JPH0776203B2 - アミノ酸誘導体 - Google Patents
アミノ酸誘導体Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C271/00—Derivatives of carbamic acids, i.e. compounds containing any of the groups, the nitrogen atom not being part of nitro or nitroso groups
- C07C271/06—Esters of carbamic acids
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- C07C271/12—Esters of carbamic acids having oxygen atoms of carbamate groups bound to acyclic carbon atoms with the nitrogen atoms of the carbamate groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to hydrogen atoms or to carbon atoms of unsubstituted hydrocarbon radicals
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、重合単分子膜形成用基質として有用なアミノ
酸誘導体に関する。
酸誘導体に関する。
（従来技術） 重合単分子膜はその超薄性と緻密性を利用したエレクト
ロニクス・デバイス用素材、表面保護用素材の他に気体
分子やイオンの選択的透過性を利用したセンサー用機能
性膜やマテリアルデリバリー用透過制御膜としての広範
な応用が可能である。
ロニクス・デバイス用素材、表面保護用素材の他に気体
分子やイオンの選択的透過性を利用したセンサー用機能
性膜やマテリアルデリバリー用透過制御膜としての広範
な応用が可能である。
アミノ酸誘導体からなる単分子膜を製造するには長鎖ア
ルキル基を有するアミノエステルが好ましいと考えられ
ている。
ルキル基を有するアミノエステルが好ましいと考えられ
ている。
長鎖アルキル基を有するアノエステルとしては、Ringsd
orfらにより、メチル−２−アミノオクタデカノエート
とメチル−２−アミノヘキサコサノエートが合成されて
いる。
orfらにより、メチル−２−アミノオクタデカノエート
とメチル−２−アミノヘキサコサノエートが合成されて
いる。
（マクロモレキユール ケミストリー、ラピツドコミユ
ニケーシヨン ３巻 167頁〜174頁、1982年） （Macromol.Chem.,Rapid Commun.） しかし合成法がはん雑でラセミ体しか生成せずしかも離
脱基Ｒは限定されてしまう欠点を有していた。
ニケーシヨン ３巻 167頁〜174頁、1982年） （Macromol.Chem.,Rapid Commun.） しかし合成法がはん雑でラセミ体しか生成せずしかも離
脱基Ｒは限定されてしまう欠点を有していた。
（発明の目的） 従つて本発明の目的は、光学活性なアミノ酸を用いて、
簡単な経路で合成しうる種々の離脱基を有するアミノ酸
誘導体を提供することである。
簡単な経路で合成しうる種々の離脱基を有するアミノ酸
誘導体を提供することである。
（発明の構成） 本発明の化合物は式（Ｉ）でも表わされる。
式中、Ｒは共役酸のpKaが10〜16の離脱基を表わす。好
ましくは、メトキシ基、フエノキシ基、ジクロルエトキ
シ基、トリクロルエトキシ基、モノクロルエトキシ基、
イミダゾリル基、 である。特にフエノキシ基、ジクロルエトキシ基、 が好ましい。
ましくは、メトキシ基、フエノキシ基、ジクロルエトキ
シ基、トリクロルエトキシ基、モノクロルエトキシ基、
イミダゾリル基、 である。特にフエノキシ基、ジクロルエトキシ基、 が好ましい。
Ｒ′は炭素数が12〜20の直鎖状アルキル基を表わす。好
ましくは、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル
基である。特にオクタデシル基が好ましい。
ましくは、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル
基である。特にオクタデシル基が好ましい。
ｎは０〜４の整数を表わし、望ましくは１と２である。
Ｘは−Ｏ−、 −Ｓ−である。
Ｘは−Ｏ−、 −Ｓ−である。
この発明のアミノエステル誘導体を合成するための経路
の一例を次に示すが、本発明の化合物の合成方法はこの
経路に限定されるものではない。
の一例を次に示すが、本発明の化合物の合成方法はこの
経路に限定されるものではない。
まず、式（２）で示されるアミノメチルエステルのアミ
ノ基をBoc化（ｔ−ブトキシカルボニル化）してBoc−ア
ミノメチルを得る。（式（３）においてＲ＝−Ｏ−C
H3） 次にBoc−アミノメチルエステル（式（３）においてＲ
＝−Ｏ−CH3）のアミノ基をTHPで保護し、アルカリ加水
分解、続くカルボニルジイミダゾールを用いたエステル
化、パラトルエンスルホン酸（PTS）による脱THP保護基
により各種アルコールのBoc−アミノエステル（３）を
得る。
ノ基をBoc化（ｔ−ブトキシカルボニル化）してBoc−ア
ミノメチルを得る。（式（３）においてＲ＝−Ｏ−C
H3） 次にBoc−アミノメチルエステル（式（３）においてＲ
＝−Ｏ−CH3）のアミノ基をTHPで保護し、アルカリ加水
分解、続くカルボニルジイミダゾールを用いたエステル
化、パラトルエンスルホン酸（PTS）による脱THP保護基
により各種アルコールのBoc−アミノエステル（３）を
得る。
Boc−アミノエステル（３）をトリクロロメチルクロロ
ホーメート（TCF）によりカルボニルクロリド化し、一
般式Ｒ′−NH2で示されるアミンと反応させることによ
り一般式（４）で示される各種Boc−アミノエステルを
得る。
ホーメート（TCF）によりカルボニルクロリド化し、一
般式Ｒ′−NH2で示されるアミンと反応させることによ
り一般式（４）で示される各種Boc−アミノエステルを
得る。
一般式（４）で示されるBoc−アミノエステルをトリフ
ルオロ酢酸（TFA）により脱Boc保護基を行ない続いて飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液により処理して一般式
（Ｉ）で示される各種アミノエステルが得られる。
ルオロ酢酸（TFA）により脱Boc保護基を行ない続いて飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液により処理して一般式
（Ｉ）で示される各種アミノエステルが得られる。
次に本特許における好ましい化合物例を列挙するが、限
定されるものではない。
定されるものではない。
（発明の効果） 本発明の化合物１は、単分子膜マトリクス中で、自発的
に重合を起こし、ポリアミノ酸の単分子膜及び累積膜を
形成させるのに有用である。
に重合を起こし、ポリアミノ酸の単分子膜及び累積膜を
形成させるのに有用である。
従来、単分子膜を重合させる方法には光重合、ラジカル
重合などが知られている。
重合などが知られている。
（有機合成化学協会誌、40巻、377頁、1982年に詳細に
述べられている。） しかし、本発明の化合物のように、単分子膜マトリクス
の中である配向に制御された時にのみ自発的に重合反応
を起こす化合物の例は少なく、従来技術のところで記載
したRingsdorfらの実験例が知られているだけである。
本発明の化合物は、Ringsdorfらの化合物の大きな欠点
であつた重合反応の遅さ（室温、数日間必要）を改良す
る目的で、反応性の高い離脱基を有しており、その効果
はきわめて大きく、有用である。
述べられている。） しかし、本発明の化合物のように、単分子膜マトリクス
の中である配向に制御された時にのみ自発的に重合反応
を起こす化合物の例は少なく、従来技術のところで記載
したRingsdorfらの実験例が知られているだけである。
本発明の化合物は、Ringsdorfらの化合物の大きな欠点
であつた重合反応の遅さ（室温、数日間必要）を改良す
る目的で、反応性の高い離脱基を有しており、その効果
はきわめて大きく、有用である。
実施例１ Ｒ＝−OCH3、Ｒ′＝−C18H37、Ｘ＝Ｏ、ｎ＝
１である一般式（Ｉ）化合物（ａ）の合成 KOH（85％含量）2.0g（30mmol）を50mlのMeOHに溶解し
た。これにｌ−セリンメチルエステル塩酸塩4.7g（30mm
ol）を加え40分間攪拌した。これにEt3N3.0g（30mmol）
を加え（Boc)2O6.6g（30mmol）THF溶液を滴下した。一
晩放置後MeOH、THFを減圧留去した。残渣にAcOEtを加え
有機層を水で洗い、Na2SO4乾燥AcOEtを減圧留去した。
残渣をSiO2カラムクロマトグラフイー（溶離液ヘキサン
／酢酸エチル＝8/2）により精製して式３においてＲ＝
−Ｏ−CH3、ｎ＝１、Ｘ＝０である化合物5.6g（24mmo
l、収率80％）を無色液体として得た。
１である一般式（Ｉ）化合物（ａ）の合成 KOH（85％含量）2.0g（30mmol）を50mlのMeOHに溶解し
た。これにｌ−セリンメチルエステル塩酸塩4.7g（30mm
ol）を加え40分間攪拌した。これにEt3N3.0g（30mmol）
を加え（Boc)2O6.6g（30mmol）THF溶液を滴下した。一
晩放置後MeOH、THFを減圧留去した。残渣にAcOEtを加え
有機層を水で洗い、Na2SO4乾燥AcOEtを減圧留去した。
残渣をSiO2カラムクロマトグラフイー（溶離液ヘキサン
／酢酸エチル＝8/2）により精製して式３においてＲ＝
−Ｏ−CH3、ｎ＝１、Ｘ＝０である化合物5.6g（24mmo
l、収率80％）を無色液体として得た。
次に、活性炭300mgにTCF1.8g（9.1mmol）を滴下してホ
スゲンを発生させた。これを三ツ口フラスコに入れたCH
2Cl250ml中に氷冷下で導いた。続いて先に得たアミノメ
チルエステル（式（３）においてＲ＝−CH3、ｎ＝１、
Ｘ＝０）2.0g（14mmol）、トリエチルアミン（Et3N）0.
92g（9.1mmol）CH2Cl230ml混合液を氷冷下滴下した。N2
吹き込みにより系中に残つているホスゲンを追い出した
後ステアリルアミン2.5g（9.1mmol）Et3N0.92g（9.1mmo
l）CH2Cl2混合液を滴下した。その後１時間攪拌した後
２日間放置した。H2Oを加えて反応を停止した後、有機
層を水で３回洗い、Na2SO4乾燥、CH2Cl2減圧留去を行な
い残渣をシリカゲルクロマトグラフイー（溶離液ヘキサ
ン／酢酸エチル＝7/3）により精製し、Boc−アミノエス
テル（式（４）においてＲ＝−OCH3、ｎ＝１、Ｘ＝０、
Ｒ′＝−C18H37）2.5g（5.1mmol、収率56％）を無色固
体として得た。
スゲンを発生させた。これを三ツ口フラスコに入れたCH
2Cl250ml中に氷冷下で導いた。続いて先に得たアミノメ
チルエステル（式（３）においてＲ＝−CH3、ｎ＝１、
Ｘ＝０）2.0g（14mmol）、トリエチルアミン（Et3N）0.
92g（9.1mmol）CH2Cl230ml混合液を氷冷下滴下した。N2
吹き込みにより系中に残つているホスゲンを追い出した
後ステアリルアミン2.5g（9.1mmol）Et3N0.92g（9.1mmo
l）CH2Cl2混合液を滴下した。その後１時間攪拌した後
２日間放置した。H2Oを加えて反応を停止した後、有機
層を水で３回洗い、Na2SO4乾燥、CH2Cl2減圧留去を行な
い残渣をシリカゲルクロマトグラフイー（溶離液ヘキサ
ン／酢酸エチル＝7/3）により精製し、Boc−アミノエス
テル（式（４）においてＲ＝−OCH3、ｎ＝１、Ｘ＝０、
Ｒ′＝−C18H37）2.5g（5.1mmol、収率56％）を無色固
体として得た。
m.p 96-98℃、1 H−NMR（CDCl3、δ）0.88（炭化水素鎖−CH3、3H、
ｔ）1.08-1.40（炭化水素鎖−CH2−、32H）、1.45 9H）、3.13（アミド−CH2−炭化水素鎖2H）、3.75 3H）、4.24-4.60（セリンCH、セリンCH2、3H） 続いて、Boc−アミノエステル（式（４）においてＲ＝
−OCH3、ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝−C18H37）0.50g（1.0
mmol）をCH2Cl23mlに溶かしTFA3mlを加え30分攪拌した
後氷冷下で溶液を減圧留去した。残渣にCH2Cl23mlを加
え再び、CH2Cl2を氷冷下で減圧留去した後、dryice-ace
tone冷却下で減圧乾燥して無色固体を得た。
ｔ）1.08-1.40（炭化水素鎖−CH2−、32H）、1.45 9H）、3.13（アミド−CH2−炭化水素鎖2H）、3.75 3H）、4.24-4.60（セリンCH、セリンCH2、3H） 続いて、Boc−アミノエステル（式（４）においてＲ＝
−OCH3、ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝−C18H37）0.50g（1.0
mmol）をCH2Cl23mlに溶かしTFA3mlを加え30分攪拌した
後氷冷下で溶液を減圧留去した。残渣にCH2Cl23mlを加
え再び、CH2Cl2を氷冷下で減圧留去した後、dryice-ace
tone冷却下で減圧乾燥して無色固体を得た。
次にこの無色固体0.5gをCH2Cl2にとかし飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液を加え有機層を水で洗つた後Na2SO4乾
燥、減圧留去を行ないアミノエステル体（式（Ｉ）でＲ
＝−OCH3、ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37、すなわち
（ａ））を0.34g得た。
トリウム水溶液を加え有機層を水で洗つた後Na2SO4乾
燥、減圧留去を行ないアミノエステル体（式（Ｉ）でＲ
＝−OCH3、ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37、すなわち
（ａ））を0.34g得た。
m.p 85-86℃、IR、1H−NMRを第１図、第２図に示す。
実施例２ Ｘ＝０、ｎ＝１である一般式（Ｉ）の化合物（ｂ）の合
成 アミノメチルエステル（式（３）においてＲ＝−OCH3、
ｎ＝１、Ｘ＝０）21g（96mmol）、DHP40g（480mmol）、
CHCl3450ml混合液にPTS200mg（110mmol）THF2ml液を滴
下し３時間攪拌した。DHP、CHCl3の減圧留去の後CHCl3
を加えNaHCO3aq洗い、水洗、Na2SO4乾燥を経て、CHCl3
を減圧留去し、無色固体を得た。この反応生成物をMeOH
500mlに溶かし93％NaOH4.5g（100mmol）、H2O80ml液を
加え一晩放置した。溶媒留去ののち水を加え水層をAcOE
tで洗つた後、再びAcOEtを加えた。希HClで水層を酸性
（pH3程度）にした後AcOEtで抽出、水洗い、Na2SO4乾燥
を経てAcOEtを減圧留去しカルボン酸21g（73mmol）を高
粘度液体として得た。
成 アミノメチルエステル（式（３）においてＲ＝−OCH3、
ｎ＝１、Ｘ＝０）21g（96mmol）、DHP40g（480mmol）、
CHCl3450ml混合液にPTS200mg（110mmol）THF2ml液を滴
下し３時間攪拌した。DHP、CHCl3の減圧留去の後CHCl3
を加えNaHCO3aq洗い、水洗、Na2SO4乾燥を経て、CHCl3
を減圧留去し、無色固体を得た。この反応生成物をMeOH
500mlに溶かし93％NaOH4.5g（100mmol）、H2O80ml液を
加え一晩放置した。溶媒留去ののち水を加え水層をAcOE
tで洗つた後、再びAcOEtを加えた。希HClで水層を酸性
（pH3程度）にした後AcOEtで抽出、水洗い、Na2SO4乾燥
を経てAcOEtを減圧留去しカルボン酸21g（73mmol）を高
粘度液体として得た。
このカルボン酸2.80g（9.7mmol）、カルボニルジイミダ
ゾール1.57g（9.7mmol）THF70ml混合液を１時間攪拌し
てフエノール0.91g（9.7mmol）THF30ml液を加えた。１
時間r.t.で攪拌1.5h還流下で攪拌した後一晩放置し、溶
媒を減圧留去した。残渣にAcOEtを加え水洗いを３回し
てNa2SO4乾燥、減圧留去を行なつた。残渣をシリカゲル
クロマトグラフイー（溶離液ヘキサン／酢酸エチル＝9/
1）により精製し無色固体1.37gを得た。
ゾール1.57g（9.7mmol）THF70ml混合液を１時間攪拌し
てフエノール0.91g（9.7mmol）THF30ml液を加えた。１
時間r.t.で攪拌1.5h還流下で攪拌した後一晩放置し、溶
媒を減圧留去した。残渣にAcOEtを加え水洗いを３回し
てNa2SO4乾燥、減圧留去を行なつた。残渣をシリカゲル
クロマトグラフイー（溶離液ヘキサン／酢酸エチル＝9/
1）により精製し無色固体1.37gを得た。
上記固体を5.5g（15mmol）、MeOH200ml、H2O20ml混合液
にPTS950mg（5mmol）を加え２時間r.t.で攪拌した。
にPTS950mg（5mmol）を加え２時間r.t.で攪拌した。
次にPTS950mg（5mmol）を加えさらに２時間攪拌し溶媒
を減圧留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフイー
（溶離液ヘキサン／酢酸エチル＝7/3）で精製しBoc−ア
ミノエステル（式（３）で ｎ＝１、Ｘ＝０）を1.2g無色固体として得た。
を減圧留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフイー
（溶離液ヘキサン／酢酸エチル＝7/3）で精製しBoc−ア
ミノエステル（式（３）で ｎ＝１、Ｘ＝０）を1.2g無色固体として得た。
CH2Cl250ml中に、TCF 1.2g（6.0mmol）、活性炭300mgに
より発生したホスゲンを氷冷下で吹き込んだ。次にBoc
−アミノエステル（式（３）で ｎ＝１、Ｘ＝０）1.18g（4.2mmol）、Et3N0.42g（4.2mm
ol）CH2Cl225ml混合液を氷冷下で滴下した（30分）。３
時間攪拌した後N2吹き込みによりホスゲンを追い出し
て、ステアリルアミン1.14g（4.2mmol）、Et3N0.42g
（4.2mmol）CH2Cl250ml混合液を加えた。一晩放置後水
を加え有機層を洗い、Na2SO4乾燥・減圧留去を経てシリ
カゲルクロマト（ヘキサン／酢酸エチル＝8/2）により
精製し1.18gの無色固体を得た。このうち400mgを酢酸エ
チルにより再結晶を行ないBoc−アミノエステル（式
（４）で ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37）を0.32g得た。
より発生したホスゲンを氷冷下で吹き込んだ。次にBoc
−アミノエステル（式（３）で ｎ＝１、Ｘ＝０）1.18g（4.2mmol）、Et3N0.42g（4.2mm
ol）CH2Cl225ml混合液を氷冷下で滴下した（30分）。３
時間攪拌した後N2吹き込みによりホスゲンを追い出し
て、ステアリルアミン1.14g（4.2mmol）、Et3N0.42g
（4.2mmol）CH2Cl250ml混合液を加えた。一晩放置後水
を加え有機層を洗い、Na2SO4乾燥・減圧留去を経てシリ
カゲルクロマト（ヘキサン／酢酸エチル＝8/2）により
精製し1.18gの無色固体を得た。このうち400mgを酢酸エ
チルにより再結晶を行ないBoc−アミノエステル（式
（４）で ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37）を0.32g得た。
m.p. 97.0-98.0℃1 H−NMR（CDCl3、δ）0.85（炭化水素鎖CH3、3H）、1.0
0-1.40（炭化水素鎖CH232H）、1.46 3.15（アミド−CH2−炭化水素鎖、2H）、4.35〜4.86
（セリンCH2、CH、3H）、7.05-7.45 Boc−アミノエステル（式（４）において ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37）200mg（0.35mmol）をT
FA4ml、CH2Cl24ml混合液に溶かし30分攪拌した。その後
溶媒を減圧留去しさらにCH2Cl2を加え減圧留去すること
を２回くり返し減圧乾燥し無色固体を得た。このうち10
0mg（0.17mmol）をCHCl3にとかし冷NaHCO3aqにより処理
し、有機層のNa2SO4乾燥、減圧留去を経てアミノエステ
ル（式（１）において ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37、すなわち（ｂ）60mg
（0.13mmol）を得た。
0-1.40（炭化水素鎖CH232H）、1.46 3.15（アミド−CH2−炭化水素鎖、2H）、4.35〜4.86
（セリンCH2、CH、3H）、7.05-7.45 Boc−アミノエステル（式（４）において ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37）200mg（0.35mmol）をT
FA4ml、CH2Cl24ml混合液に溶かし30分攪拌した。その後
溶媒を減圧留去しさらにCH2Cl2を加え減圧留去すること
を２回くり返し減圧乾燥し無色固体を得た。このうち10
0mg（0.17mmol）をCHCl3にとかし冷NaHCO3aqにより処理
し、有機層のNa2SO4乾燥、減圧留去を経てアミノエステ
ル（式（１）において ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37、すなわち（ｂ）60mg
（0.13mmol）を得た。
m.p 96〜110℃（dec）IR、1H−NMRを第３図、第４図に
示す。
示す。
実施例３ Ｒ＝−Ｏ−CH2CHCl2、Ｒ′＝−C18H37、ｎ＝
１、Ｘ＝０である一般式（Ｉ）化合物（ｃ）の合成 実施例２におけるアミノ基をBoc保護し、水酸基をTHP保
護したセリン誘導体11.3g（39mmol）カルボニルジイミ
ダゾール7.6g（47mmol）THF300ml混合液を１時間攪拌し
た後、ジクロロエタノール4.5g（39mmol）THF5ml溶液を
滴下し一晩放置した。次に溶媒の減圧留去を行ないAcOE
tを加えBrine洗いをへてNa2SO4乾燥しAcOEtを減圧留去
した。残渣をシリカゲルクロマトグラフイー（溶離液ヘ
キサン／酢酸エチル＝8/2）により精製し、無色液体11.
2g（29mmol 収率74％）を得た。
１、Ｘ＝０である一般式（Ｉ）化合物（ｃ）の合成 実施例２におけるアミノ基をBoc保護し、水酸基をTHP保
護したセリン誘導体11.3g（39mmol）カルボニルジイミ
ダゾール7.6g（47mmol）THF300ml混合液を１時間攪拌し
た後、ジクロロエタノール4.5g（39mmol）THF5ml溶液を
滴下し一晩放置した。次に溶媒の減圧留去を行ないAcOE
tを加えBrine洗いをへてNa2SO4乾燥しAcOEtを減圧留去
した。残渣をシリカゲルクロマトグラフイー（溶離液ヘ
キサン／酢酸エチル＝8/2）により精製し、無色液体11.
2g（29mmol 収率74％）を得た。
上記液体1.9g（4.9mmol）、MeOH100ml溶液にPTS300mg
（1.6mmol）H2O25ml液を加え２時間攪拌した。その後PT
S300mg（1.6mmol）を加え４時間反応させた。（反応液
のpHは３程度にして反応した。）その後溶媒を一部減圧
留去しAcOEt、H2Oを加え抽出し、有機層をpH7まで水洗
いしてNa2SO4乾燥を行なつた。AcOEtの減圧留去後シリ
カゲルクロマトグラフイ（溶離液ヘキサン／酢酸エチル
＝7/3）で精製しBoc−アミノエステル（式（３）におい
てＲ＝−Ｏ−CH2CHCl2、ｎ＝１、Ｘ＝０）0.94g（3.1mm
ol、収率63％）を得た。
（1.6mmol）H2O25ml液を加え２時間攪拌した。その後PT
S300mg（1.6mmol）を加え４時間反応させた。（反応液
のpHは３程度にして反応した。）その後溶媒を一部減圧
留去しAcOEt、H2Oを加え抽出し、有機層をpH7まで水洗
いしてNa2SO4乾燥を行なつた。AcOEtの減圧留去後シリ
カゲルクロマトグラフイ（溶離液ヘキサン／酢酸エチル
＝7/3）で精製しBoc−アミノエステル（式（３）におい
てＲ＝−Ｏ−CH2CHCl2、ｎ＝１、Ｘ＝０）0.94g（3.1mm
ol、収率63％）を得た。
次に活性炭400mg、TCF2.1g（10.6mmol）より発生させ
た、ホスゲンを氷冷下でCH2Cl250mlに吹き込んだ。
た、ホスゲンを氷冷下でCH2Cl250mlに吹き込んだ。
これに、Boc−アミノエステル（式（３）において、Ｒ
＝−Ｏ−CH2CHCl2、ｎ＝１、Ｘ＝０）1.14g（3.8mmo
l）、Et3N0.38g（3.8mmol）、CH2Cl225ml液を滴下し、
１時間攪拌した。N2吹き込みによりホスゲンを追い出
し、ステアリルアミン1.02g（3.8mmol）Et3N0.38g（3.8
mmol）CH2Cl250ml液を滴下した。
＝−Ｏ−CH2CHCl2、ｎ＝１、Ｘ＝０）1.14g（3.8mmo
l）、Et3N0.38g（3.8mmol）、CH2Cl225ml液を滴下し、
１時間攪拌した。N2吹き込みによりホスゲンを追い出
し、ステアリルアミン1.02g（3.8mmol）Et3N0.38g（3.8
mmol）CH2Cl250ml液を滴下した。
一晩放置後H2Oを加え反応停止した後、有機層を水で３
回洗い、Na2SO4乾燥、CH2Cl2の減圧留去を行なつた。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶離液ヘキ
サン／酢酸エチル＝8/2）で精製しBoc−アミノエステル
（式（４）でＲ＝−CH2CHCl2、ｎ＝１、Ｒ′＝−C18H37
Ｘ＝０）を0.51g（0.86mmol 収率23％）で得た。
回洗い、Na2SO4乾燥、CH2Cl2の減圧留去を行なつた。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶離液ヘキ
サン／酢酸エチル＝8/2）で精製しBoc−アミノエステル
（式（４）でＲ＝−CH2CHCl2、ｎ＝１、Ｒ′＝−C18H37
Ｘ＝０）を0.51g（0.86mmol 収率23％）で得た。
m.p 66.0-68.0℃1 H−NMR（CDCl3、δ）0.90（炭化水素鎮CH3 3H）、1.10
-1.45）炭化水素鎮CH2、32H）、1.48 3.15（アミド−CH2−炭化水素鎮2H）、4.30-4.80（ジク
ロロエチル−CH2−、セリンCH2、CH 5H）、5.35（ジク
ロロエチル−CHCl2、1H） Boc−アミノエステル（式（４）においてＲ＝−Ｏ−CH2
CHCl2、ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝−C18H37）100mgをCH2C
l24mlに溶解し、TFA4mlを加え30分間反応した。氷冷下
で溶液を減圧留去し減圧乾燥して無色固体を60mg得た。
この一部を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で処理して、
無色固体としてアミノエステル（式（１）においてＲ＝
−CH2CHCl2、ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37すなわち
（ｃ））を得た。
-1.45）炭化水素鎮CH2、32H）、1.48 3.15（アミド−CH2−炭化水素鎮2H）、4.30-4.80（ジク
ロロエチル−CH2−、セリンCH2、CH 5H）、5.35（ジク
ロロエチル−CHCl2、1H） Boc−アミノエステル（式（４）においてＲ＝−Ｏ−CH2
CHCl2、ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝−C18H37）100mgをCH2C
l24mlに溶解し、TFA4mlを加え30分間反応した。氷冷下
で溶液を減圧留去し減圧乾燥して無色固体を60mg得た。
この一部を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で処理して、
無色固体としてアミノエステル（式（１）においてＲ＝
−CH2CHCl2、ｎ＝１、Ｘ＝０、Ｒ′＝C18H37すなわち
（ｃ））を得た。
m.p 67.0-69.0℃、IR、1H−NMRを第５図、第６図に示
す。
す。
第１図〜第６図は下記のとおりのIR又はNMRのスペクト
ルを示した図面である。 第１図 実施例1;化合物１のIRスペクトル 第２図 〃 〃 〃 〃NMR 〃 第３図 〃 2; 〃 ２のIR 〃 第４図 〃 2; 〃 ２のNMR 〃 第５図 〃 3; 〃 ３のIR 〃 第６図 〃 3; 〃 ３のNMR 〃
ルを示した図面である。 第１図 実施例1;化合物１のIRスペクトル 第２図 〃 〃 〃 〃NMR 〃 第３図 〃 2; 〃 ２のIR 〃 第４図 〃 2; 〃 ２のNMR 〃 第５図 〃 3; 〃 ３のIR 〃 第６図 〃 3; 〃 ３のNMR 〃
Claims (1)
- 【請求項１】式（Ｉ）で表わされるアミノ酸誘導体。 式中、Ｒは、共役酸のpKaが10〜16の間の離脱基を表わ
し、Ｒ′は、炭素数が12〜20までの鎖状アルキル基を表
わす。 ｎは、０〜４の整数を表わし、Ｘは、−Ｏ−、 −Ｓ−を表わす。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009503A JPH0776203B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | アミノ酸誘導体 |
| US07/466,904 US5132441A (en) | 1989-01-18 | 1990-01-18 | Amino acid derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009503A JPH0776203B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | アミノ酸誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191245A JPH02191245A (ja) | 1990-07-27 |
| JPH0776203B2 true JPH0776203B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=11722046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1009503A Expired - Fee Related JPH0776203B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | アミノ酸誘導体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5132441A (ja) |
| JP (1) | JPH0776203B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2719584B1 (fr) * | 1994-05-09 | 1996-06-07 | Oreal | Nouveaux dérivés de la sérine, leur préparation et leur utilisation dans des compositions cosmétiques ou dermatologiques. |
| JP6330360B2 (ja) * | 2014-02-21 | 2018-05-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1009503A patent/JPH0776203B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-18 US US07/466,904 patent/US5132441A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5132441A (en) | 1992-07-21 |
| JPH02191245A (ja) | 1990-07-27 |
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| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
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