JPH0774067A - Ｒｆインピーダンスの異なる材料を利用したプラズマシースの輪郭化によるプラズマ粒子の制御法 - Google Patents
Ｒｆインピーダンスの異なる材料を利用したプラズマシースの輪郭化によるプラズマ粒子の制御法Info
- Publication number
- JPH0774067A JPH0774067A JP6099767A JP9976794A JPH0774067A JP H0774067 A JPH0774067 A JP H0774067A JP 6099767 A JP6099767 A JP 6099767A JP 9976794 A JP9976794 A JP 9976794A JP H0774067 A JPH0774067 A JP H0774067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pedestal
- dielectric constant
- plasma
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ウエハ処理における粒子による汚
染を低減することを目的とする。 【構成】 本発明によるプラズマ処理装置は、粒子のト
ラップ現象を低減するように設計されたウエハ支持ペデ
スタルを包含する。ウエハを包囲するあるいはウエハに
隣接するペデスタル表面の領域において、ペデスタルは
ウエハ表面と実質的に等しい若しくはより大きい誘電率
を有する。その結果、プラズマ鞘(sheath)の境界は変形
し粒子のトラップが低減される。
染を低減することを目的とする。 【構成】 本発明によるプラズマ処理装置は、粒子のト
ラップ現象を低減するように設計されたウエハ支持ペデ
スタルを包含する。ウエハを包囲するあるいはウエハに
隣接するペデスタル表面の領域において、ペデスタルは
ウエハ表面と実質的に等しい若しくはより大きい誘電率
を有する。その結果、プラズマ鞘(sheath)の境界は変形
し粒子のトラップが低減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理材料への粒子の混
入を制御する方法に関する。
入を制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造に用いられるスパッタリン
グ装置、反応性イオンエッチング装置若しくは化学蒸着
装置においては、高周波（ＲＦ）交流電圧源により作動
される２つの電極の間に半導体基板が置かれる。（通常
ウエハは、もう一方の電極とはある距離をおいて片方の
電極上に直接置かれる。）反応物ガスがチャンバー内の
ウエハ上方の空間に放たれる。反応物の分子は比較的高
分子量であり分子運動が活発ではないため、電界のゆら
ぎの速さに応答できない。しかし、反応物の分子に付随
する電子は比較的活発に活動する。その結果、十分な強
電界の場合、反応物の分子から電子が奪われ、自由電子
と反応物正イオンとのガスプラズマが形成される。この
プラズマは、多数の自由キャリアを含んでいるために高
い導電性を有し、即ち等電位領域である。
グ装置、反応性イオンエッチング装置若しくは化学蒸着
装置においては、高周波（ＲＦ）交流電圧源により作動
される２つの電極の間に半導体基板が置かれる。（通常
ウエハは、もう一方の電極とはある距離をおいて片方の
電極上に直接置かれる。）反応物ガスがチャンバー内の
ウエハ上方の空間に放たれる。反応物の分子は比較的高
分子量であり分子運動が活発ではないため、電界のゆら
ぎの速さに応答できない。しかし、反応物の分子に付随
する電子は比較的活発に活動する。その結果、十分な強
電界の場合、反応物の分子から電子が奪われ、自由電子
と反応物正イオンとのガスプラズマが形成される。この
プラズマは、多数の自由キャリアを含んでいるために高
い導電性を有し、即ち等電位領域である。
【０００３】イオンは電子に比べ非常に大きな質量を有
する；実際、イオンはＲＦ交流電界による影響を本質的
に受けない位巨大である；しかし、電子は質量が大変小
さいため、自由電子はＲＦ交流電界により急速に加速さ
れる。しかし、このプラズマは等電位領域であるため、
プラズマ内の電子はＲＦ交流電界に影響されないことは
特筆される；プラズマとウエハの間の領域−−プラズマ
シース(plasma sheath) −−のエッジに到達した粒子の
みが加速される。
する；実際、イオンはＲＦ交流電界による影響を本質的
に受けない位巨大である；しかし、電子は質量が大変小
さいため、自由電子はＲＦ交流電界により急速に加速さ
れる。しかし、このプラズマは等電位領域であるため、
プラズマ内の電子はＲＦ交流電界に影響されないことは
特筆される；プラズマとウエハの間の領域−−プラズマ
シース(plasma sheath) −−のエッジに到達した粒子の
みが加速される。
【０００４】ＲＦ交流電源のスイッチが最初に入れられ
る時、ウエハ及び電極表面は電荷を有していない。交流
サイクルの最初の半期で、ウエハのすぐ下の電極は正電
荷を有し、そしてウエハ表面は電子を吸引しイオンを反
発する。このサイクルの半期の間、電子はシースからウ
エハ上まで加速され、ウエハ上でウエハの半導体材料の
エネルギーバンドの一つによって他の電子と結合する。
交流サイクルの２つ目の半期では、ウエハの下の電極は
負電荷を有し、正イオンをウエハの方へ吸引し電子を反
発する。しかし、ウエハのエネルギーバンドを脱しプラ
ズマ内の自由エネルギー状態に戻るために必要なエネル
ギーを獲得するウエハ上の電子は、比較的少数である。
よって、最初及びそれに続く交流サイクルの間に、電子
はウエハ表面に集められる。
る時、ウエハ及び電極表面は電荷を有していない。交流
サイクルの最初の半期で、ウエハのすぐ下の電極は正電
荷を有し、そしてウエハ表面は電子を吸引しイオンを反
発する。このサイクルの半期の間、電子はシースからウ
エハ上まで加速され、ウエハ上でウエハの半導体材料の
エネルギーバンドの一つによって他の電子と結合する。
交流サイクルの２つ目の半期では、ウエハの下の電極は
負電荷を有し、正イオンをウエハの方へ吸引し電子を反
発する。しかし、ウエハのエネルギーバンドを脱しプラ
ズマ内の自由エネルギー状態に戻るために必要なエネル
ギーを獲得するウエハ上の電子は、比較的少数である。
よって、最初及びそれに続く交流サイクルの間に、電子
はウエハ表面に集められる。
【０００５】この負電荷の蓄積は、プラズマに対し負の
直流電圧である自己バイアス(selfbias) をウエハに生
じ、シースの中に直流電界を作り出す。シースの中のイ
オンは、交流電界に影響されないがこの直流電界により
ウエハの方へ加速される結果、ウエハ表面上において直
流イオン流を生ずる。同時に、自己バイアスが生ずるた
め交流サイクルの大部分においてウエハ電圧はプラズマ
に比べ更に負となり、ウエハに電子が吸引される時間が
短くなる。最終的に、ウエハは交流信号のピーク電圧と
ほぼ等しい負電圧に荷電し、系は交流信号の毎周期にお
いて同数の正イオンと電子とがウエハを叩く定常状態に
達する。イオン流は、サイクル中比較的定常的であり、
交流サイクルのピークの部分の間電子流の短いスパイク
により等化される。
直流電圧である自己バイアス(selfbias) をウエハに生
じ、シースの中に直流電界を作り出す。シースの中のイ
オンは、交流電界に影響されないがこの直流電界により
ウエハの方へ加速される結果、ウエハ表面上において直
流イオン流を生ずる。同時に、自己バイアスが生ずるた
め交流サイクルの大部分においてウエハ電圧はプラズマ
に比べ更に負となり、ウエハに電子が吸引される時間が
短くなる。最終的に、ウエハは交流信号のピーク電圧と
ほぼ等しい負電圧に荷電し、系は交流信号の毎周期にお
いて同数の正イオンと電子とがウエハを叩く定常状態に
達する。イオン流は、サイクル中比較的定常的であり、
交流サイクルのピークの部分の間電子流の短いスパイク
により等化される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】粒子による汚染は、半
導体の製造等高品質な材料の処理において益々深刻な制
約となっている。半導体製造の分野では、ウエハの汚染
全体の７０−８０％あまりが粒子によるものであると見
積られている。よって、粒子汚染を減らすことで、欠陥
率が実質的に減少するだろう。
導体の製造等高品質な材料の処理において益々深刻な制
約となっている。半導体製造の分野では、ウエハの汚染
全体の７０−８０％あまりが粒子によるものであると見
積られている。よって、粒子汚染を減らすことで、欠陥
率が実質的に減少するだろう。
【０００７】代表的なプラズマ装置には、汚染粒子源と
なり得る多くのものが含まれている：例えば、チャンバ
ー内部の割れたり剥離した材料（クオーツ等）やフィル
ム（誘電フィルム等）、時間の経過とともにチャンバー
の壁に集まる高分子材料、ウエハ操作の間における金属
表面間のアークの発生及びチャンバー内側でごく普通に
生ずる接触若しくは摩擦により作られる金属の小球、等
である。処理工程の間これら汚染源のいずれより粒子が
チャンバー内に一旦放たれれば、この粒子はガスプラズ
マに入り、最後はウエハ表面に着地してウエハ表面を汚
染する。
なり得る多くのものが含まれている：例えば、チャンバ
ー内部の割れたり剥離した材料（クオーツ等）やフィル
ム（誘電フィルム等）、時間の経過とともにチャンバー
の壁に集まる高分子材料、ウエハ操作の間における金属
表面間のアークの発生及びチャンバー内側でごく普通に
生ずる接触若しくは摩擦により作られる金属の小球、等
である。処理工程の間これら汚染源のいずれより粒子が
チャンバー内に一旦放たれれば、この粒子はガスプラズ
マに入り、最後はウエハ表面に着地してウエハ表面を汚
染する。
【０００８】プラズマ内の自由電子は正イオンに比べそ
の移動度がかなり大きいため、プラズマに入った粒子は
イオンより多くの電子と衝突し、負の表面電荷を持つよ
うになる。重力が粒子をウエハの方向へ引き下げるが、
粒子が一旦プラズマシースの中に到達すると、プラズマ
と負に荷電したウエハとの間に存在する強力な直流電界
が下向きの重力に勝り、その結果粒子はプラズマシース
の境界を浮遊する。しかし、ＲＦ電源が切られれば、ウ
エハ上の負電荷は消散し、そしてシースの境界にいるど
の粒子もウエハ１０上に落下しウエハ１０を汚染する。
の移動度がかなり大きいため、プラズマに入った粒子は
イオンより多くの電子と衝突し、負の表面電荷を持つよ
うになる。重力が粒子をウエハの方向へ引き下げるが、
粒子が一旦プラズマシースの中に到達すると、プラズマ
と負に荷電したウエハとの間に存在する強力な直流電界
が下向きの重力に勝り、その結果粒子はプラズマシース
の境界を浮遊する。しかし、ＲＦ電源が切られれば、ウ
エハ上の負電荷は消散し、そしてシースの境界にいるど
の粒子もウエハ１０上に落下しウエハ１０を汚染する。
【０００９】Selwynは、"Particle trapping phenomena
in radio frequency plasmas"(Applied Physics Lette
r 57,October 29,1990) の中で、ウエハの上方を浮遊す
る粒子を散乱レーザー光を用いて撮影した。Selwynは、
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に例示した如く、ウエハ１０
がグラファイト電極１１のリセスに挿入された場合、浮
遊する粒子はウエハの上方にトラップする傾向があり、
およそウエハの外端上方にリング形１２の雲を、ウエハ
の上に形成することを、見出した。
in radio frequency plasmas"(Applied Physics Lette
r 57,October 29,1990) の中で、ウエハの上方を浮遊す
る粒子を散乱レーザー光を用いて撮影した。Selwynは、
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に例示した如く、ウエハ１０
がグラファイト電極１１のリセスに挿入された場合、浮
遊する粒子はウエハの上方にトラップする傾向があり、
およそウエハの外端上方にリング形１２の雲を、ウエハ
の上に形成することを、見出した。
【００１０】Selwynは、"Plasma particulate contamin
ation control II. Self-cleaningtool design"(Journa
l of Vacuum Science and Technology,10(4),July/Augu
st1992) において、この効果を議論し、電極１１にグル
ーブをつけることによりこのトラッピングの現象は低減
できることを示した。このグルーブは、外側リング１２
より真空吸入ポートへ導く流路を、プラズマシースの中
に作り出す。外側リング１２の中にトラップされた粒子
はこの流路を進み、よってウエハ上方の空間の粒子数が
減少する。
ation control II. Self-cleaningtool design"(Journa
l of Vacuum Science and Technology,10(4),July/Augu
st1992) において、この効果を議論し、電極１１にグル
ーブをつけることによりこのトラッピングの現象は低減
できることを示した。このグルーブは、外側リング１２
より真空吸入ポートへ導く流路を、プラズマシースの中
に作り出す。外側リング１２の中にトラップされた粒子
はこの流路を進み、よってウエハ上方の空間の粒子数が
減少する。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明は、ウ
エハ表面処理用のプラズマ処理チャンバーを特徴とする
一つの側面を持つ。ウエハはチャンバー中のペデスタル
表面上で支持され、ペデスタル表面とチャンバーとの間
で接続されるＲＦ電源が、ウエハ上方にプラズマを発生
する。粒子のトラッピングを低減するため、ウエハに隣
接するペデスタル表面の領域は、ウエハ表面と等しい若
しくはウエハ表面より大きな誘電率を有する。
エハ表面処理用のプラズマ処理チャンバーを特徴とする
一つの側面を持つ。ウエハはチャンバー中のペデスタル
表面上で支持され、ペデスタル表面とチャンバーとの間
で接続されるＲＦ電源が、ウエハ上方にプラズマを発生
する。粒子のトラッピングを低減するため、ウエハに隣
接するペデスタル表面の領域は、ウエハ表面と等しい若
しくはウエハ表面より大きな誘電率を有する。
【００１２】好ましい実施例において、ウエハはディス
ク形シリコンウエハであり、ウエハを完全に囲む環状リ
ングが高誘電率領域となる。ペデスタルが低誘電率材料
で形成される場合、この発明は、ペデスタル最上表面を
高誘電率材料で作られたカバーで覆う形態で実施されて
もよく、特にウエハ表面の上方に伸びるシャドウリング
カバー(shadow ring cover )を用いてチャンバーが設計
されてもよい。この高誘電材料により生ずる汚染を防止
するため、不活性な(inert )材料のエピタキシャル層が
オーバーレイされて(overlaid)もよい。
ク形シリコンウエハであり、ウエハを完全に囲む環状リ
ングが高誘電率領域となる。ペデスタルが低誘電率材料
で形成される場合、この発明は、ペデスタル最上表面を
高誘電率材料で作られたカバーで覆う形態で実施されて
もよく、特にウエハ表面の上方に伸びるシャドウリング
カバー(shadow ring cover )を用いてチャンバーが設計
されてもよい。この高誘電材料により生ずる汚染を防止
するため、不活性な(inert )材料のエピタキシャル層が
オーバーレイされて(overlaid)もよい。
【００１３】ウエハ表面と実質的に等しい若しくはウエ
ハ表面より大きい誘電率を有する領域にウエハを隣接す
ることによって、ウエハ処理における粒子のトラッピン
グを低減する方法が、この発明の他の側面である。
ハ表面より大きい誘電率を有する領域にウエハを隣接す
ることによって、ウエハ処理における粒子のトラッピン
グを低減する方法が、この発明の他の側面である。
【００１４】
【実施例】以下に説明する粒子トラッピング現象の理論
解析を、この発明の基礎とする。プラズマ中の電流密度
（即ち、堆積速度）は、ウエハ表面及び包囲電極のＲＦ
インピーダンスにより決まる。次に、ＲＦインピーダン
スはウエハ及び電極表面の誘電率εの関数である。代表
的な形態としては、ウエハはシリコンであり、包囲電極
は（汚染を防ぐため）クオーツ等の不活性材料である。
シリコンは、およそ１１．８・ε0 という比較的高い誘
電率を有するが、クオーツは、およそ３．８・ε0 の並
み程度の誘電率を有する。よって、シリコンウエハ表面
は、包囲する材料に比べ低いＲＦインピーダンスを有
し、その結果、プラズマと包囲材料との間に比べ実質的
に高い電流の流れがプラズマとウエハの間に存在する。
解析を、この発明の基礎とする。プラズマ中の電流密度
（即ち、堆積速度）は、ウエハ表面及び包囲電極のＲＦ
インピーダンスにより決まる。次に、ＲＦインピーダン
スはウエハ及び電極表面の誘電率εの関数である。代表
的な形態としては、ウエハはシリコンであり、包囲電極
は（汚染を防ぐため）クオーツ等の不活性材料である。
シリコンは、およそ１１．８・ε0 という比較的高い誘
電率を有するが、クオーツは、およそ３．８・ε0 の並
み程度の誘電率を有する。よって、シリコンウエハ表面
は、包囲する材料に比べ低いＲＦインピーダンスを有
し、その結果、プラズマと包囲材料との間に比べ実質的
に高い電流の流れがプラズマとウエハの間に存在する。
【００１５】ほとんどの目的のため、上記の方法でチャ
ンバーを設計することが好ましく、即ちウエハは誘電率
の低い材料で包囲されるということである。何故なら、
堆積速度は電流の流れに直接関係し、従って電流をウエ
ハ表面に集中して他のチャンバー表面への不要な堆積を
防止することが好ましいからである。
ンバーを設計することが好ましく、即ちウエハは誘電率
の低い材料で包囲されるということである。何故なら、
堆積速度は電流の流れに直接関係し、従って電流をウエ
ハ表面に集中して他のチャンバー表面への不要な堆積を
防止することが好ましいからである。
【００１６】しかし以下に示す如く、電流の流れはまた
シースの厚さにも関係する；その結果、誘電率の低い材
料で電極を包囲することにより、ウエハ上方の空間にあ
るシースの中に「井戸」(well)が形成され、上記引用し
たSelwynの論文における粒子トラッピング現象を促進す
ることになる。
シースの厚さにも関係する；その結果、誘電率の低い材
料で電極を包囲することにより、ウエハ上方の空間にあ
るシースの中に「井戸」(well)が形成され、上記引用し
たSelwynの論文における粒子トラッピング現象を促進す
ることになる。
【００１７】プラズマが活動する間、プラズマとウエハ
との間のシースは熱電子ダイオードを形成する。このダ
イオードを流れる電流は、チャイルド・ラングミュア式
により Ｊ＝ＫＶ3/2 ／（ｍ1/2 Ｄ2 ） で与えられる。ここで、Ｊは電流密度、Ｖはシースに亘
る電圧降下、ｍはイオンの質量、Ｄはシースの厚さ、Ｋ
は定数である。チャイルド・ラングミュア式によれば、
与えられた場所のシースの厚さは、その場所における電
流密度に反する関係を持つ（解析のこの部分に関する更
なる詳細は、IBM Journal of Reserch andDevelopment,
Vol.14,page 168 (1970) に掲載のH.Koenig and H.I.Me
issel著の報文を参照されたい。）。
との間のシースは熱電子ダイオードを形成する。このダ
イオードを流れる電流は、チャイルド・ラングミュア式
により Ｊ＝ＫＶ3/2 ／（ｍ1/2 Ｄ2 ） で与えられる。ここで、Ｊは電流密度、Ｖはシースに亘
る電圧降下、ｍはイオンの質量、Ｄはシースの厚さ、Ｋ
は定数である。チャイルド・ラングミュア式によれば、
与えられた場所のシースの厚さは、その場所における電
流密度に反する関係を持つ（解析のこの部分に関する更
なる詳細は、IBM Journal of Reserch andDevelopment,
Vol.14,page 168 (1970) に掲載のH.Koenig and H.I.Me
issel著の報文を参照されたい。）。
【００１８】図２はシースの厚さの断面の輪郭線(conto
ur) を例示する。比較的高い誘電率と電流密度を有する
ウエハ１０の上方では、シースは比較的薄く、シース−
プラズマ境界１３はウエハ表面に比較的近付いている。
しかし、誘電率及び電流密度の比較的低い、ウエハを囲
む空間においては、シースは比較的厚く、シース−プラ
ズマ境界１３は表面より離れている。
ur) を例示する。比較的高い誘電率と電流密度を有する
ウエハ１０の上方では、シースは比較的薄く、シース−
プラズマ境界１３はウエハ表面に比較的近付いている。
しかし、誘電率及び電流密度の比較的低い、ウエハを囲
む空間においては、シースは比較的厚く、シース−プラ
ズマ境界１３は表面より離れている。
【００１９】その結果、電位的「井戸」はウエハ上方の
シース境界の中に形成される。この井戸は粒子をトラッ
プするが、それは電位的「井戸」のエッジではシースの
中の電界（線１４で表される）は放射内向きの成分を有
するからである。（これは、電界線は常に等電位線と直
交するからである。）よって、（静電力と重力とのバラ
ンスにより）シース境界で浮遊する粒子は、井戸のエッ
ジより中心の方へと反発する。この放射内向きの静電力
は粒子同士の斥力とバランスし、井戸内部の粒子のリン
グ１２（若しくは複数の同心円）を形成させる。
シース境界の中に形成される。この井戸は粒子をトラッ
プするが、それは電位的「井戸」のエッジではシースの
中の電界（線１４で表される）は放射内向きの成分を有
するからである。（これは、電界線は常に等電位線と直
交するからである。）よって、（静電力と重力とのバラ
ンスにより）シース境界で浮遊する粒子は、井戸のエッ
ジより中心の方へと反発する。この放射内向きの静電力
は粒子同士の斥力とバランスし、井戸内部の粒子のリン
グ１２（若しくは複数の同心円）を形成させる。
【００２０】この粒子トラッピング現象を低減するため
に設計されたプラズマキャビティーは、図３に示され
る。比較的高い誘電率（ウエハのそれと比べおよそ等し
く若しくはそれ以上の）を有する材料が、ウエハを包囲
する空間に使用される。その結果、ウエハを包囲する空
間のシースの厚さは、ウエハ自身の上方のそれと等しく
若しくはより小さく、図２に例示された「井戸」を取り
除く。粒子はもうウエハ上方でトラップされず、そして
チャンバーより容易に除去されるだろう。
に設計されたプラズマキャビティーは、図３に示され
る。比較的高い誘電率（ウエハのそれと比べおよそ等し
く若しくはそれ以上の）を有する材料が、ウエハを包囲
する空間に使用される。その結果、ウエハを包囲する空
間のシースの厚さは、ウエハ自身の上方のそれと等しく
若しくはより小さく、図２に例示された「井戸」を取り
除く。粒子はもうウエハ上方でトラップされず、そして
チャンバーより容易に除去されるだろう。
【００２１】この技術の一つの側面としては、ウエハを
包囲する空間の不要な堆積の速度を増加されることがあ
る。しかし、この技術は欠陥率の低減に有効であり、そ
れは付帯するクリーニングや不要な堆積による不必要な
交換コストを補って余りある。
包囲する空間の不要な堆積の速度を増加されることがあ
る。しかし、この技術は欠陥率の低減に有効であり、そ
れは付帯するクリーニングや不要な堆積による不必要な
交換コストを補って余りある。
【００２２】上記技術の実施に適したチャンバーの断面
図は、図４に示される。ウエハ１０はペデスタル３０の
頂上に載せられる。ペデスタル３０とチャンバー壁３２
はＲＦ電源（図示せず）と結合し、操作時にはペデスタ
ル３０とチャンバーの壁３２との間に高周波電界を発生
する。上述の如く、ウエハ処理中この電界は空間３４に
ガスプラズマを生じ、プラズマに露出したウエハの面へ
イオンが蓄積するに至る。
図は、図４に示される。ウエハ１０はペデスタル３０の
頂上に載せられる。ペデスタル３０とチャンバー壁３２
はＲＦ電源（図示せず）と結合し、操作時にはペデスタ
ル３０とチャンバーの壁３２との間に高周波電界を発生
する。上述の如く、ウエハ処理中この電界は空間３４に
ガスプラズマを生じ、プラズマに露出したウエハの面へ
イオンが蓄積するに至る。
【００２３】図４に示される如く、ペデスタルの上側表
面は電気絶縁カバー４０で覆われる。このカバー４０
は、環状ディスクである；ウエハの外側の周りの平なリ
ングを成し、ウエハのエッジを支持する。カバー４０は
ウエハに比べおよそ等しい若しくはより大きい誘電率を
有する材料で作られる。
面は電気絶縁カバー４０で覆われる。このカバー４０
は、環状ディスクである；ウエハの外側の周りの平なリ
ングを成し、ウエハのエッジを支持する。カバー４０は
ウエハに比べおよそ等しい若しくはより大きい誘電率を
有する材料で作られる。
【００２４】シリコンとおよそ等しい誘電率を有する材
料、例えば高誘電性セラミクス（１１以上の誘電率を有
するセラミクスがある）、のカバー４０を作るという、
一つの選択肢がある。カバー４０の誘電率はシリコンの
それよりもわずかに低いが、シリコンのそれとほぼ等し
いため、結果的に生ずる等電位井戸は、クオーツ（比誘
電定数３．８）等のカバー材料による場合に比べ、実質
的に浅くなる。この井戸が浅いため、（ガス流によりラ
ンダムに撹拌され相互に衝突をする）粒子が井戸の中に
トラップされ残ることはほとんどないだろう。カバーの
比誘電定数がシリコンのそれとほぼ同等、例えば１０以
上、である限り、ウエハ上方にトラップされる粒子は実
質的に減少する。
料、例えば高誘電性セラミクス（１１以上の誘電率を有
するセラミクスがある）、のカバー４０を作るという、
一つの選択肢がある。カバー４０の誘電率はシリコンの
それよりもわずかに低いが、シリコンのそれとほぼ等し
いため、結果的に生ずる等電位井戸は、クオーツ（比誘
電定数３．８）等のカバー材料による場合に比べ、実質
的に浅くなる。この井戸が浅いため、（ガス流によりラ
ンダムに撹拌され相互に衝突をする）粒子が井戸の中に
トラップされ残ることはほとんどないだろう。カバーの
比誘電定数がシリコンのそれとほぼ同等、例えば１０以
上、である限り、ウエハ上方にトラップされる粒子は実
質的に減少する。
【００２５】もう一つの選択肢は、ウエハと同じ材料で
カバー４０を作ることであり、このときカバーはウエハ
と同じ誘電率を有し、電位井戸を取り除く。この選択肢
でも、ウエハ上方にトラップされる粒子を実質的に減少
できるだろう。
カバー４０を作ることであり、このときカバーはウエハ
と同じ誘電率を有し、電位井戸を取り除く。この選択肢
でも、ウエハ上方にトラップされる粒子を実質的に減少
できるだろう。
【００２６】更に積極的な選択肢としては、シリコンよ
りも高い誘電率を有する材料でカバー４０を作ることで
あり、これは図４に例示された等電位井戸を放射外向き
の静電力を作り出す等電位「丘」(hill)へと換え、粒子
をウエハ上方の空間より離れるように押し運ぶ。シリコ
ンよりも高い誘電率を有する材料は幾つか存在する。例
えば、五酸化タンタルは比誘電率約２５を有し、酸化チ
タンは比誘電率約１００である。しかし、これら金属に
ついて、リング４０上のエッチングによる重金属の汚染
の可能性という困難が予想される。チャンバー内にフッ
素イオン（Ｆ-）や塩素イオン（Ｃｌ- ）が存在する場
合にこのような困難が生ずるであろう；比較的不活性な
ガスを用いた処理では、このような困難はあまり生じな
いであろう。しかし、何れの場合においても、クオーツ
等不活性な材料のエピタキシャル層をカバーにオーバー
レイすることで、カバー材料による汚染の可能性は防止
できるであろう。この層は、カバーの誘電率に影響しな
いよう十分に薄くしなければならない。
りも高い誘電率を有する材料でカバー４０を作ることで
あり、これは図４に例示された等電位井戸を放射外向き
の静電力を作り出す等電位「丘」(hill)へと換え、粒子
をウエハ上方の空間より離れるように押し運ぶ。シリコ
ンよりも高い誘電率を有する材料は幾つか存在する。例
えば、五酸化タンタルは比誘電率約２５を有し、酸化チ
タンは比誘電率約１００である。しかし、これら金属に
ついて、リング４０上のエッチングによる重金属の汚染
の可能性という困難が予想される。チャンバー内にフッ
素イオン（Ｆ-）や塩素イオン（Ｃｌ- ）が存在する場
合にこのような困難が生ずるであろう；比較的不活性な
ガスを用いた処理では、このような困難はあまり生じな
いであろう。しかし、何れの場合においても、クオーツ
等不活性な材料のエピタキシャル層をカバーにオーバー
レイすることで、カバー材料による汚染の可能性は防止
できるであろう。この層は、カバーの誘電率に影響しな
いよう十分に薄くしなければならない。
【００２７】処理チャンバーによっては、カバー４０は
ウエハ表面上方に伸びる「シャドウリング」(shadow ri
ng) を包含する。シャドウリングの内周はウエハのエッ
ジの上を覆い、（ペデスタルに接する側面上への不要な
堆積を防止するため）ウエハをペデスタルへクランプす
る。シャドウリングは、陽極酸化アルミニウム等導電材
料若しくはセラミクス等低誘電率材料、又はその両者で
作られることが多い。シャドウリングはウエハ表面の上
方に伸び、導電材料及び／若しくは低誘電率材料で構成
されていることが多いため、このシャドウリングはウエ
ハのエッジでプラズマ／シース境界の上向きひずみを高
め、トラップされる粒子を増加させる。しかし、上記方
法により高誘電率絶縁性材料でシャドウリングを作れ
ば、この効果を和らげることができる。
ウエハ表面上方に伸びる「シャドウリング」(shadow ri
ng) を包含する。シャドウリングの内周はウエハのエッ
ジの上を覆い、（ペデスタルに接する側面上への不要な
堆積を防止するため）ウエハをペデスタルへクランプす
る。シャドウリングは、陽極酸化アルミニウム等導電材
料若しくはセラミクス等低誘電率材料、又はその両者で
作られることが多い。シャドウリングはウエハ表面の上
方に伸び、導電材料及び／若しくは低誘電率材料で構成
されていることが多いため、このシャドウリングはウエ
ハのエッジでプラズマ／シース境界の上向きひずみを高
め、トラップされる粒子を増加させる。しかし、上記方
法により高誘電率絶縁性材料でシャドウリングを作れ
ば、この効果を和らげることができる。
【００２８】上昇装置も図４に示されるが、これは図４
に示される位置にウエハ１０を昇降するために用いられ
る。上昇装置は、上昇ピン４４の間に接続される４２の
ようなクロスバーを包含する（クロスバーは２つ、上昇
ピンは４つある；図４には概略的にクロスバー１つと上
昇ピン２つが示される）。クロスバー４２が矢印４６の
方向に上昇する時は、上昇ピンはぺデスタル３０内のア
パーチャー４８を通り通過し、ウエハの下面と係合し、
例えばロボットアームにより把持し移動するように、ウ
エハをペデスタルの上方に上昇させる。（連続処理中の
ウエハ移動のためのロボット装置の一例は、”Multi-Ch
amber Integrated Process System"の名称で承継人に譲
渡された、Maydenらによる米国特許4,951,601 号に記載
されている）。
に示される位置にウエハ１０を昇降するために用いられ
る。上昇装置は、上昇ピン４４の間に接続される４２の
ようなクロスバーを包含する（クロスバーは２つ、上昇
ピンは４つある；図４には概略的にクロスバー１つと上
昇ピン２つが示される）。クロスバー４２が矢印４６の
方向に上昇する時は、上昇ピンはぺデスタル３０内のア
パーチャー４８を通り通過し、ウエハの下面と係合し、
例えばロボットアームにより把持し移動するように、ウ
エハをペデスタルの上方に上昇させる。（連続処理中の
ウエハ移動のためのロボット装置の一例は、”Multi-Ch
amber Integrated Process System"の名称で承継人に譲
渡された、Maydenらによる米国特許4,951,601 号に記載
されている）。
【００２９】本願では特定の実施例を参照しつつ開示を
行ってきた；しかし、開示された発明の主眼から離れる
ことなく、当業者は、ここに記載した実施例の様々な変
形を実施できるであろう。例えば、高誘電率領域は、ウ
エハを完全に包囲する必要はない；高誘電率領域がウエ
ハのどこかのエッジと隣接していれば、等電位井戸から
離れるように導く流路が形成され、粒子はウエハ上方の
空間よりそこを通り脱出できる。
行ってきた；しかし、開示された発明の主眼から離れる
ことなく、当業者は、ここに記載した実施例の様々な変
形を実施できるであろう。例えば、高誘電率領域は、ウ
エハを完全に包囲する必要はない；高誘電率領域がウエ
ハのどこかのエッジと隣接していれば、等電位井戸から
離れるように導く流路が形成され、粒子はウエハ上方の
空間よりそこを通り脱出できる。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、ウエハに隣接するペ
デスタル表面の領域は、ウエハ表面と等しい若しくはウ
エハ表面より大きな誘電率を有し、その領域にウエハを
隣接することによって、ウエハ処理におけるウエハ上方
に粒子がトラップされる現象を低減する方法を提供す
る。従って、処理材料への粒子の混入を良好に制御する
ことが可能となる。
デスタル表面の領域は、ウエハ表面と等しい若しくはウ
エハ表面より大きな誘電率を有し、その領域にウエハを
隣接することによって、ウエハ処理におけるウエハ上方
に粒子がトラップされる現象を低減する方法を提供す
る。従って、処理材料への粒子の混入を良好に制御する
ことが可能となる。
【図１】（Ａ）は、ウエハ１０及び電極１１の断面図で
あり、ウエハ上方にトラップされる粒子の雲を示す。
（Ｂ）は、ウエハ１０及び電極１１のふ観図であり、同
じくウエハ上方にトラップされる粒子の雲を示す。
あり、ウエハ上方にトラップされる粒子の雲を示す。
（Ｂ）は、ウエハ１０及び電極１１のふ観図であり、同
じくウエハ上方にトラップされる粒子の雲を示す。
【図２】ウエハ１０及び電極１１上に形成されるシース
輪郭の概念的断面図であり、このシース輪郭により粒子
がトラップされる。
輪郭の概念的断面図であり、このシース輪郭により粒子
がトラップされる。
【図３】ウエハ１０及び電極１１上に形成されるプラズ
マキャビティーの概念的断面図であり、ここでは粒子の
トラップが低減されている。
マキャビティーの概念的断面図であり、ここでは粒子の
トラップが低減されている。
【図４】本発明の実施に好適なチャンバーの断面図であ
る。
る。
１０…ウエハ、１１…電極、１２…粒子雲、１３…シー
ス−プラズマ境界、１４…電界、３０…ペデスタル、３
２…チャンバー壁、３４…ペデスタルとチャンバー壁と
の間の空間、４０…絶縁カバー、４２…クロスバー、４
４…上昇ピン、４６…クロスバー上昇の方向、４８…ア
パーチャー。
ス−プラズマ境界、１４…電界、３０…ペデスタル、３
２…チャンバー壁、３４…ペデスタルとチャンバー壁と
の間の空間、４０…絶縁カバー、４２…クロスバー、４
４…上昇ピン、４６…クロスバー上昇の方向、４８…ア
パーチャー。
フロントページの続き (72)発明者 チャールズ スティーヴン ローデス アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95052， ロス ガトス， ヘイウッド ロード 16494 (72)発明者 アナンド ギュプタ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95131， サン ノゼ， ブライアークリ ーク ストリート 1270
Claims (20)
- 【請求項１】 ウエハ表面処理のためのプラズマ処理装
置であって、 真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内にあり前記ウエハを支持する表面
を有するペデスタルと、 前記ペデスタル表面と前記チャンバーとの間に接続さ
れ、チャンバー内の前記ウエハ表面上方の空間にプラズ
マを発生する、高周波（ＲＦ）電源と、 を備え、 前記ウエハのエッジに隣接する前記ペデスタル表面の領
域において、前記ペデスタル表面は前記ウエハ表面の誘
電率(permittivity)と実質的に等しい若しくはより大き
い誘電率を有する、 プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記ウエハはシリコンウエハである、請
求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記ペデスタル表面は１０より大なる比
誘電率を有する、請求項２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記ウエハはディスク形状である、請求
項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記ペデスタル表面の前記領域は前記ウ
エハを完全に包囲する、請求項１記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項６】 前記ペデスタル表面の前記領域は、前記
ウエハ表面の前記誘電率と実質的に等しい若しくはより
大きい誘電率を有する材料を備えるペデスタルカバーを
備える、請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 前記ペデスタルカバーは前記ウエハ表面
の上方に伸びるシャドウリング(shadow ring )を備え
る、請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 前記カバーは、前記ウエハ表面の前記誘
電率と実質的に等しい若しくはより大きい誘電率を有す
る前記材料の上を覆う不活性な(inert )材料のエピタキ
シャル層を備える、請求項６記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 前記ペデスタルは平坦である、請求項１
記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１０】 前記誘電率は前記ウエハ表面の誘電率
より実質的に大きい、請求項１記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項１１】 ウエハ表面処理の方法であって、 前記ウエハを真空チャンバー内のペデスタル表面に支持
する工程と、 前記ペデスタル表面と前記チャンバーとの間に接続され
た高周波電源を加圧し、チャンバー内の前記ウエハ表面
上方の空間にプラズマを発生する工程と、 を備え、 前記ウエハのエッジに隣接する前記ペデスタル表面の領
域において、前記ペデスタル表面は前記ウエハ表面の誘
電率と実質的に等しい若しくはより大きい誘電率を有す
る、 ウエハ表面処理の方法。 - 【請求項１２】 前記ウエハはシリコンウエハである、
請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 前記ペデスタル表面は１０より大なる
比誘電率を有する、請求項１２記載の方法。 - 【請求項１４】 前記ウエハはディスク形状である、請
求項１１記載の方法。 - 【請求項１５】 前記ペデスタル表面の前記領域は前記
ウエハを完全に包囲する、請求項１１記載の方法。 - 【請求項１６】 前記ペデスタル表面の前記領域は、前
記ウエハ表面の前記誘電率と実質的に等しい若しくはよ
り大きい誘電率を有する材料を備えるペデスタルカバー
を備える、請求項１１記載の方法。 - 【請求項１７】 前記ペデスタルカバーは前記ウエハ表
面の上方に伸びるシャドウリングを備える、請求項１１
記載の方法。 - 【請求項１８】 前記カバーは、前記ウエハ表面の前記
誘電率と実質的に等しい若しくはより大きい誘電率を有
する前記材料の上を覆う不活性な材料のエピタキシャル
層を備える、請求項１６記載の方法。 - 【請求項１９】 前記ペデスタルは平坦である、請求項
１１記載の方法。 - 【請求項２０】 前記誘電率は前記ウエハ表面の誘電率
より実質的に大きい、請求項１１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US6165493A | 1993-05-13 | 1993-05-13 | |
| US08/061654 | 1993-05-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774067A true JPH0774067A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=22037218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6099767A Pending JPH0774067A (ja) | 1993-05-13 | 1994-05-13 | Ｒｆインピーダンスの異なる材料を利用したプラズマシースの輪郭化によるプラズマ粒子の制御法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5494523A (ja) |
| EP (1) | EP0624896B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0774067A (ja) |
| DE (1) | DE69420774T2 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5803977A (en) * | 1992-09-30 | 1998-09-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for full wafer deposition |
| US5556476A (en) * | 1994-02-23 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Controlling edge deposition on semiconductor substrates |
| US5680013A (en) * | 1994-03-15 | 1997-10-21 | Applied Materials, Inc. | Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces |
| KR960002534A (ko) * | 1994-06-07 | 1996-01-26 | 이노우에 아키라 | 감압·상압 처리장치 |
| US5792376A (en) * | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US5688358A (en) * | 1995-03-08 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | R.F. plasma reactor with larger-than-wafer pedestal conductor |
| JP3220619B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2001-10-22 | 松下電器産業株式会社 | ガス伝熱プラズマ処理装置 |
| US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US5589003A (en) * | 1996-02-09 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Shielded substrate support for processing chamber |
| US5976309A (en) * | 1996-12-17 | 1999-11-02 | Lsi Logic Corporation | Electrode assembly for plasma reactor |
| US5955858A (en) | 1997-02-14 | 1999-09-21 | Applied Materials, Inc. | Mechanically clamping robot wrist |
| DE19713637C2 (de) * | 1997-04-02 | 1999-02-18 | Max Planck Gesellschaft | Teilchenmanipulierung |
| US6214184B1 (en) * | 1997-05-14 | 2001-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Insulated wafer pedestal |
| US6015597A (en) * | 1997-11-26 | 2000-01-18 | 3M Innovative Properties Company | Method for coating diamond-like networks onto particles |
| US6125789A (en) * | 1998-01-30 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor |
| US6028010A (en) * | 1998-02-06 | 2000-02-22 | Sony Corporation | Style gas ring with a guard extension |
| US5955381A (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-21 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit fabrication |
| US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
| US6464843B1 (en) | 1998-03-31 | 2002-10-15 | Lam Research Corporation | Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
| DE19814871A1 (de) | 1998-04-02 | 1999-10-07 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur gezielten Teilchenmanipulierung und -deposition |
| US6146504A (en) | 1998-05-21 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support and lift apparatus and method |
| KR20010089376A (ko) | 1998-10-29 | 2001-10-06 | 조셉 제이. 스위니 | 전력을 반도체 웨이퍼 프로세싱 시스템내의 제품을 통하여연결하기 위한 장치 |
| US6022809A (en) * | 1998-12-03 | 2000-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Composite shadow ring for an etch chamber and method of using |
| US6159299A (en) * | 1999-02-09 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer pedestal with a purge ring |
| US6673198B1 (en) * | 1999-12-22 | 2004-01-06 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved process drift control |
| US6475336B1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-11-05 | Lam Research Corporation | Electrostatically clamped edge ring for plasma processing |
| US6878419B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-04-12 | 3M Innovative Properties Co. | Plasma treatment of porous materials |
| US20040226516A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Daniel Timothy J. | Wafer pedestal cover |
| US20050196971A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-08 | Applied Materials, Inc. | Hardware development to reduce bevel deposition |
| TWI502617B (zh) * | 2010-07-21 | 2015-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件 |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| US11802340B2 (en) * | 2016-12-12 | 2023-10-31 | Applied Materials, Inc. | UHV in-situ cryo-cool chamber |
| US20210265137A1 (en) * | 2020-02-26 | 2021-08-26 | Intel Corporation | Reconditioning of reactive process chamber components for reduced surface oxidation |
| CN116250072A (zh) * | 2020-11-19 | 2023-06-09 | 应用材料公司 | 用于基板极端边缘保护的环 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4793975A (en) * | 1985-05-20 | 1988-12-27 | Tegal Corporation | Plasma Reactor with removable insert |
| JPS6247131A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | Nec Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
| JPS6247130A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | Kokusai Electric Co Ltd | 反応性イオンエツチング装置 |
| US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
| JPS63252439A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-10-19 | アプライド マテリアルズインコーポレーテッド | 多チャンバの統合処理システム |
| US5367139A (en) * | 1989-10-23 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | Methods and apparatus for contamination control in plasma processing |
| US5292399A (en) * | 1990-04-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing |
| US5298720A (en) * | 1990-04-25 | 1994-03-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for contamination control in processing apparatus containing voltage driven electrode |
| US5137610A (en) * | 1991-04-15 | 1992-08-11 | Motorola, Inc. | Sputter chamber with extended protection plate and method of use |
-
1994
- 1994-04-22 EP EP94302901A patent/EP0624896B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-22 DE DE69420774T patent/DE69420774T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-13 JP JP6099767A patent/JPH0774067A/ja active Pending
-
1995
- 1995-02-23 US US08/393,527 patent/US5494523A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69420774T2 (de) | 2000-01-13 |
| US5494523A (en) | 1996-02-27 |
| EP0624896B1 (en) | 1999-09-22 |
| EP0624896A1 (en) | 1994-11-17 |
| DE69420774D1 (de) | 1999-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0774067A (ja) | Ｒｆインピーダンスの異なる材料を利用したプラズマシースの輪郭化によるプラズマ粒子の制御法 | |
| US8323414B2 (en) | Particle removal apparatus and method and plasma processing apparatus | |
| JP4152895B2 (ja) | 半導体ウェーハ乾式蝕刻用電極 | |
| JP4330315B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US7585384B2 (en) | Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma reactor | |
| JP2566692B2 (ja) | 粒子捕集装置を有するプロセス・チェンバ | |
| US8404050B2 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| TWI479046B (zh) | Plasma processing device | |
| US20100163186A1 (en) | Plasma Processing Apparatus | |
| US5410122A (en) | Use of electrostatic forces to reduce particle contamination in semiconductor plasma processing chambers | |
| JP5976377B2 (ja) | 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置 | |
| JP4322484B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP6544902B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20170070852A (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
| JPH04279044A (ja) | 試料保持装置 | |
| JP4209618B2 (ja) | プラズマ処理装置及びリング部材 | |
| JP3343629B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP7554849B2 (ja) | ガス流特徴部を有する静電チャック、及び関連する方法 | |
| JP3578739B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH06283474A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP6298293B2 (ja) | 基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置 | |
| JPH02183533A (ja) | プラズマ気相成長装置の汚染防止方法 | |
| US20210384017A1 (en) | Trap apparatus and substrate processing apparatus | |
| JP5640135B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH08148295A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050404 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050913 |