されてファイ
バ９１、９２へと出力される。

【００４８】以上の実施例においては、レーザ構造の共
振面をへき開によって形成した例を示したが、ＲＩＢＥ
法、反応性イオンエッチング等のドライエッチング等の
エッチングによって形成されるエッチング端面を用いて
もよい。

【００４９】また、以上の実施例においては、活性領域
をＭＱＷ（多重量子井戸構造）で形成したが、本発明は
これに限定されるものではなく、ＤＨ（ダブルヘテロ）
構造、ＳＱＷ（単一量子井戸）構造などであってもよ
い。

【００５０】また、以上の実施例においては、グレーテ
ィングを２光束干渉露光法とＲＩＢＥ法によって形成し
た例を示したが、フォトリソグラフィー法、ＥＢ描画
法、ＦＩＢＥ法等を用いてもよい。

【００５１】また、以上の実施例においては、リッジウ
ェーブ型構造を例にとって述べたが、ＢＨ（埋め込みヘ
テロストライプ）構造、ＣＰＳ構造（チャネル基板プレ
ーナストライプ）、電流・光の狭窄の為の吸収層を活性
層近くに設けた構造等の屈折率導波型のレーザ構造も有
効である。ストライプ電極型やプロトンボンバード型な
どの利得導波型レーザなどに対しても有効である。

【００５２】更に加えて、半導体レーザの材料は、Ｇａ
Ａｓ・ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＰ・ＩｎＧａＡｓＰ系の
他、ＡｌＧａＩｎＰ系等の材料も同様に使用出来るのは
言うまでもない。

【００５３】図１２に、上記実施例に示した集積型光カ
ップラをバス型光ＬＡＮに用いた場合の第５実施例を示
した。

【００５４】図１２において、１０１は本発明の光カッ
プラ（第１、２、３実施例で説明済み）、１０５は光ト
ランシーバー、１０６は端末装置、１０２は半導体光増
幅器、１０４は光ファイバーである（第３実施例を用い
た場合は半導体光増幅器１０２は必要に応じて設置すれ
ばよい）。

【００５５】光トランシーバー１０５は、例えば図１３
のような構成になっている。図１３において、１２１は
制御回路、１２０は半導体レーザ、１２３は光検出器、
１１１は本発明の光カップラ（第１、２、３実施例で説
明済み）、１２２は半導体光増幅器である（本発明の第
３実施例を光カップラ１１１に用いた場合は光カップラ
と光増幅器と光検出器は集積されているので、光増幅器
１２２と光検出器１２３は必要に応じて設置すればよ
い。）バス型光ＬＡＮのアクセス制御方式の部分は、例
えば、ＣＳＭＡ／ＣＤ方式の通信方式を用いる。もちろ
ん、他のトークンパス、ＴＤＭＡなどの通信方式でもか
まわない。

【００５６】端末装置１０６からの通信要求は光トラン
シーバー１０５へ送られ、光トランシーバー１０５中の
制御回路１２１は、光ＬＡＮの通信方式にしたがって半
導体レーザ１２０を駆動して光パルス信号（デジタル信
号）を送信する。送信された光信号は、半導体光増幅器
１２２でＡＰＣ（自動パワー制御）増幅され、光カップ
ラ１１１を介して、光カップラ１０１へ送られ、バスラ
イン上へ信号を送り出す。バスライン上には適当なとこ
ろに半導体光増幅器１０２があり、光信号をＡＰＣ増幅
する。一方、受信の過程は、バスライン上を伝送される
光信号が光カップラ１０１から分岐され、光トランシー
バー１０５へ入力された光信号は、光カップラ１１１で
分岐されて半導体光増幅器１２２を通してＡＰＣ増幅さ
れ、光検出器１２３で受信されて電気信号に変換され
る。この電気信号は、制御回路１２１で整形・再生など
をうけ端末装置１０６へ送られる。

【００５７】図１４に、図１２の実施例のバスライン上
の光カップラ１０１のかわりに半導体光増幅機能を有す
る双方向型の光カップラ１３１（第４実施例で説明済
み）を設置した場合の第６実施例を示した。

【００５８】伝送方法は、図１２の第５実施例と同じで
あるのでここでは省略する。また、本実施例では、バス
ライン上の光カップラ１３１の間には、半導体光増幅器
を必要に応じて設置してもよい。

【００５９】

【発明の効果】上記に説明した様に、本発明の光カップ
ラの構造によれば、集積化が図１５の従来例に比べて容
易であり、プロセスが図１６の従来例と比べて容易で、
信頼性、再現性に優れ、歩留りが向上する。

【００６０】また、図１５、１６の従来例にはない波長
選択性を持たせる事も可能になり、且つ光カップラが構
成された光電子集積化デバイスが容易に実現可能になっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の上面図。

【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の第１実施例のＡ−Ａ
´断面図、およびＢ−Ｂ´断面図。

【図３】本発明の第２実施例の上面図。

【図４】本発明の第２実施例を示す図３のＡ−Ａ´断面
図。

【図５】本発明の第３実施例の上面図。

【図６】本発明の第３実施例のＡ−Ａ´断面図。

【図７】本発明の第３実施例のＢ−Ｂ´断面図。

【図８】本発明の第４実施例の上面図。

【図９】本発明の第４実施例のＡ−Ａ´断面図。

【図１０】本発明の第４実施例のＢ−Ｂ´断面図。

【図１１】本発明の第４実施例のＣ−Ｃ´断面図。

【図１２】本発明の集積型光カップラを用いたバス型光
ＬＡＮのブロック図。

【図１３】バス型光ＬＡＮの光トランシーバーのブロッ
ク図。

【図１４】本発明の双方向型の集積型光カップラを用い
たバス型光ＬＡＮのブロック図。

【図１５】従来例を示す図。

【図１６】（ａ），（ｂ）は夫々従来例を示す図。

【符号の説明】

１，５１基板２，５，５５クラッド層３，５３活性層４，５２，５４光ガイド層６，５６キャップ層７，２７，３２，８８カップラ部８，９，１０へき開端面１１，１２，１３，３３，３４，３５，３６，３７
光波２０，３９，８２，８３，８４導波路３０ａ，３０ｂ増幅領域３１光検出領域３８ａ，３８ｂ，８５ａ，８５ｂ，８５ｃ，８５ｄ
ＡＲコート５０絶縁膜５７，５８電極１４，５９，６９，７９グレーティング８０ａ，８０ｂ光増幅部９１，９２，９４，９５，１０４光ファイバ１０１，１１１光カップラ１０２，１２２半導体光増幅器１０５光トランシーバー１０６端末装置１２０半導体レーザ１２１制御回路１２３光検出器１３１双方向型光カップラ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に構成されたチャンネル導
波路構造に光波の分岐・結合を行なう為のカップラ部が
構成されており、該カップラ部には、少なくとも１つの
グレーティングが構成され、該グレーティングの上部に
はエピタキシャル層が形成されていることを特徴とする
集積型光カップラ。
【請求項２】前記グレーティングは該カップラ部の導
波路層の上または下に構成されていることを特徴とする
請求項１記載の集積型光カップラ。
【請求項３】前記グレーティングは該カップラ部の導
波路層の上下両方に異なる格子ベクトルで構成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の集積型光カップラ。
【請求項４】前記グレーティングはチャンネル導波路
を構成すると同時に埋め込まれて形成されている請求項
１記載の集積型光カップラ。
【請求項５】前記チャンネル導波路は交差部位を有
し、該交差部位はＴ型、Ｘ型或はＹ型である請求項１記
載の集積型光カップラ。
【請求項６】前記チャンネル導波路構造が、前記カッ
プラ部を成す交差部位を含んで形成され、そのうち１つ
は光増幅領域となり、他の１つは送信部と受信部の少な
くとも一方に接続される様に構成され、分岐、合流、増
幅機能を示す光ノードを構成している請求項１記載の集
積型光カップラ。
【請求項７】端末装置からの信号をもとに発光デバイ
スを駆動し、光信号を出力させる機能と光検出部からの
電気信号を再生中継して、端末装置へ送る機能を持つ制
御部と、電気信号にしたがって光信号を発生する発光デ
バイスから出力された光信号を増幅する半導体光増幅器
と、光信号を電気信号に変換する光検出部と、光検出部
へ入力される光信号を増幅する半導体光増幅器と、請求
項１記載の集積型光カップラから構成されることを特徴
とする光送受信機。
【請求項８】請求項２記載の集積型光カップラ、請求
項７記載の光送受信機をそれぞれ少なくとも１つ含んだ
ことを特徴とする光バス型ＬＡＮ。
【請求項９】請求項３記載の集積型光カップラ、請求
項７記載の光送受信機をそれぞれ少なくとも１つ含んだ
ことを特徴とする光バス型ＬＡＮ。